説明

Fターム[4K029AA24]の内容

物理蒸着 (93,067) | 基体 (14,066) | 形状 (5,788) |  (3,910)

Fターム[4K029AA24]に分類される特許

81 - 100 / 3,910


【課題】高い移動度を実現でき、且つ、ストレス耐性(ストレス印加前後のしきい値電圧シフト量が少ないこと)にも優れた薄膜トランジスタ用酸化物を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、Zn、Sn、およびInと;Si、Hf、Ga、Al、Ni、Ge、Ta、W、およびNbよりなるX群から選択される少なくとも一種の元素(X群元素)と、を含むものである。 (もっと読む)


【課題】真空チャンバ内に導入するべき導入ガスの流量値が大きくても、その流量値の近傍の狭い区間で流量を高速制御でき、例えば、真空チャンバ内のプラズマを所望の状態で保ち続けて、成膜等に最適な状態を維持することが可能なプラズマ制御装置及び流量制御装置を提供する。
【解決手段】前記真空チャンバVC内に導入される導入ガスが流れる第1流路L1上に設けられた第1バルブ11と、前記第1バルブ11を経由して前記真空チャンバVC内に導入される前記導入ガスの流量が第1流量となるように当該第1バルブ11の開度を制御する第1バルブ制御部12と、プラズマモニタ3と、前記導入ガスが流れる第2流路L2上に設けられた第2バルブ21と、前記プラズマモニタ3で測定される測定プラズマ強度と、予め設定された設定プラズマ強度との偏差に基づいて前記第2バルブ21の開度を制御する第2バルブ制御部22と、を備えた。 (もっと読む)


【課題】高いバリア性を有するCu−Mn合金膜を形成する。
【解決手段】半導体素子の配線の形成に用いられるCu−Mn合金スパッタリングターゲット材10であって、濃度が8原子%以上30原子%以下のMnと、不可避的不純物とを含むCu−Mn合金からなり、Cu−Mn合金の平均結晶粒径が10μm以上50μm以下である。 (もっと読む)


【課題】材料容器の中心付近に対して周縁付近を高く加熱することができ、しかも、材料容器に収納した蒸着材料の中心付近と周縁付近との温度差を容易に制御し得て、蒸着材料の気化量変化の応答性を高くすることができる蒸着材料加熱装置とすることができ、よって、基板に付着する被膜の膜厚の均一化に貢献することができる蒸着装置及び蒸着方法とし得て、均一な膜厚の被膜を有する基板を提供する。
【解決手段】本発明は、蒸着材料13を収納した材料容器14と、材料容器14の底面側に配置されて蒸着材料13を加熱する加熱部15と、加熱部15による蒸着材料13の加熱温度を材料容器14の中心から外周に向かう加熱領域に応じて制御する温度制御部と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】スパッタリングターゲットに利用された場合には異常放電等が抑制され、蒸着用タブレットに利用された場合にはスプラッシュ現象が抑制されるZn-Si-O系酸化物焼結体とその製法等を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛を主成分とし、Siを含有するZn-Si-O系酸化物焼結体であって、Siの含有量が、Si/(Zn + Si)原子数比で0.1〜10原子%であり、Si元素がウルツ鉱型酸化亜鉛相に固溶していると共に、SiO2相および珪酸亜鉛(Zn2SiO4)であるスピネル型複合酸化物相を含有していないことを特徴とする。上記焼結体の製法は、原料粉末であるZnO粉末とSiO粉末から得られた造粒粉を成形し、その成形体を焼成して上記焼結体を製造する際、700〜900℃の温度域を昇温速度5℃/分以上の速さで昇温させる工程と、成形体を焼成炉内において900℃〜1400℃で焼成する工程を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】結晶性の優れた酸化物半導体層を形成して電気特性の優れたトランジスタを製造
可能とし、大型の表示装置や高性能の半導体装置等の実用化を図ることを目的の一つとす
る。
【解決手段】第1の加熱処理で第1の酸化物半導体層を結晶化し、その上部に第2の酸化
物半導体層を形成し、温度と雰囲気の異なる条件で段階的に行われる第2の加熱処理によ
って表面と略垂直な方向にc軸が配向する結晶領域を有する酸化物半導体層の形成と酸素
欠損の補填を効率良く行い、酸化物半導体層上に接する酸化物絶縁層を形成し、第3の加
熱処理を行うことにより、酸化物半導体層に再度酸素を供給し、酸化物絶縁層上に、水素
を含む窒化物絶縁層を形成し、第4の加熱処理を行うことにより、少なくとも酸化物半導
体層と酸化物絶縁層の界面に水素を供給する。 (もっと読む)


【課題】本発明においては、所定の量の酸化アルミニウム及び酸化ケイ素を添加した、酸化亜鉛を主成分とする透明導電性酸化物層を用いることにより、膜厚を薄くした場合においても導電性・透明性・耐久性に優れた透明電極付き基板を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に酸化亜鉛を主成分とする透明導電性酸化物層を有する透明電極付き基板において、該透明導電性酸化物層は、酸化ケイ素を1.2重量%以上2.1重量%以下、酸化アルミニウムを0.2重量%以上1.0重量%未満含有しており、該透明導電性酸化物層の抵抗率は、4.5×10-3Ωcm以下であり、かつ85℃・85%RHの環境下で1000時間放置した時の抵抗率の変化△Rが、温度(T)がT=300K、膜厚(d)が20nm≦d≦120nmのとき、ΔR=a×exp(−b×d/T)+1.0 [1.2≦a≦3.0、15≦b≦45、a,bは実数](式1)を満たすことを特徴とする透明電極付き基板。 (もっと読む)


【課題】共蒸着を行う場合、蒸着材料を収納する容器を取り囲むヒータまでも傾けることになるため、容器同士の間隔が大きくなってしまい、蒸着材料を均一に混合することが困難になることに鑑み、間隔を狭め、均一に混合しながら蒸着可能な容器を提供する。
【解決手段】蒸着装置の蒸着源に置される蒸着材料を収納する容器であって、前記容器は、開口部810と、ガイド部と、を有することを特徴とする容器を用いる。このような容器を用いることにより、前記第1のガイド部によって、前記第1の開口から前記第1の蒸着材料の飛び出す角度が調節され、均一に混合しながら共蒸着を行うことができる。 (もっと読む)


【課題】高密度かつ低抵抗のスパッタリングターゲット、電界効果移動度の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】Gaをドープした酸化インジウム、又はAlをドープした酸化インジウムを含み、正4価の原子価を示す金属を、Gaとインジウムの合計又はAlとインジウムの合計に対して100原子ppm超1100原子ppm以下含み、結晶構造が、実質的に酸化インジウムのビックスバイト構造からなる焼結体を含むスパッタリングターゲット。 (もっと読む)


【課題】150℃以下の低い基板温度の成膜によっても、比抵抗が5×10-3Ω・cm以下、可視波長(400nm〜800nm)において98%以上の高い透過率を有する結晶性の透明導電膜を提供する。
【解決手段】Sn/Inが0.019〜0.102であり、かつ、In/(In+Sn+Co)が0.771〜0.967、Sn/(In+Sn+Co)が0.016〜0.091、Co/(In+Sn+Co)が0.015〜0.15であり、相対密度が98%以上、比抵抗が5×10-3Ω・cm以下である酸化物焼結体をスパッタリングターゲットとして成膜して透明導電膜を得る。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、より安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。また、当該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、保護膜と、を有し、該保護膜は金属酸化膜を有し、該金属酸化膜は、膜密度が3.2g/cm以上である。 (もっと読む)


【課題】膜厚分布と膜質分布にムラを発生させないスパッタリング装置と、それを用いた成膜方法を提供する。
【解決手段】
真空槽11と、基板20を保持する基板保持部15と、真空槽11内に配置されたターゲットとを有し、真空槽11内にスパッタガスを導入し、ターゲット表面にプラズマを生成し、ターゲットをスパッタして、基板20表面に薄膜を形成するスパッタリング装置10cであって、基板20の外周より外側の着火位置51と基板20表面と対向する成膜位置52とを通る搬送路43’に沿って、ターゲットを移動させる移動装置40cを有している。着火位置51でプラズマを着火させると、基板20には着火直後の膜や放電不安定な膜が成膜されない。 (もっと読む)


【課題】成膜レートを落とすことなく成膜可能で、薄膜トランジスタを構成した場合に所望のTFT特性を示すIGZOからなる半導体層を形成することができる技術を提供する。
【解決手段】本発明は、成膜対象物上にIGZO膜を形成する方法であって、酸素ガスの分圧が0.1Pa以下の真空中でスパッタリングによって当該成膜対象物上にIGZO膜を形成する成膜工程(P2、P3)と、酸素ガス及び窒素ガスを含む雰囲気中で当該IGZO膜に対してアニール処理を行うアニール処理工程(P5、P6)とを有する。 (もっと読む)


【課題】有機ELなどの成膜をおこなう成膜室に設置された防着板の取付け、取外し作業の時間を短縮し、かつ交換時の安全性を確保した成膜装置を提供する。
【解決手段】基板上に材料を成膜するための成膜室と、成膜する材料を前記基板に供給する成膜材料供給源と、少なくともその一部が、前記成膜室の筐体と前記成膜材料供給源の間に設けられ、該成膜材料供給源から供給される成膜材料が該筐体に付着するのを防止する防着板1と、を備えた成膜装置において、前記防着板は、少なくとも上下方向で複数部材に分割されており、かつ、上方の防着板を下方に移動させる防着板搬送機構を備える。また、前記防着板搬送機構は、前記筐体に係合する枠と、該枠に沿って移動する第一の搬送ブロックと、前記成膜室の開口部と直交する方向に敷説されたレールと、前記レールに沿って移動する第二の搬送ブロックとを備える。 (もっと読む)


【課題】金属機能物質粒子ガスを生成し、当該生成金属機能物質粒子ガスをCVDチャンバー側に供給することが可能なプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】プラズマ発生装置は、電極セルと、当該電極セルを囲繞する筐体とを備えている。前記電極セルは、第一の電極3と、放電空間6と、第二の電極1と、誘電体2a,2bと、平面視において中央部に形成された貫通口PHとを、有する。円筒形状の絶縁筒部21が、貫通口PHの内部に配設されており、円筒形状の絶縁筒部21側面部に噴出孔21xを有する。さらに、プラズマ発生装置は、絶縁筒部21の空洞部21Aに配設される導電性部材を備えている。 (もっと読む)


【課題】 被処理物の表面へのイオンの入射量を安定化させる。
【解決手段】 本発明に係るイオンプレーティング装置10によれば、熱電子放射フィラメント36から放射された熱電子がイオン化電極38に向かって加速される。そして、この熱電子が蒸発源16からの被膜材料22の蒸発粒子と非弾性衝突することにより、当該蒸発粒子がイオン化される。さらに、このイオン化された蒸発粒子が被処理物としての基板26の表面に入射されることにより、当該基板26の表面に被膜が生成される。ここで、イオン化電極38に流れる電流Idは、イオンの生成量に相関する。このイオン化電極電流Idが一定になるように、熱電子放射フィラメント36からの熱電子の放射量が制御される。このような制御が成されることで、イオンの生成量が安定化され、ひいては基板26の表面へのイオンの入射量が安定化される。 (もっと読む)


【課題】本発明は、高輝度金属調外観と光透過性を両立し、尚且つ加飾工程時の環境負荷低減を可能とする成型用積層体の提供を目的とする。さらには、安価で簡易的に種種の色相を持った金属調外観の付与を可能とする成型用積層体の提供を目的とする。
【解決手段】熱可塑性基材(A)と、厚さ200〜800Åの光透過性金属層(B)と、粘着剤層(C)とを含む成型用積層体であって、380〜780nmの波長領域(可視光域)における該積層体の最大反射率が40%以上、最大透過率が2〜30%であることを特徴とする成型用積層体。 (もっと読む)


【課題】 耐湿性や耐酸化性を改善し、さらに、低抵抗な主導電層であるAlと積層した際に、加熱工程を経ても低い電気抵抗値を維持できる、Mo合金からなる被覆層を用いた電子部品用積層配線膜および被覆層を形成するためのスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 基板上に金属膜を形成した電子部品用積層配線膜において、Alを主成分とする主導電層と該主導電層の一方の面および/または他方の面を覆う被覆層からなり、該被覆層は原子比における組成式がMo100−x−y−Ni−Ti、10≦x≦30、3≦y≦20で表され、残部が不可避的不純物からなる電子部品用積層配線膜。 (もっと読む)


【課題】純すずターゲット材料がマグネトロンスパッタ法を利用したフッ素ドープ酸化すず薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】高純度すずをマグネトロンスパッタリングのターゲット材料として、マグネトロンスパッタの生産プロセスにおいて、反応ガス四フッ化炭素(CF)と酸素(O)を導入する。四フッ化炭素(CF)は、作業ガスによって励起されるプラズマがフッ化物(F)イオンとフッ化物(F)励起状態原子を分離し、すずターゲット材料と合わせて、基板上にフッ素ドープ酸化すず薄膜を形成することにより、生産コストを軽減でき、フッ素ドープ酸化すず薄膜の品質を向上できる。 (もっと読む)


【課題】ターゲットに局所的な侵食が発生することが抑制できてターゲットの利用効率を高めることができるマグネトロンスパッタカソードを提供する。
【解決手段】マグネトロンスパッタカソードは、立体形状の輪郭を有するターゲット1aと、トンネル状の磁場を形成する磁石ユニット2aとを備える。このターゲットの表面の一部をスパッタリングにより侵食されるスパッタ面12a、12cとし、前記磁場の垂直成分がゼロとなる位置を通る線が、スパッタ面を跨いでターゲットの周囲を周回するように磁石ユニットが構成される。 (もっと読む)


81 - 100 / 3,910