【課題】透過照明方式により性能に優れ、かつ、マスクの有効活用が可能となるマスクアラインメント光学システムを提供する。
【解決手段】蒸着材料を基板上に蒸着する真空蒸着チャンバ１中において、基板６とメタルマスク１０２とのアライメントを行うマスクアラインメント光学システムでは、メタルマスクの周囲に形成されて四隅にＬ字状の導光路が形成された固定フレーム１０１と、基板を表面に搭載すると共に、その四隅にＬ字状の導光路が形成されたステージ２０１を備えており、固定フレームの一部に形成された導光路１０３、及び、ステージの一部に形成された導光路内に導かれた光によるアラインメントマークの透過像によって、メタルマスクとのアライメントを行うマスクアライメント光学システム。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜の成膜における異常放電を抑制し、スパッタリング法による安定した成膜が可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化インジウムと；Ｔｉ、Ｍｇ、Ａｌ、およびＮｂよりなる群から選択される少なくとも１種の金属の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｚｎ_mＩｎ₂Ｏ_3+m（ｍは５〜７の整数）相を主相とし、平均粒径１０μｍ以下、且つ粒径３０μｍ以上の結晶粒の割合が１５％以下であり、相対密度８５％以上である。 （もっと読む）

【課題】酸素欠損の発生を抑制する。
【解決手段】ガリウム（Ｇａ）若しくはスズ（Ｓｎ）の一部又は全部の代わりにゲルマニウム（Ｇｅ）を用いて酸化物半導体膜を構成する。ゲルマニウム（Ｇｅ）原子は、酸素（Ｇｅ）原子との結合の少なくとも一つの結合エネルギーがガリウム（Ｇａ）又はスズ（Ｓｎ）の場合よりも高い。このため、ゲルマニウム（Ｇｅ）を用いて構成される酸化物半導体結晶において、酸素欠損が発生しにくい。このことから、ゲルマニウム（Ｇｅ）を用いて酸化物半導体膜を構成することにより、酸素欠損の発生の抑制を図る。 （もっと読む）

【課題】簡単な機構で、ラックギヤとピニオンギヤとを円滑に噛み合わせることができる搬送装置、及びこれを備えた真空処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の搬送装置は、基板３を搭載して搬送軌道９上を移動するキャリア２０に設けられたラックギヤ７と、ラックギヤ７に噛合する複数のピニオンギヤ５ａ，５ｂとを備え、ラックギヤ７は、ピニオンギヤ５ａがラックギヤ７の一端で歯合するときに、ピニオンギヤ５ｂと歯合する箇所のラックギヤ７が高くなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】 大型で均質な焼結体を安価に効率良く製造することを可能とし、放電特性や得られる薄膜の特性が良好な大型のスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 加圧圧縮時には充填した原料粉末に対して実質的に１軸方向からのみ加圧し、加圧終了後の減圧時には成形体に対して等方的に圧力を開放することが可能な構造を有する成形型を用いることにより、成形時のスプリングバックを効率よく解消して、高い成形圧力での冷間静水圧プレスを可能とする。これにより、バインダー等の有機物を含まない原料粉末を用いて、直接、形状精度の良い成形体を作製することができ、大型で均質、かつ、炭素含有量の少ない焼結体を効率よく高い歩留まりで製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ドープされた金属酸化物誘電体材料を有する電子部品及びドープされた金属酸化物誘電体材料を有する電子部品の作製プロセスを提供する。
【解決手段】 ドープされた金属酸化物誘電体材料及びこの材料で作られた電子部品が明らかにされている。金属酸化物はＩＩＩ族又はＶ族金属酸化物（たとえば、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５またはＶ_２Ｏ_５）で、金属ドーパントはＩＶ族元素（Ｚｒ、Ｓｉ、ＴｉおよびＨｆ）である。金属酸化物は約０．１重量パーセントないし約３０重量パーセントのドーパントを含む。本発明のドープされた金属酸化物誘電体は、多くの異なる電子部品及びデバイス中で用いられる。たとえば、ドープされた金属酸化物誘電体は、ＭＯＳデバイスのゲート誘電体として用いられる。ドープされた金属酸化物誘電体はまた、フラッシュメモリデバイスのポリ間誘電体材料としても用いられる。 （もっと読む）

【課題】アクチュエータを設けることなく、基板を確実に保持できる有機ＥＬデバイス製造装置を提供する。
【解決手段】基板ホルダー９１と、基板搬送機から基板６を受取るための基板受けピン６６と、基板ホルダー昇降機構６８と、基板ホルダー９１の端部に設けられ、基板クランプ６１とクランプ支持金具６２とクランプ付勢バネからなる基板保持機構と、基板６を基板クランプ６１から解放するためのクランプ開閉ピン６７とを備え、クランプ支持金具６２は縦方向に回転し第１の腕６２ａ
と第２の腕６２ｃを有し、第１の腕６２ａの端には基板クランプ６１の一端が固定され、第２の腕６２ｃの端には縦方向に回転する回転部が設けられ、基板クランプ６１が基板６を基板ホルダー９１に押圧するよう、有機ＥＬデバイス製造装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】加工時間が短く、工具としての寿命が長く、像形成品質が高いパターン形成型及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係るパターン成形型は、被加工材の表面に、凹凸を有するパターンを転写するパターン成形型であって、基材１と、基材１に中間層２、３を介して接合されたＤＬＣパターン層４ｂとで構成され、基材１が、剛性を有する金属、セラミックス、又はガラスであり、中間層２、３が、基材１及びＤＬＣパターン層４ｂとの接合性を提供し、かつ、ＤＬＣパターン層４ｂに比べ、エッチングレートが小さい層であり、ＤＬＣパターン層４ｂに、被加工材の表面に転写するパターンが形成されている。 （もっと読む）

【課題】エネルギー線照射システムにおいて、ワークに効率的にエネルギー線を照射できるようにしながらも、飛躍的なコンパクト化を可能とする。
【解決手段】エネルギー線ＩＢを所定の照射領域Ｐに向かって射出するエネルギー線射出機構と、前記エネルギー線ＩＢが照射される対象物である第１ワークＷ１を、前記照射領域Ｐを含む第１周回軌道Ｏ１に沿って周回させる第１周回機構１と、前記エネルギー線が照射される対象物である第２ワークＷ２を、前記照射領域Ｐ１を含む第２周回軌道Ｏ２に沿って周回させる第２周回機構２とを具備し、各周回軌道によって形成される仮想の周回面と垂直な方向から視たときに、前記第１周回軌道Ｏ１で囲まれる領域と前記第２周回軌道Ｏ２で囲まれる領域との少なくとも一部が重なるように構成した。 （もっと読む）

【課題】プラズマを用いたスパッタ法によって、Ｐｂ、Ｚｒ、Ｔｉを含む誘電体薄膜を成膜する場合でも、圧電特性の高い誘電体薄膜を安定して成膜する。
【解決手段】誘電体薄膜のスパッタによる成膜中に、プラズマの発光分析を行って、上記プラズマの発光スペクトルを取得する。そして、上記発光スペクトルに含まれる、Ｐｂ（４０６ｎｍ）のスペクトル強度Ｉ_Ｐｂ、Ｚｒ（４６８ｎｍ）のスペクトル強度Ｉ_Ｚｒ、Ｔｉ（４５３ｎｍ）のスペクトル強度Ｉ_Ｔｉをそれぞれ求める。Ｉ_Ｐｂ／（Ｉ_Ｚｒ＋Ｉ_Ｔｉ）の値をＰ_１としたとき、０．４＜Ｐ_１＜０．７を満足するように成膜条件を制御しながら、上記誘電体薄膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】高精細な薄膜パターンの形成を容易に行い得るようにする。
【解決手段】基板９上に一定形状の薄膜パターンを成膜形成する薄膜パターン形成方法であって、可視光を透過し一面に磁性体膜１を被着したフィルム２に薄膜パターン形成領域１１に対応して薄膜パターン１２と同形状の貫通する開口パターン３を形成し、磁性体膜１側を第１の磁気チャック６の平坦面に吸着して保持されたマスク４の開口パターン３を、第２の磁気チャック１０上に載置された基板９の薄膜パターン形成領域１１に位置合わせするステップと、第２の磁気チャックにより磁性体膜１を吸着してマスク４を第１の磁気チャック６から基板９上に移すステップと、マスク４の開口パターン３を介して基板９上の薄膜パターン形成領域１１に成膜し、薄膜パターン１２を形成するステップと、を行うものである。 （もっと読む）

【課題】大型の基板に蒸着を行うための防着板の取付け／取外しが容易で、メンテナンス作業の向上が可能となる真空成膜装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバと、真空チャンバ内に設けられて蒸着材料を蒸発して供給する蒸着源と、真空チャンバ内に導入された基板を直立した状態でマスクの所定の位置に位置合わせするための機構と、位置合わせ機構により、直立した状態で前記マスクに対して位置合わせされた基板の蒸着表面に沿って、蒸着源を移動させる手段と、マスクと前記蒸着源との間に配置されたベースプレートとを備えた真空成膜装置において、真空チャンバ内において、蒸着源から供給されてマスクを介して前記基板の蒸着表面に蒸着されると共にその周囲にも飛散する蒸発した蒸着材料が付着する壁面に、薄膜状の防着膜１００を着脱可能に取り付けるための手段を備える。 （もっと読む）

【課題】
各処理室間のゲートバルブ等を設けずに長尺の基板を搬送し、且つ、各処理室を真空に保持し、連続的に成膜処理することである
【解決手段】
基板連続処理装置は、第１組の前処理室，成膜処理室，後処理室の連結可能な連続体からなり、またこの連続体と合体でき得る第２組の前処理密封室，成膜処理密封室，後処理密封室の連結可能な連続体で構成される。また第２組の前処理密封室，成膜処理密封室，後処理密封室には、基板が通過でき得る溝が設けられ、前処理室密封，成膜処理密封室及び後処理密封室にはシールするために、１つ若しくは複数の密封材（Ｏリング等）を設置するための、密封材用取り付け溝を設置してなる構成により課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】放射線耐性能力をさらに向上することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１の上方に形成された第１絶縁膜１２と、第１絶縁膜１２の上方に形成され、下部電極１７と上部電極１９に挟まれる強誘電体膜１８を有するキャパシタＱと、キャパシタの上に形成される第２絶縁膜２６と、を有し、第１絶縁膜１２と下部電極１７の間に、Ｐｂ又はＢｉが添加された結晶を持つ絶縁材料膜から形成される第３絶縁膜１６、３８と、
を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電子素子を安定的、かつ、低コストで形成可能な積層体を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、金属基材および上記金属基材表面に形成された耐アルカリ保護層を有する耐アルカリ基材と、上記耐アルカリ基材上にパターン状に形成され、ポリイミド樹脂を含有する絶縁層と、上記絶縁層上に形成された導体層と、を有し、上記金属基材が、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金からなるものであり、上記耐アルカリ保護層が、無機材料を主成分とする耐アルカリ材料からなるものであり、上記耐アルカリ基材の厚みが７０μｍ以上であることを特徴とする積層体を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】ｐ型ＺｎＯ系半導体層を形成するための新規な技術を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体層の製造方法は、（ａ）下地層上方に、Ｚｎ、必要に応じてＭｇ、Ｏ、Ｎ、及びＴｅを供給して、ＮとＴｅが共ドープされたＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０≦ｘ≦０．６）単結晶膜を形成する工程と（ｂ）Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０≦ｘ≦０．６）単結晶膜上に、Ｚｎ及びＭｇの少なくとも一方、Ｔｅ、及びＮを供給して、ＮがドープされたＭｇ_ｙＺｎ_１−ｙＴｅ（０≦ｙ≦１）単結晶膜を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 膜剥離の問題を改善し、さらに低い電気抵抗値を維持できる、ＭｏＴｉターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、Ｔｉを２０〜８０原子％含有し残部がＭｏおよび不可避的不純物からなる組成を有し、前記不可避的不純物の一である水素が１０質量ｐｐｍ以下であるＭｏＴｉターゲット材である。また、本発明のＭｏＴｉターゲット材は、ＭｏＴｉ焼結体を１００Ｐａ未満の圧力、８００℃以上、０．５時間以上の条件で熱処理する工程とで得られる。 （もっと読む）

【課題】酸化マグネシウム膜の面内均一性を高めることの可能なスパッタ装置を提供することにある。
【解決手段】ターゲット表面１２ａに対して基板表面Ｓａを平行に配置する基板ステージ１１と、ターゲット表面１２ａに漏洩磁場を形成する磁気回路と、を有し、ターゲット表面１２ａにて法線方向の漏洩磁場が無い部位をエロージョン部位１２ｅとし、基板表面Ｓａの中心とエロージョン部位１２ｅとを結ぶ線を第１の直線Ｌ１とし、基板表面Ｓａの中心から該基板の径方向に延びる直線を第２の直線Ｌ２とすると、ターゲット表面１２ａの中心とエロージョン部位１２ｅとの距離が基板半径Ｒ１より大きく、第１の直線Ｌ１と第２の直線Ｌ２とのなす角度が４３．５°以上、５４．５°以下である。 （もっと読む）

【課題】輝度むらを低減することが可能な表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板に、酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタを形成する工程と、前記薄膜トランジスタの上層に複数の表示素子よりなる表示領域を形成する工程とを含み、前記酸化物半導体層を形成する工程を、複数の分割部を平面状に継ぎ合わせた酸化物半導体よりなるターゲットと前記基板とを対面させて、スパッタリング法により行い、前記ターゲットの互いに平行な二本の継ぎ目の間隔を、前記継ぎ目に直交する方向において前記表示領域に生じる輝度分布の幅以下とする表示装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】成膜速度の面内均一性を確保しながら、成膜効率を向上させ、ターゲットの使用効率を向上させること。
【解決手段】真空容器２内に載置されたウエハ１０に対向するようにターゲット３１を配置し、このターゲット３１の背面側にマグネット配列体５を設ける。このマグネット配列体５は、マグネット６１，６２がマトリックス状に配列された内側マグネット群５４と、この内側マグネット群５４の周囲に設けられ、電子の飛び出しを阻止するリターン用のマグネット５３とを備えている。これによりターゲット３１の直下にカスプ磁界による電子のドリフトに基づいて高密度のプラズマが発生し、またエロージョンの面内均一性が高くなる。このためターゲット３１とウエハ１０とを接近させてスパッタを行うことができ、成膜速度の面内均一性を確保しながら、成膜効率を向上させることができる上、ターゲットの使用効率が高くなる。 （もっと読む）