【課題】成膜時の成膜対象へのパーティクル付着を抑制する。
【解決手段】発生部２で発生したプラズマを成膜部５に配置した成膜対象４へ誘導するフィルタ部３に、プラズマと共に発生するパーティクルを衝突させる衝突部６を設ける。衝突部６は、発生部２で発生したパーティクルの進路をシミュレーションし、衝突部６を設けなかった場合に成膜対象４に到達すると予測されるパーティクルの進路上に、プラズマ流を大きく遮らないようにして、配置する。衝突部６に衝突したパーティクルが、そこで進路を変えられ、或いはそこに捕捉されることで、成膜対象４へのパーティクルの到達及び付着が抑制されるようになる。 （もっと読む）

【課題】ウェハー外周部から剥離した膜がカラーリングに異物として付着することを抑制できるＣＶＤ装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】高密度プラズマＣＶＤ装置は、成膜とエッチングを同時に又は繰り返して行うことで埋め込み性の高い膜をウェハー上に形成する高密度プラズマＣＶＤ装置であり、、ウェハー２１が保持され、ウェハー２１より径の小さい静電チャック２と、静電チャック２の側壁を囲むように設置されたカラーリング１ｂとを具備し、カラーリング１ｂは、静電チャック２の側壁に対向し且つウェハーの外周部の下方に位置する対向部４０ａを有し、対向部４０ａは静電チャックの側壁を囲むように形成されており、対向部４０ａにおける静電チャック２に対して外側は、前記ウェハーの外周部の最も外側の端部より内側に位置していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性および密着性に優れた硬質皮膜被覆部材および成形用冶工具を提供する。
【解決手段】硬質皮膜被覆部材は、Ｃｒを含有する鉄基合金からなる基材と、基材の表面に膜厚１〜１０μｍで形成された第１皮膜層と、第１皮膜層の表面に膜厚２〜１０μｍで形成された第２皮膜層とを備え、第１皮膜層が、Ｃｒ_{１−ａ−ｂ}Ｍ_ａＢ_ｂ（Ｃ_ｃＮ_１−ｃ）からなり、ＭがＷ、Ｖ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ａｌから選ばれる１種以上の元素であり、ａ、ｂ、ｃが原子比であるときに、０≦ａ≦０．７、０≦ｂ≦０．１５、０≦ｃ≦０．５、０．３≦１−ａ−ｂを満足し、第２皮膜層が、Ｎｂ_{１−ｄ−ｅ−ｆ}Ｃｒ_ｄＡｌ_ｅＬ_ｆ（Ｃ_ｇＮ_１−ｇ）からなり、ＬがＳｉ、Ｙ、Ｂから選ばれる１種以上の元素であり、ｄ、ｅ、ｆ、ｇが原子比であるときに、０．０５≦１−ｄ−ｅ−ｆ≦０．５、０．０５≦ｄ≦０．５、０．４≦ｅ≦０．７、０≦ｆ≦０．１５、０≦ｇ≦０．５を満足する。 （もっと読む）

【課題】 成膜装置及び成膜方法に関し、ＦＣＡ法により成膜する際に、成膜レートを維持しつつ、被成膜基板上に付着するマクロパーティクル数を低減する。
【解決手段】 アーク放電によるプラズマ発生ガンを備えたプラズマ発生部と、発生したプラズマを被成膜基板へ誘導するフィルターと、前記被成膜基板を保持および処理するチャンバーとを有する成膜装置に、前記プラズマ発生部に前記発生したプラズマの中央位置にプラズマ径よりも小径の防着板を設置する機構を設ける。 （もっと読む）

【課題】炭素の混入と、組成のばらつきを低減した絶縁膜を形成する。
【解決手段】絶縁膜の形成方法において、基板上にシリコン層と金属層を順次形成してシリコンと金属の２層構造を形成し、前記シリコンと前記金属とが目標とする組成で金属珪化物を生成する反応温度を選択し、前記２層構造を加熱して金属珪化物層を形成する。前記金属のうち、未反応で残る部分を除去する。前記金属珪化物層を酸化又は窒化して、絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

コーティングシステム１は、スイングモジュール及びチャンバ配列を含むスイングステーション２を含む。チャンバ配列は、ロックチャンバ３及び第１コーティングチャンバ４を含む。ロックチャンバ３は、結合されたロックイン／ロックアウトチャンバとして構成される。チャンバ配列は、破線で示される第１実質的直線搬送経路Ｔ１及び破線で示される第２実質的直線搬送経路Ｔ２を有する。経路Ｔ１、Ｔ２の配置は、デュアルトラックを確立する。システム１は、矢印で示されるように、チャンバ配列３、４を通って、第１搬送経路Ｔ１に沿って、及び／又は、第２搬送経路Ｔ２に沿って、基板を移動させるための搬送システムを含む。１又は特に両方のチャンバ３、４は、デュアル又はトリプルトラックセクションの横移動によって、第１経路Ｔ１から第２経路Ｔ２へ、及び／又は、第２経路Ｔ２から第１経路Ｔ１へ基板／キャリヤを移動させるための移動手段を含む。
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【課題】基板の温度を精密かつ均一に制御することができる基板保持装置の実現。
【解決手段】基板保持装置１００は、基板を保持する基板保持機構１０５と、前記基板保持機構の下部に配設される加熱機構１０６と、前記基板保持機構と前記加熱機構との間に接触した状態で介装されて、当該加熱機構で発生した熱を前記基板保持機構へ伝える熱伝導性部材１０７，２０７と、を有し、前記熱伝導性部材の断面形状を、前記基板側に開口する凹状に形成した。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム蒸着法により希土類金属が高度に均一に分散している酸化マグネシウム膜を形成することができる酸化マグネシウム蒸着材を提供する。
【解決手段】平均結晶粒子径が２．０〜５０μｍの範囲にある酸化マグネシウム結晶粒子の多結晶体からなり、該酸化マグネシウム結晶粒子が希土類金属を０．００５〜０．０６０質量％の範囲にて固溶している酸化マグネシウム蒸着材。 （もっと読む）

【課題】固体酸化物燃料電池の緻密な電解質と多孔質の空気極を一回の製膜プロセスで作成が可能な製造方法を提供する。
【解決手段】レーザー堆積法においては、結晶成長が２次元であるため、結晶の成長エネルギーが小さくて済むことから、従来の方法より低い６００〜８００℃での作製が可能であり、基板を真空チャンバーに入れた状態において、少なくとも一つの成膜条件を変更することにより、固体酸化物燃料電池の多孔質/緻密/多孔質構造の積み分けが一回の製膜プロセスで作製することを可能とした。 （もっと読む）

【課題】非導電性物質の複数の付着体からなる不連続構造膜上に成膜された金属膜を含むことで光輝性を有しながら電磁波透過性も有する電磁波透過性光輝樹脂製品及びこの電磁波透過性光輝樹脂製品の製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂基材１１と、樹脂基材１１上にスパッタリングで形成された酸化ケイ素の複数の付着体１４からなる不連続構造の下地膜１３と、下地膜１３上にスパッタリングにより成膜されたアルミニウム膜１２とを含み、アルミニウム膜１２は膜厚が下地膜１３の膜厚より薄く且つ付着体１４の基部１５に付着した部位の膜厚が他部位の膜厚より薄くなっている。 （もっと読む）

【課題】高温及び高真空の環境下において安全性を高めることができる移送装置及びこれを備える有機物蒸着装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバと、真空チャンバ内に設けられ、基板が装着されるステージと、基板に有機物を蒸発させる蒸着源と、蒸着源に連結され、真空チャンバの外側に引き出される工程ユーティリティラインと、蒸着源を基板と平行に移動させ、工程ユーティリティラインが内設される移送装置とを備える。 （もっと読む）

【課題】常に高い蒸着レートにより蒸着を行うことができ、しかも蒸着を行う半導体基板に損傷を与えたり、フォトレジストの硬化を引き起こすことのない、真空蒸着装置及びこの装置の電子ビーム照射方法を提供する。
【解決手段】この真空蒸着装置１０は、半導体基板２４を保持する基板ホルダーと、電子ビーム１７を蒸発材料に照射し蒸発させる電子ビーム発生手段と、前記蒸発材料に前記電子ビーム１７が照射されるように、前記電子ビーム１７の軌道を制御するビーム軌道制御手段と、前記半導体基板２４に蒸着される薄膜の蒸着レートを検知する蒸着レート検知手段と、前記蒸着レートが低下したとき、前記蒸着レートより高い蒸着レートが得られる前記蒸着材料の高蒸着レート位置を算出する高蒸着レート位置算出手段と、前記蒸着材料の前記高蒸着レート位置に前記電子ビーム１７が照射されるよう前記電子ビーム１７の軌道を修正するビーム軌道修正手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】蒸着材料の加熱による性状劣化を防止して長時間の運転を行い得る蒸着装置を提供する。
【解決手段】容器本体４に充填された蒸着材料を蒸発させる蒸発用容器５及び蒸発した蒸着材料を材料移送管６を介して導きガラス基板Ｋの表面に蒸着させる蒸着用容器３を具備する蒸着装置であって、下側本体部４Ｂ内の蒸着材料を冷却水により冷却する冷却用ジャケット14を設けるとともに、上側本体部４Ａと下側本体部４Ｂとの接続部分に断熱材８を配置し、材料移送管６及び上側本体部４Ａを加熱する電熱線12を設けると共に、容器本体４内に充填された蒸着材料を、上記電熱線12により加熱された材料移送管６の内壁面からの輻射熱及び上側本体部４Ａに設けられた電熱線12により加熱し蒸発させるようにしたもの。 （もっと読む）

【課題】圧電効果の大きな組成範囲の強誘電体膜を備えた素子を効率よく製造する。
【解決手段】第３中間電極７を備えた圧力勾配型プラズマガンを用いてＨｅガスと酸素ガスの混合プラズマを発生させ、この混合プラズマ中の酸素ラジカルにより成膜材料を酸化させる強誘電体膜を形成する。放電ガスとしてＨｅを用いることにより高濃度の酸素ラジカルを発生させることができるため、圧電効果の大きな組成範囲、例えばＰｂ（Ｚｒ_ｘＴｉ_１−ｘ）Ｏ_３（ｘ＞０．４）の膜を効率よく製造することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛を主成分としチタンを有する酸化物焼結体、それを加工したターゲット、該ターゲットを用いて直流スパッタリング法で成膜した高い屈折率を示す透明導電膜、導電性積層体を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛を主成分としチタンを有し、Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）原子数比０．０５〜０．２５の酸化物焼結体であり、六方晶ウルツ鉱構造酸化亜鉛相と立方晶逆スピネル構造の複合酸化物α−Ｚｎ_２ＴｉＯ_４相から構成され、Ｘ線回折による下記の式（Ａ）でのピークの強度比が１５〜７０％である酸化物焼結体である。Ｉ［Ｚｎ_２ＴｉＯ_４（３１１）］／｛Ｉ［ＺｎＯ（１０１）］＋Ｉ［Ｚｎ_２ＴｉＯ_４（３１１）］｝×１００（％）…（Ａ）（式中、Ｉ［ＺｎＯ（１０１）］は、六方晶ウルツ鉱構造酸化亜鉛相の（１０１）ピーク強度であり、Ｉ［Ｚｎ_２ＴｉＯ_４（３１１）］は、立方晶逆スピネル構造の複合酸化物α−Ｚｎ_２ＴｉＯ_４相の（３１１）ピーク強度を示す） （もっと読む）

【課題】良好でかつ要求された特性を維持することができ、膜堆積の間停止状態にある温度制御性の良好なウェハーホルダを有するプラズマ支援スパッタ成膜装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ支援スパッタ成膜装置は次の構成からなる。プラズマの生成のため使用されるプロセスガスが導入される反応容器１と、プラズマによってスパッタされる物質で作られるドーナツ型電極であって、その下面はウェハーの表面に対し傾斜されているドーナツ型電極２と、ドーナツ型電極の上方の円の上を移動しながらその中心軸で回転する回転プレートであって、その下面に取付けられかつドーナツ型電極の表面に平行なマグネット配列４を含む回転プレート３と、ドーナツ型電極に接続された電力源１０と、そして膜堆積のためウェハー９を配置するためのウェハーホルダ５であって、膜堆積の間停止状態にあるウェハーホルダとから構成される。 （もっと読む）

【課題】 ＴｉＮ膜について耐摩耗性が確実に高い物性であるものを選択的に得ることができ、またはそのような好ましい物性のＴｉＮ膜が形成された耐摩耗性ＴｉＮ膜形成体とし、またはそのような耐摩耗性ＴｉＮ膜形成体を効率よく製造することである。
【解決手段】 ＴｉＮ膜についてＸ線回折分析で測定される結晶方位の（１１１）面、（２００）面、（２２０）面、（３１１）面、（２２２）面および（４００）面の合計ピーク強度を１００％とした場合における（１１１）面強度比が８０％以上であり、かつ（２２０）面強度比が３％以下である耐摩耗性ＴｉＮ膜またはこれを金属製基材の表面に形成して、摺動材、工具、金型などのＴｉＮ膜形成体とする。基材とＴｉＮ膜との間にＴｉ金属の中間層を設けるとＴｉＮ膜の耐剥離性が向上し、基材に窒化層を形成するとＴｉＮ膜との密着性が向上する。 （もっと読む）

【課題】 樹脂基材の被処理物に金属を成膜して装飾する装飾方法および装飾樹脂品であって、本物感の高いマット調金属外観（「つやが消えた金属調の質感のある外観」）が得られると共に、密着強度の高い金属膜が得られ、しかもコストが安く、環境に優しい装飾方法および装飾樹脂品を提供すること。
【解決手段】 真空槽２にアルゴンおよび大気を導入し、導入したアルゴンと大気をプラズマ状態にして真空槽２内に配置した被処理物１０をプラズマエッチングし、被処理物１０の表面に凹凸部１１を形成すると共に、形成された凹凸部１１に大気の官能基を付与する第１工程Ｓ１と、プラズマエッチングした被処理物１０の凹凸部１２に金属膜１３を成膜する第２工程Ｓ２と、を備える。 （もっと読む）

プラズマプロセスチェンバーにおいてウェーハレベルアークを検出するための方法と装置。方法は、例えば、プラズマプロセスチェンバーに供給された信号の波形を監視することと、波形中の特徴を検出することと、特徴を検出したことに応答して、波形が特徴の後で安定化したかどうかを決定することと、波形が安定化したことに応答して、特徴が双方向波形異常の一部であるかまたは一方向波形遷移であるかを決定することと、特徴が双方向波形異常の一部であることの指標かまたは特徴が一方向波形遷移であることの指標のどちらかを、コンピューター読み取り可能な媒体に記録することと、を含む。
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【課題】磁性粒子間の磁気的な分離を十分に行うことができ、しかも垂直磁気記録媒体を容易に製造することができる垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に、磁性粒子１５ａとこの磁性粒子１５ａを取り囲むＭｏＣｕＯ１５ｂとからなるグラニュラー膜１５を形成する。このグラニュラー膜１５をアルカリ溶液または水を用いてウエットエッチングすることによりＭｏＣｕＯ１５ｂを除去し、空隙とする。こうしてＭｏＣｕＯ１５ｂを除去した膜を磁気記録層として用いる。 （もっと読む）