【課題】ＩＴＯ透明導電膜の成膜後、基板がそることのない、ガラス基板上に成膜されるＩＴＯ透明導電膜と同程度の低抵抗のＩＴＯ透明導電膜付きフィルムを得ることを課題とする。
【解決手段】ポリエチレンナフタレートを主とするフィルム基板を用い、プラズマガンを用いるイオンプレーティング法で、成膜時のフィルム基板の温度を９０℃〜１４５℃の温度範囲に保ってＩＴＯ透明導電膜を成膜される、比抵抗が１．１×１０^―４〜３．０×１０^―４Ω・ｃｍの範囲にあるＩＴＯ透明導電膜付きフィルムである。また、膜面の算術平均粗さＲａ（ｉ）が、フィルム基板表面の算術平均粗さＲａ（ｆ）に対し、Ｒａ（ｉ）−Ｒａ（ｆ）≦２ｎｍであることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、Ａ、Ｂは其々異なる３価以上の陽性元素であり、その価数を其々Ｋａ、Ｋｂとしたとき、Ａ_ＸＢ_ＹＯ_{（ＫａＸ＋ＫｂＹ）／２}（ＺｎＯ）_ｍ、０＜Ｘ＜２、Ｙ＝２−Ｘ、１≦ｍを満たす酸化亜鉛を主成分とする化合物を含有し、さらにカルコゲン化亜鉛を含む、相対密度９０％以上、バルク抵抗値０．１Ωｃｍ以下であることを特徴とするスパッタリングターゲットに関する。スパッタリングによって膜を形成する際に、基板への加熱等の影響を少なくし、高速成膜ができ、また膜厚を薄く調整でき、さらにスパッタ時に発生するパーティクル（発塵）やノジュールを低減させ、品質のばらつきが少なく量産性を向上させることができ、かつ結晶粒が微細であり高密度のスパッタリンダターゲット及びその製造方法並びに、特に保護膜としての使用に最適である光情報記録媒体用薄膜及びその製造方法を得る。 （もっと読む）

【課題】製造と応用の観点から優れたスパッタリングターゲット特性を有する、多相のＣｏ−Ｃｒ−Ｂ−Ｐｔからなる貴金属磁気スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】本製造方法は、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｂからなる急冷凝固母合金を生成し、この母合金とＰｔ粉末をボールミルにより機械的に合金化し、ＨＩＰ処理を行って機械的に合金化されたスパッタリングターゲットを緻密にすることにより、スパッタリングターゲットを製造する。母合金には、Ｃｒ，Ｂ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｃ，Ｍｏ，Ｗ，Ｚｒ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｈｆ，Ｏ，Ｓｉ又はＮを含むことができる。 （もっと読む）

【課題】ＮをドープしたＺｎＯ膜を高速かつ安定して成膜する方法を提供する。
【解決手段】カバー２６内部におけるターゲット２１ａ，２１ｂの上方に基板１を配置し、ポンプによってカバー２６内を真空にした後、アルゴン等の不活性ガス中に酸素及び窒素を含有させた混合ガスをカバー２６内に導入する。Ｚｎよりなる第１、第２のターゲット２１ａ，２１ｂに、交互にパルスパケット状の電圧を印加する。ターゲット２１ａ，２１ｂのスパッタ時におけるＺｎの放電の発光波長と発光強度が、ＰＥＭ３１ａ，３１ｂによって検知される。各ターゲット２１ａ，２１ｂのスパッタ速度が算出され、この算出結果に基づき、各ターゲット２１ａ，２１ｂに付与されるパルス電力、パルス量及びパルス幅、カバー２６内に供給する酸素量及び窒素量、並びにカバー内の圧力が制御される。 （もっと読む）

【課題】空孔を有する低誘電率絶縁膜上にバリアメタルを成膜する前におけるビア底の高抵抗層の除去手段として、プラズマを用いない新規な半導体装置の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】層間膜に比誘電率の値が３未満の低誘電率膜１０２を用いた金属膜配線１０３を含む半導体装置の製造方法において、前記金属膜配線と前記層間膜の間に形成されるバリアメタル１０５を成膜する前に、１００℃〜４００℃に温調されたＮＨ3ガスなどの還元性を有するガスもしくは還元性を有するガスを含む混合ガスで熱還元処理を行う。 （もっと読む）

【課題】所望するレベルの光触媒性能の発揮が的確に具現された部材を得る。
【解決手段】 部材の表面に、蒸着法によって、単に、光触媒膜、親水性膜をこの順で積層した構造の膜を形成しても、実質的に光触媒作用が発現されそれによる効果が発現されるとは言えない部材に関し、部材の表面粗さを各種材料に適した方法によって、また所望する光触媒性能やコスト増等を勘案して、部材の表面粗さを本願所定の範囲内（算術平均表面粗さＲａで０．７８μｍ以下）で微妙に調整することによって、所望するレベルの光触媒性能の発揮が的確に具現された部材を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 陰極形成による有機層へのダメージを防止するとともに陰極から有機層への電子注入効率を改善し、素子の発光特性を大幅に改善する。
【解決手段】 有機層と陰極の間に配置された緩衝層が、電子供与性を有するドーパント材が含有された透明導電性有機物で形成されている有機ＥＬ素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ表示装置に適したアニール方法を提供する。
【解決手段】
成膜対象物７１上にマスク１０を配置し、孔１１を通過する有機薄膜材料の蒸気によって有機薄膜層を形成した後、マスク１０と成膜対象物７１との間の相対的な位置関係を変えずに、マスク１０のレーザ光２９を照射する。孔１１を通過したレーザ光２９は孔１１底面に露出する有機薄膜層に照射され、その有機薄膜層のアニールが行われる。アニール後、マスク１０と成膜対象物７１との相対的な位置関係を変えずに、孔１１を通過した有機蒸着材料の蒸気によって、アニール後の有機薄膜層表面に他の有機薄膜層を形成する。 （もっと読む）

【課題】波長純度の高い紫外光を得ることのできるＥＬ素子及びレーザ発光素子を提供する。
【解決手段】ポリシラン又はオリゴシラン等、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂから選ばれた同種又は異種の元素が直接連結したポリマー又はオリゴマーからなる薄膜を発光層１３として透明電極１２と上部電極１４の間に配置してＥＬ素子１０を構成する。発光層としてポリ−ジ−ｎ−ヘキシルポリシリレン（ＰＤＨＳ）を用いた場合、両電極１２，１４間に直流電圧を印加することで約３７０ｎｍに鋭いピークを有するＥＬスペクトルが得られる。 （もっと読む）

【課題】結晶性と表面平坦性に優れ、大面積基板表面全面に渡って均一なＩｎＮ系化合物半導体薄膜を得ることができる窒化物系化合物半導体製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】窒化物系化合物半導体薄膜を基板１１上に成長させる分子線エピタキシー装置であって、窒素源として複数の窒素ラジカルセル１３を備えることを特徴とする窒化物系化合物半導体製造装置１０。複数の窒素ラジカルセル１３は、基板１１との間隔が変更でき、ＲＦプラズマ励起窒素ラジカルセル、又はＥＣＲプラズマ励起窒素ラジカルセル、又はその双方からなる。窒化物系化合物半導体薄膜は、ＩｎＮ単結晶半導体、ＩｎＮとＧａＮとの混晶半導体、ＩｎＮとＡｌＮとの混晶半導体、ＩｎＮとＧａＮとＡｌＮとの混晶半導体の内の何れかからなる。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率が高く、リーク電流が小さく、物理特性および電気特性の安定した誘電体薄膜を提供すること、および高容量かつ信頼性の高い薄膜コンデンサなどの薄膜誘電体素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 組成式が（Ｂａ_ｘＳｒ_{（１−ｘ）}）_ａＴｉＯ_３（０．５＜ｘ≦１．０、０．９６＜ａ≦１．００）で表される酸化物、例えば、チタン酸バリウムストロンチウムを含有し、厚みが５００ｎｍ以下である誘電体薄膜および、該誘電体薄膜を導電性電極上に形成した後に酸化性ガス雰囲気下でアニールする工程を含む薄膜誘電体素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 光学基板上に直接、膜厚が変化する誘電体多層膜を積層させた光波長可変フィルターを製造する。
【解決手段】 光学基板１２を保持する基板ホルダー１１１と、基板ホルダー１１１の中心を軸として回転する自転機構１０８と、基板ホルダー１１１の直下にあり、基板ホルダー１１１の中心部が全開しており、その中心から外側に向かって開口角度が狭くなる開口部を有する遮蔽部材１１２とを設けている成膜製造装置を用いる。光学基板１２を基板ホルダー１１１で保持し、自転機構１０８によって回転させた状態で、蒸着源であるルツボ１０４ａ、１０４ｂから発散して光学基板１２に到達する蒸着物質の量を遮蔽部材１１２の開口部により制限する。 （もっと読む）

【課題】基材にさらされる面を有するスパッタターゲットと、当該ターゲットの面に対して移動する磁界を与えるマグネトロンとを有する、基材上に層を堆積させるためのスパッタリング装置を用いたスパッタリング法を提供する。
【解決手段】本発明においては、場の移動速度は、基材上の堆積の均一性が向上するように制御される。とりわけ、本方法は、均一性対速度を監視する工程；好ましい均一性を与える速度を選択する工程；及び選択された速度に場を制御する工程を含む。選択された速度はターゲットの寿命にわたって変化させることができ、ターゲットが薄くなるにつれて速度を高くすることが望ましい。 （もっと読む）

ドープ酸化金属皮膜を作製する方法であり、ステップ：
（ａ）真空槽内に半導体基板を準備する；（ｂ）不活性キャリアガスの存在下で前記槽内に少なくとも金属（Ｍ）、酸素（Ｏ）およびドーパントイオンを含むプラズマを発生させる；（ｃ）前記プラズマから前記基板上にドープ酸化金属（ＭＯ）皮膜を形成する；および（ｄ）ステップ（ｃ）の間、前記基板上にｎ型ＭＯ皮膜およびｐ型ＭＯ皮膜の少なくとも１つを形成するために、前記プラズマ内の前記ドーパントイオンに対するＯイオンの量を制御する、を含む、前記方法。ドープ酸化金属皮膜を作製するシステムもまた開示する。
（もっと読む）

ウエハ製造方法および製造システムが述べられており、本システムの占める床面積は実質的に複数のプロセスチャンバに近いサイズ内である。一連のウエハは、システムを通して水平方向に移動し、プロセスチャンバのグループ内で同時に処理がなされる。半導体ウエハ製造に採用される種々の製造プロセスが、本システムのプロセスチャンバとして含まれる。
（もっと読む）

【課題】非晶質透明導電膜のアンカー効果を高めて接着力を向上させ、耐久性に優れた透明導電膜を得、また、ＡＣＦや検査用プローブとの接触抵抗を低減可能な透明導電膜を得ることを目的とする。
【解決手段】表面粗さの最大値であるRmaxの値が、１０ｎｍ以上であることを特徴とする非晶質透明導電膜を提供する。この非晶質透明導電膜と異方導電フィルム（ＡＣＦ）との間、及びこの非晶質透明導電膜と検査用プローブとの間、等に生じる接触抵抗を小さな値にすることができる。また、この非晶質透明明導電膜は、アンカー効果を従来より大きくでき、その結果、従来より耐久性の向上を図ることができる。
（もっと読む）

【課題】 大容量通信の需要に伴い、次世代の短波長帯通信では、青色や紫外域へと波長帯がさらに短波長化するものと考えられる。この状況に鑑み、次世代の短波長帯通信にも適した新しい磁気光学材料を提供する。
【解決手段】 アナターゼ型結晶構造を有し、Ti_1-x-yCo_xNb_yO₂（0<x+y<1,x>0,y>0）の化学式で表されることを特徴とする酸化物材料。本構成によれば、青色などの短波長領域であっても大きなファラデー回転係数を示す磁気光学効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】汚染がほとんどない真空チャンバを用いて、所定の機械的特性を備えた層を基板の前面に形成させる薄膜の形成方法及び薄膜の形成装置を提供すること。
【解決手段】本発明の装置によって実行される本発明の方法において、基板（１０）の前面（２０）に遷移層（１２）を形成し、この遷移層（１２）により、基板（１０）の機械的特性と遷移層（１２）上に付着される層システム（１６）の機械的特性とを調和させた。真空チャンバ（１８）内でのスパッタリングプロセス中に、反応生成物（１４）は、少なくとも事実上独占的に遷移層（１２）内に組み込まれる。これにより、真空チャンバ（１０）の他の表面及び基板（１０）の裏面側（３４）が、反応生成物（１４）及び／またはプリカーサで汚染されることが防止される。 （もっと読む）

スピン塗布によりレジストの被膜を形成する場合、無駄となってしまうレジスト材料が存在し、さらに、必要に応じて端面洗浄の工程が増えてしまう。また、真空装置を用いて、基板上に薄膜を成膜する際には、チャンバー内を真空にする特別な装置や設備が必要で、製造コストが高くなってしまう。本発明は、絶縁表面を有する基板上に、ＣＶＤ法、蒸着法又はスパッタ法により選択的に導電層を形成するステップと、前記導電層に接するように、組成物を吐出してレジストマスクを形成するステップと、前記レジストマスクを用いて、大気圧又は大気圧近傍下で、プラズマ発生手段により前記導電層をエッチングするステップと、大気圧又は大気圧近傍下で、前記プラズマ発生手段により前記レジストマスクをアッシングするステップを有することを特徴とする。上記特徴により、材料の利用効率を向上させて、製造コストの低減を実現する。
（もっと読む）

【課題】半導体発光素子の窓層として、金属酸化物の透明導電膜からなる電流分散層を形成し、且つ同時に粗面化することが可能な真空蒸着装置、この真空蒸着装置に利用するフィルタ、それらを用いて作製した半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】真空蒸着装置の構成として、真空容器１５内に、金属酸化物の蒸発源１４と、この蒸発源上方に該蒸発源に対し被着面を傾斜させて臨ませた被着基板１１とを置き、前記蒸発源１４と被着基板１１との間に、機械的に構成された多数の微小径の空孔を有するフィルタ１２を設け、これに蒸気流を通過させることによって被着基板１１の被着面に粗面化された金属酸化物から成る透明導電膜が形成されるように構成する。 （もっと読む）