【課題】 基材ホルダの着脱が容易であり、かつ成膜中に反転駆動される基材ホルダに対して高周波電力及びバイアス電圧を高い供給品質及び印加品質において安定に供給及び印加することが可能なイオン加工装置を提供する。
【解決手段】 その内部で電力を用いて基材へのイオン加工を行うための導電性の真空チャンバ１と、前記真空チャンバの内部に配設され前記基材が装着される導電性の基材ホルダ８と、前記真空チャンバの内部に前記電力を導入しかつ前記基材ホルダを回動自在に支持するための電力導入体５と、前記基材ホルダを前記真空チャンバの内部で反転させるための反転構造９と、前記電力導入体に電気的に接続され該電力導入体に前記電力を供給するための電源１６，１７とを備えるイオン加工装置１００であって、前記電力を前記電力導入体から前記基材ホルダに供給するための給電構造１０１を有し、前記電源から前記電力導入体を介して前記真空チャンバの内部に導入される前記電力が前記反転構造により反転可能な前記基材ホルダに対して前記給電構造を介して実質的に供給される。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、アルカリ性溶液に浸しても基材とガスバリア層の剥離がなく、かつ安定したバリア性能を保つことのできる積層体、及びその製造方法を提供するものである。
【解決手段】 高分子樹脂基材上にガスバリア層、窒化珪素薄膜が形成されてなる積層体であって、ｐＨ１４以上のアルカリ性溶液に１分間浸漬した後の、ＪＩＳＫ５６００−５−６に規定する密着強度試験で１ｍｍのカット間隔で剥離がないことを特徴とするガスバリア積層体とするものである。 （もっと読む）

本発明は、プラズマ場を発生させるための陽電荷源としての役割も果たすガス供給装置を用いたマグネトロンスパッタリング装置を提供する。前記スパッタリング装置は、真空チャンバ、スパッタ可能な物質の陰極ターゲット、正および負の電荷を供給する電源、並びに、ガス供給装置を備えている。前記ガス供給装置は、シンプルな穴あきガス供給部材を備えていてもよいし、導電性陽極表面が付与された穴あきガス供給部材を備えていてもよい。前記ガス供給部材は、また、スパッタリングガスの流れを調節する役割を果たす、更に多くの穴のあいた内部導管を備えていてもよい。ガス流は、前記ガス供給装置の個別の部分の内部で調節してもよい。前記ガス供給装置の陽極表面は、プラズマおよびガス流の作用により清浄化され、より安定したプラズマを発生させ、メンテナンスの必要性を低減させる。
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【課題】マスク部材単体にしわ・たるみ等が発生し易い場合であっても、製造過程でそのしわ・たるみ等を除去することができ、これにより微細蒸着パターンへの対応を可能にしつつ形成パターンのパターン位置精度を高く保てるようにする。
【解決手段】薄膜金属からなるマスク部材４と、紗状のスクリーンメッシュ部材３と、方形状の枠部材２とを備え、前記スクリーンメッシュ部材３を介して前記マスク部材４が前記枠部材２内に張設されるコンビネーションマスクについて、前記スクリーンメッシュ部材３と前記マスク部材４とを仮固定する仮固定工程と、前記マスク部材４が仮固定された後の前記スクリーンメッシュ部材３に張力を与える張設工程と、前記スクリーンメッシュ部材３に張力を与えた後、仮固定されている前記マスク部材４を前記スクリーンメッシュ部材３に本固定する本固定工程と、を経て製造する。 （もっと読む）

【課題】ミスフィット率を低減させ高品質なＭｇＢ₂薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板２が結晶面（００１）のサファイアであり、ＡｌＮバッファ層１６が結晶面（００１）であり、ＭｇＢ₂薄膜１７が結晶面（００１）であることを特徴とするＭｇＢ₂薄膜１７の製造方法であり、カルーセルスパッタリング装置にて高速で回転する基板２上にＭｇＢ₂薄膜１７を形成するにあたり、反応室１内にＮ₂ガスを送入する窒素ガス送入ステップと、反応室１内に備えるＡｌターゲット１５に電圧を印加して基板２上にＡｌＮバッファ層１６を形成するバッファ層形成ステップと、反応室１内に備えるＭｇターゲット３およびＢターゲット４に電圧を印加してＡｌＮバッファ層１６上にＭｇＢ₂薄膜１７を形成するＭｇＢ₂薄膜形成ステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】 イオンビームによって金属製シャッタがエッチングされて生成した金属粉がイオン銃ユニットの作動不良、基板上に成膜される金属膜の品質低下を招く不具合を解決する。
【解決手段】 真空炉１と、真空炉内に配置され支持面に複数の基板Ｗを着脱自在に支持した基板ホルダ２と、基板ホルダの支持面と対向するように真空炉内に配置された蒸着物質蒸発ユニット１０と、蒸着物質蒸発ユニットと隣接配置されたイオン銃ユニット２０と、を備えたイオンプレーディング装置であって、蒸着物質蒸発ユニットは、蒸着物質を保持したルツボと、ルツボ上の蒸着物質に電子ビームを照射して加熱蒸発させる電子銃と、を備え、イオン銃ユニットは、蒸発物質に向けてイオンを出射して蒸発物質をプラズマ化するイオン銃グリッド２１と、イオン銃グリッドからのイオン出射経路を開閉するシャッタ２２と、を備え、前記シャッタ２２を非導電材料にて構成した。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法による光学多層膜形成装置において、高精度で再現性に優れた膜厚制御を行う装置及び方法を提供する。
【解決手段】真空槽からなるスパッタ室、スパッタ室内部で基板を保持して移動する移動部材、及び基板に光学薄膜を形成するために複数のターゲット材のプラズマを発生させる複数の対からなるスパッタカソードを備えた光学多層膜を形成するスパッタリング装置において、スパッタカソードの各対が基板の移動経路を挟んで対向する位置に配置され、基板が該スパッタカソードの各対の近傍を複数回通過するように移動部材を動作させる手段を含む構成とした。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗変化率（ＭＲ比）等の磁気特性に優れたＧＭＲ及びＴＭＲ膜を高い歩留まりで製造可能な磁気抵抗膜の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】 磁化固定層、非磁性中間層、及び磁化自由層を含む磁気抵抗膜のうち、非磁性中間層及び磁化自由層を構成する少なくとも１つの薄膜を、スパッタ装置を用い基板近傍の圧力を８．０×１０^−３Ｐａ以下として形成する。スパッタ装置は、カソードと基板ホルダとが配置された真空容器と、真空容器の排気口に連結された第１の排気装置と、ターゲットの表面近傍へのガス導入機構と、を備え、ターゲット表面近傍とその外側の中間空間との間で圧力差をつける第１の圧力調整手段と、中間空間と基板の表面近傍との間で圧力差をつける第２の圧力調整手段と、中間空間を排気する第２の排気装置とを設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】鮮鋭性や発光輝度を向上させる。
【解決手段】本発明に係る輝尽性蛍光体パネルの製造方法では、所定の基板２上に気相堆積法で輝尽性蛍光体層３が形成された蛍光体プレート４を有機溶剤ガス雰囲気下で加熱する。 （もっと読む）

【課題】 貴金属材料の使用量を削減しつつ、低抵抗の電気配線を高い生産能力で形成することができる成膜方法等を提供する。
【解決手段】 基板５０上に薄膜５２のパターン１２を形成する成膜方法であって、マスク１０を用いて気相成長法により基板５０上に金属下地膜６０を成膜し、パターン１２を形成する第１工程と、基板５０にメッキ処理を施して金属下地層からなるパターン１２上に金属膜６５を成膜する第２工程と、を有する。
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【課題】 円筒部材（正確には複数の扇型に湾曲された湾曲部材からなる略円筒の部材）の一部をターゲットとして使用した上で、この円筒部材を用いてプラズマ重合の機能を付加することを意図した真空成膜装置を提供する。
【解決手段】 真空成膜装置１００は、内部空間を有する導電性の真空槽１３と、前記内部空間１０に複数の扇型に湾曲された湾曲部材３１、３２を並べて配置することにより、略円筒形をなすように構成された枠体１５と、前記枠体１５に囲まれた内部に配置され、前記枠体１５の周方向に沿うように磁界を形成する磁界形成手段３３と、を備え、前記湾曲部材１５、１６のうちの少なくとも一つはスパッタリングに使用するターゲットであり、かつ前記ターゲットを除いた前記枠体の領域が、プラズマ重合に使用される装置である。 （もっと読む）

【課題】マスクを用いた気相堆積法による成膜時の基板温度をより正確に管理し、これにより、これら薄膜の位置精度を向上させること。
【解決手段】本発明の方法は、絶縁基板ＳＵＢとその上に形成され且つ表示素子ＯＬＥＤを含んだ構造体とを具備した表示装置を製造する方法であって、真空中で、マスクを用いた気相堆積法により、前記絶縁基板ＳＵＢ上に、前記構造体の一部として前記マスクのパターンに対応したパターンを有する薄膜を形成する工程を含み、前記薄膜を形成する前及び／又は前記薄膜を形成している間、金属基板とその一主面を被覆し且つ前記金属基板よりも赤外線吸収率がより高い赤外線吸収層とを備えた冷却板を、前記赤外線吸収層が前記絶縁基板ＳＵＢと向き合うように配置することにより、前記絶縁基板ＳＵＢを冷却することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 設計値に近い光学特性を有する多層光学薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 電圧調節装置７を中心とするスパッタ電圧調節系は、真空容器全圧比較部２５を中心とする真空容器全圧調節系に対してカスケード制御を行っている。プレスパッタリングが開始されると、上述の制御系が一斉に作動を開始する。そして、真空容器全圧変動検出部３１で検出される真空容器１内の全圧の変動値が所定値以下となったとき、成膜のためのスパッタリングが開始される。又、最初から真空容器全圧変動検出部３１による圧力変動値の検出を行わず、プレスパッタリングが開始されてから所定時間は、無条件にプレスパッタリングを続行し、この所定時間経過後に、真空容器全圧変動検出部３１による圧力変動値の検出を行って、変動値が所定値以下となったとき、成膜のためのスパッタリングを開始するようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】より優れた輝尽発光輝度を有する放射線画像変換パネルの製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に気相堆積法で輝尽性蛍光体層が形成された蛍光体プレートを空気又は不活性ガス雰囲気下で熱処理と有機溶剤ガス雰囲気下で熱処理を行う。 （もっと読む）

本発明は、厚膜絶縁性電子発光ディスプレイ用の多成分の薄膜の燐光物質のための新規なスパッタターゲット及び蒸着方法であって、蒸着された燐光物質は、テレビ用として要求される高輝度と多色を提供する。 この方法は、反応種と非反応種とを有するガスを含む低圧スパッタリング雰囲気中で、単一の複合ターゲットをスパッタリングするステップを備えている。 この複合ターゲットは、マトリクス相と封入相、若しくは２つのマトリクス相を有しており、前記相の一方が、燐光物質の組成に寄与する一以上の金属元素を含むと共に、成分相の他方が、燐光物質の組成に寄与する残余の元素を含んでいる。 前記方法においては、複合ターゲットのマトリクス相及び封入相のスパッタリング速度を制御するためにスパッタリング雰囲気内で前記反応種の圧力を変化させることにより、蒸着すべき２つの相における元素の割合を、基板上に形成する燐光体膜として所望の割合とするステップを更に備えている。 （もっと読む）

【課題】 タクトを短縮して、生産性を向上させるとともに、省スペース化、低コスト化した真空処理装置を提供する。
【解決手段】 真空処理装置１０において、基板キャリア１２Ａ、１２Ｂを複数の予備室３０Ａ、３０Ｂの基板入れ替え口３０Ａａ、３０Ｂａの前面にそれぞれ１又は２以上配置可能な構成とした。
また、基板キャリア１２Ａ、１２Ｂに基板２４を着脱する際には、少なくとも１つの基板キャリア１２Ａを水平面上に回転させる基板キャリア干渉防止機構５０を備えると、省スペース化が容易になる。 （もっと読む）

本発明は、連続的に金属を供給して蒸発させるための、ＰＶＤ金属蒸着装置中の気化器本体の準備および動作に関する。気化器本体に適用される層構造が、未焼結状態である焼結可能な粉末材料とともに金属に供給され、原料の層構造の形態で気化器本体に加えられ、気化器本体を加熱することによって金属蒸着サイクル中に焼結融合される。層構造は、金属蒸着工程中に使用することができ、金属蒸着サイクルの後毎に金属蒸着装置中で直接更新することができる。
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多数個の制御孔（２７）が開設されたコリメータ（２５）がウエハ（３０）とターゲット（１８）との間に介設された状態で、ターゲット（１８）がスパッタリングされてウエハ（３０）にコバルト膜（３７）が被着されるＤＣマグネトロンスパッタリング装置（１０）において、コリメータ（２５）の本体（２６）の上面と下面に傾斜角が極小さく本体と同心円の一対の錐面（２８、２８）を上下対称形にそれぞれ形成して、コリメータ（２５）の多数個の制御孔のアスペクト比をコリメータの周辺から中心にかけて「１〜１．２５」に設定する。コリメータ（２５）の周辺部に位置した制御孔を通過するスパッタ粒子の量を中央部に位置した制御孔を通過するスパッタ粒子の量より多くできるので、周辺部の膜厚不足を補って相対的に面内膜厚分布を全体に均一に制御でき、スパッタリング膜の面内膜厚分布の均一性を高めることができる。
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【課題】
６％を越える高透過率（９〜１５％）をもち、且つハーフトーン膜部のサイドエッチングを抑制できしかも石英面を平滑な水平面にすることができるハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造法を提供する。
【解決手段】
本発明によるハーフトーン型位相シフトマスクは、石英ガラス基板上に、位相差が１３５°以下となるような膜厚をもつＭｏＳｉ系のハーフトーン位相シフト膜を設け、磁気中性線放電プラズマによるドライエッチングで石英ガラス基板を垂直性よく且つ面内均一性よく掘り込んで構成される。また、本発明によるハーフトーン型位相シフトマスクの製造法は、石英ガラス基板上に、反応性スパッタリング法によりＭｏＳｉ系のハーフトーン位相シフト膜を位相差が１３５°以下となるような膜厚に成膜し、続いてクロム膜をマスクとして、磁気中性線放電プラズマによるドライエッチングによりプロセスガスに側壁保護効果をもつガスを添加して、石英ガラス基板をエッチング処理することから成る。 （もっと読む）

【課題】 アンバランスドマグネトロンスパッタリング（ＵＢＭＳ）法の高密着性の特徴を維持しつつ、基板面全域で膜質の均一な膜を形成する。
【解決手段】 非平衡な磁場分布を形成するアンバランスドマグネトロンスパッタ電極と、基板２を保持するホルダー３を備えた回転ステージ１と、該回転ステージ１の周囲に設けられ該基板２の表面に対向する複数、好ましくは３体以上のターゲット４ａ、４ｂ、４ｃを備えたアンバランスドマグネトロンスパッタリング（ＵＢＭＳ）装置であって、（１）複数、好ましくは３体以上のターゲット４ａ、４ｂ、４ｃが高さを変えて設置され、且つ基板２を載置するステージ１を公転させる機構を有するか、又は（２）基板２をターゲット４ｄ、４ｅ、４ｆに対して平行方向（回転ステージに対して上下方向）５に振動させる機構と、基板２を載置するステージ１を公転させる機構を有する。 （もっと読む）