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Fターム[4K029AA24]の内容

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Fターム[4K029AA24]に分類される特許

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【課題】 良好な強誘電体特性が得られる電極膜、圧電素子、強誘電体キャパシタ及び半導体装置を提供することにある。
【解決手段】 電極膜は、基体の上方に形成される白金族金属を含み、CuKα線を用いたθ−2θ法によるX線回折において求められるピークに対応する回折角2θが、電極膜の熱処理後のピークに対応する回折角以上の大きさである。 (もっと読む)


本発明は、ある実施形態において、薄膜を付し、その後、そのスパッタフィルムの上を覆って仮保護フィルムを付すスパッタ堆積技術を提供する。薄膜は、任意的に、酸化ガス及び/又は不活性ガスを含有するガススパッタリング雰囲気において、ターゲットをスパッタすることによって付すことができる。本発明は、ある実施形態において、例えば、スパッタリングによって、少なくとも1つの主表面上に堆積させた、仮保護フィルムを担持する薄膜コーティングを有する断熱板ガラスユニット又はモノリシック窓板に関する。本発明は、また、そのような製品の高効率な製造方法を含む実施形態も提供する。 (もっと読む)


【課題】スパッタリング用の回転ターゲットの冷却システムにおいて、回転軸、マグネットの冷却を効果的に行い、また同時にターゲットの不均一冷却に起因する熱膨張破損を防止する。
【解決手段】ターゲットバッキングチューブ205と、ターゲットバッキングチューブの外面と接触しておりかつ電気伝導性であり非熱伝導性であるバッキング層210と、バッキング層と接触している複数の非接着式ターゲット円筒体215と、を含むターゲットアセンブリ200。 (もっと読む)


【課題】 過酷な耐蝕性試験でも反射率が劣化することがないAg系反射膜およびその作製方法の提供。
【解決手段】純Ag膜や、AgAu系、AgAuSn系、AgPd系、AgPdCu系の合金膜に、極薄のキャップ層として、ITO、ZnO、IZOおよびSnOの金属酸化物、Si、Al、TiおよびTaの酸化物、ならびにSi、Al、TiおよびTaの窒化物から選ばれた材料で構成された膜厚3〜50nmの膜を積層して2層膜とする。 (もっと読む)


本発明は、放射体10及び放射体を製造する方法に関する。特に、本発明は、全体構造のサーマル放射率を増加させるのに役立つ薄膜コーティング5を有する放射体10に関する。放射体10は、基板12、アモルファスカーボン層16、及び前記基板12と前記アモルファスカーボン層16の間に挿入された金属化カーバイド形成層14を備えている。さらに、放射体を製造する方法は、基板上に金属化カーバイド形成層を形成する工程、及び前記金属化カーバイド形成層上にアモルファスカーボン層を形成する工程を備える。 (もっと読む)


【課題】支持体と輝尽性蛍光体層との付着性(接着性)を改良した放射線画像変換パネルの提供。
【解決手段】支持体4上に輝尽性蛍光体層を気相堆積法(気相法)により形成し、該輝尽性蛍光体層上に保護層を設けた放射線画像変換パネルにおいて、支持体と輝尽性蛍光体層間の付着力が2〜100MPaであることを特徴とする。支持体上に輝尽性蛍光体層を形成する前に、該支持体表面をエネルギー照射処理または/及びポリマーコートすることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、高い原料利用効率、大面積対応、高い安全性を具備したスパッタ法の利点を生かし、高い品質の4族元素からなる半導体単結晶薄膜、および半導体多結晶薄膜を形成する半導体薄膜製造装置および方法を提供する。
【解決手段】 希ガスと水素の混合スパッタガスを用いること、真空容器の到達最低圧力を1×10−7Torr未満の超高真空領域に下げること、マグネトロン方式でスパッタすること、スパッタ成膜とスパッタ成膜の間のスパッタガスを流していないときに、スパッタターゲットを含むスパッタガンの圧力を1×10−7Torr未満に維持し、スパッタターゲットの純度を常に高純度に保つことが重要で、これらの組み合わせによって初めて、これらが相補的に機能し、スパッタターゲットの純度を常に高純度に維持され、また、堆積薄膜への酸素の混入量が検出限界以下となり、また、堆積薄膜に対する損傷やエッチング効果が抑制され、実用レベルの高品質、高純度の4族系半導体結晶が形成できる。 (もっと読む)


本発明は、表面にネットワーク状の溝が形成されている金属酸化物膜、および第一導電層、色素が吸着した上記金属酸化物膜、電解質、第二導電層が順に形成された色素増感太陽電池、およびそれの製造方法である。
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【課題】
運用の初期から安定した状態で薄膜が形成される成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜室71にて薄膜被形成物の表面に電子ビームを用いて薄膜が蒸着されて形成され、このとき、成膜室71内に水蒸気が導入され、同成膜室71内の水分が同電子ビームによって酸素と水素とに解離され、同成膜室71内の水素分圧が所定の制限範囲に保たれるように水蒸気の流量が制御される。このため、水素分圧に所定の制限範囲が設定される成膜が、成膜装置の稼動初期から終了まで安定して行われる。また、水蒸気発生装置72や質量分析器76など、成膜室71に容易に後付けできる部品を用いて水素発生量を制御するようにしたので、真空室などを設けることなく、成膜装置が容易に改造される。 (もっと読む)


有機エレクトロルミネセンス(電子発光)表示装置の製造方法において、第1の方向においても第2の方向と同様に第1の導体を延在させる層配置が基板に適用される一方、電圧の影響下で発光する有機エレクトロルミネセンス接続が導体の交差部間に設けられ、基板はプラスチックから作られ、その基板には、少なくとも形成すべきいくつかの層のために境界を形成する表面構造が設けられる。本発明はまた、有機エレクトロルミネセンス表示装置を製造する本発明に係る方法における用途を意図する基板を提供するものであり、その基板は、プラスチックから作られ、その基板には、少なくとも形成すべきいくつかの層のために境界を形成する表面構造が設けられる。本発明はさらに、本発明に係る方法により得られる有機エレクトロルミネセンス表示装置を提供する。
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【課題】凹部内の配線におけるボイドを減少させることが可能であり、かつ配線の信頼性を確保することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】めっき膜4上に、めっき膜4を構成している金属の熱膨張率に対して60%以下の熱膨張率を有する物質からなる圧縮応力印加膜5を形成し、圧縮応力印加膜5によりめっき膜4に圧縮応力を印加しながら熱処理を施す。 (もっと読む)


【課題】真空紫外領域での光吸収を低減させ、赤外領域から真空紫外領域までの広い光波長範囲にわたって良好な光学特性を発揮する薄膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】この成膜方法は、ラドンガス、キセノンガス、クリプトンガス、又はアルゴンガスのうち少なくともいずれか1以上のガスを選択する第1のガス選択ステップと、ネオンガス又はヘリウムガスのいずれか1以上のガスを選択する第2のガス選択ステップと、第1ガス選択ステップにより選択されたガスと第2ガス選択ステップにより選択されたガスとをその混合比を調整して混合する混合ステップと、その混合ガスをスパッタリングガスとして用いて基材表面にスパッタリングにより薄膜を成膜する成膜ステップとを有している。 (もっと読む)


【課題】光記録ディスク(CD−RW,DVD−RAM)などの光記録媒体のAg合金反射膜および半透明反射膜並びにそれら反射膜を形成するための銀合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ca:0.005〜0.1質量%、Ga:0.1〜0.6質量%を含有し、さらにPr、Ce、Gd、Tbの内から選ばれる1種または2種以上を合計で0.05〜0.2質量%を含有するか、またはIr:0.005〜0.2質量%かつPd:0.01〜0.5質量%、Re:0.005〜0.2質量%かつPd:0.01〜0.5質量%もしくはIrおよびReの合計:0.005〜0.2質量%かつPd:0.01〜0.5質量%を含有し、残部がAgおよび不可避不純物からなり、前記Agは99質量%以上含有している成分組成からなる。 (もっと読む)


【課題】蛍光体層を真空蒸着で形成し、かつ、蒸着レートおよび膜厚を正確に制御できる放射線像変換パネルの製造方法を提供する。
【解決手段】成膜中にレーザ変位計20a〜20f等を用いて蛍光体層の膜厚を測定し、その測定結果に応じて、加熱制御手段24によりルツボ50a〜50fの発熱を調整して、ルツボ毎の蒸着レートを制御する。 (もっと読む)


【目的】
露光装置の高NAに対応するために、低入射角度から高入射角度にわたって反射防止効果の高い反射防止膜に有用な低屈折率フッ化物薄膜を形成する
【構成】
金属ターゲットを使用し、不活性ガスとフッ素を含むガス中で直流反応性スパッタリングを行い、ターゲットからの負イオンダメージとプラズマダメージを防止して低吸収の金属フッ化物薄膜を形成するスパッタリングにおいて、
不活性ガス分圧を高く保持してスパッタリングすることで金属フッ化物薄膜中に過剰に取り込ませ、薄膜の密度を任意に調整可能とする。また、不活性ガス分圧を基板近傍のみ高く維持可能なように基板に高速で照射する。 (もっと読む)


【課題】液晶表示装置の低抵抗配線を作製するにあたって、ヒロック、エッチング残渣、ITO等との電気化学反応の発生を防止し、かつスパッタ時のダスト発生を抑制する。
【解決手段】Al合金配線を有する液晶表示装置を製造するにあたって、Y、Sc、La、Ce、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Er、Th、Sr、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Tc、Re、Fe、Co、Ni、Pd、Ir、Pt、Cu、Ag、Au、Cd、Si、PbおよびBから選ばれる第1の元素を0.001〜30原子%の範囲で含み、残部が実質的にAlからなるインゴットまたは焼結体を、大気溶解法、真空溶解法、急冷凝固法、粉末冶金法で作製するにあたって、O、NおよびHから選ばれる第2の元素を含むガスを使用し、得られたインゴットまたは焼結体を加工してスパッタターゲットを作製する。このスパッタターゲットをスパッタして形成したAl合金膜にエッチング処理を施してAl合金配線を形成する。 (もっと読む)


【課題】
酸化インジウムをターゲットに用い、ガラス基板を非加熱の状態で、スパッタリング法によって酸化インジウム膜を形成した透明導電性基板は、該透明導電性基板を様々な温度で加熱処理すると、比抵抗が大きく変化してしまうという欠点を有していた。
【解決手段】
酸化インジウムターゲットを用いてスパッタリング法で非加熱のガラス基板上に酸化インジウム膜をアルゴンガス雰囲気中で成膜し、酸化インジウムの成膜後、該酸化インジウムの成膜されたガラス基板を200〜350℃の温度で加熱処理し、酸化インジウムのシート抵抗を50〜150Ω/□とすることを特徴とする透明導電膜の製法である。 (もっと読む)


【課題】
酸化インジウムをターゲットに用い、ガラス基板を非加熱の状態で、スパッタリング法によって酸化インジウム膜を形成した透明導電性基板は、該透明導電性基板を様々な温度で加熱処理すると、比抵抗が大きく変化してしまうという欠点を有していた。
【解決手段】
酸化インジウムターゲットを用いてスパッタリング法で非加熱のガラス基板上に酸化インジウム導電膜を成膜するときに、酸素ガスの量が2.5容積%以下のアルゴンガス雰囲気中で酸化インジウム膜を成膜し、酸化インジウムの成膜後、該酸化インジウムの成膜されたガラス基板を100〜200℃の温度で加熱処理し、酸化インジウムのシート抵抗を、50〜150Ω/□とする酸化インジウム膜の製法。 (もっと読む)


【課題】ミスフィット率を低減させ高品質なMgB2薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板2が結晶面(001)のサファイアであり、AlNバッファ層16が結晶面(001)であり、MgB2薄膜17が結晶面(001)であることを特徴とするMgB2薄膜17の製造方法であり、カルーセルスパッタリング装置にて高速で回転する基板2上にMgB2薄膜17を形成するにあたり、反応室1内にN2ガスを送入する窒素ガス送入ステップと、反応室1内に備えるAlターゲット15に電圧を印加して基板2上にAlNバッファ層16を形成するバッファ層形成ステップと、反応室1内に備えるMgターゲット3およびBターゲット4に電圧を印加してAlNバッファ層16上にMgB2薄膜17を形成するMgB2薄膜形成ステップとを備える。 (もっと読む)


【課題】成膜中の異常放電を低減し、成膜の精度を向上させる。
【解決手段】成膜室4と、成膜室4の内部に収容され、ガラス基板16を保持するトレイ15と、成膜室4の内部に設けられ、ガラス基板16に対向するように配置されたターゲット12と、トレイ15とターゲット12との間で、トレイ15に対向配置され、ガラス基板16の外周部を覆う成膜マスク13と、成膜マスク13をガラス基板16に対して、接近又は離間させるマスク移動手段とを備えた成膜装置であって、トレイ15と成膜マスク13との間には、絶縁材料により構成され、マスク移動手段によりガラス基板16に接近された成膜マスク13とガラス基板16との間隔を均一にするためのスペーサー部14が設けられている。 (もっと読む)


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