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Fターム[4K029AA24]の内容

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Fターム[4K029AA24]に分類される特許

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【課題】単結晶基板上において、圧電薄膜を良好な単結晶の状態で確実にエピタキシャル成長させて成膜し、圧電特性を確実に向上させる圧電素子と、その製造方法を提供する。
【解決手段】圧電素子10は、以下の工程によって製造される。単結晶基板1を、振動する振動部1Aと、振動部1Aと連結されて振動が生じない非振動部1Bとに分けたときに、単結晶基板1上で、非振動部1B上を含む領域であって、振動部1A上の圧電薄膜3の成膜領域を除く領域に、圧電薄膜3の単結晶での成長を阻害する阻害膜2を成膜する。次に、上記成膜領域となる振動部1A上の少なくとも一部に、圧電薄膜3を単結晶でエピタキシャル成長させて成膜するとともに、阻害膜2上に、圧電薄膜3を非晶質または多結晶で成膜する。その後、阻害膜2上に成膜された圧電薄膜3を除去する。 (もっと読む)


【課題】優れた耐摩傷性を備えたトップコート層が、アンダーコート層を介して、樹脂基材の表面に、十分に高い密着性をもって積層形成されてなる樹脂製品を提供する。
【解決手段】ポリカーボネート製の樹脂基材12の表面に積層されたアンダーコート層14上に、無機珪素化合物のスパッタ層からなる基層部18と、無機珪素化合物のプラズマCVD層からなる表層部20との複層構造を有するトップコート層16を更に積層形成して、構成した。 (もっと読む)


【課題】細い荷電粒子ビームを安定して発生させること。
【解決手段】イオンビーム生成装置1は、ガス流を発生させるガス源7と、基端部21がガス源7に接続され、先端部25がテーパー状に形成されたキャピラリーチューブ9と、キャピラリーチューブ9の側面35を外側から囲むように設けられた板状電極19と、板状電極19にパルス電圧を印加するパルス電圧源11と、イオンビームの照射対象のターゲットTに負の直流バイアスを印加するバイアス電圧源13とを備え、キャピラリーチューブ9の側面36には複数の側孔37a,37bが形成されている。 (もっと読む)


【課題】裏面に反射膜を積層したサファイア基板の内部にストリートに沿って改質層を形成することができ、かつ反射膜をストリートに沿って切断することができるサファイア基板の加工方法を提供する。
【解決手段】表面に複数の光デバイスが格子状のストリート22で区画形成されたサファイア基板20をストリートに沿って分割するサファイア基板の加工方法であって、基板に対して透過性を有する波長のレーザー光を裏面側から基板の内部に集光点を位置付けてストリートに沿って照射し、ストリートに沿って改質層を形成する工程と、基板の裏面に反射膜210を積層する工程と、裏面に積層された反射膜側から反射膜に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をストリートに沿って照射し、反射膜をストリートに沿って切断する工程と、基板に外力を付与して基板を変質層が形成されたストリートに沿って破断し、個々の光デバイスに分割する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】成膜時における防着板の変形を抑制する。
【解決手段】本発明に係る除電シールド6は、基板にターゲットの微粒子を堆積して薄膜を形成するスパッタリング装置に用いられ、対向状態にある基板とターゲットとの間に配置されると共に、ターゲットの微粒子を基板に向けて通過させるための開口部6aが形成された除電シールド6であって、開口部6aの全周に沿って補強リブ61が設けられている。 (もっと読む)


【課題】成膜マスク装置の各ガイドピン、ガイド孔に蒸着粒子が付着しないような手段を得る。
【解決手段】成膜マスク装置Aは、表裏両面に被成膜基板10を保持する複数の第2のガイドピン13b、及びマスク板20の位置決め用の第1のガイドピン13aを有する保持基板13と、各被成膜基板10を間に挟んで保持基板13の表裏両面に添設されるマスク板20と、遮蔽カバー11、15と、を備えた成膜マスク装置である。蔽カバー11、15は、各第1、及び第2のガイドピン13a、13bに対して蒸着粒子の付着を防止する第1、及び第2の凹部11a、11bを備えている。 (もっと読む)


【課題】基板に有機物薄膜を蒸着する全体の工程時間を最小化できる平板パネル製造装置を提供する。
【解決手段】少なくとも二つの基板10が処理される複数の工程チャンバー110;第1の方向L1に沿って複数の工程チャンバーの間に配置され、第1の方向に直交する第2の方向L2に沿って直線状に往復移動しながら未処理の基板を工程チャンバーに供給したり、処理が完了した基板を工程チャンバーから排出する移送ロボット123を備える移送チャンバー120;移送チャンバーの一側に結合され、供給される基板を収容するローディングチャンバー130;及び移送チャンバーの他側に結合され、排出された基板を収容するアンローディングチャンバー140;を含み、工程チャンバーの内部では、第2の方向に沿っていずれか一つの基板に工程ガスが蒸着されると同時に、残りの基板に対する移送及び位置整列が行われることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ターゲットであるCu2Oから、単一結晶相からなる有用なCu2O被膜(堆積膜)又はCuO被膜を選択的に形成できると共に、そのCu2O被膜の形成に際して、そのCu2O被膜の膜質制御を簡単に行うことができる被膜形成方法を提供する。
【解決手段】ターゲットとして、Cu2Oを用い、Arをプラズマ化するための投入電力とArを含む全ガス圧力とを、前記Cu2Oからのスパッタ粒子をO2流量比が高まるに伴ってCu2O,Cu4O3,CuOに順次、変化し得るように設定し、その上で、前記投入電力及び前記全圧力の下で、O2流量比を調整する。これにより、的確に、単一結晶相からなる有用なCu2O被膜又はCuO被膜のいずれかを選択的に形成できるようにする。また、Cu2O被膜の形成に際しては、O2流量比調整により広い範囲で抵抗率(キャリア密度)を調整して、Cu2O被膜の膜質特性の変更を簡単に行えるようにする。 (もっと読む)


【課題】より電気伝導度の安定した酸化物半導体膜を提供することを課題の一とする。ま
た、当該酸化物半導体膜を用いることにより、半導体装置に安定した電気的特性を付与し
、信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】結晶性を有する領域を含み、当該結晶性を有する領域は、a−b面が膜表面
に概略平行であり、c軸が膜表面に概略垂直である結晶よりなる酸化物半導体膜は、電気
伝導度が安定しており、可視光や紫外光などの照射に対してもより電気的に安定な構造を
有する。このような酸化物半導体膜をトランジスタに用いることによって、安定した電気
的特性を有する、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。 (もっと読む)


【課題】微細な構造であっても高い電気的特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】チャネル形成領域、及びチャネル形成領域を挟む低抵抗領域を含む酸化物半導体膜、ゲート絶縁膜、及び上面及び側面を覆う酸化アルミニウム膜を含む絶縁膜が設けられたゲート電極層が順に積層されたトランジスタを有する半導体装置において、ソース電極層及びドレイン電極層は、酸化物半導体膜及び酸化アルミニウム膜を含む絶縁膜の上面及び側面の一部に接して設けられる。 (もっと読む)


【課題】 スパッタ法により良好にNa添加されたCu−In−Ga−Seからなる膜を成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 Cu,In,GaおよびSeを含有し、さらに、NaF化合物、NaS化合物、又はNaSe化合物の少なくとも1種の状態でNaが、Na/(Cu+In+Ga+Se+Na)×100:0.05〜5原子%の割合で含有され、酸素濃度が、200〜2000重量ppmであり、残部が不可避不純物からなる成分組成を有する。 (もっと読む)


【課題】支持体上に超電導物質をコーティングした超電導膜に、イオン照射によってピン止め中心を導入することにより、磁場中での臨界電流密度特性が高められた超電導材料膜の製造方法を提供する。
【解決手段】支持体上に作製された超電導膜に、低エネルギー・軽イオンを照射することによって、超電導膜の中に有効なピン止め点が導入されるため、磁場中でのJc及びJcの磁場角度依存性が高められた超電導材料膜が製造できる。また、塗布熱分解法の仮焼成工程の後に低エネルギー・軽イオンを照射して、さらに本焼成することによっても、磁場中でのJc及びJcの磁場角度依存性が高められた超電導材料膜が製造できる。 (もっと読む)


【課題】本発明の一態様は、スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好
適な材料を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、第1の酸化物部材を形成し、第1の加熱処理を行って表面か
ら内部に向かって結晶成長し、下地部材に少なくとも一部接する第1の酸化物結晶部材を
形成し、第1の酸化物結晶部材上に第2の酸化物部材を形成し、第2の加熱処理を行って
第1の酸化物結晶部材を種として結晶成長させて第2の酸化物結晶部材を設ける積層酸化
物材料の作製方法である。 (もっと読む)


【課題】優れた熱電変換性能を備えた熱電変換素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】アルミニウムの多孔質陽極酸化皮膜3を有する基板2上に、無機酸化物半導体を主成分として含有し且つ空隙構造を有する熱電変換層4を積層する。熱電変換層内に空隙構造が形成されると熱伝導率が低下すると共に導電率やゼーベック係数においても非常に優れたものとなる。前記無機酸化物半導体は、In2O3、SnO2、ZnO、SrTiO3、WO3、MoO3、In2O3−SnO2、フッ素ドープ酸化錫、アンチモンドープ酸化錫、アンチモンドープ酸化亜鉛、ガリウムドープ酸化亜鉛、In2O3−ZnO、及びガリウムドープIn2O3−ZnOからなる群より選ばれる。 (もっと読む)


【課題】透明導電性酸化物膜の表面の表面最大粗さ(Rpv)が小さな透明導電性酸化物膜付基板を好適に製造し得る方法を提供する。
【解決手段】基板の上に透明導電性酸化物膜を形成する。研磨剤を含まない酸性溶液またはアルカリ性溶液を透明導電性酸化物膜の表面に供給しながら擦る処理工程を行う。 (もっと読む)


【課題】スパッタリング法を用いた酸化物半導体膜の成膜時の異常放電の発生が抑制され、連続して安定な成膜が可能なスパッタリングターゲットを提供すること。希土類酸化物C型の結晶構造を持つ、表面にホワイトスポット(スパッタリングターゲット表面上に生じる凹凸などの外観不良)がないスパッタリングターゲット用の酸化物を提供すること。
【解決手段】ビックスバイト構造を有し、酸化インジウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛を含有する酸化物焼結体であって、インジウム(In) 、ガリウム(Ga)および亜鉛(Zn)の組成量が原子比で以下の式を満たす組成範囲にある焼結体を提供する。
In/(In+Ga+Zn)<0.75 (もっと読む)


【課題】高精細な複数種の薄膜パターンの形成を効率よく行い得るようにする。
【解決手段】フィルム2に有機EL層17R,17G,17Bと同形状の開口パターン4を設けたマスク1をフィルム2がTFT基板19側となるようにして該TFT基板19上に位置決めし載置し、TFT基板19のR対応アノード電極21R上にマスク1の開口パターン4を介して成膜し、R有機EL層17Rを形成した後、マスク1を複数種の有機EL層17R〜17Bの配列ピッチと同寸法だけアノード電極21R,21G,21Bの並び方向に移動し、TFT基板19のG対応アノード電極21G上にマスク1の開口パターン4を介して成膜し、G有機EL層17Gを形成する。 (もっと読む)


【課題】メタルマスクを直接冷却することが可能なメタルマスク冷却機構と、そして、当該機構を備えた有機EL成膜装置を提供する。
【解決手段】真空蒸着チャンバ中で、基板とメタルマスク83とのアライメントを行って蒸着材料を当該基板に蒸着する有機EL成膜装置におけるメタルマスクの冷却機構は、メタルマスクを間に挟み込んで、外形「ロ」の字状に形成され、一方の表面上に前記マスクを取り付ける固定フレーム82の外枠に沿って設けられる、複数の固定板84を備えており、固定板は、各々、熱伝導性に優れた部材により細長い板状に形成されると共に、その内部には冷媒を流すための流体流路を形成すると共に、更に、固定板の各々には、前記固定板の流路に冷媒を供給するための配管と排出するための配管とを設けた。 (もっと読む)


【課題】イオン電流量の低下を抑えつつ、原料ガスの使用量を低減させることが可能なイオン注入装置及びイオン注入方法を提供する。
【解決手段】イオン注入装置10は、イオンビ−ムを引き出すイオン源12と、半導体基板30(ターゲット)にイオン注入を行う注入室20と、注入室20へガスを導入するガス導入部11を備えている。そして、注入室20へ導入されるガスは、原料ガスと不活性ガスとの混合ガスであり、原料ガスのみを注入室20へ導入したときのイオン電流量が最大となる流量をXaとしたときに、混合ガスの総流量が0.7Xa以上、且つ、原料ガスの流量が0.4Xa以上(原料ガスがBFを主体として構成される場合は、原料ガスの流量が0.3Xa以上)となるように設定されている。 (もっと読む)


【課題】透過照明方式により性能に優れ、かつ、マスクの有効活用が可能となるマスクアラインメント光学システムを提供する。
【解決手段】蒸着材料を基板上に蒸着する真空蒸着チャンバ1中において、基板6とメタルマスク102とのアライメントを行うマスクアラインメント光学システムでは、メタルマスクの周囲に形成されて四隅にL字状の導光路が形成された固定フレーム101と、基板を表面に搭載すると共に、その四隅にL字状の導光路が形成されたステージ201を備えており、固定フレームの一部に形成された導光路103、及び、ステージの一部に形成された導光路内に導かれた光によるアラインメントマークの透過像によって、メタルマスクとのアライメントを行うマスクアライメント光学システム。 (もっと読む)


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