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Fターム[4K029AA24]の内容

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Fターム[4K029AA24]に分類される特許

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【課題】高精細な複数種の薄膜パターンの形成を効率よく行い得るようにする。
【解決手段】フィルム2に有機EL層17R,17G,17Bと同形状の開口パターン4を設けたマスク1をフィルム2がTFT基板19側となるようにして該TFT基板19上に位置決めし載置し、TFT基板19のR対応アノード電極21R上にマスク1の開口パターン4を介して成膜し、R有機EL層17Rを形成した後、マスク1を複数種の有機EL層17R〜17Bの配列ピッチと同寸法だけアノード電極21R,21G,21Bの並び方向に移動し、TFT基板19のG対応アノード電極21G上にマスク1の開口パターン4を介して成膜し、G有機EL層17Gを形成する。 (もっと読む)


【課題】メタルマスクを直接冷却することが可能なメタルマスク冷却機構と、そして、当該機構を備えた有機EL成膜装置を提供する。
【解決手段】真空蒸着チャンバ中で、基板とメタルマスク83とのアライメントを行って蒸着材料を当該基板に蒸着する有機EL成膜装置におけるメタルマスクの冷却機構は、メタルマスクを間に挟み込んで、外形「ロ」の字状に形成され、一方の表面上に前記マスクを取り付ける固定フレーム82の外枠に沿って設けられる、複数の固定板84を備えており、固定板は、各々、熱伝導性に優れた部材により細長い板状に形成されると共に、その内部には冷媒を流すための流体流路を形成すると共に、更に、固定板の各々には、前記固定板の流路に冷媒を供給するための配管と排出するための配管とを設けた。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、ドープされた金属酸化物誘電体材料を有する電子部品及びドープされた金属酸化物誘電体材料を有する電子部品の作製プロセスを提供する。
【解決手段】 ドープされた金属酸化物誘電体材料及びこの材料で作られた電子部品が明らかにされている。金属酸化物はIII族又はV族金属酸化物(たとえば、Al、Y、TaまたはV)で、金属ドーパントはIV族元素(Zr、Si、TiおよびHf)である。金属酸化物は約0.1重量パーセントないし約30重量パーセントのドーパントを含む。本発明のドープされた金属酸化物誘電体は、多くの異なる電子部品及びデバイス中で用いられる。たとえば、ドープされた金属酸化物誘電体は、MOSデバイスのゲート誘電体として用いられる。ドープされた金属酸化物誘電体はまた、フラッシュメモリデバイスのポリ間誘電体材料としても用いられる。 (もっと読む)


【課題】アクチュエータを設けることなく、基板を確実に保持できる有機ELデバイス製造装置を提供する。
【解決手段】基板ホルダー91と、基板搬送機から基板6を受取るための基板受けピン66と、基板ホルダー昇降機構68と、基板ホルダー91の端部に設けられ、基板クランプ61とクランプ支持金具62とクランプ付勢バネからなる基板保持機構と、基板6を基板クランプ61から解放するためのクランプ開閉ピン67とを備え、クランプ支持金具62は縦方向に回転し第1の腕62a
と第2の腕62cを有し、第1の腕62aの端には基板クランプ61の一端が固定され、第2の腕62cの端には縦方向に回転する回転部が設けられ、基板クランプ61が基板6を基板ホルダー91に押圧するよう、有機ELデバイス製造装置を構成する。 (もっと読む)


【課題】加工時間が短く、工具としての寿命が長く、像形成品質が高いパターン形成型及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係るパターン成形型は、被加工材の表面に、凹凸を有するパターンを転写するパターン成形型であって、基材1と、基材1に中間層2、3を介して接合されたDLCパターン層4bとで構成され、基材1が、剛性を有する金属、セラミックス、又はガラスであり、中間層2、3が、基材1及びDLCパターン層4bとの接合性を提供し、かつ、DLCパターン層4bに比べ、エッチングレートが小さい層であり、DLCパターン層4bに、被加工材の表面に転写するパターンが形成されている。 (もっと読む)


【課題】酸素欠損の発生を抑制する。
【解決手段】ガリウム(Ga)若しくはスズ(Sn)の一部又は全部の代わりにゲルマニウム(Ge)を用いて酸化物半導体膜を構成する。ゲルマニウム(Ge)原子は、酸素(Ge)原子との結合の少なくとも一つの結合エネルギーがガリウム(Ga)又はスズ(Sn)の場合よりも高い。このため、ゲルマニウム(Ge)を用いて構成される酸化物半導体結晶において、酸素欠損が発生しにくい。このことから、ゲルマニウム(Ge)を用いて酸化物半導体膜を構成することにより、酸素欠損の発生の抑制を図る。 (もっと読む)


【課題】簡単な機構で、ラックギヤとピニオンギヤとを円滑に噛み合わせることができる搬送装置、及びこれを備えた真空処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の搬送装置は、基板3を搭載して搬送軌道9上を移動するキャリア20に設けられたラックギヤ7と、ラックギヤ7に噛合する複数のピニオンギヤ5a,5bとを備え、ラックギヤ7は、ピニオンギヤ5aがラックギヤ7の一端で歯合するときに、ピニオンギヤ5bと歯合する箇所のラックギヤ7が高くなるように形成されている。 (もっと読む)


【課題】 大型で均質な焼結体を安価に効率良く製造することを可能とし、放電特性や得られる薄膜の特性が良好な大型のスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 加圧圧縮時には充填した原料粉末に対して実質的に1軸方向からのみ加圧し、加圧終了後の減圧時には成形体に対して等方的に圧力を開放することが可能な構造を有する成形型を用いることにより、成形時のスプリングバックを効率よく解消して、高い成形圧力での冷間静水圧プレスを可能とする。これにより、バインダー等の有機物を含まない原料粉末を用いて、直接、形状精度の良い成形体を作製することができ、大型で均質、かつ、炭素含有量の少ない焼結体を効率よく高い歩留まりで製造することができる。 (もっと読む)


【課題】高精細な薄膜パターンの形成を容易に行い得るようにする。
【解決手段】基板9上に一定形状の薄膜パターンを成膜形成する薄膜パターン形成方法であって、可視光を透過し一面に磁性体膜1を被着したフィルム2に薄膜パターン形成領域11に対応して薄膜パターン12と同形状の貫通する開口パターン3を形成し、磁性体膜1側を第1の磁気チャック6の平坦面に吸着して保持されたマスク4の開口パターン3を、第2の磁気チャック10上に載置された基板9の薄膜パターン形成領域11に位置合わせするステップと、第2の磁気チャックにより磁性体膜1を吸着してマスク4を第1の磁気チャック6から基板9上に移すステップと、マスク4の開口パターン3を介して基板9上の薄膜パターン形成領域11に成膜し、薄膜パターン12を形成するステップと、を行うものである。 (もっと読む)


【課題】大型の基板に蒸着を行うための防着板の取付け/取外しが容易で、メンテナンス作業の向上が可能となる真空成膜装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバと、真空チャンバ内に設けられて蒸着材料を蒸発して供給する蒸着源と、真空チャンバ内に導入された基板を直立した状態でマスクの所定の位置に位置合わせするための機構と、位置合わせ機構により、直立した状態で前記マスクに対して位置合わせされた基板の蒸着表面に沿って、蒸着源を移動させる手段と、マスクと前記蒸着源との間に配置されたベースプレートとを備えた真空成膜装置において、真空チャンバ内において、蒸着源から供給されてマスクを介して前記基板の蒸着表面に蒸着されると共にその周囲にも飛散する蒸発した蒸着材料が付着する壁面に、薄膜状の防着膜100を着脱可能に取り付けるための手段を備える。 (もっと読む)


【課題】
各処理室間のゲートバルブ等を設けずに長尺の基板を搬送し、且つ、各処理室を真空に保持し、連続的に成膜処理することである
【解決手段】
基板連続処理装置は、第1組の前処理室,成膜処理室,後処理室の連結可能な連続体からなり、またこの連続体と合体でき得る第2組の前処理密封室,成膜処理密封室,後処理密封室の連結可能な連続体で構成される。また第2組の前処理密封室,成膜処理密封室,後処理密封室には、基板が通過でき得る溝が設けられ、前処理室密封,成膜処理密封室及び後処理密封室にはシールするために、1つ若しくは複数の密封材(Oリング等)を設置するための、密封材用取り付け溝を設置してなる構成により課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】放射線耐性能力をさらに向上することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板1の上方に形成された第1絶縁膜12と、第1絶縁膜12の上方に形成され、下部電極17と上部電極19に挟まれる強誘電体膜18を有するキャパシタQと、キャパシタの上に形成される第2絶縁膜26と、を有し、第1絶縁膜12と下部電極17の間に、Pb又はBiが添加された結晶を持つ絶縁材料膜から形成される第3絶縁膜16、38と、
を有する。 (もっと読む)


【課題】エネルギー線照射システムにおいて、ワークに効率的にエネルギー線を照射できるようにしながらも、飛躍的なコンパクト化を可能とする。
【解決手段】エネルギー線IBを所定の照射領域Pに向かって射出するエネルギー線射出機構と、前記エネルギー線IBが照射される対象物である第1ワークW1を、前記照射領域Pを含む第1周回軌道O1に沿って周回させる第1周回機構1と、前記エネルギー線が照射される対象物である第2ワークW2を、前記照射領域P1を含む第2周回軌道O2に沿って周回させる第2周回機構2とを具備し、各周回軌道によって形成される仮想の周回面と垂直な方向から視たときに、前記第1周回軌道O1で囲まれる領域と前記第2周回軌道O2で囲まれる領域との少なくとも一部が重なるように構成した。 (もっと読む)


【課題】プラズマを用いたスパッタ法によって、Pb、Zr、Tiを含む誘電体薄膜を成膜する場合でも、圧電特性の高い誘電体薄膜を安定して成膜する。
【解決手段】誘電体薄膜のスパッタによる成膜中に、プラズマの発光分析を行って、上記プラズマの発光スペクトルを取得する。そして、上記発光スペクトルに含まれる、Pb(406nm)のスペクトル強度IPb、Zr(468nm)のスペクトル強度IZr、Ti(453nm)のスペクトル強度ITiをそれぞれ求める。IPb/(IZr+ITi)の値をPとしたとき、0.4<P<0.7を満足するように成膜条件を制御しながら、上記誘電体薄膜を成膜する。 (もっと読む)


【課題】酸化マグネシウム膜の面内均一性を高めることの可能なスパッタ装置を提供することにある。
【解決手段】ターゲット表面12aに対して基板表面Saを平行に配置する基板ステージ11と、ターゲット表面12aに漏洩磁場を形成する磁気回路と、を有し、ターゲット表面12aにて法線方向の漏洩磁場が無い部位をエロージョン部位12eとし、基板表面Saの中心とエロージョン部位12eとを結ぶ線を第1の直線L1とし、基板表面Saの中心から該基板の径方向に延びる直線を第2の直線L2とすると、ターゲット表面12aの中心とエロージョン部位12eとの距離が基板半径R1より大きく、第1の直線L1と第2の直線L2とのなす角度が43.5°以上、54.5°以下である。 (もっと読む)


【課題】輝度むらを低減することが可能な表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板に、酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタを形成する工程と、前記薄膜トランジスタの上層に複数の表示素子よりなる表示領域を形成する工程とを含み、前記酸化物半導体層を形成する工程を、複数の分割部を平面状に継ぎ合わせた酸化物半導体よりなるターゲットと前記基板とを対面させて、スパッタリング法により行い、前記ターゲットの互いに平行な二本の継ぎ目の間隔を、前記継ぎ目に直交する方向において前記表示領域に生じる輝度分布の幅以下とする表示装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】成膜速度の面内均一性を確保しながら、成膜効率を向上させ、ターゲットの使用効率を向上させること。
【解決手段】真空容器2内に載置されたウエハ10に対向するようにターゲット31を配置し、このターゲット31の背面側にマグネット配列体5を設ける。このマグネット配列体5は、マグネット61,62がマトリックス状に配列された内側マグネット群54と、この内側マグネット群54の周囲に設けられ、電子の飛び出しを阻止するリターン用のマグネット53とを備えている。これによりターゲット31の直下にカスプ磁界による電子のドリフトに基づいて高密度のプラズマが発生し、またエロージョンの面内均一性が高くなる。このためターゲット31とウエハ10とを接近させてスパッタを行うことができ、成膜速度の面内均一性を確保しながら、成膜効率を向上させることができる上、ターゲットの使用効率が高くなる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、電子素子を安定的、かつ、低コストで形成可能な積層体を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、金属基材および上記金属基材表面に形成された耐アルカリ保護層を有する耐アルカリ基材と、上記耐アルカリ基材上にパターン状に形成され、ポリイミド樹脂を含有する絶縁層と、上記絶縁層上に形成された導体層と、を有し、上記金属基材が、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金からなるものであり、上記耐アルカリ保護層が、無機材料を主成分とする耐アルカリ材料からなるものであり、上記耐アルカリ基材の厚みが70μm以上であることを特徴とする積層体を提供することにより、上記目的を達成する。 (もっと読む)


【課題】p型ZnO系半導体層を形成するための新規な技術を提供する。
【解決手段】ZnO系半導体層の製造方法は、(a)下地層上方に、Zn、必要に応じてMg、O、N、及びTeを供給して、NとTeが共ドープされたMgZn1−xO(0≦x≦0.6)単結晶膜を形成する工程と(b)MgZn1−xO(0≦x≦0.6)単結晶膜上に、Zn及びMgの少なくとも一方、Te、及びNを供給して、NがドープされたMgZn1−yTe(0≦y≦1)単結晶膜を形成する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】 膜剥離の問題を改善し、さらに低い電気抵抗値を維持できる、MoTiターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、Tiを20〜80原子%含有し残部がMoおよび不可避的不純物からなる組成を有し、前記不可避的不純物の一である水素が10質量ppm以下であるMoTiターゲット材である。また、本発明のMoTiターゲット材は、MoTi焼結体を100Pa未満の圧力、800℃以上、0.5時間以上の条件で熱処理する工程とで得られる。 (もっと読む)


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