【課題】チャンバ内壁を保護するシールドの交換頻度を低下させ、半導体製造工程におけるスループットの向上および製造コストの低下を実現することができる成膜装置およびシールド部材を提供する。
【解決手段】本実施形態による成膜装置は、基板を真空雰囲気中に収容するチャンバと、基板に材料を成膜する際に前記チャンバの内壁を保護し、チャンバから着脱可能なシールド部材とを備えている。シールド部材は、チャンバの内壁の保護にまだ使用されていていない使用前シールドを筒状に巻いた使用前ロールと、使用前ロールと連続して繋がっており、チャンバの内壁の保護にすでに使用された使用後シールドを筒状に巻くことが可能な使用後ロールとを含む。ガイド部は、シールド部材をチャンバの内壁において支持する。 （もっと読む）

【課題】電流量の減少や断線などの問題を抑制した状態で、電界効果トランジスタをより微細化できるようにする。
【解決手段】基板１０１の上に形成されたグラフェンからなるフィン状のチャンネル領域１０２と、ゲート電極１０４およびゲート電極１０４を挟んでチャンネル領域１０２に接続されたソース電極１０５およびドレイン電極１０６とを備える。例えば、チャンネル領域１０２は、グラフェンが１層から４層程度積層されたものである。図１に示す例では、ゲート電極１０４は、チャンネル領域１０２にゲート絶縁層１０３を介して形成されている。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットを用いたときの成膜速度（スパッタレート）が高められ、好ましくはスプラッシュの発生を防止できるＡｌ基合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明のＡｌ基合金スパッタリングターゲットは、Ｔａを含有するものである。好ましくは、ＡｌおよびＴａを含むＡｌ−Ｔａ系金属間化合物の平均粒子直径は０．００５μｍ以上１．０μｍ以下で、且つ、Ａｌ−Ｔａ系金属間化合物の平均粒子間距離は０．０１μｍ以上１０．０μｍ以下を満足するものである。 （もっと読む）

【課題】ピンチングにより高エネルギーのプラズマ・電子ビームを発生できるプラズマ・電子ビーム発生装置、薄膜製造装置及び薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜製造装置は、パルス生成器２でパルストリガーが付与される予備室１と、予備室１の下流域に取り付けられ、かつ高電圧が印加され、真空下及び減圧下でプラズマを発生させる中空カソード４と、中空カソードから延びるキャピラリー状放電管３と、前記電圧を印加する印加手段６と、前記放電管３を収容する真空チャンバー７と、真空手段８と、放電管３からのプラズマ・電子ビームが照射されるターゲット９と、ターゲットの構成元素を蒸着させるための基板１０とを備えている。さらに、前記放電管３をアノードと同電位に接地するためのアース手段１１を備え、前記放電管３は、比誘電率が３．５以上を越え、二次電子放電係数γが１以上であり、かつ沿面放電によりプラズマを発生可能な材料で形成されている。この装置は、基板に硬質炭素膜などを形成するのに有用である。 （もっと読む）

【課題】蒸着材料を溶媒に溶かしてなる液体材料から溶媒を確実に除去して蒸着を行うことで、この溶媒による基板の汚染を防止し、高品質の蒸着膜を得ることができる真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】有機液体材料Ｌを、蒸発装置２で有機溶媒を除去した上で蒸発させて蒸発材料とし、これを真空容器４内の基板Ｋに導き蒸着させる真空蒸着装置１であって、蒸発装置２が、有機液体材料Ｌが充填されて蒸発溶媒の排出口２２が形成された蒸発容器２０と、有機溶媒のみが蒸発して蒸着材料が蒸発しない温度に設定し得る蒸発用ヒータ１８と、排出口２２に第２開閉弁１２を介して接続された蒸発室用真空ポンプ１５と、流量調整弁１６とを有し、蒸発装置２が、流量調整弁１６を閉にすると共に、蒸発容器２０内の有機溶媒のみを蒸発用ヒータ１８で蒸発させた後、第２開閉弁１２を開にして上記ポンプ１５で蒸発容器２０内の蒸発溶媒を吸引し、有機溶媒を除去し得るもの。 （もっと読む）

【課題】ドライコート法による成膜処理において、成膜対象である基板のセッティング性を向上させる技術を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、基板２５を保持する保持器具５０と、成膜室１１０において、保持器具５０を、取り付けられた基板２５が立った状態となるように固定する基台１１２とを備える。保持器具５０は、枠部５１と、枠部５１の互いに対向する長辺に沿って設けられた第１と第２の側辺支持部５２，５３と、枠部５１の底辺に沿って設けられた底辺支持部５４とを備える。第１と第２の側辺支持部５２，５３は、基板２５の長辺の一部を収容するスリットＳを有する。第１と第２の側辺支持部５２，５３は、基板２５が水平方向へと傾くことを抑制するとともに、基板２５が枠部５１から離間することを抑制する。底辺支持部５４は、基板２５が重力方向へ脱落することを抑制する。 （もっと読む）

【課題】装置自体の大型化を招来することなく、一度に載置するワーク数を増加させられるようにする。
【解決手段】本発明は、ターゲット２０，２１による蒸着位置を含む一定の公転経路上に沿って、複数のワークＰそれぞれを自転させながら移動させる蒸着装置用ワーク移動機構Ｂにおいて、上記隣り合うワークＰ，Ｐどうしを、これらの自転領域を重なり合わせ、かつ、互いに干渉しない姿勢に保持しているとともに、それら隣り合うワークＰ，Ｐを互いに逆回転させながら公転経路上を移動させる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ２０のゲート電極１５、ソース、ドレイン電極３３、３４のうち、いずれか一つ以上の電極はバリア膜２５を有し、バリア膜２５が成膜対象物２１又は半導体層３０に密着している。ＮｉとＭｏを１００原子％としたときに、バリア膜２５は、Ｍｏを７原子％以上７０原子％以下含有し、ガラスからなる成膜対象物２１や半導体層３０に対する密着性が高い。また、バリア膜２５表面にＣｕを主成分とする金属低抵抗層２６が形成された場合に、Ｃｕが半導体層３０に拡散しない。 （もっと読む）

【課題】 ターゲットの大型化に伴い、ターゲットに大電力が投入されてもスプラッシュを抑制することができると共に、耐食性および耐熱性に優れ、低電気抵抗の膜を形成可能な導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットが、Ｉｎ：０．１〜１．５質量％を含有し、さらにＧａ，Ｓｎの内の１種または２種を合計で０．１〜１．５質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金で構成され、銀合金の結晶粒の平均粒径が１２０〜２５０μｍであり、結晶粒の粒径のばらつきが、平均粒径の２０％以下である。 （もっと読む）

【課題】ドーパントの濃度を制御して半導体層を形成する技術を提供する。
【解決手段】
真空槽５１内の第二主ターゲット４２を、希ガスと反応性ガスとを含有するスパッタリングガスでスパッタリングし、成膜対象物２８表面に到達させて半導体層２６を形成する際に、真空槽５１内に配置されたドーパントを蒸着材料６４として加熱し、蒸着材料６４の蒸気を発生させ、成膜対象物２８表面に到達させ、ドーパントを含有する半導体層２６を形成する。蒸着材料６４の蒸気は、成膜対象物２８と蒸着材料６４の間に配置した放出量制限部材６３の貫通孔６６を通過させることで減少させるので、半導体層２６に微少量含有させることができるようになる。 （もっと読む）

【課題】 ターゲットの大型化に伴い、ターゲットに大電力が投入されてもスプラッシュを抑制することができると共に、耐食性および耐熱性に優れ、低電気抵抗の膜を形成可能な導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットが、Ｉｎ：０．１〜１．５質量％を含有し、さらにＣｅ，Ｅｕの内の１種または２種を合計で０．０５〜０．８質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金で構成され、銀合金の結晶粒の平均粒径が１２０〜２５０μｍであり、結晶粒の粒径のばらつきが、平均粒径の２０％以下である。 （もっと読む）

【課題】 成膜対象物上への薄膜の形成を好適に行うことが可能な成膜装置、及び成膜方法を提供する。
【解決手段】 Ｓｉ原子を含む化合物または混合物を表面改質材料として導入する導入管２０と、キャリアガスを導入する導入管２５と、表面改質材料及びキャリアガスを内部に導入、加熱して、それらが混合された表面改質ガスを供給するホットウォール管１２と、ホットウォール管１２の内部において加熱されることで金属材料を含む成膜材料ガスを供給する成膜材料体３０と、成膜面上に薄膜を形成するための成膜用基板１６を保持する基板保持ステージ１５とを用いて成膜装置１Ａを構成する。そして、ホットウォール管１２から基板１６の成膜面へと表面改質ガス及び成膜材料ガスを供給することによって、金属材料を少なくとも含む薄膜を成膜面上に形成する。 （もっと読む）

【課題】結晶性ＩＴＯ膜を、加熱処理を行うことなく短時間で容易に製造することができる、結晶性ＩＴＯ膜の製造方法を提供する。
【解決手段】不活性ガスおよび酸素ガスを含む第１の混合ガスをチャンバ内に導入した状態で、基板上に種結晶を含むＩＴＯ膜１２０をスパッタリング成膜した後に、不活性ガスおよび酸素ガスを含む第２の混合ガスをチャンバ内に導入した状態で、結晶性ＩＴＯ膜１３０をスパッタリング成膜する。第１の混合ガスにおける不活性ガスと酸素ガスとの分圧比は、１００：５〜７.５の範囲内である。また、第２の混合ガスにおける不活性ガスと酸素ガスとの分圧比は、１００：０．５〜２．５の範囲内である。 （もっと読む）

【課題】有機半導体真空蒸着膜の形成に当たり、蒸着膜を高結晶化させるための新規かつ有効な手段を提供する。
【解決手段】有機半導体の蒸着膜を構成すべき有機半導体分子を基板に真空蒸着させるに当たり、室温における蒸気圧が１Pa以下であるが有機半導体分子よりも高い蒸気圧を示し、真空蒸着条件下において蒸発又は昇華すると共に加熱された基板上において揮発性を示す不活性分子を共蒸発物として用いる真空蒸着成膜方法。 （もっと読む）

【課題】大型化が比較的容易で、比較的安価な窒化物半導体用基板を提供する。
【解決手段】基材１２０と、該基材１２０の上部に設置されたバッファ層１６０と、該バッファ層１６０の上部に設置された窒化物半導体層１８０とを有する窒化物半導体用基板１００であって、前記基材１２０は、石英で構成され、前記バッファ層１６０は、ガリウム（Ｇａ）および／またはアルミニウム（Ａｌ）の窒化物を含み、前記窒化物半導体層１８０は、ガリウム（Ｇａ）および／またはアルミニウム（Ａｌ）を含む窒化物半導体で構成され、前記基材１２０と前記バッファ層１６０の間には、応力緩和層１２５が設置され、該応力緩和層１２５は、前記基材１２０に近い側のアモルファス層１３０および前記基材１２０に遠い側の結晶化層１５０を有し、または前記基材１２０に遠い側に結晶成分を含むアモルファス層を有し、前記応力緩和層１２５は、窒化珪素または酸窒化珪素を含む。 （もっと読む）

【課題】低抵抗、高透過率および適切な表面凹凸を有する透明導電膜を、低温でより少ないプロセスで得られる太陽電池用透明導電膜の形成方法、それによって形成された透明導電膜、およびその透明導電膜を形成するための形成装置を提供する。
【解決手段】一つの真空チャンバー１内で、スパッタリング法により基板７の表面に透明導電膜を形成する方法であって、基板７の表面上に、拡散板１６を通してレーザー光Ｌを照射しながら成膜する。 （もっと読む）

【課題】複数の棒状ヒータランプが並列配置されるとともに、該ヒータランプを点灯制御する制御部を備えた熱処理装置において、余計な部材を使うことなく、簡単な制御によって、ワーク表面を均一加熱できるようにすることである。
【解決手段】前記ヒータランプは、中央ランプ群と、その両側に配置された端部ランプ群とに区分けされ、前記制御部は、前記端部ランプ群を構成するヒータランプを点灯した後に、前記中央ランプ群を構成するヒータランプを点灯するよう制御して、ワークの中央部領域と端部領域とが熱反応温度以上の温度領域にいる反応時間帯をほぼ一致させたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ターゲットの大型化に伴い、ターゲットに大電力が投入されてもスプラッシュを抑制することができると共に、耐食性および耐熱性に優れ、低電気抵抗の膜を形成可能な導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットが、Ｇａ，Ｓｎの内の１種または２種を合計で０．１〜１．５質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金で構成され、銀合金の結晶粒の平均粒径が１２０〜４００μｍであり、結晶粒の粒径のばらつきが、平均粒径の２０％以下である。 （もっと読む）

【課題】薄膜を蒸着するための装置の稼動停止周期を延ばし、装置の使用効率を高めることができる大容量薄膜形成用蒸着装置を提供する。
【解決手段】複数の原料容器１１０およびセンサー１５０を設け、原料容器１１０に収容される原料物質１の量を分散することによって、単一の大容量の原料容器を用いる場合に比べて原料物質１の加熱に必要な熱量を減少させ、第２のヒーター１９０で噴射口１３０の周囲の温度を上昇させることによって、噴射口１３０の周囲では常に原料物質が気化された状態を維持する。 （もっと読む）

【課題】コールドスプレー法を用いて基材に金属皮膜を形成させた積層体を製造する場合に、基材と金属皮膜との間の密着強度が高い積層体の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の積層体１０は、金属または合金から形成された基材１と、基材１表面に形成された基材１より軟らかい金属または合金からなる中間層２と、金属または合金の粉末材料を該粉末材料の融点より低い温度に加熱されたガスと共に加速し、中間層２に固相状態のままで吹き付けて堆積させた金属皮膜３と、を備える。 （もっと読む）