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Fターム[4K029AA24]の内容

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Fターム[4K029AA24]に分類される特許

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【課題】 可動部を省略し、簡略な構成でサンプルデバイスを良好に製造できるコンビナトリアルデバイス製造装置を提供する。
【解決手段】 コンビナトリアルデバイス製造装置は、膜を組み合わせて基板上に複数種類のデバイスを製造するものであって、膜を形成するための材料をイオン化してイオンを放出するイオン源と、イオン源から放出されたイオンを基板上に蒸着するイオン輸送系と、イオン輸送系で輸送されるイオンの進行方向を電界及び磁界のうち少なくともいずれか一方を使って偏向し、基板上でのイオンの蒸着位置を制御する制御系とを備えている。 (もっと読む)


【課題】
生産の歩留まりが高く、生産コストが低い、しかも、大面積や任意の形状のフィルタを形成することが可能な誘電体多層膜フィルタ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】
支持体上の低屈折率材料と高屈折率材料とによる誘電体膜2を複数積層した誘電体多層膜フィルタにおいて、該支持体が、0.5mm以下の厚みを有する自己保持性かつ柔軟性を有する樹脂シート1であることを特徴とする。好ましくは、該樹脂シートが、ポリイミド樹脂又はフッ素化ポリイミド樹脂により構成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、化学蒸着(CVD)システムまたは物理蒸着(PVD)システムなどの蒸着システムの真空チャンバ内で、コーティング源の上につり下げられた遊星式回転プラットホームに基板を固定する磁気ラッチで使用する部分的に使い捨ての基板ホルダに関する。
【解決手段】この基板ホルダは、磁気ラッチに引きつけられる強磁性材料で少なくとも部分的にできている再利用可能なベースと、比較的安価で、強磁性で、容易に成形可能な材料でできており、コーティング材料の付着を促進し、コーティング温度での蒸気圧が低い使い捨てカバーとを含む。 (もっと読む)


【課題】本発明は、化学蒸着(CVD)システムまたは物理蒸着(PVD)システムなどの蒸着システムの真空チャンバ内で、コーティング源の上につり下げられた遊星式回転プラットホームに基板を固定する磁気ラッチに関する。
【解決手段】この磁気ラッチは永久磁石を含み、この永久磁石は、基板ホルダを引きつけるために永久磁石がラッチを磁化するラッチ位置と、永久磁石がバイパス回路内で接続されてラッチの磁化が解除され、そのため、基板ホルダが解放される非ラッチ位置との間で移動可能である。 (もっと読む)


【課題】 基板、特にガラス基板をコーティングするための装置のコーティングチャンバ2に少なくとも1つのスクリーン9を装着するための保持装置12を提供する。
【解決手段】 保持装置12は、当該保持装置12によって保持されるスクリーン9が、当該保持装置12の動きにより少なくともコーティングチャンバ2内における第1の位置から第2の位置に動かされ得るように構成される。保持装置12は、スクリーン9が第1の位置から第2の位置に移動する途中に障害物を避けることを可能にするような手段13を有する。特に、第1の位置から第2の位置への移動中に、スクリーン9は保持装置12上に回転可能に装着される。 (もっと読む)


【課題】プラズマを用いる半導体製造装置における反応チャンバ内のプラズマ密度の分布を制御し、半導体基板面内の膜形成あるいは加工を均一に行うことができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】電気的に相互に独立したRF放電により複数の部分プラズマ10を発生させることで全体プラズマ11の密度を制御するための複数の分割RF電極7を備えたRF電極部5を有する。その各々の分割RF電極7に、別々に電力を供給する電力供給手段を有することにより、分割RF電極7に供給された電力に応じた密度を有する複数の部分プラズマ10が発生する。この複数の部分プラズマ10が集合して全体プラズマ11が形成される。部分プラズマ10の密度を制御することにより、全体プラズマ11の密度を制御する。この全体プラズマ11を用いてその基板の面内を均一に処理する。 (もっと読む)


【課題】 熱安定および低電気抵抗の酸化インジウムスズ膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 酸化物誘電層20を形成し、即ち、基板10の表面に酸化物薄膜を形成するステップaと、酸化物誘電層20を表面処理し、即ち、酸素をイオン源設備に送入し、酸素がイオン源を通過した後に発生するイオン束により酸化物誘電層20に表面処理を実行するステップbと、透明導電膜を形成し、即ち、イオン処理を通過した後の酸化物誘電層20の上に酸化インジウムスズ膜30を積層するステップcとを含む。基板10は、プラスチックの本体11と本体11の一側面に形成される硬質コーティング12から構成され、本体11の他側は基板10の表面10aを形成する。酸化物誘電層20にイオン処理を予め実行することで、酸化物誘電層20の安定性および精密度を高める。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、少なくとも一つの一定の方向へ曲がる炭素ナノチューブのマトリックス構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の炭素ナノチューブのマトリックス構造は基板、該基板の表面に形成された少なくとも一つの触媒塊、及び該触媒塊に成長された炭素ナノチューブのマトリックスを含み、該触媒塊の厚さは第一端部から第二端部へ漸進的に減らし、該第一端部から該第二端部への範囲中で、ある位置の厚さが好ましい厚さに寄って、該炭素ナノチューブのマトリックスは該好ましい厚さの位置から離れた方向へ曲がる。本発明は前記炭素ナノチューブのマトリックス構造の製造方法も提供する。 (もっと読む)


導電性スパッタリング材を用いて、スパッタリング法により、金属酸化物膜と酸化ケイ素膜との多層膜を基板の上に高速成膜して、膜の応力が緩和された多層膜付き基板とそのような低応力の多層膜付き基板を製造する方法の提供。基板上に、少なくとも金属酸化物膜と酸化ケイ素膜とを1回以上繰返し積層してなる多層膜付き基板であって、該金属酸化物膜の少なくとも1層が化学量論的組成より酸素が不足している金属酸化物MOをターゲット材に用いてスパッタリングを行うことにより成膜されてなる酸素不足が解消された金属酸化物膜であり、かつ該多層膜の応力が−100MPa〜+100MPaであることを特徴とする多層膜付き基板。
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【課題】 金属吸着法を用いて均一な単原子ステップを有する固体結晶表面を形成する方法を提供する。
【解決手段】 固体結晶の両端に直流電圧を印加して所定の温度に加熱する段階と、直流電圧印加を保持しつつ、所定の温度に加熱された固体結晶の表面に金属原子を所定の蒸着速度で蒸着することで、固体結晶の表面に当該固体結晶を構成する原子の単原子ステップを形成する段階と、を含む固体結晶表面の形態制御方法。 (もっと読む)


多段階基板真空処理を簡素化し、柔軟性を改善するために、ロードロックおよび処理タワーLLPT1はロードロック装置LLAならびに処理装置PMAを含む。運搬装置TAにおいて、ロードロック装置LLAは一方では外部雰囲気ATと、他方では真空雰囲気Vと連通する。プロセスモジュール装置PMAおよび運搬装置TA間の基板のハンドリングは開放部を介して行われる。
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【課題】有機モノマーを反応ガス中に材料ガスとして含ませてプラズマによる重合を行う事により、特性が優れた薄膜のハードマスクを形成する。
【解決手段】容量結合式のプラズマCVD装置により半導体基板上に炭化水素系ポリマー膜を形成する方法において、ビニル基、アセチレン基で置換されていない沸点約20℃〜約350℃の炭化水素系液体モノマー(CαHβXγ、α,β:5以上の自然数,γ:0を含む整数、X:O、N、またはF) を気化させる工程、該気化したガスを基板が置かれたCVD反応室に導入する工程、及び該ガスをプラズマ重合させることにより該基板上に炭化水素系ポリマー膜を形成する工程、を包含する。 (もっと読む)


【課題】 無機酸化物の斜方蒸着膜からなる垂直配向膜を備えた液晶表示素子に好適で、配向膜の表面処理により配向の経時安定性、焼き付き現象の緩和及び耐光性を向上させることが可能な表面処理剤及びその処理方法を提供する。
【解決手段】 無機酸化物の斜方蒸着膜からなる垂直配向膜を用いた液晶表示素子に適用され、前記斜方蒸着膜の表面水酸基が、金属アルコラートで化学反応処理されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 簡易な構成で、熱負荷によるガラス基板の割れなどを誘発することなく、複数枚のガラス基板から複数枚のパネルを省エネルギーのもとに調製することを可能にする、複数枚の基板への蒸着被膜の同時形成方法および当該方法を実施するための搬送トレイを提供すること。
【解決手段】 搬送トレイを、四角形状の枠体と、枠体の対向する枠辺と枠辺の間に、その両端を枠体の各枠辺と弾性部材を介して連結することでテンションを付加して架設した薄体状部材とから構成し、複数本の薄体状部材を、複数枚の基板が搬送トレイに載置されている状態を形成することができる保持部材として機能させるとともに、基板における蒸着被膜形成領域を画定するためのマスク部材として機能させ、所定の薄体状部材の所定の位置に、複数枚の基板を載置した際、隣接する基板同士を仕切るための仕切り部材を設ける。 (もっと読む)


【課題】 プラズマ中のある程度の割合のイオンを薄膜に接触させて成膜の形成を行うことができる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】 薄膜形成装置1は、真空槽11の前記開口11aに対応する位置に設けられ真空槽11内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段80と、真空槽11内で基体を保持する基体保持手段13と、プラズマ発生手段80と基体保持手段13との間に設けられたイオン消滅手段90を備える。プラズマ発生手段80から基板ホルダ13を臨んだときの、イオン消滅手段90がプラズマ発生手段80に対して基体保持手段13を遮蔽する面積は、プラズマ発生手段80から基板ホルダ13を臨む残余の面積よりも狭く構成されている。 (もっと読む)


【課題】アルミニウム系マトリクス中にシリコン相が微細に分散したAl−Si膜とその形成方法を提供する。
【解決手段】アルミニウムとシリコンを含有するAl−Si膜であって、アルミニウムまたはアルミニウム合金のマトリクスと、前記マトリクス中に分散された、粒径が数〜100nmであるシリコン微粒子とを有し、プラズマの使用または加熱により生成されたシリコン微粒子とアルミニウム微粒子を、超音速フリージェットの気流に乗せて真空チャンバー(成膜チャンバー30)中に噴出して、真空チャンバー中に配置した基板33上に物理蒸着させて形成した膜とする。 (もっと読む)


【課題】 表面積の大きい多孔質バルブ金属薄膜およびその製造方法、並びにその薄膜を陽極体として利用した容量密度の大きい薄膜キャパシタを提供する。
【解決手段】 1)バルブ金属と異相成分の粒子径が1nm〜1μmの範囲にあり、かつ、バルブ金属と異相成分が均一に分布した薄膜を作製する工程、2)熱処理により粒子径を調整をするとともに適度に焼結を進める工程、3)異相部分を除去する工程、からなる製造方法を用いて、多孔質バルブ金属薄膜を製造する。 (もっと読む)


【課題】良好な特性を有するカルコゲン化合物薄膜を形成するスパッタリング蒸着装置およびそれを利用したカルコゲン化合物薄膜形成方法の提供。
【解決手段】カルコゲン化合物ターゲット及び基板にマイナスの値とプラスの値の間をスイッチングするパルス直流バイアスを提供する。マイナスの直流バイアスが供給されるときに、カルコゲン化合物ターゲットから構成元素がスパッタされて、反応ガスと結合して基板上にカルコゲン化合物薄膜が形成される。プラスの直流バイアスが供給されるときに、カルコゲン化合物ターゲット表面に局所的に蓄積された不活性ガスイオンがカルコゲン化合物ターゲットから離脱される。不活性ガスの蓄積による放電がなく、不純物ドーピング濃度が増加したカルコゲン化合物薄膜を形成することができ、カルコゲン化合物薄膜の比抵抗を増加できる。 (もっと読む)


【課題】 単純な構造でありながら、様々な成膜用基材を装着することができ、かつ、成膜装置等への脱着が容易である可搬式基材ホルダを提供する。
【解決手段】 相互に略平行に配設された2本の棒状体1,2と、2本の棒状体1,2に、2本の棒状体1,2を含む平面に垂直な方向から見て2本の棒状体1,2の間に位置するように取り付けられた成膜用基材Wを保持するための基材保持部8とを備える。 (もっと読む)


【課題】 生産性を向上させるとともに、省スペース化した真空処理装置を提供する。
【解決手段】 基板を真空処理する真空処理室130と、基板を載置して搬送する基板キャリア12と、基板を大気側と真空側間とで搬入、搬出する予備室120A、120Bとを具備した真空処理装置において、予備室120A、120Bと真空処理室130間に、基板キャリア12を搬出入させる基板キャリアスライド室30を設けるとともに、この基板キャリアスライド室30は、基板キャリア12を滞在させる最小限の2対のレール32A、32Bを有し、これらのレール32A、32Bを予備室120A、120B、又は、真空処理室130に基板キャリア12を搬出入する位置に制御する位置制御機構を備える構成とした。
この場合位置制御機構は、ボールネジ34A、34Bと直動ガイド40とで構成すると良い。 (もっと読む)


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