【課題】コア・シェル構造のクラスターを生成する。
【解決手段】同一パルス周期の第１レーザ51および第２レーザ52を用いる。第１レーザ51を第１ターゲット材料21に照射して第１プルームP1を発生させる。第１レーザ51の照射時から遅延時間Tdの経過後に、第２レーザ52を第２ターゲット材料22に照射して第２プルームP2を発生させる。遅延時間Tdの経過中に、第１プルームP1中にクラスターCを生成して、これに第２プルームP2を衝突させる。 （もっと読む）

【課題】複数のターゲット表面上の反応ガスの分圧を互いに等しくし、各ターゲットを互いに同じ速度でスパッタできるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】
互いに離間して一列に並んで配置された複数のターゲット２１₁〜２１₄と、隣り合う二個のターゲット２１₁〜２１₄を一組として、一組のターゲット２１₁〜２１₄間に電圧が印加されるターゲット装置２０₁₂、２０₃₄とを有し、各ターゲット装置２０₁₂、２０₃₄は、一組のターゲット２１₁〜２１₄の側面と対向して配置された隔壁２３₁〜２３₄と、隔壁２３₁〜２３₄とターゲット２１₁〜２１₄との間に設けられたガス導入口２８₁〜２８₄と、真空槽１１の底面に設けられた主排気口２５₁₂、２５₃₄とをそれぞれ有し、ガス導入口２８₁〜２８₄から導入された反応ガスは、一組のターゲット２１₁〜２１₄間を通って主排気口２５₁₂、２５₃₄から真空排気される。 （もっと読む）

【課題】低光吸収率の透明導電膜を安定的に成膜できることで、高い品質が確保できる発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子は、透光性基板１１に、ｎ型半導体層１２１、発光層１２２およびｐ型半導体層１２３が積層された半導体層１２と、半導体層１２に積層され、金属酸化物からなる成膜材料により成膜された透明導電膜１３と、透明導電膜１３に積層された反射部１４とを備えている。この透明導電膜を成膜する際には、半導体層に透明導電膜の原膜をスパッタにより成膜するスパッタ工程と、原膜を酸素含有雰囲気ガスによりアニールする第１アニール工程と、酸素非含有雰囲気ガスによりアニールする第２アニール工程との２段階アニールを行う。第１アニール工程または第２アニール工程では、雰囲気温度が６００℃より高く、６８０℃より低くなるような範囲で行う。 （もっと読む）

【課題】テラヘルツ波発生器やテラヘルツ波検出器等のテラヘルツ帯デバイスにおいて優れた特性を発揮できるテラヘルツ帯デバイス用ＺｎＴｅ薄膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】テラヘルツ帯デバイス用ＺｎＴｅ薄膜において、気相成長法によって基板上に気相成長され、厚さが５〜１０μｍであり、厚さのばらつきの範囲が厚さの１０％以内である。
また、テラヘルツ帯デバイス用ＺｎＴｅ薄膜の製造方法において、基板上にＺｎＴｅ下地層を１０〜２００オングストロームの厚さで形成する工程と、前記ＺｎＴｅ下地層上にＺｎＴｅ層を５〜１０μｍの厚さで気相成長させる工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】水素フリーで緻密で硬質なダイヤモンドライクカーボン膜を容易に形成することができる炭素薄膜成膜法を提供する。
【解決手段】この炭素被膜成膜方法は、マグネトロンスパッタ法により試料基板電極上に配置された試料基板表面に炭素被膜を堆積させる炭素被膜成膜装置を用い、炭素ターゲット基板電極と試料電極に対し、下記１〜４の条件でそれぞれ電圧を印加させることを特徴とする。
１．ターゲット基板電極に印加する電圧が負のパルス電圧であって、かつ、そのパルス電圧時間比が４０％以下であること。
２．ターゲット基板電極に印加するパルス電圧のパルス時間が２０μｓ〜２００μｓであること。
３．試料基板電極に印加する電圧が負のパルス電圧であって、かつ、そのパルス電圧時間比が５０％以下であること。
４．試料基板電極に印加する負パルス電圧の大きさが−２０Ｖ〜−２００Ｖであること。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜の形成方法に依らずに、その表面に凹凸を形成することが可能な透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の透明導電膜の製造方法は、酸化物からなる透明導電膜を形成し、透明導電膜を水素含有ガスの還元雰囲気に晒すことで、透明導電膜の表面に凹凸を形成する、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】一定時間電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能な半導体装置を提供すること。さらに、半導体装置の高集積化を図り、単位面積あたりの記憶容量を増加させること。
【解決手段】トランジスタのオフ電流を十分に小さくすることができる材料として、ワイドバンドギャップ半導体である酸化物半導体材料を用いて半導体装置を構成する。トランジスタのオフ電流を十分に小さくすることができる半導体材料を用いることで、長期間にわたって情報を保持することが可能である。また、トランジスタの下に設けた配線層と、酸化物半導体膜の高抵抗領域と、ソース電極とを用いて容量素子を形成することで、トランジスタと容量素子の占有面積の低減を図る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電解質との界面抵抗を低減した正極活物質を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、（１１１）面が優先的に形成されたＬｉＭｎ_２Ｏ_４系薄膜からなることを特徴とする正極活物質を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】複数のトランジスタが高集積化された素子の少なくとも一のトランジスタに、作製工程数を増加させることなくバックゲートを設ける半導体装置を提供する。
【解決手段】複数のトランジスタが上下に積層されて設けられた素子において、少なくとも上部のトランジスタ１０２は、半導体特性を示す金属酸化物により設けられ、下部のトランジスタ１００が有するゲート電極層を上部のトランジスタのチャネル形成領域と重畳するように配して、ゲート電極層と同一の層の一部を上部のトランジスタ１０２のバックゲートＢＧとして機能させる。下部のトランジスタ１００は、絶縁層で覆われた状態で平坦化処理が施され、ゲート電極が露出され、上部のトランジスタ１０２のソース電極及びドレイン電極となる層に接続されている。 （もっと読む）

【課題】ノーマリーオフのスイッチング素子を実現するトランジスタ構造およびその作製方法を提供する。トランジスタのオン特性を向上させて、半導体装置の高速応答、高速駆動を実現する構成およびその作製方法を提供する。信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体層、ソース電極層又はドレイン電極層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極層が順に積層されたトランジスタにおいて、該半導体層としてインジウム、ガリウム、亜鉛、及び酸素の４元素を少なくとも含み、該４元素の組成比を原子百分率で表したとき、インジウムの割合が、ガリウムの割合及び亜鉛の割合の２倍以上である酸化物半導体層を用いる。 （もっと読む）

【課題】前駆体薄膜中のＩＢ族元素及びＩＩＩＢ族元素とＶＩＢ族元素との発熱反応を抑制し、結晶成長を良好にし、ボイド等が少ない綺麗な連続膜である化合物半導体薄膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）スパッタリング法により、基板上に、（ＩＢ族元素）−（Ｉｎ_ｘ、Ｇａ_１−ｘ）−（ＶＩＢ族元素）_２（但し、０＜ｘ＜１である）の組成を有する複数の膜を、この複数の膜中のＩｎ元素含量（ｘ）が下層から上層へと増加し、かつＧａ元素含量（１−ｘ）が下層から上層へと減少するように形成した後、その上に、上記組成を有し、Ｉｎ元素含量がその下の膜中のＩｎ元素含量よりも少なく、Ｇａ元素含量がその下の膜中のＧａ元素含量よりも多い膜を形成し、基板上に前駆体薄膜を形成する工程と、（ｂ）工程（ａ）で形成される前駆体薄膜の少なくとも１層の形成毎に、ＶＩＢ族元素の蒸気を供給し、接触させながら熱処理を施す工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】外部の機械的影響から保護する硬質材料層を少なくとも部分的に備えている改善されたガラスセラミックを提供する。
【解決手段】外部の機械的影響に対して保護する硬質材料層を少なくとも部分的に備えているガラスセラミックであって、その際、− 硬質材料層が、並んで存在しており、かつ互いに混合されている少なくとも２つの相を含有し、− 少なくとも１つのナノ結晶相及び１つの非晶相が存在し、− 硬質材料層が、少なくとも２６ＧＰａの強度及び少なくとも０．５μｍの層厚を有し、− 硬質材料層が、２００℃〜１０００℃の温度範囲内で耐化学薬品性であり、かつ− ガラスセラミックの熱膨張係数αが、硬質材料層の熱膨張係数αから^＋／₋２０％を超えて相違しないガラスセラミックによって解決される。 （もっと読む）

【課題】多元系合金からなる接点材料の絶縁破壊電圧特性の組成依存性を短時間で測定する。
【解決手段】接点材料に用いられるＣｕ、Ｃｒ、Ａｇなどの複数の金属系物質を加熱して蒸気化し、それを基板５に蒸着させ、成分が順次変化した薄膜６を形成し、この薄膜６を平板電極として接地し、薄膜６と所定のギャップを持って針電極１１を対向配置し、薄膜６を針電極１１の軸方向と直交する方向に所定間隔で移動させながら、針電極１１と薄膜６間の絶縁破壊電圧を測定する。変化した成分量と絶縁破壊電圧の関係を求める評価方法である。 （もっと読む）

【課題】所望の領域の材料のみが成膜されることを可能にし、微細パターンの形成を可能にする。また、材料の利用効率を高めることによって製造コストを低減させる。また、成膜に要する時間を短縮し、生産性を向上させる。
【解決手段】一方の面に、開口部を有する反射層と、光吸収層と、光吸収層に接して形成された材料層と、を有する第１の基板を用い、第１の基板の材料層が形成された面と、第２の基板の被成膜面とを対向させ、第１の基板の他方の面側からレーザ光を照射し、反射層の開口部と重なる位置にある材料層の一部を選択的に加熱し、材料層の一部を第２の基板の被成膜面に成膜する。 （もっと読む）

【課題】シャドウマスクを使用することなく高精細な薄膜パターンの蒸着形成を容易にする。
【解決手段】真空容器内で有機ＥＬ材料を蒸発させて、有機ＥＬ表示用基板面にマトリクス状に設けられた複数の画素電極上に選択的に被着させ、有機ＥＬ材料の発光層を形成する有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、発光層を形成する箇所に対応して位置する画素電極の基板側の面に電気的に接触させて設けられた抵抗体に通電せず、又は該抵抗体に有機ＥＬ材料を昇華させない程度に制限された温度が発生するように通電する段階と、発光層を形成しない箇所に対応して位置する画素電極の基板側の面に電気的に接触させて設けられた抵抗体に有機ＥＬ材料を昇華させるのに十分な温度が発生するように通電する段階と、を行うものである。 （もっと読む）

【課題】 低保磁力を有する垂直磁気記録媒体における軟磁性薄膜層用合金、およびこの合金の薄膜を作製するためのスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｂを１種以上、Ｗ，Ｓｎの１種または２種を含み、残部ＣｏおよびＦｅからなり、下記（１）〜（４）を満たすことを特徴とする、垂直磁気記録媒体における軟磁性薄膜層用合金。ａｔ．％で、
（１）６≦Ｔｉ％＋Ｚｒ％＋Ｈｆ％＋Ｎｂ％＋Ｔａ％＋Ｂ％／２≦２４
（２）Ｚｒ％＋Ｈｆ％≦１４
（３）３≦Ｗ％＋Ｓｎ％≦１９
（４）０．２０≦Ｆｅ％／（Ｆｅ％＋Ｃｏ％）≦０．９０ （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】インジウム、チタン、及び亜鉛を含む酸化物半導体層をチャネル形成領域とするトランジスタ、及び該トランジスタを含む半導体装置を提供する。酸化物半導体層に接するバッファ層としては、チタン、アルミニウム、ガリウム、ジルコニウム、ハフニウム、又は希土類元素から選択された一以上の元素の酸化物を含む金属酸化層を適用することができる。 （もっと読む）

【課題】被処理基板に対して成膜の初期段階から持続的に除電を行なうことによって、異常放電の発生を抑制することが可能なスパッタリング装置を得る。
【解決手段】スパッタリング処理によって被処理基板１００に対して導電膜１０３を形成するスパッタリング装置は、処理室と、金属製のローラ基部３Ｌおよびローラ基部３Ｌの全周に設けられる樹脂材３Ｒを含む搬送ローラ３と、樹脂材３Ｒの表面を被覆しつつローラ基部３Ｌに電気的に導通された導電部３Ｓと、を備え、処理室内で被処理基板１００に導電膜１０３を形成するとき、被処理基板１００は、導電部３Ｓに当接して搬送ローラ３に搬送され、導電部３Ｓを通して除電されつつスパッタリング処理される。 （もっと読む）

【課題】金属カルコゲナイドを含む均一且つ良好な化合物半導体を製造する。
【解決手段】カルコゲン元素を含む化合物半導体の薄膜が製造される際に、該化合物半導体に含まれるカルコゲン元素以外の金属元素を少なくとも含む皮膜が一主面に配されている１以上の基板が準備され、該１以上の基板が加熱炉内の基板配置領域に配置される。そして、該加熱炉内において、該１以上の基板の一主面および端面のうちの少なくとも一方の面に対向する位置にカルコゲン元素が付着している付着部が配置されている状態で、非酸化性の気体の流れが発生されながら、該１以上の基板が加熱されることによって、該１以上の基板の一主面に化合物半導体の薄膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】シャドウマスクを使用することなく高精細な薄膜パターンの蒸着形成を容易にする。
【解決手段】蒸発源２から蒸発した有機ＥＬ材料の蒸着分子２３が有機ＥＬ表示用基板５に到達する前に上記蒸着分子２３を帯電させる段階と、発光層１６を形成する箇所に対応して位置する画素電極１４の基板側の面に電気的に接触させて設けられた抵抗体２１に、帯電された蒸着分子２３の帯電極性とは異なる極性で且つ有機ＥＬ材料を昇華させない程度に制限された温度を発生させ得る電圧を印加して通電する段階と、発光層１６を形成しない箇所に対応して位置する画素電極１４の基板側の面に電気的に接触させて設けられた抵抗体２１に、帯電された蒸着分子２３の帯電極性と同じ極性で且つ有機ＥＬ材料を昇華させるのに十分な温度を発生させ得る電圧を印加して通電する段階と、を行う。 （もっと読む）