【課題】良好なｐ型特性を持つ窒化物半導体層を得ることが可能な窒化物半導体層の成長方法を提供する。
【解決手段】ｐ型ドーパントとしてＢｅを用いる場合、Ｍｇを用いる場合に比べてｐ−ＧａＮ層２３のｐ型特性は、基板５の表面の転位密度に顕著に依存する。したがって、転位密度５×１０^８ｃｍ^−２以下の基板５を用いることにより、転位によるＢｅのキャリア補償を抑制でき、良好なｐ型特性を持つｐ−ＧａＮ層２３が得られる。また、ＭＢＥ法を用いることにより、ｐ−ＧａＮ層２３の成長方向や組成分布を精度良く制御できる。 （もっと読む）

【課題】耐久性に優れながら貴金属使用量を低減した電気接点層を有し、電気接点層の形成後もプレス成形可能な電気接点層付金属材の製造方法を提供する。
【解決手段】金属基材１の表面に電気接点層３を形成する電気接点層付金属材１０の製造方法であって、金属基材１の表面に、チャンバーを用いた気相法により、Ｙ群（チタン、ニオブ、タンタル、ジルコニウムのいずれか）を主成分とし、そのＹ群に対して０．０２ｍａｓｓ％以上５ｍａｓｓ％以下のＰｄを添加した合金からなる平均厚さｄ１が５ｎｍ以上１００ｎｍ以下の接着層２を成膜し、その接着層２の表面に、同一チャンバー内で気相法により、貴金属（Ａｕ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ａｇのいずれか）からなる平均厚さｄ２が１ｎｍ以上２０ｎｍ以下の電気接点層３を成膜するものである。 （もっと読む）

【課題】キャリア搬送装置の部品の表面を腐食させることなく、クリーンな状態で磁気記録媒体を製造することができる磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】上部および下部にガス排気手段１０３、１０４を備え、下部側に基板搬送装置１０５が備えられた反応容器１０１の内部に磁性層を形成した基板２００を搬入して、反応容器１０１の一対のプラズマ発生電極ユニットＵ１、Ｕ２の間に基板２００を配置した後、ハロゲンを含むガスを供給して発生させたハロゲンイオンを含む反応性プラズマもしくは反応性プラズマ中に生成した反応性イオンに、磁性層の表面を部分的にさらして磁性層を改質することにより、磁気的に分離した磁気記録パターンを形成する改質工程において磁性層を部分的に改質した後に生ずる排ガスを上部のガス排気手段１０３から排気させる磁気記録媒体の製造方法を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】ＰＺＴ系のペロブスカイト型酸化物において、Ａサイトに１モル％超の置換イオン及びＢサイトに１０モル％以上の置換イオンを添加され、且つＡサイト欠陥が少ないものとする。
【解決手段】本発明のペロブスカイト型酸化物は、下記式（Ｐ）で表されることを特徴とするものである。
（Ｐｂ_{１−ｘ＋δ}Ａ_ｘ）（Ｚｒ_ｙＴｉ_１−ｙ）_１−ｚＭ_ｚＯ_ｗ・・・（Ｐ）
（式中、Ｐｂ及びＡはＡサイト元素であり、ＡはＰｂ以外の少なくとも１種の元素である。Ｚｒ，Ｔｉ及びＭはＢサイト元素であり、ＭはＮｂ，Ｔａ，Ｖ，Ｓｂ，Ｍｏ及びＷからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である。０．０１＜ｘ≦０．４、０＜ｙ≦０．７、０．１≦ｚ≦０．４。δ＝０及びｗ＝３が標準であるが、これらの値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準値からずれてもよい。） （もっと読む）

【課題】マスク交換の作業性を向上させる。
【解決手段】四角形のガラス基板３の４辺各々に対応する４つのマスク４が用意され、該４つのマスクは、分割された状態で成膜室１の内部に設置されている。そして、各マスク４を、ガラス基板３と同一平面上であってガラス基板３の各辺に対して垂直な方向において直線的に移動させると、分割された各マスク４が互いに接続し合って一つの集合体としてのマスクになる。このとき、ガラス基板３の全周縁が各マスク４で覆われる。 （もっと読む）

【課題】配線のエレクトロマイグレーション耐性を向上させる。
【解決手段】Ａｌ配線４０を形成する際、バリアメタル４１上に、Ａｌ粒子４０ａが第１の平均粒径となるように第１の条件で第１のＡｌ膜を形成し、次いで、第１の平均粒径より小さい第２の平均粒径となるように第２の条件で第２のＡｌ膜を形成する。その後、第２のＡｌ膜上にバリアメタル４２を形成し、形成後、バリアメタル４１，４２および第１，第２のＡｌ膜を配線パターンに加工する。
【選択図】図９
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コア材料および表面材料を含むフィールド増加型スパッタリングターゲットを開示し、コア材料または表面材料のうちの少なくとも1つがフィールド増加設計プロファイルを有し、スパッタリングターゲットは実質的に均一の浸食プロファイルを有する。フィールド増加型スパッタリングターゲットおよび陽極シールドを含むターゲットアセンブリ・システムをまた開示する。加えて、スパッタリングターゲット上で実質的に均一の浸食を生成する方法を記載し、それは陽極シールドを提供し、陰極のフィールド増加型ターゲットを提供し、プラズマ点火アークを始めることを含み、アークは陽極シールドおよび陰極フィールド増加型ターゲットとの間で最少の抵抗のポイントに配置される。
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【課題】貴金属の使用量の低減と耐久性の向上を図った金属セパレータ用板材を提供する。
【解決手段】固体高分子電解質膜２４と、その固体高分子電解質膜２４の両側に設けられた電極２５ａとを備える燃料電池に用いられる金属セパレータ用板材１において、金属基材２の表面に、チタンからなる中間層３が形成され、その中間層３の表面に平均厚さが１ｎｍ以上９ｎｍ以下の純ＡｕからなるＡｕ層４が形成されるものである。 （もっと読む）

本発明は、基板上に透明導電性金属酸化物層を製造するための方法に関する。該方法では金属酸化物層の少なくともひとつの成分が高イオン化されたパルス状マグネトロンスパッタリングにより噴霧されて基板上に堆積され、その際にマグネトロンのパルスは１．５ｋＷ／ｃｍ^２よりも大きいピーク出力密度を有し、マグネトロンのパルスは２００μｓ以下の持続時間を有しており、さらにプラズマ点火時の平均電流密度上昇は０．０２５ｍｓ以下の時間間隔内で少なくとも１０６Ａ／（ｍｓ ｃｍ^２）である。 （もっと読む）

【課題】磁性粒子間の磁気的な分離を十分に行うことができ、しかも垂直磁気記録媒体を容易に製造することができる垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に、磁性粒子１５ａとこの磁性粒子１５ａを取り囲むＭｏＣｕＯ１５ｂとからなるグラニュラー膜１５を形成する。このグラニュラー膜１５をアルカリ溶液または水を用いてウエットエッチングすることによりＭｏＣｕＯ１５ｂを除去し、空隙とする。こうしてＭｏＣｕＯ１５ｂを除去した膜を磁気記録層として用いる。 （もっと読む）

【課題】通常ペロブスカイト型構造をとりにくい、または結晶性が悪化するＢｉ系ペロブスカイト型酸化物を含み、強誘電性能（圧電性能）に優れたペロブスカイト型酸化物膜を提供する。
【解決手段】本発明のペロブスカイト型酸化物膜は、下記一般式（Ｐ１）で表されるペロブスカイト型酸化物を含むことを特徴とするものである。
（Ａ_１−ｘ，Ｂ_ｘ）（Ｃ_ｙ，Ｄ_１−ｙ）Ｏ_３ ・・・（Ｐ１）
（式中、０＜ｘ＜１−ｙ、０＜ｙ＜１．０、ＡはＢｉを主成分とするＡサイト元素、ＢはＤとペロブスカイト構造を取る、Ａとは異なる少なくとも１種のＡサイト元素、ＣはＡとペロブスカイト構造をとる元素を主成分とするＢサイト元素、ＤはＡとペロブスカイト構造を取り得ない、又は取りにくい少なくとも１種のＢサイト元素。Ｂ〜Ｄは各々平均イオン価数３価の金属元素であるが，ペロブスカイト構造を取り得る範囲内でずれてもよい。） （もっと読む）

【課題】製造時或いは経年変化で歪曲する恐れが少ない光学フィルタを簡単な方法で安価に製造することが可能な光学フィルタの成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜室内に回転自在に配置された基板ドラムに基板プレートを装着した基板ホルダをセットする基板セット工程と上記基板ドラムにセットされた基板プレートの表面に、上記基板ドラムを回転させながら上記ターゲットにスパッタ電圧を印加することによって膜形成する表面成膜工程と、上記表面成膜工程の後、上記ターゲットにスパッタ電圧を印加しない状態で上記基板ホルダを回転させて上記基板プレートの裏面を上記ターゲットに対向配置する成膜面反転工程と、上記基板プレートの表裏面を反転させた後、上記基板ドラムを回転させながら上記ターゲットにスパッタ電圧を印加することによって上記基板プレートの裏面に膜形成する裏面成膜工程とを備え、基板プレートの表裏面に同一バッチでそれぞれ成膜する。 （もっと読む）

【課題】摺接部の耐摩耗性を向上し易い摺動部材を提供することを課題とし、そのような摺動部材を製造し易い製造方法を提供する。
【解決手段】被接部２１に当接して摺動する摺接部２３、２５、２６、２７を備え、摺接部２３、２５、２６、２７の表面に、複数の被覆層４１、４２・・・が界面を有して積層された被覆膜４０が形成された摺動部材２１、２２において、被覆膜４０は、界面を複数設けることにより、各被覆層４１、４２・・・を単独で被覆膜４０の膜厚に形成した場合に比べ、摩耗速度を小さくしたものである。 （もっと読む）

【課題】純イットリア耐食膜を基材上に速い成膜速度で形成できる量産性に優れた直流反応性対向ターゲット方式スパッタリング成膜方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１内のターゲット配置領域２内に一対のイットリウム金属からなるターゲット５，５を互いに対向させて配置し、成膜領域３内には基材７を配置する。そのターゲット５，５に直流電圧を印加してターゲット５，５間に発生させたプラズマＰを磁界によってターゲット５，５間に拘束すると共に、その磁場空間にアルゴンガス等の不活性ガスを供給する。一方、基材７に向けて酸素ガス等の反応性ガスを供給しつつ、真空チャンバ１内の不活性ガスの圧力を0.01〜1.0Paに設定し、プラズマＰ中に反応性ガスを実質的に侵入させることなく基材７の表面でイットリウム金属原子と反応性ガスを結合させて純イットリア耐食膜を基材７上に形成する。 （もっと読む）

形成されたフィルム形態をナノ粒子塊のものから粒子およびドロップレットの無い平滑な薄膜に連続的に調整することが可能なパルスレーザー蒸着（ＰＬＤ）の方法。発明の様々な実施形態を使って合成されることができる材料は、金属、合金、酸化金属および半導体を含むが、それらに限定はされない。様々な実施形態において、超短パルスレーザーアブレーションおよび蒸着の「バースト」モードが提供される。フィルム形態の調整は、各バースト内のパルス数およびパルス間の時間間隔、バースト繰り返しレート、およびレーザーフルエンスのようなバーストモードパラメータを制御することによって達成される。システムは、超短パルスレーザーと、適切なエネルギー密度でターゲット表面上にフォーカスされたレーザーを配送するための光学システムと、その中にターゲットおよび基板が設置され背景ガスとそれらの圧力が適切に調節された真空チェンバーと、を含む。
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【課題】 真空成膜装置に含まれる基体を保持するキャリアを工夫することで、磁気記録媒体の成膜工程において基体の温度をそれぞれの成膜工程に適した温度に近づけることが可能となるため、磁気記録媒体の品質の向上を図ることができる。
【解決手段】 本発明による磁気記録媒体としての垂直磁気記録媒体１００の製造方法は、真空成膜装置としてのＤＣマグネトロンスパッタリング装置２００を用いて、ディスク基体１１０上に少なくとも磁気記録層１２２を成膜する成膜工程を含む垂直磁気記録媒体の製造方法であって、成膜工程では、キャリア２０８に取り付けられたグリッパ２１６をディスク基体に接触させてディスク基体を保持し、グリッパは複数の金属からなる積層構造であって、グリッパの表層２１６ａを構成する金属はグリッパの下層２１６ｂを構成する金属より熱伝導率が高いことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】画質性能に優れた光学フィルタ及びこの光学フィルタの成膜方法と撮像光量調整装置を提供する。
【解決手段】染料又は顔料からなる光減衰材料を練り込んだ樹脂材をプレート状に成形する光減衰基板プレート成形工程と、その光減衰基板プレートを一部の連結部を残し所定の光学フィルタ形状にプレス加工により複数の光学フィルタ形状にするフィルタ外形型抜き工程と、この型抜きされた光減衰基板プレートの少なくとも片面に誘電体膜と金属膜とを積層形成する減光膜層成形工程と、この減光膜層が形成された光減衰基板プレートの表面及び端面に主鎖構造が１次元のケイ素-ケイ素結合で構成された高分子ポリマーの減反射コート層を形成する減反射コーティング工程と、この減反射コート層に紫外線を照射する紫外線照射工程と、紫外線照射後に光減衰基板プレートから各光学フィルタ部材を切り離なす光学フィルタとして抜き取り工程と、から成る。 （もっと読む）

【課題】クラックの発生を抑制するとともに、加工性の容易なＳｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v基材の製造方法、エピタキシャルウエハの製造方法、Ｓｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v基材およびエピタキシャルウエハを提供する。
【解決手段】Ｓｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v基材１０ａの製造方法は、以下の工程を備えている。まず、Ｓｉ基板１１が準備される。そして、Ｓｉ基板上にＳｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層（０＜ｖ＜１、０＜ｗ＜１、０＜ｘ＜１、０＜ｖ＋ｗ＋ｘ＜１）１２を５５０℃未満の温度で成長される。 （もっと読む）

Ｚｎ、Ｉｎ、及びＨｆを含み、Ｚｎ、Ｉｎ、及びＨｆ原子の全体含有量対比Ｈｆ原子含有量の組成比が２〜１６ａｔ％である酸化物半導体及びこれを備える薄膜トランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】低温での熱処理を適用した場合でも十分に低い電気抵抗率を示すと共に、直接接続された透明画素電極とのコンタクト抵抗が十分に低減され、かつ耐食性に優れた表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるＡｌ合金膜であって、該Ａｌ合金膜は、Ｃｏを０．０５〜０．５原子％、およびＧｅを０．２〜１．０原子％含み、かつＡｌ合金膜中のＣｏ量とＧｅ量が下記式（１）を満たすことを特徴とする表示装置用Ａｌ合金膜。
［Ｇｅ］≧−０．２５×［Ｃｏ］＋０．２ …（１）
（式（１）中、［Ｇｅ］はＡｌ合金膜中のＧｅ量（原子％）、［Ｃｏ］はＡｌ合金膜中のＣｏ量（原子％）を示す） （もっと読む）