【課題】 輝尽性蛍光体層と支持体との剥離がなく、高輝度である放射線画像変換パネルの提供。
【解決手段】 支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、少なくとも１層の輝尽性蛍光体層が気相法（気相堆積法ともいう）により形成され、該輝尽性蛍光体層と支持体との間にＳｉＯｘ（ｘ＝１．３〜１．７）を有する接着層を有することを特徴とする放射線画像変換パネル。 （もっと読む）

【課題】 レーザーアブレーションを利用した改質方法であるにも拘らず、改質処理されるべき基材を回転させたり平行移動させることなく固定配置した状態で、その表面を均一に改質させることが可能な基材の表面改質装置を提供すること。
【解決手段】 レーザー光３を発生するレーザー光発生装置２と、
表面に照射されたレーザー光３により飛散粒子を発生させるターゲット６と、
飛散粒子の付着により表面が改質される基材７と、
ターゲット６の表面上のレーザー光照射位置Ｐを支点にして、レーザー光３の入射方向Ｌ_１とターゲット６の表面の垂線方向Ｌ_２との間の角度θ_１を変化させるようにターゲット６を揺動させるターゲット揺動手段１０と、
を備えることを特徴とする基材の表面改質装置。 （もっと読む）

【課題】
耐性の高いナノピラーを得る。
【解決手段】
マイクロチップ基板への金薄膜の蒸着を１０〜２０ｎｍの厚さに行い、その後チップを４００〜６００度で１時間程度熱処理して自己組織化させることにより、金属によるランダムピラー構造のナノピラーを基板上に形成させる。
（もっと読む）

【課題】可視光域で高い反射率を有し、耐湿性や耐塩水性等の耐久性に優れ、かつ入射角依存性が小さい（光の入射角によって反射率が変動しにくい）高反射鏡の提供。
【解決手段】基板上に、銀膜、低屈折率膜、高屈折率膜がこの順で積層された高反射鏡であって、入射角が１５度、４５度、７５度の各々の場合における、膜面反射率の可視光域全域の最低値の偏差が７％以内であることを特徴とする高反射鏡。前記銀膜の基板と反対側に密着改善膜を形成してもよい。 （もっと読む）

【課題】 従来得られなかった特性を有する多層光学薄膜とその製造方法を提供する。
【解決手段】 まず、基板１の上に、溶解液に溶ける溶解物質２を成膜し、その上に、薄膜材料３を成膜する（ｂ）。続いて、溶解物質２をその上に成膜するが、そのときマスク４を使用して、その下にある薄膜材料３の左右端部には溶解物質２が成膜されないようにする。（ｃ）。続いて、その上に、薄膜材料３を成膜する（ｄ）。続いて、（ｃ）の工程と同じように、溶解物質２をその上に成膜する（ｅ）。続いて、（ｄ）の工程と同じように、その上に、薄膜材料３を成膜する（ｆ）。最後に、溶解物質２を溶剤で溶解すると、溶解物資２があった部分に空隙５が形成されると共に、基板１が分離し、図においては、薄膜材料３が３相、空隙５を挟んで積層された光学薄膜が形成される（ｇ）。 （もっと読む）

本発明はイオン注入機用の電源装置ＡＬＴに関し、この電源装置は基板運搬トレイＰＰＳと接地Ｅとの間に設置された電気発生器ＳＯＵと、前記基板運搬トレイＰＰＳと接地Ｅとの間に同様に接続される並列のブランチ内のコンデンサＣＤＳからなる。コンデンサＣＤＳは５ｎＦより小さい電気容量を有する。
本発明はまた、電源装置を内蔵するイオン注入機を提供する。
（もっと読む）

【課題】安価で加工が容易な材料を用いて作成された蒸着用容器を用いて、蒸着材料の蒸着を行っても詰まりを生じさせず、安定して蒸着を行うことが可能な蒸着用容器および蒸着装置を提供する。
【解決手段】蒸着用容器のフタの側面に蛇腹構造を設ける。または、蒸着用容器のフタを蒸着源の開口部分より大きくして、加熱部に直接接するようにする。このような構成によれば、フタの開口部付近が冷えにくい構造となり、容器の胴部とフタとで温度差が生じにくくなる。従って、開口部で蒸発した材料が詰まることがなく、長時間に渡って安定して蒸着を行うことが可能となり、蒸着レートの安定化、生産性の向上を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】配向性カーボンナノチューブ（CNT）のパターン化された柱形状集合体の製造法及びこれを用いた低電圧で均一な電子放出可能な電界放出型冷陰極の製造法を提供する。
【解決手段】基礎基板表面上に複数個の触媒担体被膜を任意の位置にパターン形成する工程、該触媒担体被膜を含む該基礎基板表面に触媒作用を持つ金属元素あるいは化合物を焼成担持する工程、該基礎基板表面上に炭素化合物を供給し熱分解する工程により、該触媒担体被膜上に配向性CNTが集合してなる柱形状の集合体を形成させることにより、配向性CNTのパターン化された柱形状集合体を製造する。また、前記柱形状集合体を作製する工程(1)、電極基板表面に導電性バインダー形成させる工程(2)、該柱形状集合体の先端と該導電性バインダーの表面とを接着後、該導電性バインダーと接着した柱形状集合体を残して、該基礎基板を剥離して柱形状集合体を電極基板に転写する工程(3)により電界放出型冷陰極を製造する （もっと読む）

【課題】 単純な開口形状を有するマスクを用いて、短時間で所望の膜厚分布を有する薄膜を形成することができる新規な薄膜形成方法、並びに、この方法で用いるマスク及びそのマスクを用いた薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】 本発明に用いるマスクは、蒸発源から飛散する物質を通過させる開口部を複数の同一形状の開口部に分割して有している。このように開口部が複数の開口部に分割されているので、個々の開口部の面積を一層小さくすることができ、これにより、開口部を通過する物質の分布を一層均一にすることができる。また、分割された複数の開口部を基板の相対移動方法に配列させているので、蒸着効率を低下させることなく所望の膜厚分布の薄膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 基板にダメージを与えることなく酸化亜鉛等の膜を形成することができる膜形成方法等を提供する。
【解決手段】 成膜室１２４内で、対向して配置され、少なくともその一方が高純度の亜鉛からなる一組のターゲットＡ，Ｂに、ＤＣ電圧を印加し、両ターゲットＡ，Ｂ間に発生させたプラズマによりスパッタリングする。スパッタリングされたターゲットＡ，ＢのＺｎ粒子を、酸素ガスと反応させつつ、対向するターゲットの軸方向からずらされて配置された基板上に堆積し、該基板表面にＺｎＯ膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、極力材料の無駄が発生しない蒸着装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 蒸着装置１０ａは、各基板１４間を移動し、材料を加熱蒸発させ、各基板１４に対して蒸発物を堆積させるための蒸発源１２を備える。基板１４を真空チャンバーＡ，Ｃに出入したりアライメントしたりする間に他の基板１４を蒸着する。材料の無駄が非常に少なく、製造されるＯＬＥＤの製造コストを下げることができる。 （もっと読む）

【課題】成膜材料の有効利用が可能であり、かつ、良好な膜質の膜を成膜することが可能な成膜源を提供する。
【解決手段】成膜源１０２は、成膜材料１２１が内部に充填される成膜材料収容部である坩堝１２２と、充填された成膜材料１２１の表面に載置される加熱体である加熱板１２３とを備える。加熱板１２３には複数の貫通孔１２５が所定のパターンで形成されている。また、加熱板１２３の貫通孔１２５が形成されていない領域には、ヒータ１２６が配設されている。成膜時には、ヒータ１２６によって加熱された加熱板１２３により、坩堝１２２内の成膜材料１２１の表面が加熱され、該表面の成膜材料１２１が蒸発して蒸着成膜が実施される。 （もっと読む）

【課題】シャッターに付着した付着物が剥離して蒸着源に入るのを可及的に防止することが可能な蒸着装置、蒸着方法、有機ＥＬ装置、および電子機器を提供することを目的とする。
【解決手段】蒸着源により蒸着材料を気化させて、基板の蒸着面に膜形成を行う蒸着装置において、前記蒸着源と前記基板との間に、蒸着レートを調整するためのシャッターを備え、前記シャッターの前記蒸着源側の面に、付着する蒸着材料の剥離を防止するために、微細な凹凸を形成したものである。 （もっと読む）

【課題】 電気抵抗が低く、かつ、耐凝集性に優れた金属薄膜（Ａｇ系薄膜）および透明導電体、及び、耐硫化性および耐凝集性に優れたＡｇ系反射膜を提供する。
【解決手段】 (1) 第１層としてＡｇ薄膜を有し、その上に第２層として貴金属元素であるＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔの１種以上を含有するＡｇ合金膜を有するＡｇ系２層膜であって、前記Ａｇ合金膜の膜厚をＹ（ｎｍ）、前記Ａｇ合金膜での貴金属元素の含有量をＸ（ａｔ％）、前記Ａｇ薄膜の膜厚をＺ（ｎｍ）としたときに、Ｙ≧８／Ｘであると共に、Ｙ＋Ｚ≧５であることを特徴とするＡｇ系２層膜、(2) 透明基体上に透明膜が形成され、その上に前記Ａｇ系２層膜が形成され、その上に透明膜が形成されていることを特徴とする透明導電体、(3) 前記Ａｇ系２層膜でのＸが２５ａｔ％以上、Ｙが８ｎｍ以上であり、且つ、Ａｇ薄膜及びＡｇ合金膜が希土類元素を０．０５〜３．０ａｔ％含有するもの等。 （もっと読む）

【課題】 成膜室の容積を小さくして同成膜室の雰囲気を速く減圧にすることのできるコンパクトな真空成膜装置、薄膜素子の製造方法及び電子機器を提供する。
【解決手段】 各第１〜第３蒸発源室３Ａ〜３Ｃに基板搬送室２と独立させるためのゲートバルブＧＢを備えた。また、各第１〜第３蒸発源室３Ａ〜３Ｃに吸排気口１２及び吸排気口１２から配管を介して各第１〜第３蒸発源室３Ａ〜３Ｃ内の雰囲気を個別に減圧または大気圧に制御する真空ポンプに接続した。 （もっと読む）

【課題】コストを低減すると共に、ガラス基板上に成膜される膜厚を一定に保つ。
【解決手段】コントローラ２の制御部は、板状のターゲットＴの残膜厚が所定値まで減少したと判断すると、モータ３１を所定の回転量回転させて、ターゲットＴを所定量変位させる。ターゲットＴは、磁界の強さが所定値以上で、プラズマが集中する領域に、ターゲットＴのうち、残膜厚が初期ターゲット膜厚に略等しい領域が重なるうように移動し、スパッタリングが継続して実施される。ターゲットＴが移動しても、ガラス基板Ｓに対して磁界分布は変動しないために、磁界の強さが所定値以上でターゲットＴ近傍のプラズマが集中する領域は、ガラス基板Ｓに対して変動せず、したがって、スパッタされる粒子が比較的多数放出される箇所は変動せず、ガラス基板Ｓに成膜される膜厚の分布は均一に保たれる。 （もっと読む）

【課題】シャッターに付着した付着物が剥離して蒸着源の上部を覆うことを防止することが可能な蒸着装置、蒸着方法、有機ＥＬ装置、および電子機器を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の蒸着装置は、蒸着源により蒸着材料を気化させて、基板の蒸着面に膜形成を行う蒸着装置において、前記蒸着源の開口部の近傍に、蒸着レートを調整するためのシャッターを備え、前記シャッターの前記蒸着源側の面に、微細な凹凸を形成したものである。 （もっと読む）

処理チャンバに配置された材料をアニールしてケイ化物層を形成するための方法及び装置が提供される。１つの態様において、シリコン材料が配置された基板を、チャンバ内の基板支持体上に配置するステップと、少なくともシリコン材料上に金属層を形成するステップと、上記基板をその場でアニールして、金属ケイ化物層を生成するステップとを備えた基板面を処理する方法が提供される。別の態様において、この方法は、ロードロックチャンバと、該ロードロックチャンバに結合された中間基板移送領域であって、第１基板移送チャンバ及び第２基板移送チャンバで構成される中間基板移送領域と、上記第１基板移送チャンバに配置された物理的気相堆積処理チャンバと、上記第２基板移送チャンバに配置されたアニールチャンバとを備えた装置において実行される。
（もっと読む）

高アスペクト比形体内に金属又は他のコーティング材料のコンフォーマルな膜を蒸着するための蒸着システム１００及びその作動方法が開示される。蒸着システムはプラズマを形成し蒸着システム１００に金属蒸気を導入するためのプラズマ源１２０及び分散型金属源１３０を備える。蒸着システムは一つのプラズマ密度を有するプラズマを形成し、一つの金属密度を有する金属蒸気を生成するように設計されており、基板近傍での金属密度対プラズマ密度の比は一以下である。基板の直径の略２０％の長さである基板１１４の表面からの距離内において、このような比となっている。実質的に基板表面に亘りプラスマイナス２５パーセント内でこの比は一様である。１０^１２ｃｍ^−３を越えるプラズマ密度に対してと、膜の最大の厚さが例えば形体の幅の１０パーセントといった形体の幅の半分以下であるナノスケール形体を有する基板上の薄膜蒸着に対して、この比は特に有効である。
（もっと読む）

スパッタチャンバ（７０）及びそれが可能にするマルチステッププロセス。チャンバ軸と同軸な四重電磁石矩形アレー（７２）はチャンバ内のＲＦコイル（４６）の裏側にあることが好ましい。異なる磁場分布を生成するために、例えば、ターゲット材料をウエハ（３２）上にスパッタするためにスパッタターゲット（３８）が給電されるスパッタ堆積モードとＲＦコイルがアルゴンスパッタリングプラズマをサポートするスパッタエッチングモードとの間でコイル電流を個別に制御できる。ターゲット材料のＲＦコイルにおいては、コイルにＤＣバイアスをかけることができ、コイルアレーがマグネトロンとしての機能を果たす。このようなプラズマスパッタチャンバ内で行なわれるマルチステッププロセスは、様々な条件下でのターゲットからのバリア材料のスパッタ堆積と、基板のアルゴンスパッタエッチングとを含んでいてもよい。ターゲット電力及びウエハバイアスの減少を伴うフラッシュステップが適用される。 （もっと読む）