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Fターム[4K029AA24]の内容

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Fターム[4K029AA24]に分類される特許

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【課題】本発明は、高い硬度及び優れた耐摩耗性を有する被覆部材及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る硬質塗層を有する被覆部材は、硬質基材を備えている。前記被覆部材は、前記硬質基材に形成された結合層と、前記結合層に形成された中間層と、前記中間層に形成された硬質層と、を備えている。又、本発明は、硬質塗層を有する被覆部材の製造方法にも関している。 (もっと読む)


【課題】基板及び/又は絶縁膜との高い密着性を有し、且つ、液晶表示装置などの製造過程で施される熱処理後も低い電気抵抗率を有する新規なCu合金膜を提供する。
【解決手段】基板上にて、基板及び/又は絶縁膜と直接接触するCu合金膜であって、前記Cu合金膜は基板側から順に、合金成分としてX(Xは、Ag、Au、C、W、Ca、Mg、Al、Sn、BおよびNiよりなる群から選択される少なくとも一種の元素)を含有するCu−Mn−X合金層(第一層)と、純Cu、またはCuを主成分とするCu合金であって前記第一層よりも電気抵抗率の低いCu合金からなる層(第二層)で構成されたCu合金膜である。 (もっと読む)


【課題】Nd−Fe−B系永久磁石薄膜などの永久磁石薄膜の磁気特性を向上させることができる、永久磁石薄膜用スパッタリングターゲット及びその製造方法の提供。
【解決手段】原子比率による組成式が、R100−x−y(Rは希土類元素のうち少なくとも一種であってNd及び/又はPrを必ず含み、Tは遷移元素のうち少なくとも一種であってFeを必ず含み、MはB又はBとCであって50原子%≦B/Mを満足する)で表され、x、yが、17≦x≦20、7≦y≦10を満足する組成からなり、酸素含有量が1500ppm以下の焼結体である。 (もっと読む)


【課題】 積層数が少なくてもガスバリア性に優れ、かつ、高い透明性を有する透明ガスバリアフィルムおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 樹脂基板上にガスバリア性を有する透明ガスバリア層が形成された透明ガスバリアフィルムであって、前記透明ガスバリア層が、亜酸化物無機層と炭素含有無機層とを含む積層体であり、前記樹脂基板上に、前記亜酸化物無機層と前記炭素含有無機層とがこの順に積層されており、前記炭素含有無機層が、炭化金属および炭化半金属から選択される少なくとも1種の炭化物を含むターゲットを用いたスパッタリング法により形成され、かつ、金属および半金属の少なくとも一方と、炭素と、窒素とを含む層であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ポリイミドの炭化を防止でき、成膜容器内にパーティクルが残ることなくポリイミドを除去することができるクリーニング方法を提供する。
【解決手段】酸二無水物よりなる第1の原料を気化させた第1の原料ガスと、ジアミンよりなる第2の原料を気化させた第2の原料ガスとを成膜容器60内に供給することによって、成膜容器60内に搬入している基板にポリイミド膜を成膜する成膜装置10におけるクリーニング方法であって、成膜容器60内を酸素雰囲気にした状態で、成膜容器60を加熱機構62により360〜540℃の温度に加熱することによって、成膜容器60内に残留しているポリイミドを酸化して除去する。 (もっと読む)


【課題】金属酸化物を蒸発材料とする金属酸化膜の蒸着方法に関するものであり、特にプラズマディスプレイパネル(以下、PDPという)の保護膜の形成に関するもので、保護膜としての<111>配向したMgO膜の成膜速度を早くして、生産性の向上とパネル特性の向上を図る。
【解決手段】金属酸化物を蒸発材料とする蒸着方法において、前記蒸発材料の加熱手段として電子銃を使用し、該電子銃からの電子ビームを絞り、該電子ビームの直径をもとに蒸発材料への電子ビームの照射面積に合わせて、電子ビームの揺動波形を制御することを特徴とする金属酸化膜の蒸着方法であり、走査電極、維持電極、誘電体層及び保護膜から成る前面基板とアドレス電極、バリアリブ及び蛍光体からなる背面基板から構成されているプラズマディスプレイの保護膜であるMgO膜の成膜速度が速くなり、かつ良好なパネル特性が得られた。 (もっと読む)


【課題】高速成膜で発光層を成膜しても発光素子の発光効率の低下を抑制することができる連続成膜装置を提供する。
【解決手段】連続成膜装置は、第2の蒸着室214と、それに繋げられた第3の蒸着室215と、第2の蒸着室内から第3の蒸着室内へ基板10を搬送する搬送機構と、第2の蒸着室内に配置され、前記基板の搬送方向に並べて配置された複数の第3の蒸着源14と、第3の蒸着室内に配置され、前記搬送方向に交互に並べて配置された第4の蒸着源15a〜15c及び第5の蒸着源16a,16bと、を具備し、第3の蒸着室において最も第2の蒸着室側に配置される蒸着源は第4の蒸着源15aであり、第4の蒸着源は、ホスト材料を有し、第5の蒸着源は、ドーパント材料を有し、第3の蒸着源の蒸着材料のHOMO準位は、前記ホスト材料のHOMO準位に揃えられている。 (もっと読む)


【課題】蒸発源の冷却時間を短縮する。
【解決手段】蒸着準備工程では、蒸着材料30を収納する坩堝13、坩堝13を加熱する加熱部14、および坩堝13内で気体化した蒸着材料30を被処理物に向かって放出するノズル12、を備える蒸発源10、および被処理物を真空チャンバ内に配置する。次に、坩堝13に収納された蒸着材料30を加熱部14により加熱して、気体化した蒸着材料ガスを発生させ、被処理物に蒸着膜を形成する。次に、蒸発源10の外側からノズル12を介して坩堝13内にガス26を供給し、かつ、加熱部14を停止させて坩堝13を冷却する。 (もっと読む)


【課題】トレンチおよび/またはホールの間口のオーバーハングを抑制することができる成膜方法およびリスパッタリング方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内にプラズマ生成ガスを導入しつつ誘導結合プラズマ生成機構により処理容器内に誘導結合プラズマを生成し、直流電源から金属ターゲットに直流電力を供給し、バイアス電源により載置台に高周波バイアスを印加して、載置台上の被処理基板に金属薄膜を堆積させる工程と、誘導結合プラズマ生成機構によるプラズマの生成と直流電源への給電を停止し、処理容器内にプラズマ生成ガスを導入しつつ載置台に高周波バイアスを印加して、処理容器内に容量結合プラズマを形成するとともにプラズマ生成ガスのイオンを被処理基板に引き込んで堆積された金属薄膜をリスパッタリングする工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】極めて微細なパターンを形成できるフォトマスクブランク及びそのフォトマスクブランクに微細パターンを形成したフォトマスクを提供する。
【解決手段】透明基板上に、少なくとも2層からなる薄膜を有するフォトマスクブランクであって、前記薄膜は、タンタル、窒素、およびキセノンを含む材料からなる第1の層と、該第1の層の上面に積層されるタンタル、酸素、およびアルゴンを含む材料からなる第2の層とを有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ターゲットと成膜される膜との組成ずれを抑制し、所望組成を安定的に得ることが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】基板BとターゲットTとを対向させて、プラズマを用いた気相成長法により基板B上にターゲットTの構成元素を含む膜を成膜する際に、基板BをターゲットTの構成元素が付着する壁面10Sで囲むと共に、壁面10Sに対して物理的な処理を行って壁面10Sに付着した成分を成膜雰囲気中に放出させながら、成膜を行う。 (もっと読む)


【課題】高Ga濃度を有し、割れや異常放電、パーティクルが発生が抑制されたCu−Ga合金スパッタリングターゲットを得る。
【解決手段】Ga濃度が30質量%〜45質量%であり、平均結晶粒径を20μm以下、γ相、γ相、γ相及びγ相からなる群の面積割合が95面積%以上、空孔率を1%以下、かつ三点曲げ強度を200MPa以上とする。 (もっと読む)


【課題】基板の表面にビアが形成された基板を密着促進剤により処理するときに、ビアの底に液溜まりを形成せずに表面処理できる表面処理方法及び成膜方法を提供する。
【解決手段】処理容器20内に搬入されており、表面に穴部が形成されている基板の表面を、密着促進剤を気化させた密着促進剤ガスにより処理する表面処理方法において、基板を加熱するとともに、処理容器20内に密着促進剤ガスと水蒸気とを供給し、供給された密着促進剤ガスと、加熱されている基板とを、水分を含む雰囲気中で反応させることによって、基板の表面を処理する表面処理工程を有する。 (もっと読む)


【課題】めっき法以外の方法によって、スズと鉄とタングステンからなる耐食性の三元合金皮膜を基材上に形成させる方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、基材表面にスズ、鉄及びタングステンからなる耐食性合金皮膜を形成させる方法であって、
スズ、鉄及びタングステンの金属粉末を混合し、圧縮成形することによって、スパッタリングターゲットを形成する工程Aと、
真空チャンバー内に前記基材と前記スパッタリングターゲットとを対向させ、スパッタリング法によってスズ、鉄及びタングステンからなる合金皮膜を形成する工程Bとを有し、
前記金属粉末は、タングステンの質量を1とした場合、スズの質量は5以上7以下であり、鉄の質量は2以上4以下である、ことを特徴とする方法に関する。耐食性合金皮膜の結晶構造は、アモルファスである。 (もっと読む)


【課題】ウエハのステップ回転を用いることなくイオン注入を行う場合に、プラズマを利用した工程及びアニール工程で発生しやすい面内不均一パターンに対応した形状に対応した2次元イオン注入量面内分布を実現する。
【解決手段】イオンビームを往復走査し、イオンビーム走査方向に直交する方向にウエハをメカニカルに走査して、イオンをウエハに注入するに際し、イオンビーム走査方向のビーム走査速度とメカニカル走査方向のウエハ走査速度を同時かつ独立に、速度補正量を規定する別々の制御関数を用いて速度制御して、他の半導体製造工程のウエハ面内不均一性を補正するための等方的な同心円形状のウエハ面内イオン注入量分布を生成する。 (もっと読む)


【課題】高周波スパッタリング法等により一括して製造することができ、半導体ナノスケール粒子がNb単相マトリクスに均一に分散した構造の半導体ナノ複合構造薄膜材料およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体ナノ複合構造薄膜材料(1)は、一般式Ge100−x−yNb(ただし、70≦x+y≦98、20≦x≦28、50≦y≦70であり、各元素の添字は原子比率を示す)で表され、その結晶構造が、半導体ナノスケール粒子(2)としてのGe相がマトリクス(3)としてのNb相中に分散した複合構造を有する。この複合構造薄膜材料は、高周波スパッタリング法により上記一般式で表されるアモルファス薄膜を成膜し、これを不活性雰囲気中において500〜800℃で熱処理して結晶化することにより製造される。 (もっと読む)


【課題】先行技術の諸問題を解決し且つ改善された品質を有するイオン伝導性の、特に酸素透過性の膜を製造することができる、プラズマスプレー法を提供すること。
【解決手段】イオン伝導性を有するイオン伝導膜を製造するためのプラズマスプレー法であって、この膜がプロセスチャンバー内で基材(10)上に層(11)として堆積され、出発材料(P)が、プロセスガス(G)を用いてプロセスビーム(2)の形で基材(10)表面にスプレーされ、この出発材料は、最大で10,000Paの低いプロセス圧力でプラズマに注入され、且つそこで部分的に又は完全に溶融される方法が提供される。酸素(O;22)は、プロセスガスの全流量の少なくとも1%、好ましくは少なくとも2%になる流量で、スプレー中にプロセスチャンバー(12)に供給される。 (もっと読む)


【課題】ゲルマニウムをチャネル材料とする金属/ゲルマニウムからなるソース/ドレイン構造を有する半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体と金属とが接合してソース/ドレイン構造を形成する半導体素子において、ゲルマニウム(Ge)を3価元素(又は5価元素)でドーピングしたp型ゲルマニウム(又はn型ゲルマニウム)をチャネル2の材料とし、当該p型ゲルマニウム(又はn型ゲルマニウム)の任意の結晶面における原子配置と同一の原子配置である結晶面を有する金属3を、前記同一の原子配置である結晶面で接合して界面を形成し、当該形成された界面を用いたソース/ドレイン構造を有する。 (もっと読む)


【課題】ステンレス鋼板の表面に微細な粗面化テクスチャーを均一に形成させる技術であって、特に薄膜Si太陽電池の基板に好適な技術を提供する。
【解決手段】フェライト系ステンレス鋼板を、pHが11.0以上の水溶液中で−0.5〜−2.2Vvs.SCEの電位で陰極電解することにより、不動態皮膜の膜厚を4.0nm以下とする工程(陰極電解工程)、
前記陰極電解工程を終えた鋼板を、FeCl3濃度2〜50質量%、HCl濃度0.1〜20質量%の塩化第二鉄+塩酸混合水溶液中に浸漬することにより表面にピットを発生させ、表面に占めるピット発生部分の投影面積の割合(ピット占有面積率)を40%以上、かつ平均面粗さSPaを0.05〜0.30μm未満とする工程(エッチング工程)、
を有する微細粗面化ステンレス鋼板の製造法。 (もっと読む)


【課題】表面処理された基板上に膜を成膜する際に膜が変質せず、表面処理の際にパーティクルが発生せず、また、予め基板表面の終端状態を調整するための工程数を削減できる表面処理方法及び成膜方法を提供する。
【解決手段】処理容器60内に搬入されている基板の表面を、密着促進剤を気化させた密着促進剤ガスにより処理する表面処理方法において、基板を加熱するとともに、処理容器60内に密着促進剤ガスを供給し、供給された密着促進剤ガスと、加熱されている基板とを、水分を含まない雰囲気中で反応させることによって、基板の表面を処理する表面処理工程を有する。 (もっと読む)


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