【課題】 スパッタ成膜時の高エネルギー粒子による被成膜部材の損傷を低減することができる対向ターゲット式スパッタ装置、並びに、この装置を利用した有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネセンス素子を提供する。
【解決手段】 ターゲット面が空間を隔てて略平行に対向するように設けられた一対のターゲットと、ターゲット面に対して略垂直方向に磁界を発生させる磁界発生手段とを有し、ターゲット間の空間の側方に該空間と対面するように配置された被成膜部材上に膜形成を行う対向ターゲット式スパッタ装置であって、上記対向ターゲット式スパッタ装置は、ターゲット間の空間と被成膜部材との間に、ターゲット面よりも対向するターゲットの方向に突出した部分を有するプラズマ抑制板が設けられたものである対向ターゲット式スパッタ装置である。 （もっと読む）

【課題】 可動部を省略し、簡略な構成でサンプルデバイスを良好に製造できるコンビナトリアルデバイス製造装置を提供する。
【解決手段】 コンビナトリアルデバイス製造装置は、膜を組み合わせて基板上に複数種類のデバイスを製造するものであって、膜を形成するための材料をイオン化してイオンを放出するイオン源と、イオン源から放出されたイオンを基板上に蒸着するイオン輸送系と、イオン輸送系で輸送されるイオンの進行方向を電界及び磁界のうち少なくともいずれか一方を使って偏向し、基板上でのイオンの蒸着位置を制御する制御系とを備えている。 （もっと読む）

【課題】
生産の歩留まりが高く、生産コストが低い、しかも、大面積や任意の形状のフィルタを形成することが可能な誘電体多層膜フィルタ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】
支持体上の低屈折率材料と高屈折率材料とによる誘電体膜２を複数積層した誘電体多層膜フィルタにおいて、該支持体が、０．５ｍｍ以下の厚みを有する自己保持性かつ柔軟性を有する樹脂シート１であることを特徴とする。好ましくは、該樹脂シートが、ポリイミド樹脂又はフッ素化ポリイミド樹脂により構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、化学蒸着（ＣＶＤ）システムまたは物理蒸着（ＰＶＤ）システムなどの蒸着システムの真空チャンバ内で、コーティング源の上につり下げられた遊星式回転プラットホームに基板を固定する磁気ラッチで使用する部分的に使い捨ての基板ホルダに関する。
【解決手段】この基板ホルダは、磁気ラッチに引きつけられる強磁性材料で少なくとも部分的にできている再利用可能なベースと、比較的安価で、強磁性で、容易に成形可能な材料でできており、コーティング材料の付着を促進し、コーティング温度での蒸気圧が低い使い捨てカバーとを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、化学蒸着（ＣＶＤ）システムまたは物理蒸着（ＰＶＤ）システムなどの蒸着システムの真空チャンバ内で、コーティング源の上につり下げられた遊星式回転プラットホームに基板を固定する磁気ラッチに関する。
【解決手段】この磁気ラッチは永久磁石を含み、この永久磁石は、基板ホルダを引きつけるために永久磁石がラッチを磁化するラッチ位置と、永久磁石がバイパス回路内で接続されてラッチの磁化が解除され、そのため、基板ホルダが解放される非ラッチ位置との間で移動可能である。 （もっと読む）

【課題】プラズマを用いる半導体製造装置における反応チャンバ内のプラズマ密度の分布を制御し、半導体基板面内の膜形成あるいは加工を均一に行うことができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】電気的に相互に独立したＲＦ放電により複数の部分プラズマ１０を発生させることで全体プラズマ１１の密度を制御するための複数の分割ＲＦ電極７を備えたＲＦ電極部５を有する。その各々の分割ＲＦ電極７に、別々に電力を供給する電力供給手段を有することにより、分割ＲＦ電極７に供給された電力に応じた密度を有する複数の部分プラズマ１０が発生する。この複数の部分プラズマ１０が集合して全体プラズマ１１が形成される。部分プラズマ１０の密度を制御することにより、全体プラズマ１１の密度を制御する。この全体プラズマ１１を用いてその基板の面内を均一に処理する。 （もっと読む）

【課題】 熱安定および低電気抵抗の酸化インジウムスズ膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 酸化物誘電層２０を形成し、即ち、基板１０の表面に酸化物薄膜を形成するステップａと、酸化物誘電層２０を表面処理し、即ち、酸素をイオン源設備に送入し、酸素がイオン源を通過した後に発生するイオン束により酸化物誘電層２０に表面処理を実行するステップｂと、透明導電膜を形成し、即ち、イオン処理を通過した後の酸化物誘電層２０の上に酸化インジウムスズ膜３０を積層するステップｃとを含む。基板１０は、プラスチックの本体１１と本体１１の一側面に形成される硬質コーティング１２から構成され、本体１１の他側は基板１０の表面１０ａを形成する。酸化物誘電層２０にイオン処理を予め実行することで、酸化物誘電層２０の安定性および精密度を高める。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、少なくとも一つの一定の方向へ曲がる炭素ナノチューブのマトリックス構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の炭素ナノチューブのマトリックス構造は基板、該基板の表面に形成された少なくとも一つの触媒塊、及び該触媒塊に成長された炭素ナノチューブのマトリックスを含み、該触媒塊の厚さは第一端部から第二端部へ漸進的に減らし、該第一端部から該第二端部への範囲中で、ある位置の厚さが好ましい厚さに寄って、該炭素ナノチューブのマトリックスは該好ましい厚さの位置から離れた方向へ曲がる。本発明は前記炭素ナノチューブのマトリックス構造の製造方法も提供する。 （もっと読む）

導電性スパッタリング材を用いて、スパッタリング法により、金属酸化物膜と酸化ケイ素膜との多層膜を基板の上に高速成膜して、膜の応力が緩和された多層膜付き基板とそのような低応力の多層膜付き基板を製造する方法の提供。基板上に、少なくとも金属酸化物膜と酸化ケイ素膜とを１回以上繰返し積層してなる多層膜付き基板であって、該金属酸化物膜の少なくとも１層が化学量論的組成より酸素が不足している金属酸化物ＭＯ_Ｘをターゲット材に用いてスパッタリングを行うことにより成膜されてなる酸素不足が解消された金属酸化物膜であり、かつ該多層膜の応力が−１００ＭＰａ〜＋１００ＭＰａであることを特徴とする多層膜付き基板。
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【課題】 金属吸着法を用いて均一な単原子ステップを有する固体結晶表面を形成する方法を提供する。
【解決手段】 固体結晶の両端に直流電圧を印加して所定の温度に加熱する段階と、直流電圧印加を保持しつつ、所定の温度に加熱された固体結晶の表面に金属原子を所定の蒸着速度で蒸着することで、固体結晶の表面に当該固体結晶を構成する原子の単原子ステップを形成する段階と、を含む固体結晶表面の形態制御方法。 （もっと読む）

多段階基板真空処理を簡素化し、柔軟性を改善するために、ロードロックおよび処理タワーＬＬＰＴ１はロードロック装置ＬＬＡならびに処理装置ＰＭＡを含む。運搬装置ＴＡにおいて、ロードロック装置ＬＬＡは一方では外部雰囲気ＡＴと、他方では真空雰囲気Ｖと連通する。プロセスモジュール装置ＰＭＡおよび運搬装置ＴＡ間の基板のハンドリングは開放部を介して行われる。
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【課題】有機モノマーを反応ガス中に材料ガスとして含ませてプラズマによる重合を行う事により、特性が優れた薄膜のハードマスクを形成する。
【解決手段】容量結合式のプラズマCVD装置により半導体基板上に炭化水素系ポリマー膜を形成する方法において、ビニル基、アセチレン基で置換されていない沸点約２０℃〜約３５０℃の炭化水素系液体モノマー(C_αH_βX_γ、α，β：５以上の自然数，γ：0を含む整数、X：O、N、またはF) を気化させる工程、該気化したガスを基板が置かれたCVD反応室に導入する工程、及び該ガスをプラズマ重合させることにより該基板上に炭化水素系ポリマー膜を形成する工程、を包含する。 （もっと読む）

【課題】高信頼性の半導体素子を得るために高融点金属、高融点金属からなる合金、高融点金属の珪化物、Ｔｉ，Ｔａ，Ｗ，Ｔｉ−Ｗ合金の窒化物からなる膜をコンタクトバリアー層またはゲート電極などに用い、半導体素子のリーク電流を抑える。
【解決手段】Ｔｉ原料からＡｌを除去してＡｌ濃度が３ｐｐｍ以下であるマグネトロンスパッタリング装置用Ｔｉ材を調製し、このＴｉ材を用いてＡｌ含有量が原子数で１×１０^１８個／ｃｍ^３以下であり結晶質または非晶質であるコンタクトバリアー又はゲート電極層をスパッタリング法により形成することを特徴とするソース−ドレイン領域の接合深さが０．３μｍ以下である半導体素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 高密度化と、記録線速度がＤＶＤ８倍速以上の高線速化に対応でき、繰り返し特性と保存性に優れた光記録媒体等の提供。
【解決手段】 基板上に少なくとも記録層を有してなり、該記録層が、レーザー光走行方向長さが０．４μｍ以下の前記非晶質マークを記録可能であると共に、前記記録層が、次式、Ｉｎ_αＳｂ_β（ただし、α及びβは、それぞれの元素の原子組成比率を表し、０．７３≦β／（α＋β）≦０．９０であり、かつα＋β＝１００である）で表される組成を含有する光記録媒体、又は、前記記録層が、次式、Ｍ_γＩｎ_αＳｂ_β（ただし、Ｍは、Ｉｎ、及びＳｂ以外の元素、並びに該元素の混合物から選択される少なくとも１種の元素を表す。α、β、及びγは、それぞれの元素の原子組成比率を表し、０．７３≦β／（α＋β）≦０．９０、α＞γ＞０であり、かつα＋β＋γ＝１００である）で表される組成を含有する光記録媒体である。 （もっと読む）

【課題】 無機酸化物の斜方蒸着膜からなる垂直配向膜を備えた液晶表示素子に好適で、配向膜の表面処理により配向の経時安定性、焼き付き現象の緩和及び耐光性を向上させることが可能な表面処理剤及びその処理方法を提供する。
【解決手段】 無機酸化物の斜方蒸着膜からなる垂直配向膜を用いた液晶表示素子に適用され、前記斜方蒸着膜の表面水酸基が、金属アルコラートで化学反応処理されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構成で、熱負荷によるガラス基板の割れなどを誘発することなく、複数枚のガラス基板から複数枚のパネルを省エネルギーのもとに調製することを可能にする、複数枚の基板への蒸着被膜の同時形成方法および当該方法を実施するための搬送トレイを提供すること。
【解決手段】 搬送トレイを、四角形状の枠体と、枠体の対向する枠辺と枠辺の間に、その両端を枠体の各枠辺と弾性部材を介して連結することでテンションを付加して架設した薄体状部材とから構成し、複数本の薄体状部材を、複数枚の基板が搬送トレイに載置されている状態を形成することができる保持部材として機能させるとともに、基板における蒸着被膜形成領域を画定するためのマスク部材として機能させ、所定の薄体状部材の所定の位置に、複数枚の基板を載置した際、隣接する基板同士を仕切るための仕切り部材を設ける。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ中のある程度の割合のイオンを薄膜に接触させて成膜の形成を行うことができる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】 薄膜形成装置１は、真空槽１１の前記開口１１ａに対応する位置に設けられ真空槽１１内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段８０と、真空槽１１内で基体を保持する基体保持手段１３と、プラズマ発生手段８０と基体保持手段１３との間に設けられたイオン消滅手段９０を備える。プラズマ発生手段８０から基板ホルダ１３を臨んだときの、イオン消滅手段９０がプラズマ発生手段８０に対して基体保持手段１３を遮蔽する面積は、プラズマ発生手段８０から基板ホルダ１３を臨む残余の面積よりも狭く構成されている。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム系マトリクス中にシリコン相が微細に分散したＡｌ−Ｓｉ膜とその形成方法を提供する。
【解決手段】アルミニウムとシリコンを含有するＡｌ−Ｓｉ膜であって、アルミニウムまたはアルミニウム合金のマトリクスと、前記マトリクス中に分散された、粒径が数〜１００ｎｍであるシリコン微粒子とを有し、プラズマの使用または加熱により生成されたシリコン微粒子とアルミニウム微粒子を、超音速フリージェットの気流に乗せて真空チャンバー（成膜チャンバー３０）中に噴出して、真空チャンバー中に配置した基板３３上に物理蒸着させて形成した膜とする。 （もっと読む）

【課題】 表面積の大きい多孔質バルブ金属薄膜およびその製造方法、並びにその薄膜を陽極体として利用した容量密度の大きい薄膜キャパシタを提供する。
【解決手段】 １）バルブ金属と異相成分の粒子径が１ｎｍ〜１μｍの範囲にあり、かつ、バルブ金属と異相成分が均一に分布した薄膜を作製する工程、２）熱処理により粒子径を調整をするとともに適度に焼結を進める工程、３）異相部分を除去する工程、からなる製造方法を用いて、多孔質バルブ金属薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を有するカルコゲン化合物薄膜を形成するスパッタリング蒸着装置およびそれを利用したカルコゲン化合物薄膜形成方法の提供。
【解決手段】カルコゲン化合物ターゲット及び基板にマイナスの値とプラスの値の間をスイッチングするパルス直流バイアスを提供する。マイナスの直流バイアスが供給されるときに、カルコゲン化合物ターゲットから構成元素がスパッタされて、反応ガスと結合して基板上にカルコゲン化合物薄膜が形成される。プラスの直流バイアスが供給されるときに、カルコゲン化合物ターゲット表面に局所的に蓄積された不活性ガスイオンがカルコゲン化合物ターゲットから離脱される。不活性ガスの蓄積による放電がなく、不純物ドーピング濃度が増加したカルコゲン化合物薄膜を形成することができ、カルコゲン化合物薄膜の比抵抗を増加できる。 （もっと読む）