【課題】圧電性能に優れた強誘電性酸化物を提供する。
【解決手段】特定構造の結晶対称性を有する下記一般式（ａ１）で表される組成を有する強誘電性酸化物においてＡサイト元素となり得るイオン半径及びイオン価数を有するＡサイト元素Ａと、Ｂサイト元素となりうるイオン半径及びイオン価数を有するＢサイト元素Ｂを選択して構成元素を決定し、特定構造の結晶対称性を有する強誘電性酸化物に対して、自発分極方向に電界を印加して自発分極方向へ変位させた時のＢｉ元素のＢｏｒｎ有効電荷が、同じ特定構造のＢｉＦｅＯ_３のＢｉ元素のＢｏｒｎ有効電荷より大きくなるように組成を決定し、この組成の強誘電性酸化物を製造する。
ＡＢＯ_３・・・（ａ１）
（式（ａ１）中、ＡはＢｉを主成分とする1種又は複数種のＡサイト元素、Ｂは１種又は複数種のＢサイト元素、Ｏは酸素。） （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体におけるＮｉ−Ｗ−（Ｓｉ，Ｂ）系中間層膜製造用スパッタリングターゲット材および薄膜製造用スパッタリングターゲット材を用いて製造した薄膜を提供する。
【解決手段】 ａｔ％で、Ｗを１〜２０％、ＳｉおよびＢを総量として０．１〜１０％含み、残部Ｎｉからなる垂直磁気記録媒体におけるＮｉ−Ｗ−（Ｓｉ，Ｂ）系中間層膜を製造するスパッタリングターゲット材。また、上記ＳｉおよびＢの組成比が２：８〜６：４である、スパッタリングターゲット材、および薄膜製造用スパッタリングターゲット材を用いて製造した薄膜にある。 （もっと読む）

【課題】 溶湯内層への酸化インジウムの取り込みが少なく、取り分け薄膜太陽電池薄膜太陽電池のＣｕ−Ｇａ／Ｉｎの積層プリカーサー光吸収層であるインジウム膜成膜用として適したインジウムターゲットの安価な製造方法の提供を課題とする。
【解決手段】 加熱装置の上に裁置され、加熱された鋳型に所定量の純度９９．９９％以上、酸素含有量が０．００１ｗｔ％以下のインジウム原料を投入して溶解し、表面に浮遊する酸化インジウムを除去し、冷却してインゴットを得、得たインゴット表面を研削してインジウムターゲットを得るに際し、所定量のインジウム原料を一度に鋳型に投入せずに複数回に分けて投入し、都度生成した溶湯表面の酸化インジウムを除去し、その後、冷却して得られたインゴットを表面研削して得る。用いる原料の形態は、インゴット、リボン状、粉末いずれでもよい。 （もっと読む）

【課題】導電性および十分な耐傷性（硬さ）を有し、基材が被覆されて黒みを帯びた色調を呈する数μｍ以下の薄膜を提供する。
【解決手段】アルミニウムとマンガンからなる蒸着源と、希ガスに窒素を混合した雰囲気ガスとを用いて、物理蒸着法により基材表面に被覆して形成される窒化アルミニウムを基とする導電性薄膜であって、Ｍｎを２ａｔ％以上２５ａｔ％以下、Ｎを１０ａｔ％以上５０ａｔ％未満含有し、前記Ｍｎ，Ｎの各含有量（ａｔ％：原子濃度）を、［Ｍｎ］、［Ｎ］として表したとき、１０／１５×［Ｍｎ］＋５０／１５＜［Ｎ］＜２０／１８×［Ｍｎ］＋５００／１８を満足することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】バルク抵抗が低く、高密度の酸化物焼結体及びスパッタリングターゲット、及び金属薄膜に対し選択的エッチング可能な透明非晶質酸化物半導体膜を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛と酸化ガリウムと酸化スズからなり、ＺｎＧａ_２Ｏ_４で表されるスピネル化合物の格子定数とＺｎ_２ＳｎＯ_４で表されるスピネル化合物の格子定数との中間の格子定数を有するＡＢ_２Ｏ_４型化合物で表されるスピネル化合物を含有する酸化物焼結体。 （もっと読む）

本発明は、基板と、対応する電極構造物とを有する電子音響部品（１）、特に、表面音波またはバルク音波で動作する部品に誘電体層（３）を形成する製造方法に関し、多重部品システムとしてのホウケイ酸ガラスなどの蒸着ガラス材料や、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミニウムなどの単部品システムからなる、蒸着材料のグループから選ばれる少なくとも一つの蒸着材料が、熱蒸着により析出するので、上記誘電体層（３）が、少なくとも部分的に形成される。本発明は、さらに、電子音響部品に関する。
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【課題】成膜レートを安定に維持することができるプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の一形態に係るプラズマ処理方法は、エッチング工程と保護膜形成工程とを交互に繰り返し実施することでシリコン基板に高アスペクト比のビアを形成する。そして、保護膜の形成工程にはスパッタ法が適用される。スパッタ工程では、アンテナコイル２３に高周波電力（ＲＦ１）を供給して、真空槽２１内にスパッタ用ガスのプラズマを形成する。このとき、アンテナコイル２３に供給する高周波電力を２ｋＷ以上とする。アンテナコイル２３に供給する高周波電力が２ｋＷ以上の場合、当該高周波電力が２ｋＷ未満である場合と比較して、ターゲット３０の使用時間に依存しない安定した成膜レートを得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛透明導電酸化物層上に低屈折率のカーボン膜を形成することで、光線透過率は向上するが、水分や空気に対する耐久性は向上しない。また、有機珪素化合物層を酸化亜鉛透明導電酸化物層上に直接形成しようとしても、大面積では均一に形成することが困難であったが，それを解決する透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板１上に透明導電酸化物層２／カーボン層３のさらにその上に、有機珪素化合物層４を形成することで、水分や空気に対する耐久性の向上が可能となり、さらに大面積にした場合も均一に作製することができる。 （もっと読む）

【課題】成膜室を大気に開放させることなく、遮蔽板を交換することができるスパッタ装置を提供する。
【解決手段】真空容器１１に備えられた成膜室１１Ａの内部でターゲットのスパッタ物質を基板上に付着させるスパッタ装置１であって、ターゲットと基板の間にターゲットと対向して配置され、基板に付着させるスパッタ物質の厚み分布を制御する遮蔽板３６と、真空容器１１に備えられ、成膜室１１Ａに対してゲートバルブ１１ｄを介して連通する遮蔽板切替室１１Ｃと、成膜室１１Ａ内のターゲット及び基板間との間で、遮蔽板３６を移動させる移動手段１００，１００ａ，１００ｂ，１０２ａ，１０２ｂ，２００，３００，３０２，３０４，３０６，３０８，４００とを有するスパッタ装置１。 （もっと読む）

【課題】例えばＣｕ膜に対するバリヤ性及び密着性を高く維持することができる層構造を形成する成膜方法を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器１３２内で、表面に凹部２を有する被処理体Ｗの表面に成膜処理を施す成膜方法において、遷移金属含有原料ガスを用いて熱処理により遷移金属含有膜２１０を形成する遷移金属含有膜形成工程と、元素周期表のVIII族の元素を含む金属膜２１２を形成する金属膜形成工程とを有するようにする。これにより、例えばＣｕ膜に対するバリヤ性及び密着性を高く維持する。 （もっと読む）

【課題】全面均一平坦シード層を用い、かつｐ型半導体層のキャリア濃度を増大化させ、信頼性の高い高輝度のＬＥＤ等を得る。
【解決手段】サファイア基板１１表面に、シード層１２として、縦断面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）写真の２００ｎｍ観察視野において結晶粒界が観察されないＡｌＮ結晶膜を形成させ、ついでＩＩＩ族窒化物半導体からなる、ｎ型半導体層１４、発光層１５およびｐ型半導体層１６を積層してなるＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体２０を製造するに際し、下記（Ａ）〜（Ｄ）から選ばれる少なくとも１種の方法を用いてｐ型半導体層のキャリア濃度を増大化させる。(Ａ）ｐ型半導体層の成膜をN₂主体のキャリアガスを用いて行なう。（Ｂ）ｐ型半導体層の成膜終了後の冷却中の雰囲気をN₂主体にする。(Ｃ）得られたＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を熱処理する。(Ｄ）得られたＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体をN₂プラズマ処理する。 （もっと読む）

【課題】低電圧で大量の熱電子を放出するプラズマ発生装置および成膜装置を提供する。
【解決手段】プラズマ発生装置１１では、カソード２に熱電子を放出する筒状体に成形された熱電子放出部４２が複数設けられている。このプラズマ発生装置１１は、カソード２からアノード３に向けてイオン化させた不活性ガスを放出して放電させることにより、カソード２とアノード３との間にプラズマを発生させ、熱電子放出部４２では、その筒内周面４３および筒外周面４４から熱電子を放出する。 （もっと読む）

本明細書で述べられる実施形態は一般に、向上したウェハー設置精度、再現性、信頼性、および耐食性を有するリフトピンアセンブリを提供する。一実施形態では、基板支持部に関して基板を位置決めするためのリフトピンアセンブリが、提供される。リフトピンアセンブリは、ピンシャフトと、基板を支持するためのピンシャフトの第１の端部と結合されるピン頭部と、ピンシャフトの第２の端部と結合される肩部とを含むリフトピンを含む。リフトピンアセンブリはさらに、ピンシャフトとスライド可能に結合される円筒体と、円筒体がシャフトに沿ってスライドすることを防止するための係止ピンとを含み、肩部は、係止ピンを受け入れる寸法に形成された貫通穴を有する。
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【課題】シリコンウェーハ裏面生じた突起を容易かつ高精度に判別できるシリコンウェーハ裏面の突起検査方法およびこれを用いたシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハＷの裏面に生じた突起を検査する方法であって、シリコンウェーハ裏面を所定の半径幅ごとおよび所定の中心角範囲ごとに区切ることによって、シリコンウェーハ裏面を複数のセルＣｅの集合体として仮想分割する準備ステップと、セルＣｅごとに、光照射により形成される干渉縞をもとに前記突起の有無を判別する評価ステップと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

陰極としてのターゲット物質、陽極およびワークピースを有するスパッタリング室を備えるスパッタリングシステム。直流（ＤＣ）電源が、上記スパッタリング室内にプラズマを生成するのに十分な電力を上記陽極および上記陰極に供給する。検出モジュールが、上記プラズマの電気特性をモニタリングすることにより上記スパッタリング室内でのアークの発生を検出する。上記モニタリングされる電気特性は、一実施形態では、上記プラズマのインピーダンスであり、別の実施形態では、上記プラズマのコンダクタンスである。
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【課題】被処理体に蒸着する成膜材料の蒸気を均熱化することができる有機ＥＬ成膜装置を提供する。
【解決手段】減圧された処理室３０内において、被処理体に成膜材料を蒸着して成膜処理する成膜装置であって、成膜材料の蒸気を噴出させる蒸気噴出口８０が処理室３０に配置された蒸着ヘッド６５を備える。蒸着ヘッド６５の内部には、処理室３０内に対して封止されたヒータ収納部１０２が形成されるとともに、ヒータ収納部１０２と処理室３０の外部とを連通させる連通路１０１が設けられる。ヒータ収納部１０２に収納されるヒータ１００の電力供給線１０４が、連通路１０１内に配置されて処理室３０の外側へ延びている。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、基板の裏面に対して高いシールド効果が得られるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】第１の成膜室３０内の基板ステージ３２上に基板トレー７０が載置されている。基板トレー７０は複数の基板８０を把持しており、基板８０の表面がターゲット４１に対向している。基板トレー７０の裏面側にはシールド板３４が当接している。シールド板３４には、シールド蓋３５との連結部３７が有するスプリングによって基板トレー７０の方向に所定の荷重が加わっている。シールド蓋３５は上端が閉塞した円筒状を有し、その円筒部は基板トレー７０を囲繞するとともに、下端が基板ステージ３２に当接する。シールド蓋３５及びこれに連結されたシールド板３４は、昇降機構３６により昇降可能である。 （もっと読む）

【課題】均質性が期待でき、耐湿性の高い、新規導電体または新規透明導電薄膜を提供する。
【解決手段】ホウ素のドープ量を１×１０^１９ｃｍ^−３〜５×１０^２２ｃｍ^−３としたアナターゼ型酸化チタンである。また、ホウ素のドープ量を５×１０²⁰ｃｍ^−３〜５×１０^２２ｃｍ^−３としたアナターゼ型酸化チタンを用いた透明導電薄膜である。これらは、ターゲットを直径１００ｍｍの酸化チタンとし、この上に５ｍｍ角のホウ素（Ｂ）チップを均一に配置し、ＲＦマグネトロンスパッタ法により得ることができる。 （もっと読む）

【課題】転写層となる材料層が余分に蒸着されるのを防ぐと共に所望の蒸着パターンを形成することができ、転写中に材料等の劣化が起きにくい方法を用いることにより、高精細で発光特性が高く、長寿命である発光装置の作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第１の基板の材料層が形成された一方の面から所定の条件式を満たす第１の光を照射することにより、材料層をパターン形成し、次いで第１の基板の他方の面から所定の条件式を満たす第２の光を照射することにより、パターン形成した材料層を被成膜基板である第２の基板上に蒸着させる発光装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】被蒸着材の広い被蒸着面に、より均一に蒸着可能な蒸着装置を提供する。
【解決手段】蒸発された蒸発材料をガラス基板Ｗに付着させる蒸着装置において、ガラス基板Ｗに対向して配置される蒸発材料通路１３の出口１３ａに連通して、内部に拡散空間１６を有する放出用容器１５を設け、放出用容器１５のガラス基板Ｗ側で、蒸発材料通路１３の出口１３ａの対向部位を除く所定位置に複数の放出孔１７を穿設し、拡散空間１６に、蒸発材料通路１３の出口１３ａに対向して蒸発材料粒子を反射する反射面板６１Ａを設ける。 （もっと読む）