【課題】有機ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイなどの表示装置において、保護膜等の形成時に酸化処理層を必要とせずに、薄膜トランジスタの電気特性を安定させることが可能である酸化物半導体層を提供する。
【解決手段】基板上に少なくとも、基板側から順に、酸化物半導体層と、ソース・ドレイン電極と、保護膜とを備えた薄膜トランジスタ構造であって、前記酸化物半導体層は、金属元素全体に占めるＺｎの含有量が５０原子％以上であり、ソース・ドレイン電極および保護膜側に形成される第１酸化物半導体層と、Ｉｎ、Ｇａ、およびＺｎよりなる群から選択される少なくとも１種の元素と、Ｓｎとを含み、基板側に形成される第２酸化物半導体層との積層体であり、かつ、前記第１酸化物半導体層と、前記ソース・ドレイン電極および保護膜とが、直接接触していることを特徴とする薄膜トランジスタ構造。 （もっと読む）

【課題】 スパッタ法により良好にＮａ添加されたＧａ添加濃度１〜４０原子％のＣｕ−Ｇａ膜を成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 スパッタリングターゲットのＦ，Ｓ，Ｓｅを除く金属成分として、Ｇａ：１〜４０ａｔ％、Ｎａ：０．０５〜２ａｔ％を含有し、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる成分組成を有し、Ｎａがフッ化ナトリウム、硫化ナトリウム、セレン化ナトリウムのうち少なくとも１種の状態で含有され、酸素含有量が１００〜１０００ｐｐｍである。 （もっと読む）

【課題】透明電極に用いられる透明導電性酸化物は導電性を上げるための一つの手法として膜厚を上げることがあるが、膜厚を上げると透過率が低下するという課題があり、膜厚を上げることなく導電性を向上する必要があった。
【解決手段】基材上に形成された透明電極であって、該透明電極が、基材上に炭素系薄膜層が形成されており、さらにその上に透明導電性化合物層が形成されており、且つ該透明導電性化合物層はその一部が炭素系薄膜に入り込んでいることを特徴とする透明電極。 （もっと読む）

【課題】実施形態は、透明電極と半導体層との間のコンタクト抵抗を低減できる生産性の高い半導体発光装置の製造方法および半導体製造装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置の製造方法は、被処理ウェーハとターゲットとの間に磁界を介在させるスパッタ法を用いて透明電極を形成する。そして、前記磁界を遮蔽した状態で、前記透明電極に含まれる第１の透明導電膜を前記被処理ウェーハの表面に形成する工程と、前記被処理ウェーハと前記ターゲットとの間に前記磁界を介在させ、前記透明電極に含まれる第２の導電膜を前記第１の透明導電膜の上に形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】分割マスク及びこれを利用したマスクフレーム組立体の組立方法を提供する。
【解決手段】パターンが形成された本体部と、本体部の一側から延びた少なくとも一つ以上のサイドクランピング部と、前記少なくとも一つのサイドクランピング部の最外郭のサイドクランピング部に隣接して配される斜めクランピング部と、を備え、斜めクランピング部とサイドクランピング部とがなす角度（θ）は、０°より大きく９０°より小さい（０°＜θ＜９０°）分割マスク及びこれを利用したマスクフレーム組立体の組立方法。 （もっと読む）

【課題】基板に蒸着材料を付着して光学薄膜を形成するハースライナーにおいて、電子銃からの電子ビームを蒸着材料に照射して溶融・気化する際に生じる突沸（スプラッシュ）を防止する。
【解決手段】電子銃から電子ビームを蒸着材料に照射して基板に光学薄膜を形成する真空蒸着装置のハースライナー１において、該ハースライナー１の蒸着材料収納部２の断面形状が、浅い半円形（球）状（おわん状）であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数のスティック型分割マスクが採用されるマスクフレーム組立体を提供する。
【解決手段】フレームに互いに交差して設けられ、その交差位置は互いに溶接で固定された支持バー及び分割マスクを備え、その溶接点の周囲には分割マスクの一部を切除した部分切除部が形成されるマスクフレーム組立体。かかる構造によれば、支持バーで分割マスクの下反りを防止でき、基板と分割マスクとの密着性も向上させることができるマスクフレーム組立体が具現される。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイなどの表示装置において、保護膜等の形成時に酸化処理層を必要とせずに、薄膜トランジスタの電気特性を安定させることが可能である酸化物半導体層を提供する。
【解決手段】基板上に少なくとも、基板側から順に、酸化物半導体層と、ソース・ドレイン電極と、保護膜とを備えた薄膜トランジスタ構造であって、前記酸化物半導体層は、金属元素全体に占めるＺｎの含有量が５０原子％以上であり、ソース・ドレイン電極および保護膜側に形成される第１酸化物半導体層と、Ｉｎ、Ｇａ、およびＺｎよりなる群から選択される少なくとも１種の元素を含み、基板側に形成される第２酸化物半導体層との積層体であり、かつ、前記第１酸化物半導体層と、前記ソース・ドレイン電極および保護膜とが、直接接触していることを特徴とする薄膜トランジスタ構造。 （もっと読む）

【課題】意匠面の薄膜形成領域だけに、薄膜を安定的に且つ確実に形成可能とされた薄膜形成用マスキング装置を提供する。
【解決手段】第一のマスキング部３４にて、基板１２の意匠面１６の薄膜非形成領域をマスキングすると共に、第二のマスキング部３８にて、基板１６の非意匠面１８の少なくとも一部をマスキングした状態下で、それら第一及び第二のマスキング部３４，３８に設けられた第一及び第二の板状突出部３２，３６が、基板１２の意匠面１６の薄膜非形成領域の周囲において、互いに非接触な状態でオーバーラップして配置されるように構成した。 （もっと読む）

【課題】被処理体の所定領域に注入された、Ｎ型領域を形成する元素のイオンを、アニール処理の前後において被処理体の内部に維持し、所望のキャリア濃度のＮ型領域を形成することを可能とする、半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】減圧雰囲気とした真空チャンバ内に、シリコンからなる被処理体１０１を配して、該真空チャンバ内に導入した、Ｎ型領域１０６Ｎを形成する元素Ｘを含むガスをプラズマ励起し、励起された該元素Ｘのイオンを、被処理体１０１の所定領域に注入する前工程と、該元素Ｘが注入された被処理体１０１をアニール処理する後工程と、を含み、該前工程と該後工程との間に、該真空チャンバ内に導入した酸素元素を含むガスをプラズマ励起し、励起された該酸素元素のラジカルに、該被処理体１０１の所定領域を曝露する工程を、さらに備えてなることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】超臨界流体により所望の有機薄膜を形成し得る成膜装置及び成膜方法を提案する。
【解決手段】成膜装置１では、ノズル36の先端開口部36aを基板31の表面近傍に配置し、超臨界流体と基板31との温度差により発生させた過飽和のアントラセンが粉体化する前に基板31の表面に到達させるようにしたことにより、アントラセンが粉体化することなく過飽和状態のアントラセンを基板31の表面にて析出させ堆積させることができ、かくして、超臨界流体により所望の有機薄膜60を形成し得る。 （もっと読む）

【課題】複数の成膜バッチを連続して安定に行うことができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜プロセス領域及び反応プロセス領域が配置される成膜室に対し、開閉可能な隔絶手段１１ｂを介して接続されたロードロック室１１Ｂには、内壁面より内側を加熱可能な加熱装置９０が設けられ、ロードロック室１１Ｂ内を排気可能な真空ポンプ１５’が接続されている。ロードロック室１１Ｂには、ロードロック室１１Ｂの内部に浮遊する不純物成分としての水分を凝結捕捉可能なガス凝結捕捉装置７０を設ける。ガス凝結捕捉装置７０は、ロードロック室１１Ｂの内壁面付近に配置され、低温流体の、ロードロック室外からの導入とロードロック室内での循環を許容する配管７２を含み、低温流体を配管７２に導入し循環させることによって低温化した配管７２の外側表面にロードロック室１１Ｂの内部に浮遊する不純物成を凝結捕捉させる。 （もっと読む）

【課題】蒸着膜を均一な厚みで成膜しつつ、蒸着材料の使用効率および処理効率を向上させることができる電子ビーム蒸着装置を提供する。
【解決手段】上記電子ビーム蒸着装置１０は、チャンバ１１と、搬送機構１２と、容器１７と、マスク１９と、電子ビーム形成機構１５とを具備する。搬送機構１２は、チャンバの内部で基板Ｓを支持する支持部材１３と、支持部材を第１の方向に搬送する駆動源１４とを有する。容器１７は、蒸着材料Ｍを収容する。マスク１９は、支持部材１３と容器１７との間に配置され、支持部材１３に支持された基板Ｓに対する蒸着材料Ｍの成膜領域を規制する。電子ビーム形成機構１５は、電子銃１６を含み、マスク１９側から容器１７側へ向かう第２の方向より、電子ビームｅが容器１７へ入射するビームラインを形成する。 （もっと読む）

【課題】分割マスクとその分割マスクを含むマスクフレーム組立体の組立装置を提供する。
【解決手段】蒸着用パターンが設けられたスティック本体と、スティック本体の長手方向に沿って延びた第１クランピング部と、スティック本体の長手方向と幅方向との間の斜め方向に沿って延びた第２クランピング部と、を備える分割マスク及びその分割マスクを含むマスクフレーム組立体の組立装置である。これにより、マスクフレーム組立体の組立時、第１、２クランピング部を利用して、長手方向だけでなく、幅方向にも引張力を与えることができるので、ウェーブの発生を抑制して精密なマスクフレーム組立体を作りうる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性（移動度、オフ電流、閾値電圧）及び信頼性（閾値電圧シフト、耐湿性）が良好で、ディスプレイパネルに適した電界効果型トランジスタを提供すること。
【解決手段】基板上に、少なくともゲート電極と、ゲート絶縁膜と、半導体層と、半導体層の保護層と、ソース電極と、ドレイン電極とを有し、ソース電極とドレイン電極が、半導体層を介して接続してあり、ゲート電極と半導体層の間にゲート絶縁膜があり、半導体層の少なくとも一面側に保護層を有し、半導体層が、Ｉｎ原子、Ｓｎ原子及びＺｎ原子を含む酸化物であり、かつ、Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子組成比率が２５原子％以上７５原子％以下であり、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子組成比率が５０原子％未満であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】プラズマを用いるスパッタリング法により、逆スパッタされやすい元素の組成減少を抑制して所望の組成比を有する膜を成膜する成膜方法を提供する。
【解決手段】基板２０上に、プラズマを用いるスパッタリング法により、複数の金属元素を含む複合ターゲットＴを用いて複合ターゲットＴに含まれる全ての構成元素を含み、複合ターゲットＴに含まれる全ての金属元素のうち、個々の該元素単体の結合エネルギーが最も高い元素の結合エネルギーＥｍａｘと、個々の前記元素単体の結合エネルギーが最も低い元素の結合エネルギーＥｍｉｎとが下記式（１）を満足する膜４０を成膜する方法であって、成膜時のプラズマ中のプラズマ電位Ｖｐ（Ｖ）と基板電位Ｖｓｕｂ（Ｖ）との電位差を、膜４０中の結合エネルギーが最も低い元素が逆スパッタされる閾値以下となるように制御して成膜する。Ｅｍａｘ／Ｅｍｉｎ≧１．５・・・（１） （もっと読む）

【課題】チャンバ内壁を保護するシールドの交換頻度を低下させ、半導体製造工程におけるスループットの向上および製造コストの低下を実現することができる成膜装置およびシールド部材を提供する。
【解決手段】本実施形態による成膜装置は、基板を真空雰囲気中に収容するチャンバと、基板に材料を成膜する際に前記チャンバの内壁を保護し、チャンバから着脱可能なシールド部材とを備えている。シールド部材は、チャンバの内壁の保護にまだ使用されていていない使用前シールドを筒状に巻いた使用前ロールと、使用前ロールと連続して繋がっており、チャンバの内壁の保護にすでに使用された使用後シールドを筒状に巻くことが可能な使用後ロールとを含む。ガイド部は、シールド部材をチャンバの内壁において支持する。 （もっと読む）

【課題】外部電極の電気的特性及び部品本体への密着力の双方が良好であり且つ小型化に適したチップ状電子部品を提供する。
【解決手段】内部電極１１が埋設された部品本体１０と該部品本体１０の外面に形成された外部電極２０とを備えたチップ状電子部品１において、外部電極２０は、少なくとも部品本体１０に接する部位において物理的蒸着法で形成されてなり且つ第１の電極材料２３と第２の電極材料２４とが混合された混合層２１を含み、該混合層２１は部品本体から離れるにしたがって第１の電極材料２３に対する第２の電極材料２４の混合率が漸小している。 （もっと読む）

【課題】粒子状材料を容器から気化ゾーンに効率的に移動させる方法を提供する。
【解決手段】粒子状材料を気化させて表面上に凝縮させることで層を形成する1つの方法では、ある量の粒子状材料を、その粒子状材料が自由に通過できるサイズの開口部を有する第1の容器５０に供給する。その粒子状材料は、開口部を通じてスクリュー構造８０の中に移される。そのスクリュー構造の少なくとも一部を回転させて粒子状材料を第1の容器から供給路６０に沿って気化ゾーンに移し、その気化ゾーンでその粒子状材料の少なくとも1つの成分を気化させて表面に供給することで層を形成する。スクリュー構造のサイズは、粒子状材料が開口部を自由に通過するのが容易になるように選択されている。 （もっと読む）

【課題】蒸着装置を用いた成膜技術において、蒸発源への蒸着材料の供給を容易とすることにより作業者への負担を低減し、また、蒸着膜の組成や厚さ等の再現性を向上させる。
【解決手段】坩堝１１は、蒸発源の筐体の内部に固定された坩堝本体１１Ａと、坩堝本体１１Ａの内側に収納される坩堝材料室１１Ｂと、から構成され、坩堝本体１１Ａは、主に、それぞれ所定の厚みを有する底面部１１Ａ１と側面部１１Ａ２と上面部１１Ａ３とから成り、坩堝材料室１１Ｂは、主に、それぞれ所定の厚みを有する底面部１１Ｂ１と側面部１１Ｂ２ｆ，１１Ｂ２ｓ，１１Ｂ２ｓ，１１Ｂ２ｂとから成り、坩堝本体１１Ａの側面部１１Ａ２を設けていない開口領域から、坩堝材料室１１Ｂを坩堝本体１１Ａの内側に出し入れすることができ、坩堝材料室１１Ｂの側面部１１Ｂ２ｆに、複数の吹き出しノズル１２が設けられている。 （もっと読む）