【課題】テクスチャを設けることなしに磁気記録層に磁気異方性を付与することができる新規な構成を提供する。
【解決手段】 基板９上に形成された磁気記録層９１より成る磁気記録ディスクは、基板９と磁気記録層９１の間に磁気記録層９１に磁気異方性を付与する異方性付与層９２を有する。異方性付与層９２は、タンタル、ニオブ合金又はタンタル合金であって窒化されたもの又は窒素を含む薄膜であり、表面が大気ガス、窒素ガス又は酸素ガスに晒されて変性されている。異方性付与層９２は、例えばクロムニオブ合金製ターゲットを窒素を含むプロセスガスによってスパッタして作成した薄膜であり、成膜後に０．５〜１０Ｐａ程度の圧力の酸素ガスに晒す。ターゲットからのスパッタ粒子のうち、付与すべき異方性の方向に方向成分を持って飛行するスパッタ粒子を相対的多く基板９に入射させる方向制御が行われる。 （もっと読む）

【課題】処理むらを防止して、良好な被膜を安定的に形成できるようにした表面処理装置および表面処理方法を提供する。
【解決装置】本発明の表面処理方法は、大気圧よりも低い圧力下でシランカップリング剤Ｙ１を気化させ、気化したシランカップリング剤Ｙ２の雰囲気に無機膜１０を有する基板Ｗを晒すことで無機膜１０上にシランカップリング剤の被膜を形成する表面処理工程を有する。また、本発明の表面処理装置１は、上記表面処理方法に用いられる装置であって、シランカップリング剤Ｙ１を気化させる処理剤気化装置２１と、処理剤気化装置２１に対してキャリアガスを供給するガス供給装置２２と、無機膜１０を有した基板１０を配置するとともに気化したシランカップリング剤Ｙ２が供給される成膜室３と、成膜室３内を減圧するポンプ５とを有する。 （もっと読む）

【課題】 特に、基板上に高抵抗軟磁性膜（Ｆｅ−Ｍ−Ｏ）をスパッタ成膜して成るＲＦＩＤ用あるいは電磁波抑制用としての磁性シート及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 ＲＦＩＤタグ２と、金属部材３との間に磁性シート４が挿入されている。前記磁性シート４には、樹脂シートに、Ａ−Ｍ−Ｏ（ただし元素ＡはＦｅまたはＣｏまたはその混合物を表し、元素Ｍは、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａのうち少なくともいずれか一種を表す）から成り、元素ＭとＯの化合物を含むアモルファス相と、前記アモルファス相中に点在するＦｅまたはＣｏから選ばれる一種または二種を主体とした平均結晶粒径３０ｎｍ以下の微結晶相との膜構造で形成された高抵抗軟磁性膜がスパッタ成膜されている。これにより効果的にＲＦＩＤ特性の向上を図ることができるともに薄型化に貢献できる。またＦｅ−Ｍ−Ｏ膜に対して熱処理を施す必要がない。 （もっと読む）

【課題】キャリアを高速で搬送することができ、なお且つ成膜室内の排気能力が高く、高真空度を短時間で容易に実現できるインライン式成膜装置を提供する。
【解決手段】キャリア２５を非接触状態で駆動するリニアモータ駆動機構２０１と、キャリア２５の側面部に接触可能に設けられて、リニアモータ駆動機構２０１により駆動されるキャリア２５を水平方向にガイドする水平ガイド機構２０６と、キャリア２５の下端部に接触可能に設けられて、リニアモータ駆動機構２０１により駆動されるキャリア２５を鉛直方向にガイドする鉛直ガイド機構２０７とを備え、水平又は鉛直ガイド機構２０６，２０７は、キャリア２５の搬送方向に並ぶ複数の支軸２０９，２１１に制振部材を介して回転自在に取り付けられた複数のベアリング２１０，２１２を有し、この制振部材を介して支軸２０９，２１１とベアリング２１０，２１２との非接触状態が維持される。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜とＣｕを含む配線との間に介在する下地膜であって、特に酸素のバリア性が高い下地膜を含む電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置は、凹部の形成された絶縁膜と、凹部内に形成され、Ｃｕを含む配線層と、絶縁膜と前記配線層との間に形成され、Ｔａ及びＭｎを含む下地膜とを有する。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの酸化を抑制し、無機配向膜の製造能率の向上を図ることができるスパッタリング装置及び液晶装置の製造装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを収容すると共に、基板Ｗに沿って酸素ガスを供給するガス供給手段２２を備える成膜室２Ａと、対向する一対のターゲット５ａ、５ｂからプラズマＰｚによりスパッタ粒子５ｐを生じさせ、スパッタ粒子５ｐを成膜室２Ａに形成された開口部２Ａ１を介して基板Ｗに向けて放出するスパッタ粒子放出装置３とを備えて、無機配向膜を形成するスパッタリング装置１であって、開口部２Ａ１が設けられる位置と、ターゲット５ａ、５ｂが設けられる位置との間に設けられ、開口部２Ａ１から流出する上記酸素ガスの酸素を付着させるための付着部３０を有するという構成を採用する。 （もっと読む）

【課題】最終、ＧａＮＬＥＤなどに形成されるナノコラムをカタリスト材料膜を用いて成長させるにあたって、前記カタリスト材料膜を短時間で形成する。
【解決手段】カタリスト材料膜１２を蒸着・フォトで形成するのではなく、成長基板１１を真空容器２に収容し、ガス供給源４から材料ガスを供給し、その雰囲気７中で、ビーム源５から、イオンビーム６をナノコラムの柱径に収束させて成長基板１１上に照射することで、前記カタリスト材料膜１２をパターニングされた状態で直接薄膜形成する。したがって、該カタリスト材料膜１２の形成後、成長基板１１を大気に暴露することなく、ＭＯＣＶＤ装置やＭＢＥ装置などに搬入して、ナノコラムを成長させることができる。これによって、ナノコラムの位置や柱径を制御可能であるというカタリストを用いる利点を生かしながら、高品質なナノコラムを、高いスループットで安価に成長させることができる。 （もっと読む）

【課題】良好な液晶装置を効率よく製造可能な製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の液晶装置の製造装置は、対向する一対の基板間に挟持された液晶層を備え、少なくとも一方の基板と液晶等との間に無機配向膜が形成された液晶装置の製造装置である。成膜室と、成膜室内にて一方の基板に配向膜材料をスパッタ法で成膜して無機配向膜を形成するスパッタ装置と、を備えている。スパッタ装置は、成膜室に通じる開口を有しターゲットを収容する収容室３１と、収容室内３１に含まれる電子を捕捉する電子捕捉装置３６ａと、を有している。電子捕捉装置３６ａは、収容室内３１に部分的に露出した導電部材３６２ａと、導電部材３６２ａを変位させることにより導電部材３６２ａの収容室内３１に露出する露出部を変化させる変位装置３６０ａと、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】ナノコラムを複数有して成る化合物半導体発光素子において、蛍光体を用いることなく、高い発光効率で、色味を高精度に調整可能とする。
【解決手段】Ｓｉ基板４の一部領域にトレンチ１１を形成し、そのトレンチ１１内にさらにナノコラム２の化合物種結晶膜であるＡｌＮ層１２を形成した後にナノコラム２を成長させることで、前記ＡｌＮ層１２の有る領域は、それが無い壁１３上の領域に比べて、成長が速く、所定の時間成長させると、前記トレンチ１１と壁１３との段差を吸収して、ｐ型層１４の表面が略同じ高さとなる。これによって、同一基板でかつ単一の成長工程で簡単に、したがって低コストに、白色光などの所望の色味を実現できる。また、蛍光体を用いずに所望の色味を実現できるので、高い信頼性および長寿命化を図ることができるとともに、トレンチ１１の面積を任意に調整し、色味を細かく高精度に調整できる。 （もっと読む）

【課題】金属基板の配向性を保持した酸化物薄膜を形成することを可能とする酸化物薄膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】加熱された配向金属基板上に、酸素を含む雰囲気中で金属または金属酸化物からなる原料をエレクトロンビーム蒸着法により蒸着する工程を具備し、前記蒸着を、雰囲気中の水蒸気分圧を１×１０−４Ｐａ以下とし、かつ雰囲気中の酸素分圧及び成膜温度の少なくとも一方を制御して行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】不揮発性半導体メモリ素子向けの絶縁膜形成において、リーク電流密度を低減でき、デバイス特性及び信頼性を向上させることができる金属酸化物絶縁膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】Ｋｒ以上の原子量を有する希ガスを導入して、導入希ガスより重い金属元素を含む金属酸化物ターゲットを用い、ＬａＨｆＯ、ＬａＡｌＯ、ＺｒＡｌＯのように導入希ガスより重いＬａまたはＨｆなどの金属元素を含む金属酸化物絶縁膜をスパッタ成膜する。 （もっと読む）

【課題】十分な特性を備えたフッ化物材料の薄膜を効率的に基板上に形成することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１は、蒸着処理領域３０Ａ及びプラズマ処理領域６０Ａの各領域間で、基板Ｓを繰り返し移動させる回転ドラム４及び基板保持板４ａと、フッ化物材料を含む蒸着原料の蒸発物を蒸着処理領域３０Ａに導入された基板Ｓに付着させる蒸着手段３０と、反応性ガスのプラズマをプラズマ処理領域６０Ａに導入された基板Ｓに接触させることにより、基板Ｓに付着した蒸着原料の蒸発物を処理するプラズマ処理手段６０とを真空チャンバ２内に少なくとも有する。この成膜装置１を用いて基板Ｓ上にフッ化物材料の薄膜を形成する。
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【課題】凹凸基板にスパッタバッファを介して結晶性の良いＧａＮを得る。
【解決手段】エッチングによりサファイア基板に凹部を設け、且つその凹部はサファイア基板の主面とほとんど平行となっており、当該エッチングにより形成された凹部の底面に影響されたエピタキシャル成長が生ずる。スパッタ装置の対応可能温度は５００℃程度であるため、加熱処理を行うことが少なかった。荒れた凹部の底面が表面の半分以上の基板を用いる場合は、当該凹部底面に影響されたエピタキシャル成長が生じ、良好な単結晶が形成されなかった。そこで水素雰囲気下、１０００℃以上１５００℃以下の加熱処理を行うことで、当該凹部の底面の原子配列の乱れを正すことができ、スパッタバッファを介して結晶性の良いIII族窒化物系化合物半導体が得られることを見出した。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】結晶性がよく耐エッチング性の高い保護膜を成膜する。
【解決手段】前処理室３１の水分圧を測定し、制御装置６５はその測定値から、真空槽３２で放出されるＨ₂Ｏガス量を予測し、成膜に適した必要量のＨ₂Ｏガスが真空槽３２に含有されるように、水の導入量を決定し、流量制御装置４５は決定した導入量で水導入口５５ａ、５５ｂから水を導入する。搬送対象物６０から放出されるＨ₂Ｏガス量が変化しても、真空槽３２には必要量のＨ₂Ｏガスが含有されるから、保護膜１４の膜質が均一になる。 （もっと読む）

【課題】第一ターゲット１７ａ及び第二ターゲット１７ｂが、それぞれ基板６及び他のターゲットに対して斜めに対向して配置され、基板６を搬送経路１５に沿って搬送しながら成膜する連続方式のスパッタリング装置において、高品質の膜が得られるようにすると共に、粒子のチャンバー３内拡散を防止できるようにする。
【解決手段】第一ターゲット１７ａと第二ターゲット１７ｂとの間の空間の搬送経路１５側への延長領域を挟んで、搬送経路１５と、第一ターゲット１７ａ及び第二ターゲット１７ｂとの間に、少なくとも基板６の搬送方向に対向するシールド１９ａ，１９ｂを設ける。 （もっと読む）

【課題】薄膜と半導体基板の熱膨張係数の違いに起因する半導体基板の反りを、生産性や信頼性を低下させることなく抑制する薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】ウェハ２（半導体基板）の裏面２ｂ（表面）に、ウェハ２とＮｉ膜を形成する方法が、真空引き可能なロードロックチャンバ２０内にウェハ２を配置する工程と、ロードロックチャンバ２０内に配置したウェハ２を予め冷却する冷却工程と、ロードロックチャンバ２０内を真空引きする真空引き工程と、冷却工程と真空引き工程を実施した後にウェハ２の裏面２ｂにＮｉ膜を形成する工程を備えている。 （もっと読む）

コーティングシステム１は、ロックインチャンバ３とロックアウトチャンバ４を含む。更に、コーティングシステムは、ロックインチャンバ３及びロックアウトチャンバ４に接続された第１搬送チャンバ５を含む。搬送チャンバ５内には、第１可回転搬送モジュール６が配置されている。基板ホルダー７ａ、７ｂは、ロックインチャンバ３及びロックアウトチャンバ４にそれぞれ整列して配置されるように、中心軸の周りに回転してもよい。コーティングステーション１は、第１プロセスチャンバ８と第２プロセスチャンバ９を更に含んでいる。更に、コーティングシステム１は、第３基板ホルダー１２ａ及び第４基板ホルダー１２ｂを含む第２可回転搬送モジュール１１を有する第２搬送チャンバ１０を含んでいる。第２搬送チャンバは、第３プロセスチャンバ１３及び第４プロセスチャンバ１４のみならず第１プロセスチャンバ８及び第２プロセスチャンバ９に接続される。第３プロセスチャンバ１３及び第４プロセスチャンバ１４は、第２搬送チャンバ１０において並列に、即ち、クラスタ配置のように配置される。本発明は、フォワードパスＦからリターンパスＲまで、及びその逆に、基板を移動するために構成される２つの搬送チャンバ５及び１０間において、フォワードパスＦ及びリターンパスＲ上にそれぞれ配置される２つの並列なコーティングチャンバ８及び９のサンドイッチアレンジメントによってシステムの利便性を向上させる可能性を提供する。
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【課題】溝、チャネル等の凹部を有する基体の凹部の内面に形成されるパリレン膜の膜厚分布を低減できる成膜装置、成膜方法及びインクジェットヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】溝、チャネル等の凹部を有する基体１６３の少なくとも前記凹部の内面にポリパラキシリレン又はその誘導体を含む膜を形成する成膜チャンバー１５３を備える成膜装置であって、前記基体１６３を第一の目標設定温度に制御する基体加熱機構を有することを特徴とする成膜装置。 （もっと読む）

【課題】スプラッシュの発生が抑制され、また、蒸着レートが安定した蒸着源、および蒸着装置を提供すること。
【解決手段】ルツボ８には、導電体からなる複数の加熱板１が間隙を持って重なって配置されている。各加熱板１には、膜材料５が搭載可能に設けられている。最上段の加熱板１には、膜材料５がセットされていない。誘電コイル１０によって磁界が形成されると、各加熱板１自体が誘電加熱によって斑なく発熱し、載せられた膜材料５も均一に加熱されるため、蒸着レートが安定する。また、膜材料５が薄く形成されているため、当該材料内における温度分布が略均一となり、スプラッシュの発生が抑制される。 （もっと読む）

【課題】酸化インジウムを含有する透明導電膜上に透明カーボン層を形成する場合、水素または分子内に水素を含むガスを使用すると、水素原子によりインジウムが還元されてしまい、透明導電膜として機能しなかった。
【解決手段】 カーボン層の製膜をアルゴンと二酸化炭素を任意の割合で混合したガスを使用したマグネトロンスパッタ法で実施することで、透明・低屈折率であり且つ導電性の透明カーボン層を形成することが可能となる。この結果、透明導電膜の光線透過率が向上する。 （もっと読む）