【課題】 Ａｌ_２Ｓ_３、ＢａＳ、ＥｕＳからなり、結晶性の良い硫化物蛍光体膜をスパッタリング法で形成するための硫化物ターゲット、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 Ａｌ_２Ｓ_３、ＢａＳ、ＥｕＳの各硫化物粉末を真空若しくは不活性ガス雰囲気中で調整し、得られた混合粉末を０.１Ｐａより良い真空雰囲気中において５０〜１５０℃で３０分以上保持した後、不活性ガス雰囲気中にて９００〜１１００℃の温度で焼結する。得られる硫化物ターゲットは、含有酸素濃度が２重量％未満である。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶基板上に完全に転位をなくした（無欠陥の）III −Ｖ族化合物半
導体層を形成することを目的とする。
【解決手段】シリコン単結晶基板１と、シリコン単結晶基板１上にその臨界膜厚以下の厚さに形成されたＧａＰバッファ層２と、ＧａＰバッファ層２上に形成されシリコン単結晶に実質的に格子整合するように窒素（Ｎ）をＶ族元素に対して１％〜１０％添加したIII −Ｖ族化合物半導体からなる複数の半導体層３とを有する。 （もっと読む）

【課題】 複数のマスク部２を有するメタルマスク１にテンションを加えた状態で枠状のフレームに固定するに際し、各マスク部の位置を正確に位置決めする技術を提供する。
【解決手段】 メタルマスク１の各辺を、複数のテンションユニット１３で把持して引っ張り、メタルマスク１にテンションを加えると共に、そのメタルマスク１にガラススケール２５を重ね合わせ、メタルマスク１に形成した十字マークが、ガラススケール２５に形成した基準マークに一致するように、テンション調整することで各マスク部２の位置を正確に位置決めする構成とし、更にガラススケール２５の上面に金属板２６を固定して補強し、ガラススケール２５の撓みを抑制してガラススケール２５とメタルマスク１のギャップ寸法を均一とする。 （もっと読む）

i)基板を提供する段階、ii)スパッタリングターゲットを形成するように選択された材料をプラズマ溶解し、溶解材料の溶滴を生じさせる段階、iii)基板上に液滴を蒸着させ、基板上に材料の被覆層からなるスパッタリングターゲットを生じさせる段階を有するスパッタリングターゲットを製造するための方法。いくつかの適用では、基板は一時的な基板で、iv)被覆された一時基板を永久的なターゲット支持材料に前記被覆層を介して接合し、v)前記一時基板を取り外し、永久的なターゲット支持材料上に材料の被覆層からなるスパッタリングターゲットを生じさせることが、望ましい。プラズマ蒸着ステップは、大気圧下、又は直流プラズマ溶射、直流転送アーク蒸着、誘導プラズマ溶射などの軟真空を使用する条件下で行われる。この方法は簡単で、結果としてのターゲット上にその後の作業を必要としない。 （もっと読む）

【課題】膜の非晶質性が安定であり、成膜速度が速く、記録層との密着性、機械特性に優れ、且つ透過率が高く、非硫化物系で構成することにより、隣接する反射層、記録層の劣化が生じ難い光情報記録媒体用薄膜（特に保護膜としての使用）及びその製造方法並びにこれらに適用できるパッタリングターゲットに関するものであり、これによって、光情報記録媒体の特性の向上及び生産性を大幅に改善することを目的とする。
【解決手段】SnO₂を主成分とするIn₂O₃-ZnO-ZrO₂-SnO₂系複合酸化物に、Ta、Yの何れか１種又は２種の元素の酸化物を添加した材料から成ることを特徴とするスパッタリングターゲット。該スパッタリングターゲットを使用して、少なくとも薄膜として光情報記録媒体構造の一部を形成することを特徴とする光情報記録媒体及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】純度９９．９９９９重量％以上の銅からなるスパッタリングターゲット、及び銅を用いたスパッタリングターゲットを用いて配線された、耐酸化性、耐エレクトロマイグレーション性、耐ストレスマイグレーション性に優れた銅配線を持つ半導体素子を提供する。
【解決手段】ガス成分を除いた純度９９．９９９９重量％以上の銅からスパッタリングターゲットを作成して、このスパッタリングターゲットを用いて成膜された配線を、真空中又は不活性ガス雰囲気で４５０゜Ｃ未満の温度の熱処理を行うことにより、配線の結晶粒を粗大化して、粗大化した配線の結晶粒の大きさが２μｍ以上にして、粗大化した配線の結晶粒の幅と長さの比を６倍以上、厚さと長さの比を２．５倍以上にする。 （もっと読む）

【課題】シリコン過剰酸化物ＥＬデバイス形成に関するもので、高い発光効率と低費用で、かつドーパントも可能な製造方法を提供する。
【解決手段】ナノメートルサイズのシリコン粒子を内部に含んだ、シリコン過剰酸化物層を形成する方法であって、基板を用意する工程１２と、ターゲットを用意する工程１４と、基板およびターゲットをスパッタリングチャンバに配置する工程１６と、スパッタリングチャンバのパラメータを設定する工程１８と、材料をターゲットから基板上に堆積し、シリコン過剰酸化物層を形成する工程２０と、基板をアニーリングし、その中に、ナノメートルサイズのシリコン粒子を形成する工程２２と、を含む方法１０。 （もっと読む）

【課題】背景技術による内包フラーレンの製造方法では、真空容器中で堆積基板に直流のバイアス電圧を印加して内包原子からなるイオンを含むプラズマを堆積基板に向けて照射し、同時にフラーレン蒸気を堆積基板に向けて噴射していた。そのため、堆積時間が長くなると堆積膜がイオンの電荷によりチャージアップし、堆積膜の剥離が起きるという問題があった。
【解決手段】堆積基板に正と負のバイアス電圧を交互に印加することにした。イオンに加速エネルギーを与える状態と堆積膜のチャージを中和する状態を交互に繰り返すことにより、堆積膜に過度のチャージが蓄積しないので、堆積膜の剥離を防止できる。 （もっと読む）

【課題】電界発光（ＥＬ）素子および、希土類元素がドープされたシリコン（Ｓｉ）／二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）格子構造の形成方法の提供。
【解決手段】基板を被うＳｉ層のＤＣスパッタリングする工程１００４と、該Ｓｉ層へドープするための希土類元素のＤＣスパッタリングする工程１００６と、希土類元素がドープされたＳｉ層を被うＳｉＯ_２層のＤＣスパッタリングする工程１０１０と、格子構造を形成する工程１０１２と、希土類元素がドープされたＳｉ層においてナノ結晶を形成するためのアニール工程１０１４とを含む。一形態において、希土類元素およびＳｉは、同時ＤＣスパッタされる。格子構造において、ＳｉＯ_２層と希土類元素がドープされたＳｉ層が交互に複数積層されるように、ＳｉのＤＣスパッタリング、希土類元素のＤＣスパッタリング、およびＳｉＯ_２のＤＣスパッタリングする工程は５〜６０回繰り返される。 （もっと読む）

【課題】 電子ビーム蒸着法をはじめとする真空蒸着法を使用して基板上にＭｇＯ膜を成膜するためにターゲット材として使用する単結晶ＭｇＯ蒸着材であって、蒸着時の成膜速度を低減することなく、スプラッシュの発生を防止し、優れた膜特性例えばＰＤＰ用保護膜として使用した場合の放電特性などを向上させること。
【解決手段】 酸化マグネシウム（２００）面のロッキングカーブの半価幅が、０．００５〜０．０２５ｄｅｇｒｅｅである酸化マグネシウム単結晶蒸着材、及び、酸化マグネシウム単結晶を解砕する工程を含む酸化マグネシウム単結晶蒸着材の製造方法であって、前記解砕工程が、酸化マグネシウム（１００）面方位に対し、−５〜＋５ｄｅｇｒｅｅの範囲内の角度で刃形状の衝撃体を衝突させることにより劈開する工程を含む方法。 （もっと読む）

【課題】 イオンビームの走査方法及び走査速度によらずに、半導体基板上に形成された半導体装置に対する正のチャージアップを抑制して絶縁膜の絶縁破壊及び損傷を防止できるようにする。
【解決手段】 主面上に容量性絶縁膜が形成された半導体ウェーハ７に対して、不純物イオンを注入する。この不純物イオン注入工程において、不純物イオンを断続的にオン及びオフを繰り返すパルス状のイオンビーム１として半導体ウェーハに注入する。 （もっと読む）

【課題】 歩留まり良く製造し、広い温度範囲にわたって良好な放電応答性が得られ、更にパネル輝度の低下なしに大幅なアドレスＩＣ数を削減する。
【解決手段】 ＰＤＰ保護膜２２の成膜用ＭｇＯ蒸着材はＭｇＯ純度９８％以上かつ相対密度９０％以上のＭｇＯのペレットからなる。ペレットはＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ及びＳｍからなる群より選ばれた１種又は２種以上の元素を含む。Ｙを含むときＹ濃度は５〜１００００ｐｐｍであり、Ｌａを含むときＬａ濃度は５〜１５０００ｐｐｍであり、Ｃｅを含むときＣｅ濃度は５〜１６０００ｐｐｍであり、Ｐｒを含むときＰｒ濃度は５〜１６０００ｐｐｍであり、Ｎｄを含むときＮｄ濃度は５〜１６０００ｐｐｍであり、Ｐｍを含むときＰｍ濃度は５〜１６０００ｐｐｍであり、Ｓｍを含むときＳｍ濃度は５〜１６０００ｐｐｍである。 （もっと読む）

【課題】ポリカーボネート樹脂からなる成形品に密着性の向上した薄膜を蒸着した成形品を提供する。
【解決手段】 ガラス転移温度が１５０℃以上であるポリカーボネート樹脂を用いた成形体に、イオンプレーティング法により薄膜を形成した成形品。好ましいポリカーボネート樹脂の例としては一般式［１］で表わされる部分構造単位を特定割合で含有するもの等がある。
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【課題】 半導体の設計ルールは、数年後には、０．１０μｍ以下になると言われており、さらに均一な温度分布が要求されている。しかしながら従来技術の抵抗分布調整や分割制御だけでは、数年後の設計ルールを満足するだけの均一な温度分布が達成できない。
【解決手段】 セラミックスからなる均熱板の一方の主面をウエハの載置面とし、内部に複数のブロックに分割された発熱抵抗体を有し、該発熱抵抗体と電気的に接続される給電部を前記他方の主面に具備し、前記均熱板を保持するケーシングを備えてなるウエハ加熱装置において、前記複数に分割された発熱抵抗体ブロックは、前記発熱抵抗体を形成した面の中心に配置された円形の発熱抵抗体ブロックと、その外側に同心円状に配置された２つの環状の発熱抵抗体ブロックとからなり、最外周の前記環状の発熱抵抗体ブロックが径方向に分割された複数の発熱抵抗体ブロックとする。 （もっと読む）

【課題】 加熱容器支持台及びそれを備えた蒸着装置を提供する。
【解決手段】 上面に複数個の孔が形成された支え台、そして支え台の各孔の入口に配置され、孔に対応する開口部と孔内壁に沿って延びる遮断部を備えた汚染防止板を備えることを特徴とする蒸着装置の加熱容器支持台である。これにより、加熱容器支持台の孔の縁部近傍への蒸着物質の付着が防止されて、維持、管理及び使用が容易である。 （もっと読む）

【課題】金属及びセラミックスなどの硬質基材のみならず、プラスチック及びゴムなどの軟質基材にも密着性が良く、弾性があり、成膜が容易で、該成膜時に溶剤などが不要であり、かつ、潤滑性、耐薬品性、及び耐熱性が良好なジケトン重合体及びその製造方法の提供。
【解決手段】ジケトンをプラズマ状態にして重合させてジケトン重合体を形成する。このジケトンのプラズマ状態は、ジケトンと、窒素、酸素、水素、二酸化炭素、亜酸化窒素、アルゴン、ヘリウム、キセノン、及びクリプトンから選択される少なくとも１種とが存在する空間に、電圧を印加することによって形成するのが好ましい。 （もっと読む）

シート状基材を処理するための方法および設備を提供する。前記方法および設備は、シート状基材の両主表面上へのコーティングの蒸着に有用である。また、両主表面上にコーティングを有する基材を提供する。好ましくは、基材の対向する主表面上のコーティングは、構造が異なるが、少なくとも２つの膜領域、いくつかの実施形態においては、少なくとも３つの膜領域の構造配列が共通している。
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【課題】金属の密着層のようにｐｎ接合のショートおよび光の吸収を抑制するための膜厚制御性を必要とせず、かつ共振器端面と端面コート膜の密着性を向上させる密着層により、信頼性、生産効率の高い窒化物半導体発光素子を提供することである。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層を有した窒化物半導体レーザバー１００の前面側の共振器端面１１３に、六方晶の結晶からなる密着層１１５を積層し、密着層１１５に端面コート膜１１６を積層し、同様に背面側の共振器端面１１４にも六方晶半導体層からなる密着層１１８を積層し、密着層１１８に端面コート膜１１７を積層した構成とする。 （もっと読む）

【課題】再生専用光ディスクにおけるレーザーマーキングが容易にできる光情報記録用Ag合金反射膜の形成用のスパッタリングターゲットを提供を提供する。
【解決手段】(1) Agを主成分とし、Nd，Sn，Gd，Inの少なくとも１種を合計で3.0 原子％超10原子％以下含有すると共にBiを0.03〜10原子％含有することを特徴とする光情報記録用Ag合金反射膜の形成用のAg合金スパッタリングターゲット、(2) Agを主成分とし、Nd，Sn，Gd，Inの少なくとも１種を合計で3.0 原子％超10原子％以下含有すると共にSbを0.01〜３原子％含有することを特徴とする光情報記録用Ag合金反射膜の形成用のAg合金スパッタリングターゲット、(3) 前記Ag合金スパッタリングターゲットにおいてMn，Cu，La，Znの少なくとも１種を20原子％以下含有するもの等。 （もっと読む）

【目的】成膜対象基板の所望する部位に成膜材料を成膜する際に、マスクの位置合わせや、レーザ走査位置の位置合わせを不要とし、容易な成膜処理を実現する。
【構成】成膜対象となる基板にレーザ光を照射して成膜材料をアブレーションさせて成膜対象基板の成膜対象面に溶射する成膜方法にて、成膜材料から成るターゲット基板と、成膜対象となる基板の成膜面との間にあらかじめ形成すべき成膜パターンに対応した間隙寸法差を形成し、その寸法差による成膜条件の違いを利用して、パターニングを行う。 （もっと読む）