【課題】気化材料がるつぼ内を移動して、るつぼの各部分を溶かすことや、そのため温度安定性が不十分となることを防止できる金属気化用るつぼを提供する。
【解決手段】気化るつぼは、囲いを形成するための壁を有する電気伝導性で管軸を具備したチャンバ管１２０と、第１電気接続部１６２、１８２と、第２電気接続部と、少なくとも１個の供給開口１３４と、上記チャンバ管の少なくとも１個のディストリビュータ口１７０とを備えており、上記囲いは溶解／気化範囲を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】枠状やリング状のような全周が繋がっている成膜パターンを形成することができる成膜用治具を提供する。
【解決手段】水晶ウエハ１０を載置することが可能なベース部材２０と、ベース部材２０に載置され、水晶ウエハ１０の少なくとも一部を露出することが可能な開口部３１を有するガイド部材３０と、開口部３１より外形が小さく、平面視して開口部３１内であって、開口部３１の縁から全周にわたり隙間を設けて配置されたマスク部材４０と、ガイド部材３０とマスク部材４０とを結合するブリッジ部材５０と、を備え、ブリッジ部材５０のうち、側面視して隙間上に配置された部分は、マスク部材４０におけるベース部材２０に対向する下面４１より上方に、所定の間隔を空けて配置されている。 （もっと読む）

【課題】高周波マイクロプラズマ発生器として、内径が数ｍｍ程度の細管又はノズルを用いた、材料堆積などのマイクロプラズマ加工法、及び該加工を実施するための装置を提供する。
【解決手段】高周波電圧を印加することによりプラズマ発生用細管内又はプラズマ発生用ノズル内に高周波プラズマを発生させ、該発生したプラズマを被加工基板に向けて照射し、該基板に加工を施すマイクロプラズマ加工法及びその装置であって、前記高周波電圧を変調させることで、断続的にプラズマを発生させることを特徴とするマイクロプラズマ加工法及び装置。 （もっと読む）

【課題】高純度化したＥＬ材料を用いてＥＬ層を形成することができる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】 本発明における成膜装置および成膜方法は、成膜直前に純粋なＥＬ材料の昇華温度を利用してＥＬ材料の昇華精製を行い、ＥＬ材料に含まれる酸素、水およびその他の不純物を除去すると共に、昇華精製により得られたＥＬ材料（高純度ＥＬ材料）をそのまま蒸発源として用いて成膜を行うことができるという機能を有する成膜装置およびそれを用いた成膜方法であり、これまで以上に高純度なＥＬ層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、クランプを備えたスパッタ装置により、厚さの異なる半導体基板に金属膜を形成する工程を含む半導体装置の製造方法に関し、厚さの異なる半導体基板に形成された金属膜の膜質を略均一にすることを課題とする。
【解決手段】厚さの異なる半導体基板２３−１，２３−２をステージ２１上に固定するクランプ２５を備えたスパッタ装置１０により、厚さの異なる半導体基板２３−１，２３−２に金属膜２９を形成する金属膜形成工程を含む半導体装置の製造方法であって、クランプ２５を絶縁すると共に、可変抵抗２６を介して、ステージ２１をグラウンド電位とし、金属膜２９を形成するときに、可変抵抗２６に流れる電流が所定の値となるように可変抵抗２６の抵抗値を調整する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングによるターゲットの消費効率を低下させずに、段差に成膜される薄膜の被覆性を改善する。
【解決手段】基板の端部７１Ｌの表面に段差のある基板２１に薄膜を成膜する場合、まず（Ａ）に示すように基板２１をターゲットに対して傾斜させながら薄膜９１を成膜する。次に、（Ｂ）に示すように基板２１をターゲットに対して傾斜させながら薄膜９１の上に薄膜９２を成膜する。薄膜９１と薄膜９２を順に成膜することで、（Ｃ）に示すように、段差の側面９７Ｌ，９７Ｒ及び底面９８に被覆性の良い薄膜が成膜される。また、ターゲットに対して基板２１の角度を連続的に変化させながら薄膜９６を成膜する。 （もっと読む）

【課題】 マスク材を容易に剥がすことができ、試料を真空装置内に入れた時にマスク材からのアウトガスが少ない電極パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】
本発明に係る電極パターン形成方法は、試料１の表面に対して、基材２の表面に粘着剤３が設けられたマスク材１２,１５を貼り付けることにより、試料１の表面の一部をマスクする工程と、マスク材１２,１５の上から試料１の表面に、気相成長法によって金属膜２０を成膜する工程とを備え、基材２は、フッ素樹脂製であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大きな接触応力が作用するような条件下や無潤滑下においても好適に使用可能な転がり摺動部材及び転動装置を提供する。
【解決手段】スラスト玉軸受の内輪１，外輪２と玉３との接触面においては、内輪１，外輪２，玉３の母材にＤＬＣ層Ｄが被覆されている。母材のうちＤＬＣ層Ｄが被覆されている部分の表面粗さＲａは、０．０３〜０．２μｍである。ＤＬＣ層Ｄは、炭素からなるカーボン層Ｃと、モリブデン及び炭素からなる複合カーボン層ＦＣと、モリブデンからなる第一金属層Ｍ１と、モリブデン及びクロムからなる複合金属層ＦＭと、クロムからなる第二金属層Ｍ２と、の５層で構成され、ＤＬＣ層Ｄの表面側からカーボン層Ｃ，複合カーボン層ＦＣ，第一金属層Ｍ１，複合金属層ＦＭ，第二金属層Ｍ２の順に配されている。これら５層の等価弾性定数は、いずれも母材の等価弾性定数の０．８〜１．５倍である。 （もっと読む）

【課題】真空容器内で金属ターゲットにレーザを照射し、該金属ターゲットの照射部から放出された金属原子のクラスターを生成する装置において、生成するクラスターのサイズ分布を狭く制御することを可能とした金属クラスター生成装置を提供する。
【解決手段】真空容器内で金属ターゲットにレーザを照射し、該金属ターゲットのレーザ照射部から放出された金属原子のクラスターを生成する装置において、上記金属ターゲットにパルスレーザを照射するレーザ発生装置、および該放出された金属原子のプルーム形成位置を三次元的に取り囲む多数箇所に各々配置され、該プルーム形成位置に向けて不活性な冷却ガスを、上記パルスレーザの照射パルスと同期させてパルス状に吹き付ける多数のガス導入路を備えたことを特徴とする金属クラスター生成装置。 （もっと読む）

【課題】製品の表面を外側にして公転回転させ、その公転回転の円軌跡より外方位置に成膜材料を置いて製品の表面に金属被膜を形成する方法において、表面に凹凸を有する製品に対して、製品の表面に形成される被膜の膜厚を制御する。
【解決手段】成膜材料１２が置かれた位置を通過する製品１０の公転速度を、製品１０の径方向の高さに応じて変化させる。あるいは、製品１０の成膜材料１２に対する角度を変化させ、成膜材料１２に対する角度を変化させた状態に応じて製品１０が成膜材料１２の置かれた位置を通過する時間を変化させる。 （もっと読む）

【課題】大きな接触応力が作用するような条件下や無潤滑下においても好適に使用可能な転がり摺動部材及び転動装置を提供する。
【解決手段】スラスト玉軸受は、内輪１と外輪２と複数の玉３とを備えている。内輪１，外輪２と玉３との接触面、すなわち転がり摺動面には、パルス幅１ｐｓ以上５ｐｓ以下の短パルスレーザーの照射による微細加工が施されている。そして、転がり摺動面のうち微細加工が施されている部分には、ダイヤモンドライクカーボン膜Ｄが被覆されている。ダイヤモンドライクカーボン膜Ｄは、Ｃｒ，Ｗ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｎｉ，及びＦｅのうちの１種以上の金属からなる金属層Ｍと、前記金属及び炭素からなる複合層Ｆと、炭素からなるカーボン層Ｃと、の３層で構成されていて、該３層はダイヤモンドライクカーボン膜Ｄの表面側からカーボン層Ｃ，複合層Ｆ，金属層Ｍの順に配されている。 （もっと読む）

【課題】 薄膜形成用蒸着装置を提供する。
【解決手段】 本発明による薄膜形成用蒸着装置は、蒸着材料を加熱して蒸発させる蒸発源と、前記蒸発源から供給された気相の蒸着材料を移送する送り管と、前記送り管を開閉する開閉手段と、前記送り管に連結され、前記蒸着材料を基板に向けて噴射する噴射手段とを含んでなる。本発明によると、工程の進行によって、蒸着材料の供給を制御することができる。即ち、蒸着材料の供給が不要な場合、これを遮断することによって、蒸着材料の使用効率を極大化することができる。 （もっと読む）

【課題】 構造底部のバリア材料厚と比べると、構造側壁においてより厚いバリア材料被覆範囲を有する相互接続構造体、及び、そのような相互接続構造体を製造する方法を提供すること。
【解決手段】 構造底部のバリア材料厚と比べると、構造側壁においてより厚いバリア材料被覆範囲を有する相互接続構造体、及び、そのような相互接続構造体を製造する方法が提供される。本発明の相互接続構造体は、従来のＰＶＤプロセス、従来のイオン化プラズマ堆積、ＣＶＤ、又はＡＬＤによってバリア材料が形成される従来技術の相互接続構造体と比べると、半導体業界のための改善された技術拡張性を有する。本発明によると、構造底部のバリア材料厚（ｈ_ｔ）より厚い、構造側壁のバリア材料厚（ｗ_ｔ）を有する相互接続構造体が提供される。すなわち、本発明の相互接続構造体において、ｗ_ｔ／ｈ_ｔ比は、１００％に等しいか又はそれより大きい。 （もっと読む）

【課題】小型カソードにおいても放電を維持し、かつ、ターゲット全面を均一に侵食させることを可能とすることを課題とする。
【解決手段】ターゲットが、概略箱型形状をなすように構成されているスパッタリング装置において、誘導磁場通過体を挟んで放電空間の反対側に設置されたアンテナに電力を供給することによってプラズマを生成し、更に、ターゲットに供給されたバイアス電圧によってスパッタリングを生じさせることにより、小型カソードにおいても放電を維持し、かつターゲット全面を均一に侵食させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】有効な磁場の分布を変えることによって膜の堆積／エッチング特性を変えるための磁気フィルタ装置を備えたプラズマ・システムを提供すること。
【解決手段】磁気フィルタ装置が磁石または磁石群とターゲット（通常では半導体ウェハ）の間に配置され、望ましい処理結果を得るために磁場を変えるために選択され、構成される。堆積ごとに、この磁気フィルタはより均一な堆積を供給するように、後に続くエッチングまたは研磨処理におけるウェハのエッジでの増大したエッチング速度を補償するためにウェハのエッジまたは隣接部で増大した堆積速度を供給するように選択される。アニール処理とドーピングに関して、磁場はウェハ全域にわたってより均一で同等のアニール処理またはドーピングを供給するように変える。様々な応用が開示される。 （もっと読む）

【課題】成膜手段による温度上昇に伴う、水晶基板の変形、反りを防止し、正確な成膜パ
ターンを形成することができる水晶基板の成膜方法を提供する。
【解決手段】水晶基板６０の成膜治具は、略中央に案内孔６１が開設される水晶基板６０
の表裏の主面に配設される下マスク４０と上マスク７０と、水晶基板６０の外周を間隙を
有して取り囲む中板５０と、水晶基板６０及び下マスク４０と上マスク７０とを挟み込む
上枠８０及び下枠２０と、基台１０とを備え、下枠２０に突設される案内軸２３に、水晶
基板６０の案内孔６１、下マスク４０の案内孔４１、上マスク７０の案内孔７１を挿通し
て組立てる。中板５０と水晶基板６０の外周とは間隙を有しており、成膜工程の熱膨張に
伴う水晶基板６０の変形、反りを低減し、正確な成膜パターンを形成する。 （もっと読む）

本発明は、一般的なレベルで、大きい表面積を備える金属製品をコーティングするための方法に関する。本発明はまた、この方法により製造された、コーティングされた金属製品にも関する。このコーティングは、レーザー光線を反射するための少なくとも１つのミラーを備える回転光学スキャナを用いてパルス状レーザー光線が走査される超短パルスレーザー堆積を用いて実施される。本発明は、いくつかの工業的にかつ品質的に有利な効果（例えば、高コーティング生産速度、優れたコーティング特性および全体的な低製造コスト）を有する。 （もっと読む）

【課題】リフト・オフ法によって薄膜パターンを形成する際に製造される製品に障害を生じさせない薄膜パターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板Ｐ上に形成されたレジスト膜Ｒを、形成する薄膜パターンに対応する薄膜パターン用開口部Ｍ１ａと一辺の長さＬ１，Ｌ２がレジスト膜Ｒの膜厚の２分の１以下の大きさに設定されたダミー・パターン用開口部Ｍ１ｂを有する露光マスクＭ１を介して露光させ、現像工程の後、基板Ｐおよびレジスト膜Ｒ上に、蒸着法またはスパッタリング法によって薄膜パターンの形成材料ｆによる薄膜Ｆ１，Ｆ２を形成し、この後に、レジスト膜Ｒをレジスト剥離液ｒによって溶解して基板Ｐ上から除去する。 （もっと読む）

【課題】Ｍｎを主成分とするスパッタリングターゲットにおいて、各種デバイスの高性能化等に伴って益々厳しくなってきているスパッタ膜への要求特性を満足させる。
【解決手段】Ｍｎを主成分とするスパッタリングターゲットの各部位の酸素量をターゲット全体の酸素量の平均値に対して±２０％以内とする。Ｍｎを主成分とするスパッタリングターゲットの各部位の窒素量をターゲット全体の窒素量の平均値に対して±４０％以内とする。Ｍｎを主成分とするスパッタリングターゲットの各部位の炭素量をターゲット全体の炭素量の平均値に対して±７０％以内とする。 （もっと読む）

【課題】金属なし領域を高精度に画定するのに適しているにもかかわらず簡単で信頼できる手段によって連続した基板上にパターンに合わせた領域又はいずれの場合にも金属なし領域を形成できる金属化装置を提供する。
【解決手段】ウエブ材料Ｎに被覆を真空蒸着する装置は、ウエブ材料の送り通路と、上記ウエブ材料を案内する処理ローラ１９と、処理ローラと組合わされ、被覆を形成する材料の少なくとも一つの蒸発源と、予め確立したパターンに従ってウエブ材料にマスキング剤を施すアプリケータユニット５１とを有する。アプリケータユニットは、上記マスキング剤の分配シリンダ５５と共動する印刷シリンダ５３及び上記マスキング剤の源５７を備える。アプリケータユニット５１は、側部に、処理ローラ１９に対するアプリケータユニット５１の位置を調整する互いに分離した調整手段７３を備える。 （もっと読む）