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Fターム[4K029AA24]の内容

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Fターム[4K029AA24]に分類される特許

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【課題】プラズマ状態を安定させ、かつ、好適な成膜条件によって、良質な膜を成膜できる成膜装置および成膜方法、これらによって成膜した圧電膜、および、この圧電膜を用いる液体吐出装置を提供することにある。
【解決手段】真空容器と、ターゲットホルダと、基板ホルダと、アノードとを有し、前記アノードは、前記基板ホルダの外周を取り囲むように設けられた筒状部材と、前記筒状部材の内周面に、前記基板ホルダと直交する方向に互いに離間した状態で取り付けられ、かつ、前記成膜用基板よりも大きい中心開口を持つ環状である複数枚の板状部材とを有し、前記真空容器内に前記ガスを導入し、前記ターゲットホルダと基板ホルダとの間に、電圧をかけてプラズマを生成し、前記成膜用基板上に前記成膜材料の薄膜を形成することにより、前記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】低抵抗性で耐熱性に優れ、表面凹凸が小さい低抵抗金属層を備える積層体、このような積層体上に形成され、膜質のバラツキや表面粗さの小さい高品質な圧電体層を備える圧電素子、およびこの圧電素子を用いた液体吐出装置を提供する。
【解決手段】圧電素子10は、積層体30を用いるもので、基板12、熱酸化膜14、密着金属層16、金含有層18、密着金属層20、金属層22、圧電体層24、上部電極層26をこの順で積層した積層構造を有する。密着金属層16、金含有層18、密着金属層20および金属層22は、電極層、特に、下部電極層として用いられる低抵抗金属層28を構成し、基板12、熱酸化膜14および低抵抗金属層28は、積層体30を構成する。 (もっと読む)


【課題】優れたエッチング選択性及び微細加工性を示し、高密度プラズマ下においてもエッチング速度とエッチング選択性のバランスに優れたドライエッチングが可能であり、また、加熱処理を施しても応力緩和の小さいフルオロカーボン膜を成膜可能なプラズマ反応用ガスを提供すること。
【解決手段】パーフルオロ−(3−メチレンシクロペンテン)を含有してなるプラズマ反応用ガス。 (もっと読む)


【課題】強誘電性能に優れた新規組成のペロブスカイト型酸化物を提供する。
【解決手段】ペロブスカイト型酸化物は、下記一般式で表されるものである。(A,B)(C,D,X)O(A:Aサイト元素である。A=Bi、0<a。B:1種又は複数種のAサイト元素である。0≦b<1.0。C:Bサイト元素である。C=Fe、0<c<1.0。D:1種又は複数種のBサイト元素である。0≦d<1.0。0<b+d。X:1種又は複数種のBサイト元素である。CとDの化学式上の平均価数よりも化学式上の平均価数が大きい元素である。0<x<1.0。(Aサイトの化学式上の平均価数)+(Bサイトの化学式上の平均価数)>6.0。O:酸素。Aサイト元素とBサイト元素と酸素のモル比は1:1:3が標準であるが、これらのモル比はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準モル比からずれてもよい。) (もっと読む)


【課題】酸化亜鉛系ターゲットを使用し、酸素ガス、水素ガス、水蒸気の群から選択される2種または3種を含む反応性ガス中の各々のガスの比を変化させてスパッタすることにより、屈折率の異なる複数の屈折率層を積層し、所望の反射防止性能を得ることが可能な酸化亜鉛系の反射防止膜の成膜方法及び反射防止膜並びに成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明の反射防止膜の成膜方法は、ガス導入手段35を用いて、成膜室23内を酸素ガス、水素ガス、水蒸気の群から選択される2種または3種を含む第1の反応性ガス雰囲気として第1の酸化亜鉛系薄膜を成膜し、次いで、この成膜室23内を酸素ガス、水素ガス、水蒸気の群から選択される2種または3種を含みかつ第1の反応性ガスと異なる組成の第2の反応性ガス雰囲気として第1の酸化亜鉛系薄膜上に第2の酸化亜鉛系薄膜を成膜する。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体、ターゲット組成の再現性が高いスパッタリングターゲット、大面積均一性、再現性の高い電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】In(インジウム)元素と、Sn(錫)元素と、6周期までの、3A族元素、4A族元素、5A族元素、6A族元素、7A族元素、8族元素及びSnより原子番号の小さい4B族から選択される1種以上の元素Xを含む酸化物半導体。 (もっと読む)


【課題】結晶性を向上するAlN結晶の製造方法、AlN基板の製造方法および圧電振動子の製造方法を提供する。
【解決手段】AlN結晶10の製造方法は、AlN下地基板11を準備する工程と、AlN下地基板11上にAlN結晶10を成長する工程と、AlN結晶10からAlN下地基板11を分離する工程とを備えている。AlN下地基板11およびAlN結晶10の一方は、280nm以下の波長の光に対して吸収係数が100cm-1以上である。AlN下地基板11およびAlN結晶10の他方は、220nm以上280nm以下の波長の少なくとも一部の波長域の光に対して吸収係数が100cm-1未満である。上記分離する工程では、AlN下地基板11およびAlN結晶10のうち吸収係数が低い他方側から光を照射する。 (もっと読む)


【課題】膜厚が均一な膜を手軽に成膜する。
【解決手段】ロータリーマグネトロンスパッタ装置300において、ターゲット330と、そのターゲット330のディスク基板201側に対する裏側に配置され磁界を発生させる、その磁界は頂点がターゲット330のディスク基板201側に達するアーチ状の磁界であり、その磁界をターゲット330に沿って周回移動させるロータリーマグネトロンカソード340との間に挿入され、上記磁界の周回移動経路上の一部でその磁界のターゲット330への到達を減らす軟磁性板360を備えた。 (もっと読む)


【課題】薄膜トランジスター中間体および薄膜トランジスターを提供する。
【解決手段】nアモルファスSi半導体膜4の上に形成されたnアモルファスSiオーミック膜4´と、nアモルファスSiオーミック膜4´の上に形成されたバリア膜11と、バリア膜11の上に形成されたドレイン電極膜5およびソース電極膜6を有する薄膜トランジスター中間体であって、ドレイン電極膜およびソース電極膜は、バリア膜11に接して形成されているSr:0.2〜2モル%、酸素:1〜20モル%を含有し、残部がCuからなる酸素−ストロンチウム含有銅合金下地層12と、酸素−ストロンチウム含有銅合金下地層12の上に形成されたCu層13とからなる複合銅合金膜14が形成されている薄膜トランジスター中間体、並びにこの薄膜トランジスター中間体をプラズマ水素処理して得られた薄膜トランジスター。 (もっと読む)


【課題】 電子部品となるような短冊状基板の両面に同時に成膜する方法であって、均一に成膜された短冊状基板の成膜方法の提供を目的とする。
【解決手段】 マグネトロン方式スパッタリング装置を使用し、短冊状基板を取り付けた基板固定冶具を基板ホルダーに設置し、同時に短冊状基板の両面に成膜する方法であって、短冊状基板をスパッタ源の法線方向に対して0度±10度の範囲となるように設置し、基板ホルダーを回転させ、基板に負のパルスバイアス電圧を印加し、負のパルスバイアス電圧を100V以上1000V以下の範囲とし、かつ電源offの継続時間t-offと電源onの継続時間t-onの比であるt-off/t-onを0.1≦ t-off/t-on ≦ 1の範囲として、短冊状基板の両面へ同時に成膜することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】撥水性、滑水性、耐久性に優れた薄膜を提供する。
【解決手段】表面粗さ(Ra)が2nm以下であり、水に対する接触角が30°以上であり、水滴転落角が40°以下である。 (もっと読む)


【課題】プラズマ状態を安定させ、かつ、好適な成膜条件によって、良質な膜を成膜できる成膜装置および成膜方法、これらによって成膜した圧電膜、および、この圧電膜を用いる液体吐出装置を提供することにある。
【解決手段】真空容器と、ターゲットホルダと、基板ホルダと、ターゲットホルダと基板ホルダとの間に、プラズマ中のイオンを補足するために、基板ホルダのターゲットホルダ側の外周を取り囲むように設けられたアノードとを有し、アノードは、板状部材を1枚または複数枚重ねたものであり、真空容器内にガスを導入し、ターゲットホルダと基板ホルダとの間に、電圧をかけてプラズマを生成し、成膜用基板上に成膜材料の薄膜を形成することにより、前記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】成膜中に膜材料の表面に付着または析出した異物を落下し易くできる成膜方法、膜材料、および成膜装置を提供すること。
【解決手段】成膜方法は、膜材料22を蒸発させて基板28の表面28aに成膜する成膜方法であって、膜材料22は、表面が曲面で構成された形状を有する固体からなり、複数の膜材料22をハース20に収容し、膜材料22の表面を加熱することにより膜材料22を蒸発させることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】非エロージョン領域から剥離した粒子が基板に堆積することを高いレベルで抑制可能な、透明導電性膜を形成するために用いるスパッタリング装置を提供することにある。
【解決手段】基板支持体と、上記基板支持体と離間して平行に配置されたターゲット支持体と、上記ターゲット支持体の上記基板支持体とは反対側に配置された複数の磁性体とを備え、電源パワーにより駆動し、上記複数の磁性体は、上記ターゲット支持体の中心部に位置する第1の磁性体と、上記第1の磁性体に対して上記ターゲット支持体の外周側に位置する第2の磁性体とを含み、上記電源パワーが増減可能である。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、高ON/OFF比を有し、且つ動作安定性に優れた酸化物半導体を用いた薄膜電界効果型トランジスタの製造方法を提供することにある
【解決手段】ゲート電極2を形成する工程、ゲート絶縁膜3を形成する工程、酸化物半導体よりなる活性層を形成する工程、該活性層に接して該活性層より電気伝導度の低い酸化物半導体よりなる抵抗層6を形成する工程、該抵抗層の一部を低抵抗化処理することにより所定の間隔を離して少なくとも2つの低抵抗領域を形成する低抵抗化処理工程であって、該2つの低抵抗領域に挟まれた低抵抗化処理が施されなかった領域(未低抵抗化領域)が、平面上、前記ゲート電極の内側に形成され、及び前記2つの低抵抗領域のそれぞれと接してソース電極及びドレイン電極を形成する工程を有する薄膜電界効果型トランジスタの製造方法。 (もっと読む)


【課題】大型基板へ成膜でき、電極配線の電気抵抗の低減に対応できると共に、均一なスパッタリングができる大型サイズの無酸素銅スパッタリングターゲット材及び無酸素銅スパッタリングターゲット材の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る無酸素銅スパッタリングターゲット材1は、純度が3N以上の無酸素銅からなる第1の板材20及び第1の板材20と同一材料から構成される第2の板材22と、第1の板材20と第2の板材22との間に第1の板材20及び第2の板材22から形成される接合部10とを備え、第1の板材20及び第2の板材22並びに接合部10はそれぞれ、平均結晶粒径が0.02mm以上0.04mm以下の平均結晶粒径を有する。 (もっと読む)


【課題】本発明のスパッタリング装置によれば、プレスパッタ時に比べてメインスパッタ時のエロージョン領域を縮小することができ、プレスパッタ時に非エロージョン領域に堆積したターゲット粒子をメインスパッタ時に剥離し難くし、当該粒子の基板への堆積を抑制することができる。
【解決手段】本発明は、複数の磁性体が、ターゲット支持体の中心部に位置する第1の磁性体と、第1の磁性体に対してターゲット支持体の外周側に位置する第2の磁性体とを含み、第2の磁性体が、ターゲット支持体の基板支持体とは反対側の面内で第1の位置から第2の位置まで移動自在であり、上記第1の位置は基板への成膜を行わない場合の位置であり、上記第2の位置は前記第1の位置に対して上記ターゲット支持体の中心側であって、基板への成膜を行う場合の位置であるスパッタリング装置に関する。 (もっと読む)


【課題】 透明導電膜を形成するスパッタリング成膜においてノジュールの発生が少なく、歩留まりが良く、生産性が良い構造の、透明な導電性膜を備えたカラー表示用の液晶パネル等の導電性膜形成基板を提供する。
【解決手段】 基材の一面側に電極用の透明導電膜を配した表示パネル用の透明導電膜形成基板であって、前記透明導電膜は、基材側から順にインジウム亜鉛酸化物膜とITO膜とを積層している2層構造である。特に、前記透明導電膜は着色層からなるカラーフィルタ上に配設されている。 (もっと読む)


【課題】軽量で、薄肉化可能な、透明性に優れ、且つ加工性良好で、加工時或いは加工後の剥離、変形のない透明性電極層含有シートを提供することを目的とした。
【解決手段】ポリカーボネート素材或いは架橋型アクリル樹脂素材と透明電極層だけで積層シートを構成することにより、熱膨張率を同一或いは類似したレベルに設定でき、異種材料間で問題となる熱膨張率が原因の加工時或いは加工後の剥離、変形のない積層シートを得た。 (もっと読む)


【課題】本発明は、プラズマディスプレイパネルの保護層を良好に形成することを可能とし、もって良好な画像表示を行うプラズマディスプレイパネルを実現することを可能とする成膜材料(蒸着材料)の提供を目的とするものである。
【解決手段】この目的を実現するために本発明は、成膜装置への供給がシューター(材料補給路)を通じて行われる成膜材料であって、その形状が、主面が楕円形状で、厚み(t)を有する楕円柱形状である成膜材料202である。 (もっと読む)


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