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Fターム[4K029BA01]の内容

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Fターム[4K029BA01]に分類される特許

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【課題】 潤滑油を介在させなくても位置決め精度を維持できる治具用クランプ装置を提供する。
【解決手段】 位置決め凹部12を有するブッシュ11と、この位置決め凹部12に嵌合するクランプ軸22を有するピン21とを備え、このピン21のクランプ軸22がブッシュ11の位置決め凹部12に対して着脱可能に嵌合することによりピン21とブッシュ11が互いに結合する治具用クランプ装置において、ブッシュ11の位置決め凹部12とピン21のクランプ軸22の少なくとも一つの表面に炭素を主成分としたアモルファス構造体からなるDLCコーティング膜(30)を形成した。 (もっと読む)


【課題】メッキゲージに水晶基板をセットした状態で洗浄を行うと、洗浄液が水晶基板の表面とメッキゲージとの間に残留した状態で乾燥されるので、水晶基板の表面に「シミ」が残ってしまうという現象がしばしば発生する。
本発明は、水晶基板をメッキゲージにセットしたまま、メッキゲージごと洗浄液に浸漬して洗浄した場合であっても水晶基板にシミが残らないメッキゲージの構造を提供することを目的とする。
【解決手段】圧電基板の両主面を両側から挟み込む構造のメッキゲージであって、圧電基板の両主面に形成する電極パターンに相当する形状の貫通孔と、該貫通孔と所定の間隙を隔して前記圧電基板側に形成された凹部とを備えていることを特徴とする (もっと読む)


本発明の薄膜の形成方法は、基板を保持するための基板ホルダ13の搬送速度を制御しながら、基板ホルダ13を、中間薄膜形成工程を行う領域と膜組成変換工程を行う領域との間を繰り返し搬送させて、最終的に形成される薄膜の膜組成を調整し、ヒステリシス現象が起きる領域の光学的特性値を有する薄膜を形成する光学的特性調整工程とを備える。
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ワーク(燈本体)(3)の表面に成膜をするにあたり、従来のような成膜室にセットしてではなく、金型を用いて成膜をするようにして成膜作業の簡略化を図る。固定金型(2)に成膜手段である真空蒸着装置(6,7,8)を設け、可動金型(1)にワーク(3)を支持させた状態で、可動金型(2)を固定金型(1)に型合わせし、次いで成膜空間を真空状態にしてから成膜をし、しかる後、可動金型(1)を型開きするように構成することで、金型を用いてのワーク表面の成膜作業が一連の工程でできるようにする。
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【課題】 立体形状や凹凸形状等の多様な表面形状を有する基材の全面に成膜ムラのない均一な膜厚の薄膜を容易にかつ無駄なく成膜することが可能なスパッタリング成膜装置を提供する。
【解決手段】 その内部を所定の真空状態で維持する真空チャンバ1と、該真空チャンバの内部で薄膜が成膜される基材を支持する板状の基材ホルダ8と、該基材ホルダと対向する前記真空チャンバ内の所定の位置に配置され前記成膜される薄膜の原料としての成膜物質を供給するターゲット部20aと、該ターゲット部からの前記成膜物質の供給量を制御するための制御部18a〜18d,19a〜19dとを備えるスパッタリング成膜装置100であって、前記ターゲット部が少なくとも3以上の板状のターゲット10a〜10dを有し、前記3以上のターゲットの各々の主面の法線が、前記基材ホルダの主面の法線に対して各々傾斜している。 (もっと読む)


本発明によれば、パルスdc物理気相堆積プロセスによるLiCoO層の堆積が提供される。そのような堆積により、所望の<101>配向または<003>配向を有するLiCoOの結晶性層の低温高堆積速度堆積を提供することが可能である。堆積のいくつかの実施形態は、固体再充電可能Li電池のカソード層として利用しうるLiCoO膜の高速度堆積の必要性に対処するものである。本発明に係るプロセスの実施形態によれば、LiCoO層を結晶化させるために慣例的に必要とされる高温(>700℃)アニール工程を省略することが可能である。本プロセスのいくつかの実施形態によれば、短時間のランプ速度の急速熱アニールプロセスを利用することにより、LiCoO層を利用する電池を改良することが可能である。
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分配可能なアルカリ金属量を増大し、期間内に一定の金属蒸気を放出する特性を用いて使用できるアルカリ金属分配システム(10)であって、1以上の第一開口部(13)を備えた金属容器(11)を含む金属分配装置を含み、また、好ましくはルースパウダーの形態または該パウダーのペレットの形態を有する1以上のアルカリ金属化合物と1以上の還元性化合物との混合物(15)を含む。さらに、該システムは、前記第一開口部に面する1以上の第二開口部(14)を備えた、前記容器を実質的に包囲する金属シールド(12)を含む。
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【課題】
基材の端部を遮蔽することなく、基材端部にまで有効な真空薄膜を製造する方法を提供する。本発明により、基材の端部まで全面が均一な真空薄膜を得ることができる。
【解決手段】
基材上に真空薄膜を形成する方法において、該基材が該基材の幅より大きな幅を持つ支持体に近接または接触しており、かつ該基材の両端部のさらに外側に該支持体がはみ出し、該支持体のはみ出した部分に被覆シートを配設させた状態で成膜することを特徴とする真空薄膜の製造方法。
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【課題】蒸着膜の膜厚を均一化することができる蒸着装置および蒸着方法を提供する。
【解決手段】蒸着装置30は、前面基板2を収納する蒸着室31と、蒸着室内を真空排気する真空排気装置32と、を備えている。蒸着室31内には、前面基板2の被蒸着面2aと対向したるつぼ37と、前面基板およびるつぼの間に位置し、複数のスリット41を構成した複数の棒40が配置されている。 (もっと読む)


リチウム塩類と還元剤の間の混合物を提供し、リチウム塩類がチタン酸塩(Li2TiO3)、タンタル酸塩(LiTaO3)、ニオブ酸塩(LiNbO3)、タングステン酸塩(Li2WO4)、及びジルコン酸塩(Li2ZrO3)の中で選択され、前記還元剤がアルミニウム、ケイ素、ジルコニウム、チタニウム、又はジルコニウム、若しくはチタニウムの合金中で選択される。
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【課題】環境温度の上昇、また昇温と降温の繰り返しなどの条件下において、被覆されたDLC膜の亀裂や剥離の発生を抑制する半導体加工装置用部材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、被覆層を1層以上有する金属製基材からなる半導体加工装置用部材であって、前記被覆層の最外層が水素含有量18〜40at%のダイヤモンドライクカーボン層である。また、本発明の半導体加工装置用部材の製造方法は、金属製基材表面又は被覆層を1層以上有する金属製基材の最外層に、炭化水素含有ガス雰囲気下で、パルス幅が1μS〜20mS、印加電圧が−1〜−50kV、パルス繰り返しが1000〜8000ppsのパルス電圧を印加することにより発生するプラズマによってアモルファスカーボンを析出させるものである。 (もっと読む)


【課題】開口を封止して中空構造部分を形成する場合であっても、当該開口の確実な封止を可能とし、その中空構造部分による機能実現の確実化を図ることのできる機能素子を提供する。
【解決手段】開口4を封止することで形成される中空構造部分2を有した機能素子1において、前記開口4を物理蒸着によって成膜される封止膜6で封止する。そして、前記封止膜6は、前記物理蒸着の際の成膜温度または成膜後のアニール温度が、当該封止膜6の成膜材料のリフロー温度以上に昇温することにより形成する。これにより、前記封止膜6の成膜材料が溶融して表面張力による流動を起こすようにして、前記開口4内への封止膜6の成膜材料の充填を容易にする。 (もっと読む)


プラズマ処理システム(10)と方法は、金属流動シールド(42)が誘電体ウインドウを保護する時ほどでない制限的要件を持てる方法で、内部の高濃度プラズマ(30)を維持する真空チャンバ(12)の内部コイル(40)を提供する。シールドはコイルをプラズマ熱負荷からも保護する。コイルは積極的に冷却しなくてよい。若干の金属がシールドを通過できコイル上に蒸着できる。これは、外部コイル形態のシールドほど複雑でないスロット(43)を備えた薄いシールドをもたらす。シールドの良好なRF透明性は、遥かに簡単なシールド形状の結果である。コイルはスパッタリングされず消耗品でない。コイルは小さな導電空間に囲まれ、インダクタンスを減らし、コイル電流と電圧を減少し、調整回路(22a)とRFコネクタの設計と構成を順に単純化する。スティフナ(45)はコイルを支持し、金属蒸着による導電性通路の形成を避けるよう作られる。
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本発明により、1kW/cmより大きいピーク電流密度を伴う0.1メガワットから数メガワットを有するピーク電流供給することが可能な直流パルス電源を含む新規のマグネトロンスパッタリング装置が提供されている。電源は、アーク状態の検出で、エネルギー蓄積コンデンサおよびプラズマから切断し、かつ、インダクタエネルギーをエネルギー蓄積コンデンサへ再循環させるスイッチ手段を有する直列接続されたインダクタを含むパルス回路を有する。エネルギー蓄積コンデンサおよび直列接続されたインダクタは、インピーダンス整合をプラズマへ提供し、アーク発生の場合には、電流の上昇速度および最大振幅を制限し、プラズマへの電圧パルスを成形する。
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顕著に向上した有効寿命及び耐食性を有する金属蒸発用の耐火性容器であって、耐火性ホウ化物、窒化ホウ素、及び酸化物、窒化物、炭化物又はこれらの混合物の1種から選択される希土類金属化合物約0.10〜10wt%から実質的になる耐火性容器。 (もっと読む)


【課題】高集積化、微細化されたパターンにおいて、ビアホール等を良好に埋め込み、かつ電気抵抗率の低い埋め込み型の多層配線構造を提供する。
【解決手段】埋め込み型の多層配線構造の製造方法が、絶縁層に孔部を形成する工程と、孔部の表面に、物理的真空堆積法で、平均膜厚が0.2nm以上で10nm以下である触媒層6、または触媒層の平均膜厚が、触媒層の材料原子の1原子層以上で10nm以下である触媒層6、を形成する工程と、触媒層を触媒に用いた無電解めっき法により、孔部の表面に無電解めっき層7を形成する工程と、無電解めっき層をシード層に用いた電解めっき法で、孔部を電解めっき層8で埋め込む工程とを含む。 (もっと読む)


複数のスパッタターゲットを形成するよう分割するのに十分な寸法を有するバルブ金属のミル成形体を製造する方法が記載される。本方法は、約100μm以下の好ましい平均粒度及び/又は組織バンドの実質的にない組織を有するミル成形体を形成するためのインゴットの多方向変形を含む。
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【課題】 非磁性支持体を薄型化した場合でもカッピング等の発生を防止するとともに優れた電磁変換特性を達成する。
【解決手段】 非磁性支持体は、少なくとも、他主面を構成する第1の芳香族ポリアミドフィルムと、上記第1の芳香族ポリアミドフィルム上に形成された第2の芳香族ポリアミドフィルムとを有するとともに、上記第1の芳香族ポリアミドフィルム中に含有される不活性粒子が上記第2の芳香族ポリアミドフィルム中に含有される不活性粒子と比較して大とされてなり、上記非磁性支持体は、上記第1の芳香族ポリアミドフィルムを除いた厚みが2.0μm以上であり、上記非磁性支持体の他主面にバックコート層が形成されたことを特徴とする。 (もっと読む)


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