【課題】正方晶系の結晶構造を有する膜厚５００ｎｍ以上の、（００１）単一配向の機能性酸化物膜を備えた機能性酸化物構造体を提供する。
【解決手段】機能性酸化物構造体１は、基板１０上に、膜厚が５００ｎｍ以上の正方晶系の結晶系を有する機能性酸化物膜３０が成膜されたものであって、機能性酸化物膜３０が、（００１）単一配向の結晶配向性を有することを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、移動度が高く、高ＯＮ／ＯＦＦ比を示す薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置を提供することである。
【解決手段】基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層と前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方との間に抵抗層が電気的に接続して配されていることを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】基板上にマイクロパターンを高精度にかつ容易に形成することを可能とするマイクロパターンの製造方法を得る。
【解決手段】 マイクロパターンが上面６ａに形成される基板６と、前記マイクロパターンに対して反転されたパターン形状を有するフィルム状パターニング材１Ａとを用意する工程と、前記フィルム状パターニング材１Ａを前記基板６の上面に積層する工程と、前記フィルム状パターニング材１Ａが積層された基板６の上面に被パターニング材料７を塗布する工程と、前記基板６の上面６ａから前記フィルム状パターニング材１Ａを除去して、前記フィルム状パターニング材１Ａと反転されたマイクロパターンとなるように前記被パターニング材料７をパターニングし、それによって、被パターニング材料７からなるマイクロパターン７Ａを形成する工程とを備える。 （もっと読む）

本開示は、スパッタリング技術を用いた高純度６Ｈ ＳｉＣ単結晶の成長のための方法および装置に関する。一実施形態において、本開示は、高純度６Ｈ−ＳｉＣ単結晶フィルムを基板に堆積させる方法に関し、この方法は、エッチングされた表面を有するケイ素基板を提供することと、基板およびＳｉＣ供給源を堆積チャンバーの中に置くことと、堆積チャンバーの中で第一の減圧レベルを達成することと、チャンバーをガスで加圧することと、ＳｉＣフィルムをスパッタリング供給源から直接、エッチングされたケイ素基板に堆積させることとを包含し、ＳｉＣフィルムをスパッタリング供給源から直接、エッチングされたケイ素基板に堆積させることは、基板をケイ素の融点未満の温度に加熱することと、堆積チャンバーの中で低エネルギープラズマを用いることと、六方ＳｉＣフィルムの層を基板のエッチングされた表面に堆積させることとによる。 （もっと読む）

本発明は、基板をコーティングするための方法、その方法を実行するためのコーティング装置、およびコーティング装置のための取扱いモジュールに関する。取扱いモジュールは、コーティングすべき基板のための可動サポート（１３）であって、少なくとも２つの位置の間を移動させることができる可動サポート（１３）を備えている。さらに、マスクを基板に取り付けるため、およびマスクを基板から取り外すための少なくともいずれかのためのマスク配置デバイス（４１５）、およびマスクを基板に対して整列させるためのマスク整列デバイスが提供され、マスク整列デバイスは、サポートと共に移動できるように可動サポート（１３）に取り付けられる。別法としては、取扱いモジュールは、真空チャンバと、コーティングすべき基板のための可動サポート（１３）であって、真空チャンバ内に配置され、かつ、少なくとも２つの位置の間で回転できる可動サポート（１３）とを備えており、マスクを基板に取り付けるため、およびマスクを基板から取り外すための少なくともいずれかのためのマスク配置デバイス（４１５）が、取扱いモジュールの真空チャンバ内に配置されている。
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【課題】基材とその基材の表面に形成される非晶質炭素膜とを備え、前記非晶質炭素膜で相手部材と摺動する摺動部材において、低摩擦性を向上させることである。
【解決手段】基材の表面に形成される非晶質炭素膜が、水素を含まない固体炭素を原料とし成膜時にドロップレットが除去されて形成される。これにより、非晶質炭素膜が極めて滑らかな膜となり、低摩擦性の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】繰返し膜を形成する場合であっても、膜質が高い膜を形成することができるとともに、フィルタに付着した異物を容易に除去できる真空蒸着装置および真空蒸着方法を提供する。
【解決手段】本発明の真空蒸着装置は、真空容器内で蒸着により基板の表面に膜を形成するものであって、真空容器内を排気する真空排気手段と、真空容器内の上部に設けられ、基板を保持する基板保持手段と、この基板保持手段に対向して真空容器内の下部に設けられ、膜の成膜材料を加熱し、蒸発させる蒸発源と、この蒸発源の上方に設けられたフィルタ板とを有する。フィルタ板は、平板に複数の開口部が形成されている。 （もっと読む）

【課題】高い経時デバイス安定性及び動作安定性などが薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板上１０に、ゲート電極１５、ゲート絶縁層１２、チャネル層１１、ソース電極１３及びドレイン電極１４が形成される薄膜トランジスタにおいて、チャネル層１１はインジウム、ゲルマニウム及び酸素を含んでいて、チャネル層１１におけるＩｎ／（Ｉｎ＋Ｇｅ）で表される組成比が０．５以上０．９７以下である。 （もっと読む）

【課題】蒸着装置及び薄膜製造方法を提供する。
【解決手段】大型基板の場合にも、均一な薄膜を形成し、基板のサイズが変更される場合にも、装備の変更なしに容易に適用するためのものであって、直線動するように備えられた第１蒸着源と、第１蒸着源から離隔され、第１蒸着源と同時及び同一方向に直線動するように備えられた第２蒸着源と、第１蒸着源及び第２蒸着源と被蒸着体との間に位置し、第１蒸着源及び第２蒸着源と同時及び同一方向に直線動するように備えられた補正部材とを含み、補正部材は、第１蒸着源に対応する位置に備えられた第１補正板及び第２蒸着源に対応する位置に備えられた第２補正板を備える蒸着装置である。 （もっと読む）

【課題】基板、特にガラス基板、Ｓｉ基板、シリカ基板などセラミック基板の表面に対する密着性に優れたＣａおよび酸素を含む銅合金膜からなる酸素−Ｃａ含有銅合金下地膜とこの酸素−Ｃａ含有銅合金下地膜の上に形成された導電性に優れたＣａ含有銅合金導電膜とからなる密着性に優れた銅合金複合膜を提供する。
【解決手段】Ｃａ：０．０１〜２モル％、酸素：１〜２０モル％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有する酸素−Ｃａ含有銅合金下地膜と前記下地膜の上に形成されたＣａ：０．０１〜２モル％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有するＣａ含有銅合金導電膜からなる銅合金複合膜。 （もっと読む）

【課題】酸化インジウム亜鉛系スパッタリングターゲット、その製造方法、および酸化インジウム亜鉛系薄膜を提供する。
【解決手段】酸化インジウム亜鉛系スパッタリングターゲットは、（ＭＯ_２）_ｘ（Ｉｎ_２Ｏ_３）_ｙ（ＺｎＯ）_ｚの組成を有し、ｘ：ｙは１：０．０１〜１：１であり、ｙ：ｚは１：０．１〜１：１０であり、Ｍは、ハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、およびチタニウム（Ｔｉ）からなる群から選択された１つ以上の金属である。 （もっと読む）

【課題】直接粒子ビーム蒸着によって得られる液晶用配向フィルムを提供する。
【解決手段】本発明は、直接粒子ビーム蒸着法により液晶（ＬＣ）または反応性メソゲン（ＲＭ）を配向するための配向フィルムを調製するための方法と、前記方法により得られる配向フィルムと、ＬＣまたはＲＭを配向するための特に薄層の形態での前記配向フィルムの使用と、前記配向フィルムおよび１つ以上のＬＣおよび／またはＲＭ層を含む多重層と、光学的、電子的および電気光学的用途における配向フィルムおよび多重層の使用とに関する。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶性を有する膜を高い成膜速度で大面積に成膜することができる酸化亜鉛薄膜の成膜方法およびこの方法により成膜した酸化亜鉛薄膜を提供する。
【解決手段】成膜室中に陽極として配置されたハース５１に装填された酸化亜鉛を主成分とする蒸着材料に向けてアーク放電による高密度プラズマビームＰＢを供給して蒸着物質を蒸発させてイオン化し、蒸着材料と対向して配置された基板Ｗの表面に蒸着物質を付着させて薄膜を得る。このとき、ハース５１の周囲に配した磁場制御部材によりハース５１に近接した上方の磁界を制御し、また、ハース５１が真空容器１０に対して＋３０〜＋６０Ｖの電位となるように電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、形成される膜厚が均一であり、成膜効率が高く、さらに種々の成膜材料を適用することが可能な蒸着源、およびその成膜方法を提供することを目的とする。
【解決手段】成膜材料を蒸着させるための蒸着源であって、開口部を有する容器と、該容器内に配置された前記成膜材料を収容する成膜材料収容部と、前記成膜材料収容部と前記蒸着源の開口部との間に配置される、加熱可能な多孔質材部とを備えることを特徴とする蒸着源が提供される。本発明はまた、この蒸着源を用いた成膜方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の電極等に適用されその導電性が改善された酸化亜鉛系透明導電膜積層体を提供する。
【解決手段】スパッタリング法等により基板上に成膜され、ガリウム含有量が異なる複数層の酸化亜鉛系透明導電膜により構成された酸化亜鉛系透明導電膜積層体であって、最も基板側に成膜される酸化亜鉛系透明導電膜が、Ｇａ／（Ｚｎ＋Ｇａ）の原子数比でガリウム含有量が５．６〜１０．０％に設定されかつ膜厚が２０〜４０ｎｍに設定された酸化亜鉛系薄膜層（１）により構成され、この酸化亜鉛系薄膜層（１）上に成膜される単一若しくは複数の酸化亜鉛系透明導電膜が、上記酸化亜鉛系薄膜層（１）よりガリウム含有量が少ない酸化亜鉛系薄膜層（２）により構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

電気化学電池（２７）用の電極（２３）である要素であって、導電性基材（２８）と、導電性基材上に形成されこれを少なくとも部分的に覆う多元素材料を含む導電性耐食コーティング（２９）とを備えた要素を開示する。また、このような電極の製造方法と、電気化学電池用の電極の防食のための多元素材料の使用も開示する。多元素材料は式Ｍ_qＡ_yＸ_zで表される炭化物または窒化物の少なくとも１種の組成物を有し、ここでＭは遷移金属または遷移金属の組み合わせであり、ＡはＡ族元素またはＡ族元素の組み合わせであり、Ｘは炭素もしくは窒素またはこれら両方であり、ｚならびにｑおよびｙの少なくとも一方はゼロより大きな数である。多元素材料は対応するＭ_qＡ_yＸ_zの化合物の原子に基づく単元素、二相、三相、四相または高次相を含む少なくとも１種のナノコンポジット（４）をさらに含む。 （もっと読む）

【課題】成膜対象物の最内周から最外周に向かって均一な膜厚分布を実現することができるスパッタリング装置、及び、それを用いた光記録媒体の製造方法、並びに、光記録媒体を提供すること目的とする。
【解決手段】スパッタターゲットと円形の成膜対象物との間に、前記スパッタターゲットから前記成膜対象物に射出される粒子の一部を遮蔽する遮蔽部材を設けたスパッタリング装置であって、前記遮蔽部材の遮蔽率は、前記成膜対象物の中心を基準とする第１の半径領域では外周側に行くほど上昇し、第１の半径領域よりも外周側の第２の半径領域では外周側に行くほど下降し、第２の半径領域よりも外周側の第３の半径領域では外周側に行くほど第２の半径領域よりも大きな下降率で下降することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】蒸発源アセンブリ及びそれを用いた蒸着装置を提供する。
【解決手段】蒸発源アセンブリ３０を構成する外部ハウジング５０はガイド８０ａを有していて、蒸発源アセンブリを構成する蒸発源６０、７０が有するノズル部の貫通ホール２２２、３２２を所定の角度で傾けさせることによって、それぞれの蒸発源から吐出される蒸着物質が被蒸着基板の同一の領域に蒸着されるように誘導し、均一な粗さと均一な厚さを有する薄膜を形成できるようにする。 （もっと読む）

【課題】膜厚分布が良く、膜質が優れた膜を基板に形成することができ、しかも成膜材料の無駄を抑制できる真空蒸着装置および真空蒸着方法を提供する。
【解決手段】本発明の真空蒸着方法は、真空容器内で複数の蒸発源を用いて蒸着により基板の表面に膜を形成するものである。蒸発源は上方に開口部を有し、内部に成膜材料が収納される加熱容器、この底部から所定の高さの位置の温度を測定する温度センサ、加熱容器を加熱する加熱部を備え、成膜材料を蒸発させるものである。基板に膜を形成するに際して、各蒸発源について、所定の温度に達した後からの温度センサにより測定された温度の平均値を求め、温度センサによる温度の測定値が、平均値に所定の温度差値を足した値以上になったとき、温度が達した蒸発源における成膜材料の蒸発を停止させる。 （もっと読む）

【課題】テストサンプルを定期的にチェックする必要なしに、ＩｒＯｘ膜の酸化度を制御する。
【解決手段】上部電極、誘電体及び下部電極から構成される強誘電体キャパシタを有する半導体装置を製造する半導体製造装置であって、成膜チャンバー内に設置された半導体ウエハーに前記上部電極を形成するための混合ガスに含まれる酸素ガスを前記成膜チャンバーに導入する導入部と、前記成膜チャンバーに導入される酸素ガスの導入流量を制御する制御部と、前記成膜チャンバー内の前記混合ガスに含まれる酸素ガスの濃度を計測する計測部と、を備え、前記制御部は、前記計測部によって計測された酸素ガスの濃度の値が所定値の範囲内にない場合、前記酸素ガスの濃度の値が所定値の範囲内になるように前記酸素ガスの導入流量を変更する。 （もっと読む）