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Fターム[4K029AA24]の内容

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Fターム[4K029AA24]に分類される特許

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【課題】 TiC膜を含む半導体構造を形成する方法を提供する。
【解決手段】 高誘電率(k)の誘電体14および界面層12を含む積層体を基板10の表面上に設けるステップと、Heによって希釈された炭素(C)源およびArを含む雰囲気において、Tiターゲットをスパッタすることにより、前記積層体上にTiC膜16を形成するステップとを含む、半導体構造を形成する方法である。 (もっと読む)


【課題】高品質なIII族窒化物を結晶成長させ、高品質な半導体装置を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化サファイア基板をアルカリエッチングし、窒化サファイア基板を清浄化する。その後、III族窒化物を結晶成長させることにより、極めて高品質なN極性結晶を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】2枚の基板がスペーサ部材を介して積層されてなる積層体を基板保持部との間で搬送するときに、搬送時間を短くすることができる基板搬送方法を提供する。
【解決手段】積層体を保持していないときにスペーサ部材を保持する基板保持部に対して、積層体を搬送する基板搬送方法であって、第1のフォーク53の上方に設けられた第2のフォーク54の一方の面54a側に設けられた第1の掴み機構61により、第1の基板を下掴みして受け取り、第2のフォーク54を上下反転させて第1のフォーク53に載置する第1の工程と、第2のフォーク54の一方の面54aと同一面側に設けられた第2の掴み機構62により、基板保持部に保持されているスペーサ部材を上掴みして受け取り、第1の基板上に載置する第2の工程と、第1の掴み機構61により第2の基板を上掴みして受け取り、スペーサ部材上に載置する第3の工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】実用に耐えうる耐摩耗性を備えた撥油性膜を持つ撥油性基材を製造することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】前照射工程、第1の成膜工程、後照射工程及び第2の成膜工程を順次有する。前照射工程では、基板101の表面にエネルギーを持つ粒子を300〜600秒の照射時間で照射する。第1の成膜工程では、前照射工程後の基板101の粒子照射面にイオンビームを用いたイオンアシスト蒸着法によって第1の膜103を3nm以上の厚みで成膜する。後照射工程では、基板101に成膜された第1の膜103にエネルギーを持つ粒子を照射する。これにより第1の膜103の厚みを0.1〜500nmとし、かつ第1の膜103の表面に特定の表面特性を満足する凹凸を形成させる。第2の成膜工程では、後照射工程後の第1の膜103の凹凸面に撥油性を有する第2の膜105を成膜する。 (もっと読む)


【課題】材料ワイヤが空中で溶解して発生する飛沫を排除でき、しかも材料蒸発領域が縮小しない蒸着用ボートを提供することを目的とする。
【解決手段】プール2の一端3aの近傍の材料供給部9aがこの材料供給部の他端3bの側に接続された材料蒸発部10よりも低温になるように、プール2の材料蒸発部10の裏面に、断面積が均一な平坦部14と、平坦部14と材料供給部9aとを接続する勾配部15aを設け、勾配部15aを、一端3aから他端3bに向かう方向に断面積が大きくなるよう形成して温度分布を形成している。 (もっと読む)


【課題】薄膜トランジスタに使用できる非シリコン系半導体薄膜、及びそれを形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】ガリウムが酸化インジウムに固溶していて、原子比Ga/(Ga+In)が0.05〜0.08であり、全金属原子に対するインジウムとガリウムの含有率が80原子%以上であり、Inのビックスバイト構造を有することを特徴とする酸化物焼結体。 (もっと読む)


【課題】SGZO系酸化物半導体薄膜において、低温アニールによる低抵抗化が起こらず、成膜時の抵抗値と低温アニール後の抵抗値が同等となる組成を明らかとし、再現性が高く、大面積デバイス、特にフレキシブルデバイス作製に適した製造方法を提供する。
【解決手段】構成元素の組成比をSn:Ga:Zn=a:b:cとした場合、組成比が、a+b=2、且つ1≦a≦2、且つ1≦c≦11/2、且つc≧−7b/4+11/4を満たす酸化物半導体薄膜を基板上に成膜する成膜工程と、成膜工程後、酸化性雰囲気中で100℃以上300℃未満の熱処理を施す熱処理工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】 バッキングプレートからのCuの拡散を抑制して不純物の含有を低減可能なInスパッタリングターゲットの製造方法を提供すること。
【解決手段】 CuまたはCu合金製のバッキングプレート1上にNi膜2を成膜する工程と、加熱されたバッキングプレート1のNi膜2上でIn原料3を溶解し、さらに冷却して固化させることでInスパッタリングターゲットを作製する工程とを有している。特に、Ni膜をイオンプレーティング法または溶射法により成膜することが好ましい。 (もっと読む)


【課題】低コストで低抵抗化が実現可能であり、赤外領域においても透明性を有する電体基板、導電体基板の製造方法、デバイス、電子機器及び太陽電池パネルを提供すること。
【解決手段】基板と、基板上に設けられ、結晶構造におけるa軸長さが酸化スズ系材料と対応した物質からなり、結晶成長を制御するシード層と、シード層上に設けられ、酸化スズ系透明導電体の結晶からなる導電層とを備える。 (もっと読む)


【課題】反応性スパッタリングにより所定の薄膜を形成する際に、処理基板全面に亘って膜厚分布や比抵抗値などの膜質を略均一にできるようにスパッタリング装置を構成する。
【解決手段】同数のターゲット31a乃至31hが等間隔で並設された複数のスパッタ室11a、11bの間で、各ターゲットに対向した位置に処理基板Sを搬送し、この処理基板が存するスパッタ室内の各ターゲットに電力投入して各ターゲットをスパッタリングし、処理基板表面に同一または異なる薄膜を積層する。その際、相互に連続するスパッタ室の間で処理基板表面のうち各ターゲット相互の間の領域と対向する箇所がずれるように処理基板の停止位置を変える。 (もっと読む)


【課題】搬送中に基板がホルダから外れることを防止することができる真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】ホルダ103aは、基板20を保持する一方面S1と、一方面S1と反対の他方面S2とを有する。またホルダ103aには、平面視において基板20の一部と重複する領域において開口部OPが設けられている。蒸着源120はホルダ103aの一方面S1に対向している。ヒータはホルダの他方面S2に対向している。固定具60は、ホルダの一方面S1上に固定され、一方面S1との間で基板20を挟むことによって基板20を固定している。 (もっと読む)


【課題】基板の端部に均一な膜厚の薄膜を形成できるスパッタリング装置及びスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】
長手方向が互いに平行で、スパッタされる面が同一平面に位置し、側面が対面するように並んで真空槽内に配置された細長形状の複数のターゲットのうち、隣接する二個のターゲットを一組のターゲット組にすると、一組のターゲット組内では、少なくとも一個のターゲットにオフ電圧を印加し、オン電圧とオフ電圧とを、一組のターゲット組内の二個のターゲットに交互に印加してターゲットをスパッタし、基板に薄膜を形成するスパッタリング方法であって、ターゲット組は一列に並べられており、ターゲットにオン電圧とオフ電圧とを印加する際には、前記一列の端に位置するターゲット組内では、前記一列の端の方に位置するターゲットのオン電圧の印加期間を、他方のターゲットのオン電圧の印加期間よりも長くする。 (もっと読む)


【課題】被成膜材料の有無を検出する検出機能を確保することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置1は、ワークWに成膜材料を成膜する成膜装置であって、ワークWを収納し成膜処理を行う成膜室2と、成膜室2の内部に設けられ、ワークWを搬送する搬送装置7と、成膜室2を画成する壁3aに設けられ、光を透過する防着ガラス27を有し、成膜室2の外部から内部への投光を可能とするビューポート13と、成膜室2の外部に設けられ、ビューポート13の防着ガラス27を透過させてセンサー光を投光し成膜室2の内部のワークWの有無を検出する走行センサ11と、防着ガラス27への成膜材料の堆積を抑制するためのヒータ31と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】遮光膜のパターニング時に良好な平坦度を有することで、良好なマスクパターン精度及びパターン転写精度が得られるフォトマスクブランクの製造方法を提供する。
【解決手段】透光性基板1上に少なくともクロムと窒素を含む遮光膜2を有するフォトマスクブランクの製造方法である。遮光膜2を形成した後、該遮光膜2に加わる熱処理によって生じる膜応力変化により得られるフォトマスクブランクの平坦度が所定値以下になるように、上記膜応力変化とは逆方向の所望の膜応力を有する遮光膜2となるように、スパッタリング成膜中に含まれる窒素ガス、窒素化合物ガス、ヘリウムガスのうち少なくとも一のガスの流量を調整して遮光膜2を形成する。 (もっと読む)


【課題】複数の真空処理室を直線的に配置した従来の装置にあっては、全体構造が大型化して、製造コストの低減やタクトタイムの短縮が難しいという問題点があった。
【解決手段】プレート状のワークWの表面にスパッタリングにより被膜を形成する装置であって、所定間隔で配列した複数の真空チャンバー1A〜1Pと、これらの真空チャンバーを移動させるターンテーブル4と、ワークWを収容した真空チャンバーの内部を真空引きする真空ポンプ3を備え、各真空チャンバー1A〜1Pが、ワークWを保持するワーク治具4と、スパッタリング用のターゲット5と、不活性ガスを導入する不活性ガス導入手段14と、ターゲット5に高電圧を印加する電圧印加手段16を備えた構成とし、製造コストの低減やタクトタイムの短縮化を実現した。 (もっと読む)


【課題】坩堝の輻射熱を遮熱し、且つノズルに詰まりを生じない蒸発源および蒸着装置を提供する。
【解決手段】蒸着源1は、蒸着材料Mを加熱して蒸発させる坩堝5から突出するようにして設けられ、蒸発した蒸着材料Mを基板に向けて噴射するノズル12と、並列に配置した複数の金属板15を有し、これら複数の金属板15のうち最も基板に近い金属板15をノズル12のノズル先端面13よりも基板に近い位置に設けたリフレクタと、リフレクタを構成する複数の金属板15のうち一部と一体的に構成され、ノズル12とリフレクタとの間を閉塞するカバー部材8と、を備える。 (もっと読む)


【課題】450〜600℃程度の高温下に曝されてもヒロックが発生せず高温耐熱性に優れており、膜自体の電気抵抗(配線抵抗)も低く、アルカリ環境下の耐食性にも優れた表示装置用Al合金膜を提供する。
【解決手段】Geを0.01〜2.0原子%と、Ta、Ti、Zr、Hf、W、Cr、Nb、Mo、Ir、Pt、Re、およびOsよりなる群(X群)から選択される少なくとも一種の元素とを含み、450〜600℃の加熱処理を行なったとき、下記(1)の要件を満足する表示装置もしくは半導体装置用Al合金膜である。
(1)Alと、前記X群から選択される少なくとも一種の元素と、Geとを含む第1の析出物について、円相当直径50nm以上の析出物が200,000個/mm2以上の密度で存在する。 (もっと読む)


【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有し、しかも、非常に優れた面内均一性をする酸化物半導体膜を成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と、酸化スズと、酸化インジウムの各粉末と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であり、前記酸化物焼結体をX線回折し、2θ=34°近傍のXRDピークの強度をA、2θ=31°近傍のXRDピークの強度をB、2θ=35°近傍のXRDピークの強度をC、2θ=26.5°近傍のXRDピークの強度をDで表したとき、下記式(1)を満足する。
[A/(A+B+C+D)]×100≧70 ・・・ (1) (もっと読む)


【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットであって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を成膜可能であり、特に、直流スパッタリング法で製造しても長時間安定して放電することが可能な直流放電安定性に優れた酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と;酸化スズと;Al、Hf、Ni、Si、Ga、In、およびTaよりなる群から選択される少なくとも1種の金属(M金属)の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、面内方向および深さ方向の比抵抗をガウス分布で近似したとき、上記比抵抗の分散係数σが0.02以下である。 (もっと読む)


【課題】単一金属酸化物半導体材料をチャネル層として使用時に極性をp型伝導又はn型伝導に変更できる同時両極性電界効果型トランジスタを実現し、さらに、該同時両極性TFTを用いたCMOS構造のトランジスタを提供する。
【解決手段】基板上に設けたチャネル層と、前記チャネル層上又は下にゲート絶縁膜を介して設けられて前記チャネル層のキャリア濃度を制御するゲート電極を有する電界効果型トランジスタにおいて、前記チャネル層材料は、酸化第一スズ(SnO)薄膜であり、前記チャネル層とゲート絶縁膜との界面の欠陥準位密度が5×1014cm−2eV−1以下であり、前記チャネル層は、電子(n型)及び正孔(p型)伝導性の両方の動作が可能な同時両極性を有することを特徴とする同時両極性電界効果型トランジスタ。 (もっと読む)


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