本発明は、ある実施形態において、薄膜を付し、その後、そのスパッタフィルムの上を覆って仮保護フィルムを付すスパッタ堆積技術を提供する。薄膜は、任意的に、酸化ガス及び／又は不活性ガスを含有するガススパッタリング雰囲気において、ターゲットをスパッタすることによって付すことができる。本発明は、ある実施形態において、例えば、スパッタリングによって、少なくとも１つの主表面上に堆積させた、仮保護フィルムを担持する薄膜コーティングを有する断熱板ガラスユニット又はモノリシック窓板に関する。本発明は、また、そのような製品の高効率な製造方法を含む実施形態も提供する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング用の回転ターゲットの冷却システムにおいて、回転軸、マグネットの冷却を効果的に行い、また同時にターゲットの不均一冷却に起因する熱膨張破損を防止する。
【解決手段】ターゲットバッキングチューブ205と、ターゲットバッキングチューブの外面と接触しておりかつ電気伝導性であり非熱伝導性であるバッキング層210と、バッキング層と接触している複数の非接着式ターゲット円筒体215と、を含むターゲットアセンブリ200。 （もっと読む）

【課題】高品質の薄膜の形成が可能となり、中でも低い基板温度環境において、基板との密着性が良好で、緻密性が高く、硬度の高い、高品質のフッ化物薄膜の形成が可能となる薄膜形成方法および薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】膜材料６を真空中で加熱し、該膜材料を蒸発させる工程と、前記蒸発させた膜材料による蒸発材料に、電子源９から放出された低エネルギーの電子を付着させ、該蒸発材料を負イオン化する工程と、前記イオン化した蒸発材料を電界（１０１）によって被処理基板２に向けて加速し、該被処理基板上に該材料を蒸着させる工程とを有し、薄膜を形成する構成とする。 （もっと読む）

有機エレクトロルミネセンス（電子発光）表示装置の製造方法において、第１の方向においても第２の方向と同様に第１の導体を延在させる層配置が基板に適用される一方、電圧の影響下で発光する有機エレクトロルミネセンス接続が導体の交差部間に設けられ、基板はプラスチックから作られ、その基板には、少なくとも形成すべきいくつかの層のために境界を形成する表面構造が設けられる。本発明はまた、有機エレクトロルミネセンス表示装置を製造する本発明に係る方法における用途を意図する基板を提供するものであり、その基板は、プラスチックから作られ、その基板には、少なくとも形成すべきいくつかの層のために境界を形成する表面構造が設けられる。本発明はさらに、本発明に係る方法により得られる有機エレクトロルミネセンス表示装置を提供する。
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【課題】凹部内の配線におけるボイドを減少させることが可能であり、かつ配線の信頼性を確保することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】めっき膜４上に、めっき膜４を構成している金属の熱膨張率に対して６０％以下の熱膨張率を有する物質からなる圧縮応力印加膜５を形成し、圧縮応力印加膜５によりめっき膜４に圧縮応力を印加しながら熱処理を施す。 （もっと読む）

【課題】真空紫外領域での光吸収を低減させ、赤外領域から真空紫外領域までの広い光波長範囲にわたって良好な光学特性を発揮する薄膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】この成膜方法は、ラドンガス、キセノンガス、クリプトンガス、又はアルゴンガスのうち少なくともいずれか１以上のガスを選択する第１のガス選択ステップと、ネオンガス又はヘリウムガスのいずれか１以上のガスを選択する第２のガス選択ステップと、第１ガス選択ステップにより選択されたガスと第２ガス選択ステップにより選択されたガスとをその混合比を調整して混合する混合ステップと、その混合ガスをスパッタリングガスとして用いて基材表面にスパッタリングにより薄膜を成膜する成膜ステップとを有している。 （もっと読む）

【課題】光記録ディスク（ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＡＭ）などの光記録媒体のＡｇ合金反射膜および半透明反射膜並びにそれら反射膜を形成するための銀合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｃａ：０．００５〜０．１質量％、Ｇａ：０．１〜０．６質量％を含有し、さらにＰｒ、Ｃｅ、Ｇｄ、Ｔｂの内から選ばれる１種または２種以上を合計で０．０５〜０．２質量％を含有するか、またはＩｒ：０．００５〜０．２質量％かつＰｄ：０．０１〜０．５質量％、Ｒｅ：０．００５〜０．２質量％かつＰｄ：０．０１〜０．５質量％もしくはＩｒおよびＲｅの合計：０．００５〜０．２質量％かつＰｄ：０．０１〜０．５質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなり、前記Ａｇは９９質量％以上含有している成分組成からなる。 （もっと読む）

【課題】蛍光体層を真空蒸着で形成し、かつ、蒸着レートおよび膜厚を正確に制御できる放射線像変換パネルの製造方法を提供する。
【解決手段】成膜中にレーザ変位計２０ａ〜２０ｆ等を用いて蛍光体層の膜厚を測定し、その測定結果に応じて、加熱制御手段２４によりルツボ５０ａ〜５０ｆの発熱を調整して、ルツボ毎の蒸着レートを制御する。 （もっと読む）

【目的】
露光装置の高ＮＡに対応するために、低入射角度から高入射角度にわたって反射防止効果の高い反射防止膜に有用な低屈折率フッ化物薄膜を形成する
【構成】
金属ターゲットを使用し、不活性ガスとフッ素を含むガス中で直流反応性スパッタリングを行い、ターゲットからの負イオンダメージとプラズマダメージを防止して低吸収の金属フッ化物薄膜を形成するスパッタリングにおいて、
不活性ガス分圧を高く保持してスパッタリングすることで金属フッ化物薄膜中に過剰に取り込ませ、薄膜の密度を任意に調整可能とする。また、不活性ガス分圧を基板近傍のみ高く維持可能なように基板に高速で照射する。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の低抵抗配線を作製するにあたって、ヒロック、エッチング残渣、ＩＴＯ等との電気化学反応の発生を防止し、かつスパッタ時のダスト発生を抑制する。
【解決手段】Ａｌ合金配線を有する液晶表示装置を製造するにあたって、Ｙ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｔｈ、Ｓｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｓｉ、ＰｂおよびＢから選ばれる第１の元素を0.001〜30原子％の範囲で含み、残部が実質的にＡｌからなるインゴットまたは焼結体を、大気溶解法、真空溶解法、急冷凝固法、粉末冶金法で作製するにあたって、Ｏ、ＮおよびＨから選ばれる第２の元素を含むガスを使用し、得られたインゴットまたは焼結体を加工してスパッタターゲットを作製する。このスパッタターゲットをスパッタして形成したＡｌ合金膜にエッチング処理を施してＡｌ合金配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】
酸化インジウムをターゲットに用い、ガラス基板を非加熱の状態で、スパッタリング法によって酸化インジウム膜を形成した透明導電性基板は、該透明導電性基板を様々な温度で加熱処理すると、比抵抗が大きく変化してしまうという欠点を有していた。
【解決手段】
酸化インジウムターゲットを用いてスパッタリング法で非加熱のガラス基板上に酸化インジウム膜をアルゴンガス雰囲気中で成膜し、酸化インジウムの成膜後、該酸化インジウムの成膜されたガラス基板を２００〜３５０℃の温度で加熱処理し、酸化インジウムのシート抵抗を５０〜１５０Ω／□とすることを特徴とする透明導電膜の製法である。 （もっと読む）

【課題】
酸化インジウムをターゲットに用い、ガラス基板を非加熱の状態で、スパッタリング法によって酸化インジウム膜を形成した透明導電性基板は、該透明導電性基板を様々な温度で加熱処理すると、比抵抗が大きく変化してしまうという欠点を有していた。
【解決手段】
酸化インジウムターゲットを用いてスパッタリング法で非加熱のガラス基板上に酸化インジウム導電膜を成膜するときに、酸素ガスの量が２．５容積％以下のアルゴンガス雰囲気中で酸化インジウム膜を成膜し、酸化インジウムの成膜後、該酸化インジウムの成膜されたガラス基板を１００〜２００℃の温度で加熱処理し、酸化インジウムのシート抵抗を、５０〜１５０Ω／□とする酸化インジウム膜の製法。 （もっと読む）

【課題】 過酷な耐蝕性試験でも反射率が劣化することがないＡｇ系反射膜およびその作製方法の提供。
【解決手段】純Ａｇ膜や、ＡｇＡｕ系、ＡｇＡｕＳｎ系、ＡｇＰｄ系、ＡｇＰｄＣｕ系の合金膜に、極薄のキャップ層として、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＩＺＯおよびＳｎＯ_２の金属酸化物、Ｓｉ、Ａｌ、ＴｉおよびＴａの酸化物、ならびにＳｉ、Ａｌ、ＴｉおよびＴａの窒化物から選ばれた材料で構成された膜厚３〜５０ｎｍの膜を積層して２層膜とする。 （もっと読む）

本発明は、放射体１０及び放射体を製造する方法に関する。特に、本発明は、全体構造のサーマル放射率を増加させるのに役立つ薄膜コーティング５を有する放射体１０に関する。放射体１０は、基板１２、アモルファスカーボン層１６、及び前記基板１２と前記アモルファスカーボン層１６の間に挿入された金属化カーバイド形成層１４を備えている。さらに、放射体を製造する方法は、基板上に金属化カーバイド形成層を形成する工程、及び前記金属化カーバイド形成層上にアモルファスカーボン層を形成する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】支持体と輝尽性蛍光体層との付着性（接着性）を改良した放射線画像変換パネルの提供。
【解決手段】支持体４上に輝尽性蛍光体層を気相堆積法（気相法）により形成し、該輝尽性蛍光体層上に保護層を設けた放射線画像変換パネルにおいて、支持体と輝尽性蛍光体層間の付着力が２〜１００ＭＰａであることを特徴とする。支持体上に輝尽性蛍光体層を形成する前に、該支持体表面をエネルギー照射処理または／及びポリマーコートすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、高い原料利用効率、大面積対応、高い安全性を具備したスパッタ法の利点を生かし、高い品質の４族元素からなる半導体単結晶薄膜、および半導体多結晶薄膜を形成する半導体薄膜製造装置および方法を提供する。
【解決手段】 希ガスと水素の混合スパッタガスを用いること、真空容器の到達最低圧力を１×１０^−７Ｔｏｒｒ未満の超高真空領域に下げること、マグネトロン方式でスパッタすること、スパッタ成膜とスパッタ成膜の間のスパッタガスを流していないときに、スパッタターゲットを含むスパッタガンの圧力を１×１０^−７Ｔｏｒｒ未満に維持し、スパッタターゲットの純度を常に高純度に保つことが重要で、これらの組み合わせによって初めて、これらが相補的に機能し、スパッタターゲットの純度を常に高純度に維持され、また、堆積薄膜への酸素の混入量が検出限界以下となり、また、堆積薄膜に対する損傷やエッチング効果が抑制され、実用レベルの高品質、高純度の４族系半導体結晶が形成できる。 （もっと読む）

本発明は、表面にネットワーク状の溝が形成されている金属酸化物膜、および第一導電層、色素が吸着した上記金属酸化物膜、電解質、第二導電層が順に形成された色素増感太陽電池、およびそれの製造方法である。
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【課題】
運用の初期から安定した状態で薄膜が形成される成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜室７１にて薄膜被形成物の表面に電子ビームを用いて薄膜が蒸着されて形成され、このとき、成膜室７１内に水蒸気が導入され、同成膜室７１内の水分が同電子ビームによって酸素と水素とに解離され、同成膜室７１内の水素分圧が所定の制限範囲に保たれるように水蒸気の流量が制御される。このため、水素分圧に所定の制限範囲が設定される成膜が、成膜装置の稼動初期から終了まで安定して行われる。また、水蒸気発生装置７２や質量分析器７６など、成膜室７１に容易に後付けできる部品を用いて水素発生量を制御するようにしたので、真空室などを設けることなく、成膜装置が容易に改造される。 （もっと読む）

【課題】 画像品質を劣化させ表示欠陥となるディフェクト（異物）の発生の少ない良好な品質の反射防止膜を形成できる液晶表示素子の製造方法を提供する
【解決手段】 アクティブマトリクス基板上に絶縁層と、絶縁層上に複数の画素電極をマトリクス状に形成し、一方、ガラス基板２１上にＩＴＯ膜２２、少なくともＳｉＯ₂膜からなる反射防止膜２３を順次形成し、複数の画素電極と反射防止膜２３を所定の間隔を有して対向配置させ、この間隔に液晶２４を封入した液晶表示素子の製造方法において、ＳｉＯ₂膜は、真空チャンバー内にカソード３と、カソード３を取り囲むアノード２と、基板ホルダ９とを有するスパッタリング装置１５を用いて、カソード３上に外周部が面取りされたＳｉからなるターゲット１を載置し、ターゲット１に対向する側の基板ホルダ９に保持されたガラス基板２１上に、酸素雰囲気中でターゲット１をスパッタリングすることにより形成する。 （もっと読む）

【課題】 基材ホルダの着脱が容易であり、かつ成膜中に反転駆動される基材ホルダに対して高周波電力及びバイアス電圧を高い供給品質及び印加品質において安定に供給及び印加することが可能なイオン加工装置を提供する。
【解決手段】 その内部で電力を用いて基材へのイオン加工を行うための導電性の真空チャンバ１と、前記真空チャンバの内部に配設され前記基材が装着される導電性の基材ホルダ８と、前記真空チャンバの内部に前記電力を導入しかつ前記基材ホルダを回動自在に支持するための電力導入体５と、前記基材ホルダを前記真空チャンバの内部で反転させるための反転構造９と、前記電力導入体に電気的に接続され該電力導入体に前記電力を供給するための電源１６，１７とを備えるイオン加工装置１００であって、前記電力を前記電力導入体から前記基材ホルダに供給するための給電構造１０１を有し、前記電源から前記電力導入体を介して前記真空チャンバの内部に導入される前記電力が前記反転構造により反転可能な前記基材ホルダに対して前記給電構造を介して実質的に供給される。 （もっと読む）