【課題】基板の表面における酸二無水物及びジアミンのそれぞれのガスの供給量の変動を防止し、酸二無水物とジアミンとの重合反応により成膜されるポリイミド膜を連続して安定に成膜できる成膜装置を提供する。
【解決手段】内部の圧力が圧力調整可能に設けられており、固体状態の第１の原料を気化させ、気化した第１の原料ガスを基板に供給するための第１の気化器２１と、内部の圧力が圧力調整可能に設けられており、液体状態の第２の原料を気化させ、気化した第２の原料ガスを基板に供給するための第２の気化器４１と、第１の気化器２１の内部の圧力と第２の気化器４１の内部の圧力とを調整することによって、第１の原料ガスの供給量と第２の原料ガスの供給量との比が一定になるように、第１の気化器２１及び第２の気化器４１を制御する制御部６０とを有する。 （もっと読む）

【課題】混合ナノ粒子を利用した透明導電構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明導電構造は基板部及び導電部を備える。前記基板部は少なくとも１つのプラスチック基板を備える。前記導電部は少なくとも１つの透明導電フィルム及び少なくとも１つの導電ナノ粒子群が同時に形成されたものであり、前記透明導電フィルムは前記プラスチック基板上に形成される。前記導電ナノ粒子群は前記透明導電フィルム内に複数混入或いは組み込まれる導電ナノファイバーである。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬディスプレイの生産性を高めるため、高い成膜速度で長時間安定に成膜作業を実施し、かつ均一な膜厚分布を達成する。
【解決手段】成膜室内で、昇華又は蒸発した成膜材料を基板Ｗに成膜する成膜装置において、加熱機構１１を備えた複数の材料収容部１０と、成膜材料を基板Ｗに向けて放出させる放出口１３との間に、連結空間１４を配置する。複数の材料収容部１０を用いることで高い成膜速度を得るとともに、各材料収容部１０から昇華又は蒸発した成膜材料を連結空間１４において混合し、均一な膜厚分布を実現する蒸気として複数の放出口１３から基板Ｗに向かって放出する。 （もっと読む）

【課題】蒸着源及び有機膜蒸着装置を提供する。
【解決手段】大型基板の量産工程に容易に適用でき、蒸着工程中にノズルの閉塞現象を防止して、歩留まり及び蒸着効率を高める蒸着源及びこれを利用した有機膜蒸着装置。 （もっと読む）

【課題】ビットパターンを高密度に集積した場合にも，熱安定性と記録性に優れ，ビットパターンのトラック周期よりも広い記録素子及び再生素子の磁気ヘッドを用いることができるようにする。
【解決手段】円錐台状の記録ビットの下層に垂直磁気異方性の大きい熱安定層を，上層に飽和磁束密度の大きい高出力層を備える。外周部は高出力層を除去して熱安定性を向上した熱安定性領域２２とし，中心部は再生領域２１とする。また，外周部と中心部の間に垂直磁気異方性と飽和磁束密度を小さくした反転制御領域２３を設ける。 （もっと読む）

【課題】高い反射率を有しながら、膜に欠陥が存在していても、白濁部が発生したり白濁部が粗大化しないＡｇ基合金からなる反射膜およびそれらを形成するためのスパッタリングターゲット材または蒸着材料を提供すること。
【解決手段】０．００５〜１．０ｍａｓｓ％のＰ、０．０１〜５．０ｍａｓｓ％のＣｕ、０．９ｍａｓｓ％より多く５．０ｍａｓｓ％以下のＡｕを含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物より構成されるＡｇ基合金からなることを特徴とする反射膜。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比を有しながら内径が均一なパターンを形成することが可能なプラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係るプラズマエッチング方法は、表面にマスクパターンが形成された基板Ｗを真空槽２１内に配置し、真空槽２１内に導入したガスのプラズマを発生させ、基板Ｗに高周波電場を印加しながらプラズマを用いて基板Ｗをエッチングし、基板Ｗに対するエッチングの進行に応じて高周波電場の周波数を変化させる。これにより、エッチングの指向性（等方的か異方的か）を変化させることが可能となる。エッチングが等方的となる周波数とエッチングが異方的となる周波数を切り替えることにより、パターンの拡張と縮小を抑え、内径が均一なパターンを形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】実用に耐えうる導電性を保ちながら、かつ耐候性を備え、パターニングの際に適当なエッチングレートを有する透明導電膜を成膜するためのターゲットに用いることができる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛を主成分とし、酸化チタンを含む酸化亜鉛系透明導電膜形成材料であり、チタンの原子数の全金属原子数に対する割合が２％超１０％以下であり、かつチタン源として、原子価が４価であるチタン元素を用いて、還元性雰囲気中にて加圧焼結して作製された酸化物焼結体である。 （もっと読む）

【課題】厚み方向にGaのダブルグレーデッド構造を有し、かつ面内均一性を有するCIGS膜を効率的に製造する。
【解決手段】膜用基板を一方向に搬送する基板搬送機構16を備え、成膜用基板Sの搬送方向Aに沿って最上流に、In蒸着源21とGa蒸着源22とが交互に配置されてなる行列状のIn-Ga第１蒸着源群31を配置し、制御部15により、搬送方向Aの最上流と最下流との間にGa/(In+Ga)比が最小、かつその最小のGa/(In+Ga)比が最上流または最下流でのGa/(In+Ga)比の半分以下となる領域が存在するように、各蒸着源21〜23、25からの蒸発量を制御する。 （もっと読む）

【課題】第４世代以上の大型基板にも対応可能な極めて実用性に秀れた成膜装置の提供。
【解決手段】直立状態に保持された基板２にマスク３を介して成膜材料を付着せしめて成膜を行う成膜室１を備えた成膜装置であって、成膜室１に、マスク３が基板２に対して適正位置となるようにマスク３と基板２との位置合わせを行うアライメント駆動機構と、基板２若しくはマスク３の搬送方向に沿って移動可能な蒸発源100と、蒸発源100と対向する複数の成膜位置に基板２及びマスク３を夫々直立状態で搬送するマスク搬送機構及び基板搬送機構とを設け、一の成膜位置において蒸発源100により成膜を行いながら他の成膜位置においてアライメント駆動機構によりマスク３と基板２との位置合わせを行えるように構成する。 （もっと読む）

【課題】 ガラス基板やＳｉ系膜との密着性に優れ、ＳｉとＣｕとにおける高い拡散バリア性を有し、尚且つ水素プラズマ雰囲気に曝されても膜の膨れや膜剥がれが発生し難い、下地膜等を得るためのＣｕ合金スパッタリングターゲットおよび半導体装置のＣｕ配線膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、Ｃｅ酸化物を２５〜５３質量％含有し、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなるＣｕ合金スパッタリングターゲットである。また、本発明は、Ｃｅ酸化物を２５〜５３質量％含有し、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなるＣｕ合金スパッタリングターゲットをスパッタリングして下地膜を形成し、次いで該下地膜上にＣｕ系配線膜をスパッタリングにより形成する半導体装置のＣｕ配線膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】互いに真空度の異なる複数の成膜室間での基板の連続搬送・連続成膜処理を可能にしながら有機ＥＬ素子などの半導体素子の生産性を大幅に向上させることを低コストで実現可能とする真空一貫成膜装置を提供する。
【解決手段】互いに真空度の異なる複数の成膜室１，２と、前記各成膜室の間を圧力差を維持しながら連通させる圧力調整室３とを備えた真空一貫成膜装置であって、前記圧力調整室には、前記圧力調整室が連通させている各成膜室の間を基板が挿通可能なスリットの部分を除いて遮蔽する遮蔽部材が備えられている。また、前記遮蔽部材を冷却する冷却部が備えられている。また、前記遮蔽部材の表面には活性炭またはゼオライトなどの吸着剤が付着されている。さらに、前記遮蔽部材は、その一部に基板が挿通可能なスリットが形成された遮蔽板である。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛系薄膜をパターニングする際のエッチングレートが充分に低く、エッチングレートを容易かつ確実に制御することが可能であり、良好なパターン形状を有するとともに導電性も高い酸化亜鉛系薄膜を得ることができるパターニング方法を提供する。
【解決手段】本発明のパターニング方法は、酸化亜鉛系薄膜を酸によりエッチングしてパターニングする方法であって、前記酸化亜鉛系薄膜が、酸化亜鉛を主成分とし、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を超え０．１以下の薄膜である。前記酸化亜鉛系薄膜は、実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなる酸化物焼結体または酸化物混合体を加工して得られるターゲットを膜形成材料として成膜されたものであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】成膜面を下にして上下を逆にして載置したウエハ上の堆積膜にクラック、バリ、剥がれの発生を防止する。
【解決手段】蒸着設備において、下から受けてウエハ２を支えて搭載するウエハ搭載用のヤトイ治具３において、ヤトイ治具３の内周側の先端部に庇状の段差部３ａが平面視リング状に設けられている。リング状のヤトイ治具３の段差部３ｂ上にはウエハ２が搭載され、さらに外周側のヤトイ治具３の段差部３ｃ上には、その下面がウエハ２の上面にと当接してウエハ２を自重で固定するための蓋４が搭載されている。段差部３ｃ上に搭載された蓋４の下面は、段差部３ｂ上に搭載されたウエハ２の上面を多少押圧する段差部３ｂ、３ｃの段差高さ関係を有している。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、各種イオンをイオン注入した後に活性化させるための熱処理を行う場合に、炭化珪素表面が荒れてしまうことを防ぐ炭化珪素半導体デバイスの作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 炭化珪素単結晶基板又は炭化珪素単結晶エピタキシャル膜が成膜された基板にイオン注入する工程と、該基板上に窒素を含有した炭素膜を形成する工程と、注入イオンの活性化熱処理を行う工程とを含む炭化珪素半導体デバイスの作製方法である。 （もっと読む）

【課題】冷却性能に優れたスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】ターゲット電極と、基板Ｗを載置することが可能な載置部と当該載置部に載置される基板との間に空間を形成する凹部を有する基板保持台１０７と、前記凹部内に冷却ガスを供給する供給源と、前記基板保持台との間に押し付け力を発生させて、前記基板を前記基板保持台に固定する保持部材と、前記基板保持台に接続される冷凍機１０８と、前記基板保持台を冷凍機と共に回転させる回転駆動手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 良好な膜質の薄膜を形成することができる成膜装置の提供。
【解決手段】
ターゲット１１を保持するターゲットホルダ１０と、ターゲットホルダ１０を回転可能な回転機構８０と、成膜用基板２１を保持する基板ホルダ２０と、電子線を発生する電子線発生装置３０と、電子線収束装置４０と、レーザ光照射装置５０とを備えた回転ターゲット式成膜装置である。電子線収束装置４０は、回転機構８０により回転するターゲット１１に対して、電子レンズを形成することにより電子線発生装置３０から発生された電子線を収束させ、もってターゲット１１の少なくとも一部を液体化する。レーザ光照射装置５０は、液体化されたターゲット１１の少なくとも一部にレーザ光を照射してアブレーションを行う。 （もっと読む）

【課題】実用に耐えうる導電性を保ちながら、かつ耐候性、耐熱性等の化学的耐久性を備え、パターニングの際に適当なエッチングレートを有する透明導電膜を成膜するためのターゲットに用いることができる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、その製造方法、それを用いたターゲット、および酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明の透明導電膜形成材料は、酸化亜鉛を主成分とし、フッ化ガリウムおよびフッ化アルミニウムのうち少なくとも一方を含み、さらにチタンを含む酸化亜鉛系透明導電膜形成材料であり、全金属原子数に対するチタンの原子数の割合が２％超１０％以下であり、全金属原子数に対するフッ化ガリウムおよびフッ化アルミニウムの一方または両方の金属原子数の割合が０．１％以上５％以下であり、かつチタン源として、一般式：ＴｉＯ_2-X（Ｘ＝０．１〜１）で表される低原子価酸化チタンを用いた酸化物焼結体である。 （もっと読む）

【課題】実用に耐えうる導電性を保ちながら、かつ耐候性を備え、パターニングの際に適当なエッチングレートを有する透明導電膜を成膜するためのターゲットに用いることができる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、その製造方法、それを用いたターゲット、および酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を越え０．１以下であり、酸化亜鉛を主成分とし、ガリウムおよびアルミニウムのうち少なくとも一方の酸化物と、酸化チタンとを含み、ガリウムまたはアルミニウムの原子数の割合が全金属原子数に対して０．５％以上６％以下であり、かつ前記酸化チタンが、式ＴｉＯ_2-X（Ｘ＝０．１〜１）で表される低原子価酸化チタンである酸化物混合体または酸化物焼結体からなることを特徴とする酸化亜鉛系透明導電膜形成材料。 （もっと読む）

【課題】低抵抗で、可視光領域、赤外領域の透過性に優れ、耐久性に優れた酸化物透明導電膜を成膜するための、スパッタリング中の異常放電現象を低減できる酸化物焼結体及び光電変換効率の高い太陽電池を提供する。
【解決手段】主としてＩｎ、Ｓｎ、Ｓｒ及びＯから構成される酸化物焼結体で、実質的にビックスバイト型酸化物相及びペロブスカイト型酸化物相から構成されるか、又は実質的にビックスバイト型酸化物相のみから構成され、Ｓｎ及びＳｒの含有量が原子比で
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｓｒ）＝０．０１〜０．１１
Ｓｒ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｓｒ）＝０．０００５〜０．００４
である焼結体を製造し、それを用いてターゲットを作製し、スパッタリングにより酸化物透明導電膜を得る。またその膜を用いて、基板上に酸化物透明導電膜および光電変換層を積層した太陽電池を得る。 （もっと読む）