【課題】本発明は、蒸着品質を高めることができるマスク組立体およびそれを用いて製造された有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】本発明によるマスク組立体は、開口部を形成するフレームと、複数の蒸着用開口部を形成し、長さ方向に沿って引張力が加わった状態で両側端部がフレームに固定される複数の単位マスクとを含む。複数の単位マスクのうちの隣接した少なくとも二つの単位マスクは、互いに向き合う両側面に蒸着用凹部を形成する。単位マスクの幅方向に沿った蒸着用凹部の幅は、単位マスクの幅方向に沿った蒸着用開口部の幅と同一であるか、またはそれよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】蒸発材料の、蒸着対象物に対向する対向面内で、蒸発流密度の分布を均一にすることができる真空蒸着装置、これに用いられる電子銃及びその蒸着方法を提供すること。
【解決手段】真空蒸着装置１００では、メインコントローラ１４及び／または電子銃ドライバ５９により、電子ビームＢが、蒸発材料１０の上面１０ａの外形にしたがって揺動するように、揺動コイル６２が制御される。これにより、電子ビームが、その上面１０ａ全体に均一に入射される。したがって、蒸発材料１０の上面１０ａからの蒸発流分布（蒸発流密度）を均一にすることができる。その結果、成膜レートの安定化を図ることができ、基板Ｗに形成される蒸着膜の膜厚分布を均一にすることができる。 （もっと読む）

【課題】耐硫化性及び導電性に優れた耐硫化性電極材料及びこれを用いた耐硫化性電極を提供すること。
【解決手段】Ｍｏ−Ｘ合金からなる耐硫化性電極材料。但し、前記Ｘは、Ｍｏと合金を形成し、Ｍｏより室温での硫化物生成自由エネルギーが負に大きく、かつ、アルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素、希土類金属元素、及び、Ｔｌより元素番号の大きな元素以外の金属元素。前記Ｘの含有量は、１ａｔ％以上２０ａｔ％以下が好ましい。少なくとも表面から５０ｎｍまでの領域が本発明に係るＭｏ−Ｘ合金からなる耐硫化性電極。元素Ｘは、Ａｌ及びＧａからなる群から選ばれるいずれか１以上の金属元素が好ましい。 （もっと読む）

【課題】アスペクト比の異なる複数の開口下部に接続される配線に対して最適な処理を施すことができるようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、第１の半導体基板と第２の半導体基板が接合された半導体基板の第１の開口の下部配線と、貫通接続孔と異なるアスペクト比の第２の開口の下部配線に対して、バリアメタル膜の成膜と、スパッタガスによる物理エッチングを同時に行うアンカー処理工程が含まれる。本技術は、例えば、固体撮像装置などの半導体装置に適用できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、スリットの大きさが微細に制御された蒸着用マスクおよび蒸着用マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による蒸着用マスクは、貫設された複数のスリットが形成されたマスク本体、および原子層蒸着法（ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＡＬＤ）により前記マスク本体の表面全体にコーティングされた蒸着層を含む。 （もっと読む）

【課題】高い解像度を有し、かつ生産性が高い有機ＥＬ発光装置等の装置を製造するための成膜装置を提供する。
【解決手段】マスク部材１１と、マスク部材１１を固定するフレーム１２と、からなるマスクユニット１０と、マスクユニット（１０）１基に対して１組設けられるアライメント機構と、を備え、マスク部材１１が、複数組の開孔パターン１３ａが並列して設けられてなる開孔部１３を有し、前記アライメント機構により、複数の成膜領域がマトリクス状に設けられている一枚の基板１に対して複数のマスクユニットが互いに干渉されることなく配置され、成膜時においてマスクユニット１０を交換し又は移動することなく、一括して薄膜を成膜することを特徴とする、成膜装置。 （もっと読む）

【課題】分光特性の再現性が良く、さらに帯電抑制を図る。
【解決手段】光学フィルタ１には、透明基板２と、透明基板２上に形成されたフィルタ群３とが備えられている。フィルタ群３は、ＩＡＤ蒸着法により形成された高屈折率材料からなる第１薄膜３１と、ＥＢ蒸着法により形成された低屈折率材料のＳｉＯ₂からなる第２薄膜３２とが交互に複数積層されてなる。 （もっと読む）

【課題】表面にホワイトスポットがない外観が良好なスパッタリングターゲットを提供すること。
【解決手段】二種以上のホモロガス結晶構造を含む酸化物焼結体からなることを特徴とするスパッタリングターゲットを提供する。 （もっと読む）

【課題】複数の蒸着材料を被蒸着体に共蒸着するインライン型蒸着装置において、膜厚の蒸着膜を均一に製膜し、信頼性の高い被蒸着体を生産する。
【解決手段】蒸着装置１は、蒸着材料２０，３０を夫々蒸発させる蒸発源２，３と、蒸発源２，３から被蒸着体４へ向かう蒸着材料２０，３０の流路を囲うように配置されるホットウォール５と、を備える。蒸発源２，３は、蒸着材料２０，３０を被蒸着体４側へ放出する放出口２２，３１を有し、蒸発温度が高い蒸着材料３０を蒸発させる蒸発源３の放出口３２がホットウォール５の上端縁よりも上方に設けられている。この構成によれば、蒸発した蒸着材料３０がホットウォール５に付着することなく被蒸着体４に蒸着される。従って、蒸着材料３０がホットウォール５によって再蒸発しながら被蒸着体４に付着することがなく、膜厚の蒸着膜を均一に製膜でき、信頼性の高い被蒸着体４を生産することができる。 （もっと読む）

【課題】単結晶基板上において、圧電薄膜を良好な単結晶の状態で確実にエピタキシャル成長させて成膜し、圧電特性を確実に向上させる圧電素子と、その製造方法を提供する。
【解決手段】圧電素子１０は、以下の工程によって製造される。単結晶基板１を、振動する振動部１Ａと、振動部１Ａと連結されて振動が生じない非振動部１Ｂとに分けたときに、単結晶基板１上で、非振動部１Ｂ上を含む領域であって、振動部１Ａ上の圧電薄膜３の成膜領域を除く領域に、圧電薄膜３の単結晶での成長を阻害する阻害膜２を成膜する。次に、上記成膜領域となる振動部１Ａ上の少なくとも一部に、圧電薄膜３を単結晶でエピタキシャル成長させて成膜するとともに、阻害膜２上に、圧電薄膜３を非晶質または多結晶で成膜する。その後、阻害膜２上に成膜された圧電薄膜３を除去する。 （もっと読む）

【課題】優れた耐摩傷性を備えたトップコート層が、アンダーコート層を介して、樹脂基材の表面に、十分に高い密着性をもって積層形成されてなる樹脂製品を提供する。
【解決手段】ポリカーボネート製の樹脂基材１２の表面に積層されたアンダーコート層１４上に、無機珪素化合物のスパッタ層からなる基層部１８と、無機珪素化合物のプラズマＣＶＤ層からなる表層部２０との複層構造を有するトップコート層１６を更に積層形成して、構成した。 （もっと読む）

【課題】細い荷電粒子ビームを安定して発生させること。
【解決手段】イオンビーム生成装置１は、ガス流を発生させるガス源７と、基端部２１がガス源７に接続され、先端部２５がテーパー状に形成されたキャピラリーチューブ９と、キャピラリーチューブ９の側面３５を外側から囲むように設けられた板状電極１９と、板状電極１９にパルス電圧を印加するパルス電圧源１１と、イオンビームの照射対象のターゲットＴに負の直流バイアスを印加するバイアス電圧源１３とを備え、キャピラリーチューブ９の側面３６には複数の側孔３７ａ，３７ｂが形成されている。 （もっと読む）

【課題】電子注入効率が高く低電圧駆動が可能な有機発光素子を製造する方法を利用する際に使用される蒸着装置を提供する。
【解決手段】蒸着材料２５を収容する収容容器２３と、収容容器２３内に収容される蒸着材料５をガス状態にする加熱手段（熱源２２）と、を有する蒸着装置において、収容容器２３と被蒸着基材との間であって、ガス状態の蒸着材料が通過する位置に媒体２１を有し、媒体２１と前記被蒸着基材との間に媒体２１が発する熱を遮蔽する遮蔽部材が配置されていることを特徴とする蒸着装置。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング時に異常放電によりスプラッシュが発生することを抑制または低減することができるスパッタリングターゲットの製造方法、および該製造方法によって得られるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】正面フライス１００を軸線Ｌまわりに回転させながら、軸線Ｌに直交する走査方向に走査させて切削加工を行うことで、スパッタリングターゲットのスパッタリング面５１を仕上げ加工する。正面フライス１００には、スローアウェイチップ（インサート）３として、第１チップ３１と第２チップ３２とが設けられる。第１チップ３１は、円弧状の切り刃を有する。第２チップ３２は、直線状の切り刃を有する。 （もっと読む）