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Fターム[4K029AA24]の内容

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Fターム[4K029AA24]に分類される特許

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【課題】 照射波長300nm以下でのリトグラフィーにおいて用いる埋め込み型の減衰移相マスクブランク、及び同マスクブランクのイオンビーム蒸着による作製方法を提供する。
【解決手段】 マスクブランクを基板及び薄膜系から構成し、該薄膜系をMg、Y、La、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Ge、Sn、Pb、これら金属の酸化物、窒化物、硼化物及び炭化物、及びこれら金属及び化合物の混合物から選択される1または2以上の金属または金属化合物を含む透過制御下位層と、Ge、Si及び/またはAlの硼化物、炭化物、酸化物及び/または窒化物あるいはこれらの混合物を含む移相制御下位層から構成する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、光学基板(17)上の反射防止被膜を処理する方法を提供する。
【解決手段】本発明の方法は、低屈折率の弗素化ポリマー含有層の物理的気相蒸着を実施する工程を含んでおり、また、この工程は、珪素または弗化マグネシウムと弗素化ポリマーを同時に気相蒸着させることにより、珪素または弗化マグネシウムと弗素化ポリマーの混成層(21d)を堆積させることに関与していることを特徴とする。好ましい実施形態では、弗素化ポリマーは重合体またはテトラフルオロエチレン重合体の形態で実施され、個々の構成要素はジュール効果または電子衝撃により蒸発させられる。本発明の方法は、何らかの光学基板または本発明の基板の上に堆積される反射防止被膜を積層した下位隣接層に低屈折率層を粘着させる工程を向上させるために利用されると有利である。この方法によって製造される基板と、この方法を実施するための装置も開示されている。 (もっと読む)


本発明は、真空下で、主としてフッ素及び炭素を含有する非結晶層を基板(9)上に付着させるための方法に関し、イオン・カノンに供給されるガス状形態又は飽和蒸気のフッ素及び炭素を含有する少なくとも1つの化合物から生成される加速イオン・ビーム形態でイオンを噴射するためのイオン・ガン(1)により、この層を付着させる工程を含むことを特徴とする。この種の方法は、具体的には、低い屈折率を有する外側層を、下にある反射防止スタックの層に粘着させることを改善することを可能にする。本発明は、さらに、前述の方法を実施するのに好適な装置に関する。
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本発明においては、半導体ウェハ処理装置(10)のチャンバ(11)内にチャンバシールドを設置することにより、装置内におけるパーティクルの剥離を低減する。シールドアセンブリは、複数のシールド(41,42,43,44)を備えている。これらシールドは、互いに接触しないような位置関係でもって配置され、さらには、熱的な膨張や収縮を起こしたときでも、アークの発生を回避し得るのに十分なギャップ(52,56)の分だけ互いに離間した位置関係でもって配置される。シールド上のおよびチャンバ壁上の位置合わせ特徴物が、シールドどうしを互いに同心的に位置合わせし、ギャップを維持する。
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半導体基板上に形成する絶縁膜を高性能化して、リーク電流の少ない電子デバイスを製造する方法を提供する。高誘電材料金属のみを半導体基板上に金属膜として形成し、その金属膜を250〜450℃に加熱し、その加熱した金属膜に、クリプトンガス(またはキセノンガス)を酸素ガスと混合させ、その混合ガスをプラズマ化したガスを加えることにより、金属膜を酸化して、半導体基板上に絶縁膜を形成するようにしたことを特徴とする。 (もっと読む)


ITOスパッタリングターゲット中に、王水でエッチングしたとき又はスパッタエッチングしたときに表出する、粒径100nm以上の粒子の個数が1個/μm以下であることを特徴とするITOスパッタリングターゲット及び密度が7.12g/cm以上であることを特徴とするITOスパッタリングターゲット。スパッタ特性、特にアーキングの発生を抑制し、このアーキングに起因するITO膜の欠陥の発生を抑え、ITO膜の品質低下を効果的に抑制する。 (もっと読む)


ゲート電極と、ゲート誘電体と、ソースおよびドレイン電極と、半導体層とを含む薄膜トランジスタを提供する工程と、封止材料をアパーチャマスクのパターンを通して前記半導体層の少なくとも一部の上に蒸着する工程とを含む、薄膜トランジスタの封止方法。
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露光ビームでマスクを照明し、投影光学系を介して前記マスクのパターンを基板上に転写するための露光装置であって、前記基板の表面と前記投影光学系との間に所定の液体を介在させた前記露光装置に使用される光学素子において、 前記投影光学系の前記基板側の透過光学素子の表面に第1の溶解防止部材を備えている光学素子。 (もっと読む)


本発明は、IB−IIIA−VIA族四元合金又は五元合金以上の合金から成る半導体薄膜を製造するための方法であって、当該方法は、(i)IB族及びIIIA族金属の混合物を含む金属薄膜を配設するステップと、(ii)第1のVIA族元素(当該第1のVIA族元素は、これ以降、VIAと呼ばれる)の発生源が存在する中で、IB−VIA族合金及びIIIA−VIA族合金から成るグループから選択される少なくとも1つの二元合金と、少なくとも1つのIB−IIIA−VIA族三元合金との混合物を含む第1の薄膜を形成するための条件下で金属薄膜を熱処理するステップと、(iii)第2のVIA族元素(当該第2のVI族元素は、これ以降、VIAと呼ばれる)の発生源が存在する中で、第1の薄膜を、IB−VIA−VIA族合金及びIIIA−VIA−VIA族合金から成るグループから選択される少なくとも1つの合金と、ステップ(ii)の少なくとも1つのIB−IIIA−VIA族三元合金とを含む第2の薄膜に変換するための条件下で、オプションで、第1の薄膜を熱処理するステップと、(iv)第1の薄膜又は第2の薄膜のいずれかを熱処理して、IB−IIIA−VIA族四元合金又は五元合金以上の合金から成る半導体薄膜を形成するステップとを含む、IB−IIIA−VIA族四元合金又は五元合金以上の合金から成る半導体薄膜を製造するための方法に関する。
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プラズマプロセスシステムは、プラズマ特性のその場測定を行う診断装置を備える。この診断装置は、通常、プラズマプロセスチャンバ内に配置された非侵襲性センサアレイと、このセンサを刺激する電気回路と、プラズマプロセスをモニタまたは制御するために、センサの測定値を記録して通信する手段とを備える。一実施形態では、このセンサは、入射荷電粒子電流と電子温度とを、プロセスシステム内のプラズマ境界近傍で測定する動的にパルス化したデュアルフローティング・ラングミュアプローブである。このプラズマ測定値を用いて、プロセス用プラズマの状態をモニタしてもよいし、プラズマプロセスを制御するのに用いるために、このプラズマ測定値をプロセスシステムコントローラに提供してもよい。 (もっと読む)


一側面において、本発明は電気分解により水の分割に用いる光電気化学(PEC)電極すなわち光電極を提供する。該光電極は電解質溶液と接触する導電性表面を有する。この表面はドープしたスズ酸化物であって、該光電気化学電極の半導体太陽電池物質と電気的に接触している。本発明の変形において、透明な反射防止性の導電性を有する金属酸化物の別の層が該ドープしたスズ酸化物層と該半導体物質との間に配置されている。 (もっと読む)


本発明は、硫黄含有の多元素の薄膜組成物を基板上に真空蒸着する方法である。前記方法は、1又は2以上の材料を蒸着する間に前記薄膜組成物の少なくとも一部を構成する1又は2以上の原料物質でガス又は蒸気の硫黄種の供給源を対象とする処理を有する。前記ガス又は蒸気の硫黄種が1又は2以上の原料物質に到達したときに硫黄種が高温で加熱され、前記薄膜組成物の堆積の間に前記1又は2以上の原料物質からの蒸発物と前記ガス又は蒸気の硫黄種との化学相互作用が生じる。前記方法は、高誘電率を有する厚膜フィルムの誘電層を用いるフルカラーの交流エレクトロルミネセントディスプレイ用の発光体の堆積に特に有用である。 (もっと読む)


本発明は、少なくとも一つの薄い誘電体層がコートされた基板(1)、例えばガラス基板、に関する。本発明によれば、誘電体層はカソード・スパッタリングによって、例えば、磁界によってたすけられる、好ましくは酸素および/または窒素の存在下で反応性であるカソード・スパッタリングによって、イオン源(4)からの少なくとも一つのイオンビーム(3)への曝露と、堆積される。本発明は、イオンビームに曝露された誘電体層が結晶化することを特徴とする。
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本発明は、少なくとも一つの薄い誘電体層がコートされた基板(1)、例えばガラス基板に関する。本発明によれば、誘電体層はカソード・スパッタリングによって、例えば、磁界によってたすけられる、好ましくは酸素および/または窒素の存在下で反応性であるカソード・スパッタリングによって、イオン源(4)からの少なくとも一つのイオンビーム(3)への曝露と、堆積される。本発明は、イオンビームに曝露された誘電体層がイオン源のパラメータに基づいて調整できる屈折率を有し、前記イオン源が線状源であることを特徴とする。 (もっと読む)


本発明はガラスからできているタイプの透明基板に関する。本発明の基板は、ケイ素またはアルミニウムまたはこの2つの混合物の[窒化物、炭窒化物、酸窒化物または酸炭窒化物]をベースとする少なくとも1つの層Cを上に配設した被覆層と共に含む被膜を含んでなる。本発明は、この被覆層が酸化物ベースの機械的保護層であり、この酸化物が場合によっては化学量論以下または化学量論以上の酸素含量を有し、および/または場合によっては窒化物であることを特徴とする。本発明を使用して、多層または合わせグレージングを製造することができる。 (もっと読む)


プラズマを用いて基板を処理するための処理システム(10)は、両端が開口した円筒型のターゲット(32)と、中空陰極マグネトロン(HCM)を形成する米国特許5,482,611に開示されたタイプのマグネットアレイ(34)とを用いて提供される。その円筒型ターゲットの開口端部の1つには、米国特許6,080,287や6,287,435に記載されているように誘導結合RFエネルギーソース(40)が配置される。その円筒型ターゲットの一端の誘電体窓(41)は、外気と処理システムの間にシールを形成するように作用し、真空空間内に位置する蒸着バッフルシールド(44)によって蒸着から保護され、チャンバー内にコイルからのRFエネルギーの供給を可能にするように設計される。RFソースに対向するその円筒型のターゲットの開口端部(13)は、真空チャンバー(11)内の処理空間に面する。
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窒化タンタル/タンタルバリア層を堆積させるための方法および装置が、集積処理ツールでの使用のために提供される。遠隔発生プラズマによる洗浄ステップの後、窒化タンタルは原子層堆積法で堆積され、タンタルはPVDで堆積される。窒化タンタル/タンタルは、堆積された窒化タンタルの下の導電性材料を露呈するために、誘電体層の部材の底部から除去される。場合によって、さらなるタンタル層が、除去ステップの後に物理気相堆積法で堆積されてもよい。場合によって、窒化タンタル堆積およびタンタル堆積は同一の処理チャンバで生じてもよい。シード層が最後に堆積される。 (もっと読む)


本発明においては、処理システム内において使用し得るよう、様々な構成を有した適応可能な処理部材(50,150〜156)を提供する。処理部材は、主要部材(182,200,202,230)と、少なくとも1つの着脱可能部材(184,208,232)と、を備えている。着脱可能部材は、ある構成においては、取り付けたままで保持することができ、他の構成においては、取り外すことができる。着脱可能部材は、右側に配置されたあるいは左側に配置されたパンチアウト(210,214,216)を有することができる。これにより、処理チャンバのガス供給ラインが右側に配置されていてもまた左側に配置されていても、適応することができる。加えて、着脱可能部材を保持したままとしたりまたは取り外したりすることにより、様々なサイズの処理チャンバに対して適応することができる。このような処理部材の製造方法も、また、提供される。
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光学レンズ又はその他の光学製品に反射防止(AR)コーティングをコーティングするための方法が提供される。これらのレンズは、低い反射率を有し、ほぼ白色の反射光を発し、かつ低応力ARコーティングを有し、低応力レンズ基材を提供するモールディング工程を使用して製造される光学レンズに理想的に適合する。1の態様において、この方法は特殊なコーティング組成物を使用し、その1つは高屈折率組成物であり、他方は低屈折率組成物である。別の態様においては従来の気相蒸着装置とともに光学モニタを使用する方法が開示されており、それにおいては光学基準レンズを使用し、反射光の特定の光の周波数を測定し、次にこの測定値を用いて所望の光学的なコーティングが達成された時点を決定する。さらに別の態様においては、好ましくは反射光の青色対緑色対赤色の特定の比を使用して、各層の光学的な厚さを計算する。また、各層の光学的な厚さを必要に応じて調整し、低屈折率層/高屈折率層間における引張応力と圧縮応力の差を最小にすることによって、ARコーティングの応力がコントロールされる。 (もっと読む)


【課題】長方形枠の形態でマスク(1)を離脱可能に保持するための装置を提供する。
【解決手段】脚部(2,3)上にマスク周縁を把持する把持手段が、複数のバネ要素(4)を具備しマスク周縁(1')上の近接点を把持する。各バネ要素は枠の1つの脚部(2,3)に割り当てられ、板ばねで実施され、櫛形に互いに接続されている。各板ばねは、枠にマスクを搭載する搭載位置から共通の補助把持部材(5)を用いて把持位置まで移動させることができる。板バネ(4)の固定端部が櫛の横木(7)により形成され、補助押圧部材を形成する押圧片(5)により前記枠のリム部(2,3)の傾斜側面(8)に対して押し付けられる。 (もっと読む)


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