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Fターム[4K029BA01]の内容

物理蒸着 (93,067) | 被膜材質 (15,503) | 金属質材 (5,068)

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単体金属 (3,635)
合金 (1,295)

Fターム[4K029BA01]に分類される特許

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【課題】
本発明は、流れるワーキングガスを供給しながらアーク放電によって束縛されたプラズマビームを生成させるための、前記ワーキングガスの流れの中で互いに距離をあけて配置された2つの電極及びこれらの2つの電極間に電圧を発生させる電圧源を有するビーム発生器に関する。
【解決手段】
前記電圧源は、アーク放電のための点弧電圧とパルス周波数とを有する電圧パルスを生成し、この電圧パルスは、前後して続く2つの電圧インパルス間ごとにアークを消弧することができる。
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【課題】処理容器内の脱気処理を十分に行って高真空にできると共に、高温に耐え得る載置台構造を提供する。
【解決手段】被処理体Wに対して金属を含む薄膜を形成するために被処理体を載置する載置台構造32において、内部にチャック用電極34と加熱ヒータ36とが埋め込まれたセラミック製の載置台38と、載置台の周辺部の下面に接続された金属製のフランジ部100と、フランジ部とネジ126により接合されると共に内部に冷媒を流すための冷媒通路40が形成された金属製の基台部42と、フランジ部と基台部との間に介在された金属シール部材130とを備える。 (もっと読む)


【課題】プリスパッタリング処理に適したダミー基板の提供
【解決手段】このプリスパッタリング処理用のダミー基板10は、金属製の基板で形成されている。そして、基板10の表面に凹部14又は凸部12が形成されている。かかるダミー基板10によれば、金属製の基板で形成されているので、プリスパッタリング処理で形成される薄膜80の膜応力が作用した場合でも、ガラス製の基板に比べて割れにくい。また、基板10の表面に凹部14又は凸部12が形成されているので、表面に堆積した薄膜80が剥がれにくい。 (もっと読む)


【課題】 真空中で基板全体の温度を正確に測定しその測定結果に基づいて、基板全面で均一な温度分布を与えるための温度分布の管理と、基板の温度制御と、が可能な基板処理技術を提供すること。
【解決手段】 基板処理装置は、第1の処理室内で、基板を加熱するための複数のヒータを有する加熱部と、第1の処理室から第2の処理室に基板を搬送する間に、加熱部により加熱された基板の温度を測定する複数の温度測定部と、第2の処理室内で、基板を再加熱するための複数のヒータを有する再加熱部と、温度測定部の測定結果に基づき、再加熱部の出力を制御する出力制御部と、を備える。 (もっと読む)


本発明の教示内容は、OLEDや他の種類のディスプレイ装置の一部を成す1以上の基材の上に、1以上の材料(例えば、1種以上の固体など、1以上の薄膜)を積層するための装置および方法に関する。いくつかの実施の形態での開示内容は、1以上の基材の上にインクを積層するための装置および方法に関する。こうした装置には、例えば、インクを格納する1以上のチャンバと、1以上のチャンバ内にあってインクの液滴を噴射するように構成された複数の開口部と、例えば矩形配列の形を取る微細孔配列を有する放出ノズルと、を有し、各微細孔は入口ポートと出口ポートと有し、放出ノズルはチャンバから開口部を介して入口ポートで複数のインク液滴を受け取り、出口ポートから放出する。インク液滴は、放出ノズルの入口ポート上に間隔をあけて定められた固有の位置で受け取られる。いくつかの実施の形態では、複数(例えば3つ)の開口部を有する単一の液体インク格納チャンバが、複数の粒子が懸濁した液体の状態のインクを受け取り、インク液滴はチャンバからほぼ同時に、放出ノズル上の間隔をおいた別々の位置に向けて放出され、放出ノズルはキャリア液を蒸発させてから、固体の粒子を1以上の基材に積層する。 (もっと読む)


【課題】エレクトロマイグレーションの抑制が図られた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体素子の形成された半導体基板と、半導体基板の上方に、水分を含み、凹部が形成された層間絶縁膜と、凹部の内面上に形成され、非晶質及び多結晶の一方の結晶性を有する第1のバリアメタル層と、第1のバリアメタル層上に形成され、非晶質及び多結晶の他方の結晶性を有する第2のバリアメタル層と、第2のバリアメタル層上に形成された銅配線と、銅配線を覆って前記層間絶縁膜上に形成された銅拡散防止絶縁膜と、銅配線と銅拡散防止絶縁膜との界面に形成された金属酸化物層とを有する。 (もっと読む)


【課題】弊害なくたわみを回避できる蒸着用マスクを提供する。
【解決手段】被蒸着体であるウェハと接するウェハ対向面と、該ウェハ対向面と反対の面であり蒸着源と対向する蒸着源対向面15と、該ウェハ対向面と該蒸着源対向面15とを貫通する開口を有するマスク開口領域14と、該開口の形成されない領域である無効領域12とを有する。そして、該蒸着源対向面15の該無効領域12に付加された線状の補強部材16を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】マスクの材質を問わずに正確なアライメントが可能となるマスクアライメント装置を提供する。
【解決手段】薄膜パターンをパターニングすべき基板とパターン形成用のマスクとを位置合わせするマスクアライメント装置であって、位置決めステージ10と、位置決めステージ10の上部に取り付けられたマスク吸着体20と、マスク吸着体20の上方に配設された上下動可能な基板保持手段30と、マスク上のアライメントマークと基板上のアライメントマークとを撮像して両者の位置合わせ状況を観察できるカメラ40とを具備し、マスク吸着体20は、多孔質体からなるテーブル21とそのテーブル21を下面から真空吸引する機構とからなる。テーブル上に載置されたマスクを真空吸着してその反りを矯正した状態で基板との位置合わせができ、非磁性体のメタルマスク、ガラスやフィルムといったマスクの材質を問わずに正確なアライメントが可能となる。 (もっと読む)


【課題】良好なオーミック性接触が得られる裏面電極を備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第1の面11aに半導体素子が形成された半導体基板11と、半導体基板11の第1の面11aと対向する第2の面11bに分散して形成され、金アンチモン合金、または金ガリウム合金を主成分とする第1導電層12と、半導体基板11の第2の面11bに第1導電層12を覆うように形成された第2導電層13と、を具備している。 (もっと読む)


【課題】例えばCu膜に対するバリヤ性及び密着性を高く維持することができる層構造を形成する成膜方法を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器132内で、表面に凹部2を有する被処理体Wの表面に成膜処理を施す成膜方法において、遷移金属含有原料ガスを用いて熱処理により遷移金属含有膜210を形成する遷移金属含有膜形成工程と、元素周期表のVIII族の元素を含む金属膜212を形成する金属膜形成工程とを有するようにする。これにより、例えばCu膜に対するバリヤ性及び密着性を高く維持する。 (もっと読む)


【課題】良好な強誘電体膜を備えた強誘電体メモリ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】製造方法は、下地絶縁膜23の上方に、アモルファス状の表層334を含んだ下地層イリジウム膜331を形成する工程と、アモルファス状の表層334を酸化して、酸化イリジウム層335とする酸化工程と、酸化イリジウム層335上にMOCVD法で強誘電体膜を形成する工程と、強誘電体膜上に電極を形成する工程と、を有する。アモルファス状の表層334を形成しており、表層334に多結晶構造がないので、これを均一に熱酸化することができる。したがって、酸化による体積膨張が均一となり、表層334の上面を平坦にすることができる。また、表層334の厚さを10nm以上にしており酸素が表層334をほとんど透過しないので、下地層331はほとんど酸化されない。これにより、結晶性の下地層331が不均一に酸化されて凹凸を生じることが防止される。 (もっと読む)


【課題】陽極において酸素発生を伴う電解銅箔製造、アルミニウム液中給電、連続電気亜鉛メッキ鋼板製造等の工業電解において優れた耐久性を有する電解用電極の製造方法を提供する。
【解決手段】バルブメタル又はバルブメタル基合金よりなる電極基体1の表面に、AIP法により結晶質のタンタル及び結晶質のチタン成分を含有するバルブメタル又はバルブメタル基合金よりなるAIP下地層2を形成する工程と、電極基体を加熱焼成処理し、結晶質のタンタル及び結晶質のチタン成分を含有するバルブメタル又はバルブメタル基合金よりなるAIP下地層のタンタル成分を非晶質に変換する加熱焼成工程と、非晶質に変換されたタンタル成分及び結晶質のチタン成分を含有するAIP下地層の表面に電極触媒層3を形成する工程とよりなる電解用電極の製造方法。 (もっと読む)


【課題】蒸発物の回収部と回収物の収納場所とを切り離して別個のものとすることにより処理効率を向上させ、また、収納容器を十分に大きなものとすることを可能にしてその交換頻度を激減させてその交換の手間を省くことができ、以て、有価金属の加熱蒸発回収作業の簡素化と高効率化を実現し得る、真空蒸発回収方法及び装置を提供する。
【解決手段】有価金属を含む処理品を、還元ガスを用い又は用いることなく真空炉1内において減圧下で加熱蒸発処理して前記有価金属を回収するための装置であって、前記真空炉1に付設され、前記処理により発生する蒸発金属を付着堆積させて前記有価金属を回収する回収筒2と、回収部2において回収され、加熱されてそこから剥落される回収金属を収納する収納容器4とが分離されて設置される。回収筒2は、真空炉1の下面に下向きに設けられる、ヒータ層5、6を備え、収納容器4は回収筒2の下方に搬入される。 (もっと読む)


【課題】対象物の所望の領域に簡単に金属膜を成膜することができる蒸着装置を提供する。
【解決手段】蒸着装置1に、金属を収納する金属収納器と、金属収納器に収納された金属を加熱して金属蒸気を発生させるヒータと、金属蒸気を送出する送出口9において開口するとともに金属蒸気を送出口9まで誘導する中空部を形成され、中空部に面する内表面部が金属蒸気の蒸着を抑制する蒸着抑制材により形成された蒸気誘導器4とを設ける。 (もっと読む)


本発明は、被酸化性金属または被酸化性金属合金または金属酸化物の層を、亜鉛または亜鉛合金で予め被覆された金属ストリップ上に真空中で蒸着すること、被覆された金属ストリップを巻回すること、亜鉛または亜鉛合金層のすべてまたは一部において、被酸化性金属または被酸化性金属合金の拡散によって形成された合金の層を上部に含むコーティングを有するストリップを得るために、巻回された金属ストリップに静的拡散処理を適用することを含む金属ストリップを被覆する方法に関する。本発明は、また、前記方法を実行するための装置に関する。 (もっと読む)


【課題】薄いフィルムでも金属蒸着電極形成時に熱ダメージを受けない金属化フィルムの製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】PPフィルム1上にマスク部を形成するパターン形成部4と、マスク部以外に金属蒸着電極を形成する蒸着部5を有し、パターン形成部4が、オイルを気化・噴出させるオイルタンク6と、オイルが付着して回転する転写ロール7と、転写ロール7のオイルが転写される凸版部を備えてPPフィルム1表面にパターンを印刷する印刷ロール8と、PPフィルム1裏面に当接するバックアップロール9からなり、転写ロール7、印刷ロール8、バックアップロール9の少なくとも一つに冷却機構を設けた構成により、PPフィルム1に加わる熱を低下できるため、薄いPPフィルム1を用いても熱ダメージを受けず、優れた性能と品質の金属化フィルム1aを安定して生産できる。 (もっと読む)


【課題】 保磁力などの磁気特性が効果的に向上または回復し、かつ、耐食性や耐候性を有する永久磁石を高い量産性で製造できる永久磁石の製造方法を提供する。
【解決手段】 処理室70を画成する処理箱7内に焼結磁石と、Dy、Tbの少なくとも一方を含む金属蒸発材料vとを配置した後、真空チャンバ3内に収納する。そして、真空中にて処理箱を加熱して金属蒸発材料を蒸発させ、蒸発した金属原子を焼結磁石表面に付着させ、前記付着した金属原子を焼結磁石の結晶粒界及び/または結晶粒界相に拡散させる。処理室内の昇温過程で金属蒸発材料が蒸発しないように処理室内に不活性ガスを導入する。 (もっと読む)


【課題】基板保持具に堆積した膜の剥離などにより生ずるパーティクルの問題を解決する手法を提供する。
【解決手段】成膜済みの基板9を基板保持具90から回収するアンロードロックチャンバー2と、未成膜の基板9を基板保持具90に搭載するロードロックチャンバー1との間のリターン移動路上に、膜剥離防止チャンバー710が、アンロードロックチャンバー2及びロードロックチャンバー1に対して気密に接続されている。膜剥離防止チャンバー710内には、基板保持具90及び保持爪91の表面の堆積膜の上にコーティングをする膜コーティング手段が設けられている。 (もっと読む)


【課題】より高い電流密度を得ることを可能とすることにより、プロセスの高速化を図ることが可能なイオンガン及び成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明のイオンガン1は、スリット状の開口部11が形成された陰極2と、開口部11の幅方向に磁場を発生させる磁石3と、この磁場に対して略垂直方向に電界を生じさせるように陰極2の裏面から離間して配置された陽極4と、を備え、陰極2の表面の開口部11からイオンビームBが引き出されるもので、陽極4を構成する材料が強磁性材、または非磁性のステンレス鋼を熱処理により弱磁性材化した弱磁性材である。 (もっと読む)


【課題】プラズマをターゲット表面の広範囲に発生させることが可能な磁場形状を実現し、ターゲット材料の利用効率を向上させ、ダストや異常放電を抑制することを可能とするマグネトロンスパッタ装置、および当該装置を用いたスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】マグネトロン電極の磁気回路10を、ターゲット2の中央部から外周部へ向かって「中心垂直磁石101、内側平行磁石103、外側平行磁石104、外周垂直磁石102を配置した磁気回路10」として、内側平行磁石103をターゲット2に近づける。 (もっと読む)


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