【課題】 ターゲットの大型化に伴い、ターゲットに大電力が投入されてもスプラッシュを抑制することができると共に、耐食性および耐熱性に優れ、低電気抵抗の膜を形成可能な導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットが、Ｉｎ：０．１〜１．５質量％を含有し、さらにＧａ，Ｓｎの内の１種または２種を合計で０．１〜１．５質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金で構成され、銀合金の結晶粒の平均粒径が１２０〜２５０μｍであり、結晶粒の粒径のばらつきが、平均粒径の２０％以下である。 （もっと読む）

【課題】ドーパントの濃度を制御して半導体層を形成する技術を提供する。
【解決手段】
真空槽５１内の第二主ターゲット４２を、希ガスと反応性ガスとを含有するスパッタリングガスでスパッタリングし、成膜対象物２８表面に到達させて半導体層２６を形成する際に、真空槽５１内に配置されたドーパントを蒸着材料６４として加熱し、蒸着材料６４の蒸気を発生させ、成膜対象物２８表面に到達させ、ドーパントを含有する半導体層２６を形成する。蒸着材料６４の蒸気は、成膜対象物２８と蒸着材料６４の間に配置した放出量制限部材６３の貫通孔６６を通過させることで減少させるので、半導体層２６に微少量含有させることができるようになる。 （もっと読む）

【課題】 ターゲットの大型化に伴い、ターゲットに大電力が投入されてもスプラッシュを抑制することができると共に、耐食性および耐熱性に優れ、低電気抵抗の膜を形成可能な導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットが、Ｉｎ：０．１〜１．５質量％を含有し、さらにＣｅ，Ｅｕの内の１種または２種を合計で０．０５〜０．８質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金で構成され、銀合金の結晶粒の平均粒径が１２０〜２５０μｍであり、結晶粒の粒径のばらつきが、平均粒径の２０％以下である。 （もっと読む）

【課題】広い範囲で制御された組成比を有し、結晶性に優れる化合物半導体の膜を用いた半導体素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板１１０上にｎ型半導体およびｐ型半導体を含むように積層して構成された半導体素子の製造方法であって、異なるＩＩＩ族元素による少なくとも２つのターゲット（第１ターゲット２１および第２ターゲット２２）を、Ｖ族元素を含むガスによりスパッタリングして、基板１１０上にＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体の膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】広い範囲で制御された組成比を有し、結晶性に優れる化合物半導体の膜を用いた半導体素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板１１０上にｎ型半導体およびｐ型半導体を含むように積層して構成された半導体素子の製造方法であって、異なるＩＩＩ族元素による少なくとも２つのターゲット（第１ターゲット２１および第２ターゲット２２）を、Ｖ族元素を含むガスによりスパッタリングして、基板１１０上にＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体の膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】蒸発源のノズル付近に蒸着物が堆積し、蒸着精度が低下することを防止することが出来る真空蒸着装置を実現する。
【解決手段】蒸発源3から蒸着物質を蒸発させ、メタルマスク4を介して有機ＥＬ表示装置用基板1の上に有機薄膜2を蒸着する。蒸発源3には、ノズルが線状に配置され、線状のノズルから蒸気15が噴射される。蒸発源を上下させることによって、基板1全面に蒸着を行うことが出来る。蒸着室内において、蒸気が当たらない箇所に赤外線ランプユニット11を配置し、赤外線を蒸発源のノズル付近に照射して、ノズル付近に堆積した蒸着物質を除去する。これによってノズルの径が小さくなったり、目づまりが生じたりすることを防止する。 （もっと読む）

【課題】良好な電気特性を有する半導体装置および該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に水素透過膜を形成し、水素透過膜上に水素捕縛膜を形成し、加熱処理を行って、酸化物半導体膜から水素を脱離させ、酸化物半導体膜の一部に接するソース電極およびドレイン電極を形成し、水素捕縛膜の露出されている部分を除去して、水素透過膜のチャネル保護膜を形成する半導体装置の作製方法である。また、該作製方法で作製された半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】物理蒸着中に、凝縮した蒸気を収集するための装置および真空システムを提供する。
【解決手段】物理蒸着中に、凝縮した蒸気を収集するための装置は、真空チャンバ内の１つ以上の蒸気源に隣接して配置されるように構成された筐体を備える。この筐体は、対象物を収容するように構成された空間の体積を部分的に囲む筐体の内面を含み、この筐体は、上記１つ以上の蒸気源よりも低い温度に保たれる。上記筐体の内面は１つ以上の排水溝に結合される。 （もっと読む）

【課題】
Ｃ_４Ｈ_Ｘ^＋イオン、Ｃ_５Ｈ_Ｘ^＋イオンまたはＣ_６Ｈ_Ｘ^＋イオン（ｘは１以上の整数）を生成し、ウエハに対して、効率的にイオン注入する。
【解決手段】
本発明のイオン注入方法では、ＣｎＨｘ（ｎは４≦ｎ≦６の整数、ｘは１≦ｘ≦２ｎ＋２の整数）で表されるイオン生成用原料を使用し、ＣｍＨｙ^＋イオン（ｍは４≦ｍ≦６の整数、ｙは１≦ｙ≦２ｍ＋２の整数）を生成する。その後、生成されたイオンをウエハに注入する。
（もっと読む）

【課題】ＬａＢ₆焼結体作製用の原料粉末として好適な、高純度で粒径の小さなＬａＢ₆微粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）平均粒径２０ｎｍ以上２２０ｎｍ以下のランタン化合物微粒子と平均粒径２０ｎｍ以上１０μｍ以下のホウ素化合物微粒子とを、Ｂ／Ｌａ原子比４以下になるように溶媒及び樹脂中に混合させる工程、（ｂ）混合液の乾燥工程、（ｃ）乾燥物を真空中又は不活性ガス雰囲気中で炭化後、真空、還元雰囲気及び不活性ガス雰囲気のいずれかの雰囲気中にて１１５０℃以上１６００℃以下で熱処理する工程、及び（ｄ）熱処理物を大気中にて５００℃以上８００℃以下で加熱酸化処理し、無機酸中で酸処理する工程を有し、（ａ）工程において、樹脂の質量がランタン化合物微粒子及びホウ素化合物微粒子の合計質量に対して０．５質量％以上１０質量％以下である六ホウ化ランタン微粒子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】広い範囲で制御された組成比を有し、結晶性に優れる化合物半導体の膜を用いた半導体素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板１１０上にｎ型半導体およびｐ型半導体を含むように積層して構成された半導体素子の製造方法であって、異なるＩＩＩ族元素による少なくとも２つのターゲット（第１ターゲット２１および第２ターゲット２２）を、Ｖ族元素を含むガスによりスパッタリングして、基板１１０上にＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体の膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】大型基板上に膜厚が均一で不純物の少ない薄膜を高速に成膜させ、長時間連続運転可能な真空蒸着装置及び成膜装置を提供する。
【解決手段】蒸発源は蒸着材料１７を収容し、蒸気１６を外部に放出するノズル１６を有する坩堝１４と、坩堝１４を加熱するヒーター１３で構成されている。蒸気１５が放出されるノズル１４の先端に金属で形成されたリング状の信号検出センサー１１を配置する。蒸着材料１７が過熱されて分解されたときに発生する荷電粒子が信号検出センサー１１に衝突すると微弱電流が流れる。この微弱電流を蒸着室の外部に設置された第１の制御装置１８によって検出し、第１の制御装置１８からの信号を用いる第２の制御装置１２によって蒸発源のヒーター１３に加える電力を制御することによって蒸着膜厚を制御する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタの作製工程において、ゲート電極を形成後、インライン装置にて、酸化アルミニウム膜と酸化シリコン膜と酸化物半導体膜を大気暴露することなく連続的に形成し、さらに同インライン装置にて加熱および酸素添加処理を行い、他の酸化アルミニウム膜でトランジスタを覆った後、熱処理を行うことで、水素原子を含む不純物が除去され、且つ、化学量論比を超える酸素を含む領域を有する酸化物半導体膜を形成する。該酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ）試験前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減されており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 （もっと読む）

【課題】大型サイズの基板であっても、なお且つ複数種類の基板サイズに対しても、いずれも欠陥品質が良好で、光学特性の面内均一性が良好な薄膜を形成できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】透光性基板上に転写パターンを形成するための薄膜を成膜する際に用いるスパッタリング装置であって、少なくとも一つ以上の成膜チャンバと、成膜チャンバ内に配置される複数のスパッタリングカソード７と、複数のスパッタリングカソード７と対向配置され、成膜中、基板が一定位置に配置されるように基板を保持する基板保持手段９５と、スパッタリングガスを、複数のスパッタリングカソード７間を通過して基板表面の近傍に供給するスパッタリングガス供給手段９とを備える。 （もっと読む）

【課題】より安定した電気的特性の酸化インジウム亜鉛でなる酸化物半導体膜を提供する。また、当該酸化物半導体膜を用いることにより、半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化インジウム亜鉛でなる酸化物半導体膜において、当該酸化物半導体膜は、ａ−ｂ面が酸化物半導体膜表面に概略平行である六方晶の結晶構造と、ａ−ｂ面が該酸化物半導体膜表面に概略平行である菱面体晶の結晶構造と、を有する酸化物半導体膜である。 （もっと読む）

【課題】大型基板上に膜厚が均一で有機EL上部電極用のアルミ金属薄膜を高速に成膜させ、長時間連続運転可能な真空蒸着装置及び成膜装置を提供する。
【解決手段】セラミック製の坩堝を用いてアルミの這い上がりを防止し、同一方向に所定の角度で傾いた蒸発源３−１を少なくとも２つ以上、縦方向に並べた蒸発源列３−２を横方向に操作して蒸着する機構を用いることにより、大型化した縦置き基板１−１に対して、有機EL上部電極用金属薄膜を高速成膜し、長時間の連続成膜をすることを可能にする。 （もっと読む）

【課題】配線信頼性が向上される。
【解決手段】半導体基板上に配線層１１と層間絶縁膜１２とが順に形成され、層間絶縁膜１２にトレンチ溝１３とトレンチ溝１３中に配線層１１に達するビア孔１４とが形成され、トレンチ溝１３内、ビア孔１４内および層間絶縁膜１２上に、チタン、ジルコニウムおよびマンガンのうちのいずれか、もしくはこれらの合金である金属膜１５が成膜され、スパッタ法を用いて、ビア孔１４の底部の金属膜１５をエッチングするとともに、トレンチ溝１３の底部および側壁とビア孔１４の側壁に、タンタル、タングステンのいずれか、もしくはこれらの合金である金属膜１６が成膜されて、さらに、ビア孔１４の側壁にそれぞれの金属によって新たな金属膜が生成され、ビア孔１４とトレンチ溝１３とを導電性材料１７ａで埋め込んだ配線層が形成されるようになる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高い硬度及び優れた耐摩耗性を有する被覆部材及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る硬質塗層を有する被覆部材は、硬質基材を備えている。前記被覆部材は、前記硬質基材に形成された結合層と、前記結合層に形成された中間層と、前記中間層に形成された硬質層と、を備えている。又、本発明は、硬質塗層を有する被覆部材の製造方法にも関している。 （もっと読む）

【課題】基板及び／又は絶縁膜との高い密着性を有し、且つ、液晶表示装置などの製造過程で施される熱処理後も低い電気抵抗率を有する新規なＣｕ合金膜を提供する。
【解決手段】基板上にて、基板及び／又は絶縁膜と直接接触するＣｕ合金膜であって、前記Ｃｕ合金膜は基板側から順に、合金成分としてＸ（Ｘは、Ａｇ、Ａｕ、Ｃ、Ｗ、Ｃａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｎ、ＢおよびＮｉよりなる群から選択される少なくとも一種の元素）を含有するＣｕ−Ｍｎ−Ｘ合金層（第一層）と、純Ｃｕ、またはＣｕを主成分とするＣｕ合金であって前記第一層よりも電気抵抗率の低いＣｕ合金からなる層（第二層）で構成されたＣｕ合金膜である。 （もっと読む）

【課題】製品の歩留まりを向上させることができる半導体装置の製造方法、製造システムおよび調整装置を提供すること。
【解決手段】実施形態にかかる半導体装置の製造方法は、成膜工程と、加工工程と、イオン注入工程と、アニール工程と、調整工程とを含む。成膜工程では、基板上に半導体の薄膜を成膜する。加工工程では、薄膜を所定の形状に加工する。イオン注入工程では、所定の形状に加工された薄膜に対してイオン注入処理を行う。アニール工程では、イオン注入処理が行われた薄膜をアニール処理して抵抗素子を生成する。調整工程では、成膜工程における薄膜の成膜条件および成膜結果と加工工程における薄膜の加工結果とのうち、少なくともいずれか１つに基づき、イオン注入工程におけるイオン注入処理の処理条件およびアニール工程におけるアニール処理の処理条件の双方または一方を調整する。 （もっと読む）