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Fターム[4K029AA24]の内容

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Fターム[4K029AA24]に分類される特許

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【課題】被処理基板に対して成膜の初期段階から持続的に除電を行なうことによって、異常放電の発生を抑制することが可能なスパッタリング装置を得る。
【解決手段】スパッタリング処理によって被処理基板100に対して導電膜103を形成するスパッタリング装置は、処理室と、金属製のローラ基部3Lおよびローラ基部3Lの全周に設けられる樹脂材3Rを含む搬送ローラ3と、樹脂材3Rの表面を被覆しつつローラ基部3Lに電気的に導通された導電部3Sと、を備え、処理室内で被処理基板100に導電膜103を形成するとき、被処理基板100は、導電部3Sに当接して搬送ローラ3に搬送され、導電部3Sを通して除電されつつスパッタリング処理される。 (もっと読む)


【課題】金属カルコゲナイドを含む均一且つ良好な化合物半導体を製造する。
【解決手段】カルコゲン元素を含む化合物半導体の薄膜が製造される際に、該化合物半導体に含まれるカルコゲン元素以外の金属元素を少なくとも含む皮膜が一主面に配されている1以上の基板が準備され、該1以上の基板が加熱炉内の基板配置領域に配置される。そして、該加熱炉内において、該1以上の基板の一主面および端面のうちの少なくとも一方の面に対向する位置にカルコゲン元素が付着している付着部が配置されている状態で、非酸化性の気体の流れが発生されながら、該1以上の基板が加熱されることによって、該1以上の基板の一主面に化合物半導体の薄膜が形成される。 (もっと読む)


【課題】シャドウマスクを使用することなく高精細な薄膜パターンの蒸着形成を容易にする。
【解決手段】蒸発源2から蒸発した有機EL材料の蒸着分子23が有機EL表示用基板5に到達する前に上記蒸着分子23を帯電させる段階と、発光層16を形成する箇所に対応して位置する画素電極14の基板側の面に電気的に接触させて設けられた抵抗体21に、帯電された蒸着分子23の帯電極性とは異なる極性で且つ有機EL材料を昇華させない程度に制限された温度を発生させ得る電圧を印加して通電する段階と、発光層16を形成しない箇所に対応して位置する画素電極14の基板側の面に電気的に接触させて設けられた抵抗体21に、帯電された蒸着分子23の帯電極性と同じ極性で且つ有機EL材料を昇華させるのに十分な温度を発生させ得る電圧を印加して通電する段階と、を行う。 (もっと読む)


【課題】ヘッドスペーシングの拡大、および磁性層の磁気異方性の低下を抑制することができる垂直磁気記録媒体の製造方法の提供。
【解決手段】(1)規則合金を構成する金属および炭素を含むターゲットを用いるスパッタ法によって、非磁性基板上に、規則合金の結晶粒子および炭素からなる粒界層を含む磁気記録層と、磁気記録層上に存在し、炭素からなる保護層前駆体とを形成する工程と、(2)保護層前駆体に、炭化水素系ガスに対するプラズマ放電により生成した炭化水素系イオンを照射して、保護層前駆体を保護層に変化させる工程とを含み、炭化水素系イオンは保護層前駆体に到達する際に300eV以上のエネルギーを有することを特徴とする方法。 (もっと読む)


【課題】分子線エピタキシー(MBE)による成膜に先立って、原料蒸発源セルの周辺に存する不純物を、原料を浪費することなく除去して所期の高真空度を達成し、容易且つ確実に信頼性の高い成膜を実現する成膜装置、成膜方法、及び化合物半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】MBE装置は、原料10が充填される坩堝11と、坩堝11を覆うように配置された第1のヒータ13と、第1のヒータ13を覆うように配置された熱反射板14と、熱反射板を覆うように配置された第2のヒータ15とを備えた原料蒸発源セル2と、原料蒸発源セル2の少なくとも一部を囲み、その壁面を液体窒素温度に冷却することができるシュラウド4とを含み構成される。 (もっと読む)


【課題】用途に合わせて要求される電気的特性を備えた酸化物半導体層を用いたトランジスタ、及び該トランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物絶縁膜上に、半導体層、ソース電極層又はドレイン電極層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極層が順に積層されたトランジスタにおいて、該半導体層としてエネルギーギャップの異なる少なくとも2層の酸化物半導体層を含み、かつ積層された酸化物半導体層の間に混合領域を有する酸化物半導体積層を用いる。 (もっと読む)


【課題】ドライエッチングにより微細加工を行った場合に、エッチング残渣が少なく、後工程における信頼性が高い非鉛の圧電体膜素子の製造方法、圧電体膜素子及び圧電体デバイスを提供する。
【解決手段】圧電体膜素子1の製造方法は、基板2上に、組成式(K1−xNa)NbOで表されるペロブスカイト構造を有する非鉛のアルカリニオブ酸化物系化合物からなる圧電体膜5を形成する工程と、圧電体膜5を、フッ素系反応ガスを含む雰囲気中で低圧プラズマを用いてエッチングを行う工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】 膜の良好な平坦性および耐紫外線性を有すると共に酸化による反射率の低下を防ぐことができる光記録媒体の反射膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびこのターゲットを用いて成膜した光記録媒体の反射膜を提供する。
【解決手段】 反射膜形成用銀合金スパッタリングターゲットが、In:0.5〜10質量%およびZn:0.5〜10質量%を含有し、残部がAgおよび不可避不純物からなる組成の銀合金からなる。または、In:0.5〜10質量%、Zn:0.5〜10質量%およびCu:0.5〜2質量%を含有し、残部がAgおよび不可避不純物からなる組成の銀合金からなる。 (もっと読む)


【課題】成膜レートを維持しつつ基板上への異物の落下を抑制する。
【解決手段】チャンバー110と、チャンバー110内で成膜処理される基板の上面と対向する主面を有するターゲット130とを備える。また、ターゲット130を下方から支持してチャンバー110に固定する係合部材140および頭付螺子150と、係合部材140と係合して取り付けられ、係合部材140および頭付螺子150の下方を覆う防着部材160とを備える。ターゲット130は、主面の一部に凹部131を有する。係合部材140および頭付螺子150は、上記凹部130内に位置する。防着部材160は、凹部131を埋めるように位置する。防着部材160のターゲット130と面する裏面とは反対側の表面は、ステージ120の上面と対向して平面である。 (もっと読む)


【課題】短チャネル効果を抑制させつつ微細化を行い、低消費電力化した半導体装置を提供する。
【解決手段】重畳する第1のトランジスタおよび第2のトランジスタからなる第1のインバータと、重畳する第3のトランジスタおよび第4のトランジスタからなる第2のインバータと、第1の選択トランジスタと、第2の選択トランジスタと、を有し、第1のインバータの出力端子、第2のインバータの入力端子および第1の選択トランジスタのソースおよびドレインの一方が接続され、第2のインバータの出力端子、第1のインバータの入力端子および第2の選択トランジスタのソースおよびドレインの一方が接続されることによって、微細化したSRAM回路を形成する。 (もっと読む)


【課題】広範な波長領域の光に対する散乱性能を高めた透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】透明導電膜の製造方法は、酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜を基体上にスパッタリング法によって形成する膜形成工程と、透明導電膜をアニール処理するアニール工程と、透明導電膜をウェットエッチングするエッチング工程と、を備える。アニール工程は、エッチング工程よりも前に行われてもよい。透明導電膜のアニール処理の温度が300〜600℃であってもよい。 (もっと読む)


【課題】反射膜の膜厚が約25nm以下に薄く調整されていても、光情報記録媒体での反射率やジッター値などの初期特性に優れていることは勿論のこと、高温高湿下で長期間保管した場合であってもこれらの特性が劣化することがなく、耐久性に優れた光情報記録媒体用反射膜を提供する。
【解決手段】本発明の光情報記録媒体用反射膜は、Siを0.5〜10%、および/またはGeを0.5〜10%と、高融点金属元素を0.2〜1.0%含むAl基合金からなる。上記反射膜の膜厚は25nm以下である。 (もっと読む)


【課題】蒸着源アセンブリ、有機層蒸着装置及びそれを利用した有機発光表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】製造が容易で、大型基板量産工程に容易に適用され、製造収率及び蒸着効率の向上した有機層蒸着装置及びそれを利用した有機発光表示装置の製造方法に係り、蒸着物質を放射する第1蒸着源110a、及び第1蒸着源上にスタックされた形態に配列され、第1蒸着源と異なる蒸着物質を放射する第2蒸着源110bと、被蒸着体に向かう第2蒸着源の一側に配置され、第2蒸着源から形成された複数個の第2蒸着源ノズル121bを含む第2蒸着源ノズル部と、第2蒸着源の一側に配置され、第1蒸着源から第2蒸着源を貫通して形成された第1蒸着源ノズルを含む第1蒸着源ノズル部121aと、を含む。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタは、非晶質シリコンを用いたトランジスタと比較して信頼性が劣る場合があった。そこで、信頼性が高い酸化物半導体を用いたトランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜に含まれる水素、窒素および炭素などの不純物は酸化物半導体膜の半導体特性を低下させる要因となる。例えば、酸化物半導体膜に含まれる水素および窒素は、酸化物半導体膜を用いたトランジスタのしきい値電圧をマイナス方向へシフトさせてしまう要因となる。また、酸化物半導体膜に含まれる窒素、炭素および希ガスは、酸化物半導体膜中に結晶領域が生成されることを阻害する。そこで、酸化物半導体膜の不純物濃度を低減することで、高い信頼性を有するトランジスタを作製する。 (もっと読む)


【課題】 規則化温度の低い膜を成膜することができると共にパーティクルの発生が抑制可能な磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットが、一般式:{(FePt100−x(100−y)In(100−z)、原子比により30≦x≦80、1≦y≦20、3≦z≦65で表される組成を有した焼結体からなる。また、このスパッタリングターゲットの製造方法は、InPt合金粉と、FePt合金粉と、Pt粉と、グラファイト粉またはカーボンブラック粉と、の混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程を有している。 (もっと読む)


【課題】大型ターゲット等の製造コストの低減を図った上で、ターゲットに起因するパーティクルの発生を抑制したスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタリングターゲット1の製造方法は、基体2と金属原料粒子とを準備する工程と、基体2にコールドスプレー法を適用して金属原料粒子を高速で吹付け、基体2上に金属粒子4の堆積膜からなるターゲット層3を形成する工程とを具備する。ターゲット層3のX線回折チャートにおける第1ピークと第2ピークとの比率をP1、金属原料粒子のX線回折チャートにおける第1ピークと第2ピークとの比率をP2としたとき、P1とP2との差が10%以内となるように、金属原料粒子を基体2に吹付ける。 (もっと読む)


【課題】カルーセルが大型である場合にも、成膜される薄膜の厚みや膜質がばらつきにくいスパッタリング成膜装置のカルーセル及びそれを備えるスパッタリング成膜装置を提供する。
【解決手段】カルーセルは、カルーセルの回転軸を中心として回転するホルダ30を備える。ホルダ30は、取付部32と押さえ部材33とを備える。取付部32は、開口部31とフランジ部とを有する。開口部31には、スパッタリング成膜される被成膜部材4が挿入される。フランジ部は、開口部31の内壁から内側に向かって突出している。フランジ部は、開口部31に挿入される被成膜部材4に当接する。押さえ部材33は、開口部31に、開口部31の軸方向に変位可能に挿入されている。押さえ部材33は、ホルダ30と共に回転することにより、遠心力によりフランジ部に対して被成膜部材4を径方向外側に向けて押圧する。 (もっと読む)


【課題】
本発明の目的は、クラスタを自由に構成できる有機ELデバイス製造装置及び同製造方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、蒸着材料を基板に蒸着する処理部を具備する真空処理チャンバと、前記基板を搬入または搬出する受渡室と、前記基板を前記受渡室と前記複数の処理部との間を放射状に搬送する搬送手段とを具備する真空搬送チャンバとを備えるクラスタを、前記受渡室を介して複数有する有機ELデバイス製造装置において、前記受渡室は、載置基台に支持され前記基板を載置する載置部と、前記基板を前後反転させる前後反転補正機構、前記基板を搬送方向に移動させる搬送方向移動機構のうち少なくとも一方を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】表面平坦性に優れ、かつ高濃度の窒素ドーピングを実現できるZnO系薄膜を作製する方法を提供する。
【解決手段】主面の法線が結晶軸から傾斜した酸化亜鉛系基板1上に、窒素ドープ酸化亜鉛系薄膜2を形成するにあたって、少なくとも亜鉛と酸素と窒素を原料ガスとして使用し、これらを750〜900℃の温度条件で基板1に接触させて、基板1表面に、窒素をドープした酸化亜鉛系材料からなる結晶を成長させて窒素ドープ酸化亜鉛系薄膜2を形成する。原料ガスとしての酸素供給量に対する亜鉛供給量は、窒素ドープ酸化亜鉛系薄膜の亜鉛と酸素のモル比(亜鉛/酸素)が1より大きくなるようにされる。原料ガスとしての窒素は、窒素ガスを高周波で励起することによって発生させた窒素ラジカルを含む。 (もっと読む)


【課題】トランジスタ特性(移動度、オフ電流、閾値電圧)及び信頼性(閾値電圧シフト、耐湿性)が良好で、ディスプレイパネルに適した電界効果型トランジスタを提供すること。
【解決手段】基板上に、少なくともゲート電極と、ゲート絶縁膜と、半導体層と、半導体層の保護層と、ソース電極と、ドレイン電極とを有し、ソース電極とドレイン電極が、半導体層を介して接続してあり、ゲート電極と半導体層の間にゲート絶縁膜があり、半導体層の少なくとも一面側に保護層を有し、半導体層が、In原子、Sn原子及びZn原子を含む酸化物であり、かつ、Zn/(In+Sn+Zn)で表される原子組成比率が25原子%以上75原子%以下であり、Sn/(In+Sn+Zn)で表される原子組成比率が50原子%未満であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 (もっと読む)


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