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Fターム[4K029AA24]の内容

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Fターム[4K029AA24]に分類される特許

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いくつかの独立しかつ整列したモジュール(M)を具備するという事実によって特徴付けられた装置が開示されている。上記モジュール(M)個々は、真空処理チャンバー(C)、および別個のチャンバーの一つの中であるいはあるチャンバーから他のチャンバーへと基板を移送するための手段を備えた移送チャンバー(B)を具備する。第2のチャンバーは、第1のチャンバーに直接隣接してあるいは少なくとも一つのモジュールによってそれから分離された状態で第1のチャンバーの上流または下流に配置されている。この結果、他の基板が特定の処理のために別のチャンバー内に置かれている間、ある基板を、処理を施すためにあるチャンバー内へと移送することが可能である。
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【課題】
【解決手段】ウエハ上に半導体素子を形成する方法が提供されている。エッチング層が、ウエハの上に形成される。フォトレジストマスクが、エッチング層の上に形成される。フォトレジストマスクは、ウエハの外縁付近のみ除去されて、ウエハの外縁付近のエッチング層が露出される。炭素および水素を含有する種を備えた蒸着ガスが供給される。蒸着ガスから、プラズマが形成される。ポリマ層が、ウエハの外縁付近の露出エッチング層に蒸着される。この時、ポリマは、蒸着ガス由来のプラズマから形成される。フォトレジストマスクと、ウエハの外縁付近の露出エッチング層に蒸着されたポリマとが消費されつつ、フォトレジストマスクを介してエッチング層がエッチングされる。 (もっと読む)


本発明は、高純度のNi−Vを含む、スパッタリングターゲットのようなスパッタリング部品を包含する。このスパッタリング部品は全体を通して微細な結晶粒径を有することができ、この場合適例としての微細平均結晶粒径は40ミクロンに等しいか、またはそれより小さい結晶粒径である。本発明は、また、高純度のNi−V構造物を製造する方法も包含する。 (もっと読む)


【課題】複数の磁気記録媒体を生産性良く製造でき、磁気記録媒体の面内での電磁変換特性のバラツキが少なく、また製造歩留まりの高い磁気記録媒体の製造方法を提供すること。
【解決手段】(1)基板上に、ターゲットを用いてスパッタリング法により、薄膜を形成する磁気記録媒体の製造方法において、スパッタリング中に円環状侵蝕領域が形成されるターゲットと複数枚の基板を載置した基板ホルダーとを中心軸を一致させて平行に対向配置する。そして円環状侵蝕領域の最深部のターゲット中心からの距離をR1、円環状侵蝕侵蝕領域の最内周のターゲット中心からの距離をR2、基板外径端の基板ホルダー中心からの最長距離をR3、最短距離をR4としたとき、R3/R1が1.1以下であり、かつR4がR2以上である位置に基板を基板ホルダーに配置して薄膜を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 (もっと読む)


基板(例えば、大面積ガラス基板)上に膜を塗布するための方法およびコータを開示する。ある実施形態は、シート状基板上に薄膜を塗布するためのコータを含む。幾つかの実施形態におけるコータは、基板を、コータを通って延びる基板走行路に沿って搬送するよう適合させた移送システムを有する。ある実施形態における基板移送システムは、上方向コーティング堆積ギャップを含む。コータは、好ましくは、基板が、上方向コーティング堆積ギャップの上方に延びる、基板走行路の所望の一部に沿って搬送される際、コーティング材料を、上方向に、そのようなギャップを通って基板の底主面上に供給するよう適合させたコーティング材料源を有する。 (もっと読む)


【課題】基板から炭素含有残渣類を除去するための方法を提供する。
【解決手段】酸素ソース、フッ素ソース、及び随意選択的に追加のガスを含むプロセスガスを用意すること、ここで、該プロセスガス中でフッ素に対する酸素のモル比が、約1〜約10の範囲にわたる:1種以上のエネルギーソースを用いて該プロセスガスを活性化し、反応性種を供給し;そして該反応性種と該基板の該表面とを接触させ、該表面から該炭素含有残渣を揮発させて、除去すること、を含み、基板表面の少なくとも一部から炭素含有残渣を除去する。 (もっと読む)


リチウム塩類と還元剤の間の混合物を提供し、リチウム塩類がチタン酸塩(Li2TiO3)、タンタル酸塩(LiTaO3)、ニオブ酸塩(LiNbO3)、タングステン酸塩(Li2WO4)、及びジルコン酸塩(Li2ZrO3)の中で選択され、前記還元剤がアルミニウム、ケイ素、ジルコニウム、チタニウム、又はジルコニウム、若しくはチタニウムの合金中で選択される。
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【課題】 大きなサイズの基板の表面に均一な厚みの薄膜を形成するために好ましく用いることのできる簡単な構成の薄膜蒸着装置を提供すること。
【解決手段】 基板の中心位置の回りを基板平面に沿って回転するように基板を保持することのできる基板ホルダと、この基板ホルダの対向位置に設定された蒸発源設置領域とを内部に備えた真空槽からなる、基板表面に薄膜を蒸着により形成する装置において、基板の半径よりも長い長さを持つ細長い一もしくは二以上の蒸着遮蔽板が、基板が保持される領域の外側に設置された支点により、所定の周期にて先端部が基板の中心位置を覆うように移動する上記支点を中心にする回転運動もしくは揺動運動が可能なように設置されていることを特徴とする薄膜蒸着装置。 (もっと読む)


【課題】 化学量論組成比のモノマー組成でポリ尿素膜を作製することができるポリ尿素膜の形成方法及びポリ尿素膜形成装置を提供する。
【解決手段】 真空処理室中で原料モノマーを蒸発させて、これを基体上で重合させるようにした合成樹脂膜の形成方法であって、ジイソシアナート化合物を原料モノマーとして蒸発させ、同時に導入した水と反応させることを特徴とする。 (もっと読む)


基板上の積層複合材料であって、前記積層複合材料の少なくとも1つの単一層が立方晶窒化ホウ素を含有し、かつ堆積を通じて製造されている。課題は、改善された接着強さを有するそのような積層複合材料を提案することである。前記課題は、立方晶窒化ホウ素が堆積の間に添加される酸素を含有することにより解決される。
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【課題】薄膜原材料の利用効率を高めることで、高品質の薄膜を高い生産性で成膜する真空成膜装置を実現することを目的とする。
【解決手段】真空成膜チャンバ内に配置したリング状のハース3に収容した薄膜原材料4にエネルギービームを照射し、薄膜原材料4を加熱蒸発させることで基板上に薄膜を成膜する真空成膜装置において、前記ハース3における薄膜原材料4の形状として、エネルギービームが照射される箇所8を通り前記ハース3と同心の円上において薄膜原材料4の量が最大となる形状としたことを特徴とするものである。 (もっと読む)


組織の結合または貫通する厚さの勾配を有しないかまたは最小であることにより特徴付けられるモリブデンスパッタリングターゲットおよび焼結体。微細な、均一な粒度および均一な組織を有するモリブデンスパッタリングターゲットは高い純度であり、性能を改良するためにミクロ合金化できる。スパッタリングターゲットは丸い円板、正方形、長方形、または管状であってもよく、基板に薄膜を形成するために、スパッタすることができる。セグメント形成法を使用することにより、スパッタリングターゲットの大きさは6m×5.5mmまでであってもよい。薄膜を電子部品、例えば薄膜トランジスター、液晶ディスプレー、プラズマディスプレーパネル、有機発光ダイオード、無機発光ダイオードディスプレー、電界発光ディスプレー、太陽電池、センサー、半導体装置および調節可能な仕事関数を有するCMOS(相補的金属酸化物半導体)のゲート装置に使用される。
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【課題】コストを低減すると共に、歩留まりを向上させる。
【解決手段】非滑面領域18b近傍で電離したアルゴンイオンは、ターゲット9表面の非滑面領域18bに衝突し、ターゲット9からスパッタ粒子を放出させて非滑面領域18bを削る。非滑面領域18bから放出され、ガラス基板13に向かずに中央部の滑面領域18aに向かい、滑面領域18aに衝突したスパッタ粒子は、滑面領域18aが、その表面粗さが、少なくともアンカー効果が無視できる所定値以下の値とされているために、滑面領域18aに再付着せずに、このまま落下する。したがって、滑面領域18aに堆積して突起部を形成して、ある程度の大きさに成長した後に落下したり、異常放電の原因となることもない。 (もっと読む)


菅、薄板、箔、線、繊維あるいはバーの形態の金属基材を有する金属製品は、二つ以上の異なる層からなる装飾性被膜を有する。一つの層は金属あるいは合金に基づき、一つの層は透明な酸化物に基づく。この製品は、連続プロセス内でPVDにより製造され、家庭用の装置、携帯電話、あるいは衣服中のボタンおよびジッパーなどのいろいろな顧客関連の製品に使用される。
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【課題】
耐酸化性、耐腐食性、耐エレクトロマイグレーション性、耐ストレスマイグレーション性に優れたスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】
ガス成分を除いた純度99.9999重量%以上の銅を、酸素濃度0.1容量ppm以下の雰囲気で、溶解し、さらに鋳造を行う。得られた鋳塊に機械加工と中間焼鈍を行い、その後有機洗浄とエッチングを行ってスパッタリングターゲットを得る。 (もっと読む)


【課題】 スパッタ成膜時の高エネルギー粒子による被成膜部材の損傷を低減することができる対向ターゲット式スパッタ装置、並びに、この装置を利用した有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネセンス素子を提供する。
【解決手段】 ターゲット面が空間を隔てて略平行に対向するように設けられた一対のターゲットと、ターゲット面に対して略垂直方向に磁界を発生させる磁界発生手段とを有し、ターゲット間の空間の側方に該空間と対面するように配置された被成膜部材上に膜形成を行う対向ターゲット式スパッタ装置であって、上記対向ターゲット式スパッタ装置は、ターゲット間の空間と被成膜部材との間に、ターゲット面よりも対向するターゲットの方向に突出した部分を有するプラズマ抑制板が設けられたものである対向ターゲット式スパッタ装置である。 (もっと読む)


【課題】 可動部を省略し、簡略な構成でサンプルデバイスを良好に製造できるコンビナトリアルデバイス製造装置を提供する。
【解決手段】 コンビナトリアルデバイス製造装置は、膜を組み合わせて基板上に複数種類のデバイスを製造するものであって、膜を形成するための材料をイオン化してイオンを放出するイオン源と、イオン源から放出されたイオンを基板上に蒸着するイオン輸送系と、イオン輸送系で輸送されるイオンの進行方向を電界及び磁界のうち少なくともいずれか一方を使って偏向し、基板上でのイオンの蒸着位置を制御する制御系とを備えている。 (もっと読む)


【課題】
生産の歩留まりが高く、生産コストが低い、しかも、大面積や任意の形状のフィルタを形成することが可能な誘電体多層膜フィルタ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】
支持体上の低屈折率材料と高屈折率材料とによる誘電体膜2を複数積層した誘電体多層膜フィルタにおいて、該支持体が、0.5mm以下の厚みを有する自己保持性かつ柔軟性を有する樹脂シート1であることを特徴とする。好ましくは、該樹脂シートが、ポリイミド樹脂又はフッ素化ポリイミド樹脂により構成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、化学蒸着(CVD)システムまたは物理蒸着(PVD)システムなどの蒸着システムの真空チャンバ内で、コーティング源の上につり下げられた遊星式回転プラットホームに基板を固定する磁気ラッチで使用する部分的に使い捨ての基板ホルダに関する。
【解決手段】この基板ホルダは、磁気ラッチに引きつけられる強磁性材料で少なくとも部分的にできている再利用可能なベースと、比較的安価で、強磁性で、容易に成形可能な材料でできており、コーティング材料の付着を促進し、コーティング温度での蒸気圧が低い使い捨てカバーとを含む。 (もっと読む)


【課題】本発明は、化学蒸着(CVD)システムまたは物理蒸着(PVD)システムなどの蒸着システムの真空チャンバ内で、コーティング源の上につり下げられた遊星式回転プラットホームに基板を固定する磁気ラッチに関する。
【解決手段】この磁気ラッチは永久磁石を含み、この永久磁石は、基板ホルダを引きつけるために永久磁石がラッチを磁化するラッチ位置と、永久磁石がバイパス回路内で接続されてラッチの磁化が解除され、そのため、基板ホルダが解放される非ラッチ位置との間で移動可能である。 (もっと読む)


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