【課題】光照射によって加熱される基板の温度を直接かつ正確に測定することができる熱処理装置および基板温度測定方法を提供する。
【解決手段】処理対象となる半導体ウェハーＷはサセプタ７０に保持された石英製の保持プレート７４の上に水平姿勢にて載置される。保持プレート７４には、上下に貫通して開口部７８が穿設されている。放射温度計１２０は、半導体ウェハーＷから放射される赤外光を保持プレート７４の開口部７８を介して受光する。放射温度計１２０の視野からは石英が除かれており、放射温度計１２０は半導体ウェハーＷの下面を直接測定することができる。このため、放射温度計１２０は、保持プレート７４に保持された半導体ウェハーＷの温度を直接かつ正確に測定することができる。 （もっと読む）

【課題】複合材料からなるスパッタリングターゲットを用いたカルーセル型スパッタ装置による基板への成膜において、成膜される膜の組成比のバラツキを低減し、シート抵抗のバラツキを改善することが可能なスパッタリングターゲット及びこれを用いたスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】スパッタリングターゲット２０３は、カルーセル型スパッタ装置１０において用いられるスパッタリングターゲットであって、長方形の長手方向に三分割された第１〜第３のターゲット構成部材２０３ａ〜２０３ｃを有し、第１〜第３のターゲット構成部材はそれぞれ第１（Ｔａ）及び第２の材料（ＳｉＣ）を含み、第１及び第３のターゲット構成部材における第１及び第２の材料の組成比が第２のターゲット構成部材における第１及び第２の材料の組成比と異なるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】線膨張係数の異なる光学部材同士を接合することができるとともに波面収差のバラツキのない光学物品を提供する。
【解決手段】それぞれ水晶からなり線膨張係数の異なる第一光学部材１１及び第二光学部材１２と、これらの第一光学部材１１と第二光学部材１２とを分子接合する接合層１３とを備え、接合層１３をプラズマ重合膜１３１から構成した。そのため、第一光学部材１１と第二光学部材１２とが分子接合されることで接着剤が不要となり、その結果、第一光学部材１１と第二光学部材１２との接合部分に厚さのバラツキがなくなって波面収差がなくなる。しかも、接着剤を使用しないことで、耐光性が向上する。そして、プラズマ重合膜１３１が第一光学部材１１，２１，３１，４１と第二光学部材１２，２２，３２，４２との接合面の微小な凹凸面や熱膨張の差を追従することができる。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング時の窒化反応に依存せずに、ターゲットそのものが、バリア膜と同一成分となるように、かつ半導体デバイスの反応を効果的に防止でき、さらに、スパッタリング時にパーティクルの発生のない、例えばバリア膜用として、最適なスパッタリングターゲット、同ターゲットの製造方法及び同バリア膜を備えた半導体デバイスを提供する。
【解決手段】ＴａｘＳｉｙＢｚ（６５≦ｘ≦７５、１５≦ｙ≦２５、５≦ｚ≦１５）の組成を有するＴａ、Ｔａ珪化物、Ｔａホウ化物からなる焼結体スパッタリングターゲット、及びＴａ粉、Ｔａ珪化物粉及びＴａホウ化物粉を、ＴａｘＳｉｙＢｚ（６５≦ｘ≦７５、１５≦ｙ≦２５、５≦ｚ≦１５）の配合比となるように混合し、これを１０〜５０ＭＰａの加圧力、１７００〜２０００°Ｃでホットプレスにより焼結することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。 （もっと読む）

本発明の実施形態は概して、半導体処理チャンバのための処理キット及びキットを有する半導体処理チャンバに関する。より具体的には、本明細書に記載の実施形態は、物理的堆積チャンバで使用するためのカバーリング、シールド及びアイソレータを含む処理キットに関する。処理キットの構成材は単体で及び他の部品と協働することによって粒子の発生及び漂遊プラズマを大幅に減少させる。処理キャビティ外での漂遊プラズマを引き起こすＲＦ高調波の一因となる長いＲＦリターンパスをもたらす既存の複数部品から成るシールドと比較すると、本発明の処理キットの構成材ではＲＦリターンパスが短くなることから、内部処理領域内にプラズマがより良好に閉じ込められる。
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金属壁２６を有する真空チャンバに、スパッタターゲットを備えたマグネトロンが複数配されており、少なくともそのうちの一つは、ＨＰＰＭＳマグネトロンで、スイッチング素子５を介して容量素子６をＨＰＰＭＳマグネトロンのスパッタターゲットに接続することで、電気パルスが供給される。効率的な基板の前処理及びコーテイングを達成するために、スイッチング素子がチャンバ壁に配されている。電極対がもけられており、その第１電極はＨＰＰＭＳマグネトロンとなり、第１及び第２電極を適切に配することで、基板テーブル４に保持された物体１１は、電極対の両能動面の間に位置するか、あるいは両能動面の間の空間を通って移動する。エッチング工程で、負のバイアス電圧が物体に印加され、物体は金属イオン照射によってエッチングされ、その後バイアス電圧を連続的に下げることによって、スパッタターゲットからスパッタされた物質は物体に積もり層になる。
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【課題】所望の領域の材料のみが成膜されることを可能にし、微細パターンの形成を可能にすることを目的とする。また、成膜に要する時間を短縮し、生産性を向上させることを目的とする。
【解決手段】一方の面に、金属窒化物を含む光吸収層と、光吸収層に接して形成された材料層と、を有する第１の基板を用い、第１の基板の材料層が形成された面と、第２の基板の被成膜面とを対向させ、第１の基板の他方の面側から周波数１０ＭＨｚ以上、パルス幅１００ｆｓ以上１０ｎｓ以下のレーザ光を照射し、光吸収層と重なる位置にある材料層の一部を選択的に加熱し、材料層の一部を第２の基板の被成膜面に成膜する。 （もっと読む）

【課題】蒸着材料のシャッター部材への付着に起因する膜厚や膜質が変化するのを防止し得る真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】蒸着により薄膜をガラス基板Ｋに形成し得る蒸着室１と、蒸着材料を蒸発させて蒸着材蒸気を得る複数の蒸発用セル４と、蒸着室内に配置されて蒸発用セルからの蒸着材蒸気を材料移送管６を介して導く分散用容器７と、この分散用容器に設けられて蒸着材蒸気を所定の放出位置に導く放出用ノズル11先端の放出口を開閉し得る穴部22を有するシャッター部材21とを具備し、シャッター部材を、放出用ノズルの放出口の上方位置で且つこの放出口を閉鎖し得る閉鎖位置と開放し得る開放位置との間で移動自在に設けるとともに、シャッター部材の穴部が放出口に対応する開放位置にあっては、当該シャッター部材が放出用ノズルの放出口よりも下方位置に移動し得るように構成したものである。 （もっと読む）

【課題】 太陽電池の発電効率を高めるために光吸収膜の上にスパッタリング法で製膜される透明導電膜の近赤外波長域に至るまでの光透過率を高めることが可能なスパッタリングターゲットを提供すること。
【解決手段】 亜鉛に対して０．１ａｔ％から２０ａｔ％の正三価以上の元素の一種または二種以上を加えて第一の焼結をした酸化物１００重量部に対して５〜２０重量部の金属亜鉛を加えて、７００〜１１００℃の温度範囲で第二の焼結を行い、所定の加工を施してスパッタリングターゲットを得る。該スパッタリングターゲットは金属亜鉛が酸化物相に固溶していない混晶組織からなり、該スパッタリングターゲットを用いてスパッタリングすることにより単一酸化物相の透明導電膜が得られ、６００ｎｍ以上の波長域で光透過率を高めることが可能となる。 （もっと読む）

（ａ） 大部分で存在するモリブデン； （ｂ） 合金量で存在するニオブ； および（ｃ） ニッケル、クロム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウムおよびそれらの混合物からなる群から選択される第三の金属を含み、第三の金属がドーピング量で存在する合金； さらに、それを用いて製造されるスパッタリングターゲット、かかるターゲットを使用してスパッタされた膜、およびかかる膜を含有する薄膜素子。
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【課題】蒸気飛散分布を安定化させることにより、所望の膜厚の薄膜を得ることが可能な蒸着装置を提供すること。
【解決手段】内部に前記被処理基板が配置されたチャンバ１２と、該チャンバ１２内部に配置され蒸着材料を収容する容器２１と、該蒸着材料を加熱する加熱手段３０と、蒸着材料の重量を測定する重量測定部４０と、容器２１に蒸着材料を供給する材料供給部５０と、重量測定部４０により測定された重量が所定の値に到達したとき、容器２１に所定量の蒸着材料を供給するように材料供給部５０を制御する制御部６０とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板にダメージを与えることなく、注入されたイオンの活性化および導入された欠陥の回復の双方を行うことができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。
【解決手段】光照射の総時間が１秒以下の光照射加熱において、ピークが発光出力ＬＰとなる出力波形にて半導体ウェハーに光照射を行う第１段階と、そのピークが過ぎた後に発光出力ＬＰよりも小さな発光出力にて半導体ウェハーＷに追加の光照射を行う第２段階と、によって構成される２段階照射を行う。第２段階の発光出力はピーク時の発光出力ＬＰの３分の２以下である。第１段階の光照射時間は０．１ミリセカンド以上１０ミリセカンド以下であり、第２段階の光照射時間は５ミリセカンド以上である。半導体ウェハーの表面温度を概ね一定の処理温度Ｔ２に維持しつつも、表面よりやや深い位置をもある程度昇温することができる。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング成膜において、磁性体を用いた場合のように、プラズマを制御するカソードマグネットとの間に磁場干渉が生じることのない基板押え機構を実現する。
【解決手段】フレーム６内の空間部５にガス供給手段７から加圧ガスを導入し、フィルム４を変形させて基板３に密着させる。そして、フィルム４とマスク２の間に基板３を挟持して、スパッタリングターゲット１に対向させ、スパッタリング成膜を行う。ガス供給手段７は、ガス導入口７ａ及び排気口７ｂを有し、空間部５内の加圧ガスの圧力を任意に調整することが可能である。加圧ガスとして、スパッタリングのプロセスガスを使用することで、フィルム４から加圧ガスが漏出した場合のプラズマの不安定化を防ぐ。 （もっと読む）

本発明に関わる蒸着システム（１００）は、真空チャンバ（１０２）と、蒸着材料を装填するルツボ（１０４）と、基板（１１４）を装着する基板ホルダ（１１２）と、基板上に堆積させる蒸着材料を加熱するための電子ビーム源（１１６）とを具備し、前記真空チャンバ内側に、前記基板ホルダとルツボと供に、前記電子ビーム源が配置され、前記電子ビーム源は電界放射電子ビーム源であり、さらに、前記蒸着材料を蒸着させる加熱を行う、前記電界放射電子ビーム源により放射された電子の飛翔方向を制御する制御ユニットを備える。 （もっと読む）

【課題】成膜室２内における成膜面Ｗ１上の熱対流を抑制することにより、成膜面Ｗ１への自己組織化単分子の吸着ムラを無くし、緻密な自己組織化単分子膜を形成する。
【解決手段】自己組織化単分子を含有する成膜原料を気化し、基板Ｗの成膜面Ｗ１上に自己組織化単分子膜を形成する単分子膜形成装置１であって、内部に基板Ｗが設けられる成膜室２と、前記成膜室２内に自己組織化単分子を含有する成膜原料を気化して供給する原料供給機構３と、前記成膜室２内に保持された基板Ｗの成膜面Ｗ１上の対流を制限する対流制限構造８と、を具備する （もっと読む）

【課題】不純物を確実に取り除くことが可能な蒸着装置を提供すること。
【解決手段】内部が真空排気可能とされ、内部に被処理基板１１が配置されるチャンバ本体１２と、蒸着材料を収容する容器２１，２６と、該蒸着材料を加熱する加熱手段３０と、チャンバ本体１２に隣接配置され、内部が真空排気可能及び大気開放可能とされ、内部に容器２１，２６が配置される蒸着源用チャンバ４１，４２と、開閉した際にチャンバ本体１２の内部と蒸着源用チャンバ４１，４２の内部とを連通もしくは遮断可能とする開閉部材４３，４４と、チャンバ本体１２に接続された第１排気手段５０と、蒸着源用チャンバ４１，４２に接続された第２排気手段５５とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高いＲＰ相を有する層状のチタン酸ストロンチウム薄膜を得る方法を提供する。
【解決手段】所定の第１温度において、チャンバー内に配置されたターゲットにレーザー光をパルス状に照射し、前記ターゲットと対向する位置に配置した基板上にＳｒＯ層を形成する工程と、所定の第２温度において、チャンバー内に配置されたターゲットにレーザー光をパルス状に照射し、前記ターゲットと対向する位置に配置した基板上に形成されたＳｒＯ層上にＳｒＴｉＯ₃層を形成する工程と、を含み、前記第１温度がＳｒＯ層のみで結晶成長可能な上限温度よりも低く、前記第２温度がＳｒＴｉＯ₃層の結晶化に必要な下限温度よりも高く、前記第１温度が前記第２温度よりも低いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐湿性に優れ、酸化ストロンチウムと酸化カルシウムとを主成分とする高密度の焼結体およびその製造方法を得る。
【解決手段】酸化ストロンチウムと酸化カルシウムとを主成分とする焼結体の製造方法であって、平均粒径０．０１〜１５μｍの炭酸ストロンチウム粉末と、平均粒径０．０１〜１５μｍの炭酸カルシウム粉末および／または水酸化カルシウム粉末とを混合し、加圧し、相対密度５０％以上の成型体を形成する工程と、成型体を、１２００〜２４００℃の温度範囲で焼結することにより焼結体を形成する工程とを含む、焼結体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ＬａＢ₆薄膜をスパッタリングで成膜するに際し、得られるＬａＢ₆薄膜の広域ドメイン方向の単結晶性を改善する。
【解決手段】ターゲット１１には、高周波電源１９３からの低周波成分をカットした高周波成分電力及び直流電力を印加し、基板ホルダー１３には、該高周波成分電力及び直流電力の印加中に、他の直流電源２２１からの直流電力を印加する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、被成膜物における未成膜部分を低減させることができる成膜装置の支持機構を提供する。
【解決手段】成膜面Ｗａが下方に向けられた状態にガラス基板Ｗを支持して成膜面Ｗａに成膜物質を付着堆積させる成膜装置１におけるガラス基板Ｗの搬送トレイ４０であって、成膜面Ｗａと同等以上の広さの開口部４２を内部に有する枠体４３と、枠体４３の内方に備えられ、開口部４２の周方向における縦断面を上方から下方に向けて狭めるテーパー状支持部４４とを備え、このテーパー状支持部４４のテーパー側面４４ｂは、成膜面Ｗａを囲むガラス基板Ｗの稜線Ｗｂに線接触するようになっている。このようなテーパー側面４４ｂを有するテーパー状支持部４４によってガラス基板Ｗを支持することにより、ガラス基板Ｗの未成膜部分が低減できる。 （もっと読む）