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Fターム[4K029AA24]の内容

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Fターム[4K029AA24]に分類される特許

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【課題】 本発明は、基板上に略均一な厚さとなるよう再現性良く、蒸着膜を蒸着することのできる蒸着装置を提供することを課題とする。。
【解決手段】 蒸着材料を収容する収容部101と、収容部101を加熱する加熱手段103と、収容部101にキャリアガスを導入するためのガス導入口101Aと、キャリアガスにより、気化又は昇華された蒸着材料を放出する放出口101Bと、放出口101Bに設置され、収容部101内の圧力を調整する圧力調整手段104と、収容部101を冷却する冷却部108とを備えた蒸着源を複数設け、複数の蒸着源を断熱部材110を介して供給用管路92に接続した。 (もっと読む)


【課題】
可視光線反射率、反射膜のガラスへの密着性、反射膜の硬度、耐高温・高湿性に関し、リアプロジェクションテレビに用いることのできる性能を有する表面鏡を提供する。
【解決手段】
ガラス基板にCr膜、Al膜、SnOx(ただし0<x≦2)膜、TiOy(ただし0<y≦2)膜を、この順にスパッタリング法を用いて積層し、可視光線反射率が90%以上で、Al膜が、Mn、Mg、Si、Ndの1種以上を5重量%以下でAlに含まれてなる表面鏡。 (もっと読む)


【課題】鮮鋭性の向上した放射線画像変換パネル、その製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】輝尽性蛍光体または輝尽性蛍光体原料を含む蒸発源3を蒸着装置1内で加熱して発生する物質を支持体11上に蒸着させることにより輝尽性蛍光体層を形成する放射線画像変換パネルの製造方法において、蒸発源ボート容積に対する蒸発源の充填率が40〜100%であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】蒸着率が一定であり,再現性の良い蒸着ソースおよびそれを備えた蒸着装置を提供すること。
【解決手段】開口部を有する加熱容器13,23と,加熱容器13,23の開口部に結合される,加熱容器13,23の開口部の長手方向に沿って複数の孔17,27が形成されたカバー15,25と,を備え,加熱容器13,23の開口部の長手方向に沿って,カバー15,25に形成された互いに隣接した孔17,27間の距離が変わることを特徴とする蒸着ソースである。 (もっと読む)


【課題】膜中に混入する水分や水素の量を少なくすることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】上面に半導体基板1を載置するステージ12と、ステージ12上に載置された半導体基板1の周辺部を押さえる押さえ治具30と、押さえ治具30に設けられ、半導体基板1の周辺部上に不活性ガスを供給するガス供給口34aとを具備する。ステージ12及び押さえ治具30を収容するチャンバーと、チャンバーの内側に位置し、ステージの上面とスパッタリングターゲットの間に位置する空間を囲むように配置されたシールド部材とを更に具備してもよい。 (もっと読む)


本発明によれば、パルスdc物理気相堆積プロセスによるLiCoO層の堆積が提供される。そのような堆積により、所望の<101>配向または<003>配向を有するLiCoOの結晶性層の低温高堆積速度堆積を提供することが可能である。堆積のいくつかの実施形態は、固体再充電可能Li電池のカソード層として利用しうるLiCoO膜の高速度堆積の必要性に対処するものである。本発明に係るプロセスの実施形態によれば、LiCoO層を結晶化させるために慣例的に必要とされる高温(>700℃)アニール工程を省略することが可能である。本プロセスのいくつかの実施形態によれば、短時間のランプ速度の急速熱アニールプロセスを利用することにより、LiCoO層を利用する電池を改良することが可能である。
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【課題】アルミ配線層間をタングステンプラグによって電気的に接続する構成において、スルーホール内面全面にバリアメタル層が形成され、タングステンプラグとアルミ配線層との電気的接続の信頼性が高く、接触抵抗が低い半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】スルーホール9の内面にチタン膜10および窒化チタン膜11の2層構造で構成されるバリアメタル層を形成する。なお、チタン膜10および窒化チタン膜11は、層間絶縁膜7の主面上にも形成される。このバリアメタル層の形成に際しては、チタンターゲットを用いた高指向性スパッタリングが可能で、かつ、高周波電圧を半導体基板にバイアスする基板バイアス機構を備え、チタンターゲットからのスパッタ粒子を半導体基板に引き付けることで、窒化チタン膜11をアモルファス金属膜とすることが可能となる。 (もっと読む)


【課題】 立体形状や凹凸形状等の多様な表面形状を有する基材の全面に成膜ムラのない均一な膜厚の薄膜を容易にかつ無駄なく成膜することが可能なスパッタリング成膜装置を提供する。
【解決手段】 その内部を所定の真空状態で維持する真空チャンバ1と、該真空チャンバの内部で薄膜が成膜される基材を支持する板状の基材ホルダ8と、該基材ホルダと対向する前記真空チャンバ内の所定の位置に配置され前記成膜される薄膜の原料としての成膜物質を供給するターゲット部20aと、該ターゲット部からの前記成膜物質の供給量を制御するための制御部18a〜18d,19a〜19dとを備えるスパッタリング成膜装置100であって、前記ターゲット部が少なくとも3以上の板状のターゲット10a〜10dを有し、前記3以上のターゲットの各々の主面の法線が、前記基材ホルダの主面の法線に対して各々傾斜している。 (もっと読む)


【課題】 基板の表面に成膜される多層膜の膜厚を一様な厚さにし、不良品となる光学素子を少なくすることができる光学素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板1には、所定間隔で互いに直交する溝2の列が形成されている。この基板1の溝2が形成されている面に、スパッタリングにより多層膜3を形成する。この多層膜3は、溝2の底部にも僅かに形成されるが、溝2の深さを多層膜3の総膜厚に対して十分大きくしておけば、(c)に示すように、多層膜3は、溝2で分断されたような状態となり、基板1全体を覆うような大きさにはならない。よって、多層膜3の膜応力も小さくなり、基板1を変形させるようなものとはならない。従って、従来技術と異なり、基板1とターゲットとの間隔が、基板1の成膜面内で異なることが無く、基板1に均一な厚さの膜が成膜される。 (もっと読む)


【課題】有機高分子を有する基板にITO透明導電膜を成膜する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】真空チャンバーに設置された圧力勾配型プラズマガンを使用するイオンプレーティング装置によるITO透明導電膜の成膜方法において、成膜前の基板の温度を80〜145℃とし、ITO蒸発原料から基板に、単位時間単位面積あたり入射する輻射熱を、1.5〜10J/cm・minの範囲にして、ITO透明導電膜を成膜する。真空チャンバー内の圧力を0.05〜0.3Paとする。ITO透明導電膜が酸化インジウムにスズを酸化物換算で5〜10wt%添加したものであり、比抵抗が1.2×10―4〜3.0×10―4Ω・cmの範囲にある。 (もっと読む)


【課題】スパッタリングによって膜を形成する際に、基板への加熱等の影響を少なくし、高速成膜ができ、また膜厚を薄く調整でき、さらにスパッタ時に発生するパーティクル(発塵)やノジュールを低減させ、品質のばらつきが少なく量産性を向上させることができ、かつ結晶粒が微細であり高密度のスパッタリングターゲット及びその製造方法並びに、特に保護膜としての使用に最適である光情報記録媒体用薄膜及びその製造方法を得る。
【解決手段】A、Bは其々異なる3価以上の陽性元素であり、その価数を其々Ka、Kbとしたとき、A(KaX+KbY)/2(ZnO)、0<X<2、Y=2−X、1≦mを満たす酸化亜鉛を主成分とする化合物を含有し、さらにカルコゲン化亜鉛を含む、相対密度90%以上、バルク抵抗値0.1Ωcm以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。 (もっと読む)


【課題】被処理体の凹部の開口にオーバハング部分を生ずることなく、この凹部の側壁に均一に金属膜を形成することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器14内でプラズマにより金属ターゲット56をイオン化させて金属イオンを発生させ、金属イオンを処理容器内の載置台20上に載置した被処理体にバイアス電力により引き込んで凹部2が形成されている被処理体に金属膜6、70を堆積させるようにした成膜方法において、載置台に、金属イオンに対する引き込みによる成膜とプラズマガスによるスパッタエッチングとが同時に生ずるような大きさのバイアス電力を加えて、凹部の側壁に金属膜を堆積させる成膜工程を行う。これにより、凹部の開口にオーバハング部分を生ずることなく、この凹部の側壁に均一に金属膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】金属をドープしたTiO膜を高速にて成膜する方法を提供する。
【解決手段】TiO(但し、xは0.5以上1.99以下)よりなる第1のターゲット21aと、金属をドープしたTiO(但し、xは0.5以上1.99以下)よりなる第2のターゲット21bに、交互にパルスパケット状の電圧を印加する。ターゲット21aのスパッタ時におけるTiの放電の発光波長と発光強度が、PEM31aによって検知される。また、ターゲット21bのスパッタ時におけるTi及びドープ金属の放電の発光波長と発光強度が、コリメータ30b、フィルタ及び光倍増幅管を介して電気信号となり、PEM31bによって検知される。各ターゲット21a,21bのスパッタ速度が算出され、この算出結果に基づき、各ターゲット21a,21bに付与されるパルス電力、パルス量及びパルス幅、カバー26内に導入する酸素量、並びにカバー内の圧力が制御される。 (もっと読む)


【課題】複数のロボット及び成膜室での位置決め機構が不要で安価であるとともに、位置決め時間を要さず、有機EL素子の生産性を向上させることができる有機EL素子の製造装置を提供すること。
【解決手段】成膜室内で被処理基板上に被蒸着物をパターニングさせて蒸着させるように、前記被処理基板に相対し且つ前記被蒸着物との間に配置されるマスクと前記マスクを保持するマスク保持部材を有する有機EL素子を製造する製造装置において、前記マスク保持部材の交換及び前記被処理基板の搬送を行うロボットが前記マスク保持部材と前記被処理基板の両方を掴持でき、且つ、掴持位置を決める。ここで、前記マスク保持部材は、前記被処理基板と同一な形状部位を持つ。 (もっと読む)


本発明は1、Hfに、Zr若しくはTiのいずれか、又は双方を総計で100wtppm−10wt%含有することを特徴とするハフニウム合金ターゲットであり、平均結晶粒径が1−100μm、不純物であるFe、Cr、Niがそれぞれ1wtppm以下、さらに{002}とこの面から35°以内にある{103}、{014}、{015}の4つの面の晶癖面配同率が55%以上で、かつ場所による4つの面の強度比の総和のばらつきが20%以下であるハフニウム合金ターゲットに関する。成膜特性や成膜速度が良好であり、パーティクルの発生が少なく、HfO又はHfON膜等の高誘電体ゲート絶縁膜の形成に好適なハフニウム合金ターゲット及びその製造方法を得る。 (もっと読む)


【課題】ITO透明導電膜の成膜後、基板がそることのない、ガラス基板上に成膜されるITO透明導電膜と同程度の低抵抗のITO透明導電膜付きフィルムを得ることを課題とする。
【解決手段】ポリエチレンナフタレートを主とするフィルム基板を用い、プラズマガンを用いるイオンプレーティング法で、成膜時のフィルム基板の温度を90℃〜145℃の温度範囲に保ってITO透明導電膜を成膜される、比抵抗が1.1×10―4〜3.0×10―4Ω・cmの範囲にあるITO透明導電膜付きフィルムである。また、膜面の算術平均粗さRa(i)が、フィルム基板表面の算術平均粗さRa(f)に対し、Ra(i)−Ra(f)≦2nmであることを特徴とする。 (もっと読む)


本発明は、A、Bは其々異なる3価以上の陽性元素であり、その価数を其々Ka、Kbとしたとき、A(KaX+KbY)/2(ZnO)、0<X<2、Y=2−X、1≦mを満たす酸化亜鉛を主成分とする化合物を含有し、さらにカルコゲン化亜鉛を含む、相対密度90%以上、バルク抵抗値0.1Ωcm以下であることを特徴とするスパッタリングターゲットに関する。スパッタリングによって膜を形成する際に、基板への加熱等の影響を少なくし、高速成膜ができ、また膜厚を薄く調整でき、さらにスパッタ時に発生するパーティクル(発塵)やノジュールを低減させ、品質のばらつきが少なく量産性を向上させることができ、かつ結晶粒が微細であり高密度のスパッタリンダターゲット及びその製造方法並びに、特に保護膜としての使用に最適である光情報記録媒体用薄膜及びその製造方法を得る。 (もっと読む)


【課題】製造と応用の観点から優れたスパッタリングターゲット特性を有する、多相のCo−Cr−B−Ptからなる貴金属磁気スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】本製造方法は、Co−Cr−Bからなる急冷凝固母合金を生成し、この母合金とPt粉末をボールミルにより機械的に合金化し、HIP処理を行って機械的に合金化されたスパッタリングターゲットを緻密にすることにより、スパッタリングターゲットを製造する。母合金には、Cr,B,Ta,Nb,C,Mo,W,Zr,Zn,Cu,Hf,O,Si又はNを含むことができる。 (もっと読む)


【課題】NをドープしたZnO膜を高速かつ安定して成膜する方法を提供する。
【解決手段】カバー26内部におけるターゲット21a,21bの上方に基板1を配置し、ポンプによってカバー26内を真空にした後、アルゴン等の不活性ガス中に酸素及び窒素を含有させた混合ガスをカバー26内に導入する。Znよりなる第1、第2のターゲット21a,21bに、交互にパルスパケット状の電圧を印加する。ターゲット21a,21bのスパッタ時におけるZnの放電の発光波長と発光強度が、PEM31a,31bによって検知される。各ターゲット21a,21bのスパッタ速度が算出され、この算出結果に基づき、各ターゲット21a,21bに付与されるパルス電力、パルス量及びパルス幅、カバー26内に供給する酸素量及び窒素量、並びにカバー内の圧力が制御される。 (もっと読む)


【課題】空孔を有する低誘電率絶縁膜上にバリアメタルを成膜する前におけるビア底の高抵抗層の除去手段として、プラズマを用いない新規な半導体装置の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】層間膜に比誘電率の値が3未満の低誘電率膜102を用いた金属膜配線103を含む半導体装置の製造方法において、前記金属膜配線と前記層間膜の間に形成されるバリアメタル105を成膜する前に、100℃〜400℃に温調されたNH3ガスなどの還元性を有するガスもしくは還元性を有するガスを含む混合ガスで熱還元処理を行う。 (もっと読む)


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