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Fターム[4K029BA01]の内容

物理蒸着 (93,067) | 被膜材質 (15,503) | 金属質材 (5,068)

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単体金属 (3,635)
合金 (1,295)

Fターム[4K029BA01]に分類される特許

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【課題】ICのシールド用メッキ膜を製造する設備及びICの金属シールド膜層を提供する。
【解決手段】ベース31は、チャンバー311を有している。ワーク支持具32は、チャンバー311に内設されており、かつ複数の回転軸と回転自在に接続され、各回転軸は、少なくとも一つのジグを有し、そのジグでは、少なくとも一つのICを取付ける。各中周波マグネトロンターゲット33及び各多重アークイオンターゲット34は、それぞれチャンバー311に内設され、中周波マグネトロンターゲット33及び多重アークイオンターゲット34が、金属材料をIC上にスパッターリングを行うように用いられることによって、ICの表面に少なくとも一つの金属シールド膜層が形成される。 (もっと読む)


【課題】補助陰極および主陰極のメンテナンスを容易にできるプラズマガンを提供する。
【解決手段】円筒状容器17の一端の開口縁部を中間電極1bに固定し、他端の開口縁部にテーパ状フランジ部46を形成する。円筒状容器17の内部に、陰極取付基体11に対して着脱自在に取り付けた円筒状の保護部材15を配置し、この保護部材15の内部に陰極取付基体11および保護部材15に対して着脱自在に取り付けた補助陰極14および主陰極16を配置する。円筒状容器17のテーパ状フランジ部46にシール部材47を介して陰極取付基体11のテーパ状フランジ部48を対称に突き合わせ配置し、テーパ状フランジ部46,48にまたがって外周側から固定手段61の凹溝62を被嵌する。固定手段61は、複数のブロック63をリンク64によりチェン状に連結するとともにそのチェン状に連結した環状体の一端および他端に位置するブロックを1本のネジ式操作杆により接近する方向に締め付け可能である。 (もっと読む)


【課題】溶媒性ハードコーティングにおける設備、クリーンルーム環境等の不利点を克服する。
【解決手段】ハードコートフィルムであって、透明なポリマーフィルム基板2と、前記フィルム基板の表面上に形成される有機接着層4であって、約0.025μmから約20.0μmの範囲の厚さを有する接着層と、前記接着層の表面上に形成される有機ハードコート層6であって、約0.025μmから約20.0μmの範囲の厚さを有する有機ハードコート層と、を備えるハードコートフィルム。 (もっと読む)


【課題】相変化膜の組成が変わることを抑えつつ、基板の凹部に対する相変化膜の埋め込み性を高めることのできる相変化メモリの形成方法、及び相変化メモリの形成装置を提供する。
【解決手段】相変化メモリの形成に際し、金属カルコゲナイドターゲットをスパッタして絶縁膜23の上面23s及びホール23h内に相変化膜24を形成する。次いで、相変化膜24を覆うキャップ膜25を形成する。更に、相変化膜24を加熱して、相変化膜24によってホール23hを埋め込むリフローを行う。キャップ膜25は、絶縁膜23よりも相変化膜24に対する濡れ性が低い材料で形成される。 (もっと読む)


【課題】リチウムイオン二次電池の生産において、処理時間の違いによって生じる処理装置の待ち時間を減少させる技術を提供する。
【解決手段】第二の処理部4で基板70を真空処理した後、大気に搬出し、移動室2の一端に接続された搬入室31から大気に曝さずに基板70を移動室2内に搬入し、基板70を移動室2に接続された第一の処理部3に移動させて真空処理し、大気に曝さずに第三の処理部5で真空処理し、リチウムイオン二次電池を生産する。 (もっと読む)


【課題】意匠面の薄膜形成領域だけに、薄膜を安定的に且つ確実に形成可能とされた薄膜形成用マスキング装置を提供する。
【解決手段】第一のマスキング部34にて、基板12の意匠面16の薄膜非形成領域をマスキングすると共に、第二のマスキング部38にて、基板16の非意匠面18の少なくとも一部をマスキングした状態下で、それら第一及び第二のマスキング部34,38に設けられた第一及び第二の板状突出部32,36が、基板12の意匠面16の薄膜非形成領域の周囲において、互いに非接触な状態でオーバーラップして配置されるように構成した。 (もっと読む)


【課題】誘電体フィルム上の金属蒸着電極中の各金属成分の比率を制御し、優れた特性を有する金属化フィルムを提供する。
【解決手段】真空蒸着装置は、上部が開口した蒸着室8と、蒸着室内に設けられ、金属材料を加熱して金属蒸気を発生させる複数の蒸発源16と、蒸着室内において、複数の蒸発源どうしを仕切る隔壁18を備え、隔壁は、水平方向に可動な板状の基部24と、基部の上部に設けられ、鉛直方向に可動な仕切り板25を有する構成とした。この構成により、各金属蒸気が放出される開口部の面積を自由に変更できるようになり、さらに夫々の蒸発源からの金属蒸気どうしが重なり合う量を制御することができる。この結果、金属蒸気の蒸着量やその状態の制御が可能となり、金属蒸着電極中の各金属成分の比率や分布状態を制御できる。そして、優れた特性を有する金属化フィルムを作製できる。 (もっと読む)


【課題】被成膜材料の有無を検出する検出機能を確保することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置1は、ワークWに成膜材料を成膜する成膜装置であって、ワークWを収納し成膜処理を行う成膜室2と、成膜室2の内部に設けられ、ワークWを搬送する搬送装置7と、成膜室2を画成する壁3aに設けられ、光を透過する防着ガラス27を有し、成膜室2の外部から内部への投光を可能とするビューポート13と、成膜室2の外部に設けられ、ビューポート13の防着ガラス27を透過させてセンサー光を投光し成膜室2の内部のワークWの有無を検出する走行センサ11と、防着ガラス27への成膜材料の堆積を抑制するためのヒータ31と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】基板内の温度差を抑制し、基板に生じる応力を緩和することが可能な成膜装置、及び成膜基板製造方法を提供すること。
【解決手段】基板と接触して基板を搬送する回転自在の搬送ローラーの回転を正回転と逆回転とで切り替えて、基板を加熱または冷却しながら基板を往復動させる。これにより、基板と搬送ローラーとの接点の位置を変化させ、特定部位のみが搬送ローラーと接触すること回避し、基板内の温度差を抑制する。また、基板を往復動させることで、加熱/冷却手段の設置範囲を拡大せずに、基板の加熱/冷却を行うことができる。また、搬送ローラーを回転させながら、基板を加熱/冷却するため、基板と搬送ローラーとの摩擦係数を低減することができ、基板と搬送ローラーとの接点をずらし、基板の伸縮を許容する。 (もっと読む)


【課題】金属化フィルムの破損することなく製造する。
【解決手段】帯状のプラスチックのフィルム12と、帯状の支持板16を貼り合わせ、貼り合わせた状態で、差圧シール機構30を介し、蒸着室36に導入する。蒸着室36内でフィルム12に金属膜を蒸着し、金属膜が蒸着された金属化フィルム44と支持板16が貼り付けられた状態で、差圧シール機構30を介し、蒸着室36から排出する。その後、支持板16を金属化フィルムから剥離する。 (もっと読む)


【課題】基板毎に成膜の目標膜厚を設定でき、ひいては電極線幅に対応した膜厚を形成することができる成膜システム及び成膜方法を提供する。
【解決手段】基板18上に形成された複数箇所のレジスト19を測定する測定室102と、基板18を1枚ずつ成膜して基板18上に電極21を形成する枚葉式成膜室104と、を有する成膜システム100であって、基板18上にて隣接するレジスト19のレジスト間距離またはレジスト線幅を測定する測定手段116を測定室102に有し、測定手段116によって測定したレジスト間距離またはレジスト線幅に基づいて、基板18から作製される電気素子が所定の周波数を得るための最適な電極膜厚を算出する制御手段114を有し、枚葉式成膜室104は、基板18の電極膜厚が制御手段114で算出された最適な電極膜厚となるように、基板18に電極を形成する成膜手段10を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】断熱性能が向上され、耐熱温度の向上が図られた温度測定器、それを備えた成膜装置、それを用いた成膜基板製造方法を提供すること。
【解決手段】温度検出部1からの信号を記録する記録部2を内側容器3に収容し、その内側容器3を外側容器4〜6に収容することで断熱する構成とする。外側容器4〜6を、板厚方向に所定間隔の隙間部を有する複数の壁体により構成し、板厚方向に隣接する壁体間の熱伝導を減らす。同様に、外側容器4と内側容器3との間に隙間部を形成すると共に、内側容器3と記録部2との間に隙間部を形成する構成とする。さらに、外側容器の壁体を、内側容器の材質と比較して、熱伝導率が高く、かつ、熱容量が小さい材質によって形成する。これにより、外側容器で受けた熱を、同一壁体内に伝熱し均一化することで、局所的な高温部の発生を抑える。 (もっと読む)


【課題】円筒状ターゲットを有するスパッタリング装置において、スパッタリング装置の稼動を停止させることなく、T/M距離を調整することを可能とするスパッタリング装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板にスパッタリングを行うスパッタリング装置において、チャンバと、チャンバ内に設けられた円筒状ターゲットと、前記円筒状ターゲットの内部に設けられたマグネットと、前記マグネットを前記円筒状ターゲット内部で支持するマグネット支持部材と、前記マグネット支持部材に接続されたマグネット昇降棒と、を有し、前記マグネット昇降棒を前記マグネット昇降機構により昇降させることにより、前記マグネットと円筒状ターゲット内壁との間隔を変更可能としたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】基板の処理に好適なプラズマ源を提供すること。
【解決手段】基板を処理するための直線形状のプラズマ源であって、 内部にマグネトロンプラズマが生成される放電キャビティであるとともに、内面上に配置されたカソード電極(16)上にマグネトロンプラズマが生成され、アノード電極が放電キャビティの外部に配置されている、放電キャビティと;放電キャビティの外部に配置された複数の磁石(1,2)であるとともに、放電キャビティ内に無磁界ポイントを形成する、複数の磁石と;を具備し、処理の一様性が、プラズマに対して基板を移動させることにより、あるいは、基板に対してプラズマを移動させることにより、得られている。 (もっと読む)


【課題】真空チャンバー内で被接合物どうしを接合する技術を提供する。
【解決手段】表面活性化された接合表面を有する被接合物どうしを接合するときに、真空チャンバー内において、少なくとも一方の被接合物に金属をスパッタして金属膜を形成することにより、金属膜により当該被接合物の表面活性化された接合表面を形成して、被接合物どうしを接合する。 (もっと読む)


【課題】大面積で結晶性の良い単結晶ダイヤモンドを成長させることができ、高品質の単結晶ダイヤモンド基板を安価に製造できる単結晶ダイヤモンド成長用基材及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンドを成長させるための基材10であって、少なくとも、線膨張係数がMgOよりも小さく、かつ0.5×10−6/K以上の材料からなるベース基材13と、該ベース基材13の前記単結晶ダイヤモンドを成長させる側に貼り合わせ法で形成した単結晶MgO層11と、該単結晶MgO11上にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜、ロジウム膜、白金膜のいずれかからなる膜12を有するものであることを特徴とする単結晶ダイヤモンド成長用基材10。 (もっと読む)


【課題】スパッタリングターゲットの効率を向上させる。
【解決手段】一面が基板に対向するスパッタリングターゲットと、前記スパッタリングターゲットの他面に対向するように配置された磁石部材と、前記スパッタリングターゲットの中心部に対応する部分が前記スパッタリングターゲットの前記他面に平行な第1方向に沿って形成された直線部を備え、前記スパッタリングターゲットのエッジ部に対応する部分が前記スパッタリングターゲットに対して、前記第1方向と垂直な第2方向に遠くなるように形成された傾斜部を備えるガイドレールと、前記ガイドレールに対向し、前記第1方向に沿って形成されたスクリューラインと、前記磁石部材と弾性部材により連結されて、前記スクリューラインに沿って前記磁石部材を前記第1方向に運動させる連結ブロックと、を備える、スパッタリング装置。 (もっと読む)


【課題】第1および第2のメタルマスクを含むメタルマスクセットを用いて基板に所定の配線パターンを成膜する際、配線パターンの寸法精度を向上させる。
【解決手段】例えば、半導体基板102に所定の配線パターンを成膜する際に用いられる複数のメタルマスクを含むメタルマスクセット100において、配線パターンの一部領域に対応した形状の開口部340を有する第1のメタルマスク110(チップ用マスク320)と、配線パターンの他の一部領域に対応した形状の開口部350を有し、さらに第1のメタルマスク110の開口部340を覆う形状の空間部360を有する第2のメタルマスク120(チップ用マスク330)とを備え、半導体基板102に順次設置される第1および第2のメタルマスク110、120を介してそれぞれ第1および第2の金属が基板に順次成膜されることにより基板に配線パターンが成膜される。 (もっと読む)


【課題】 真空チャンバ内のメンテナンスが容易で、電磁コイル等の磁気コイルの劣化が小さく、ランニングコストが安い装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 プラズマ輸送室2を広くすることを可能にするため、誘導磁場発生部8の少なくとも一部を真空チャンバ1内に取り込むとともに、該誘導磁場発生部8を構成する磁気コイル7をプラズマ輸送室2内に設けた大気空間部6a内に配置するようにした。 (もっと読む)


【課題】1枚の基板に1枚のメタルマスクを用いる場合のメタルマスクの膨張量を基板の膨張量に近づけて蒸着パターンの位置ズレを防止する。
【解決手段】支持体付きメタルマスク装置100は、半導体基板102の複数のスクライブライン106を物理的に1枚のプレートで覆い、半導体基板と異なる線膨張係数を有し、複数のチップにそれぞれ対応する複数の所定のパターン112を複数の貫通孔として有し、複数の貫通孔を通じて半導体基板に金属を蒸着させる単一のメタルマスク110と、メタルマスクの線膨張係数と半導体基板の線膨張係数との間の線膨張係数、又は半導体基板と同一の線膨張係数を有し、複数のスクライブラインの少なくとも一部のスクライブラインに対応する格子部116を有する支持体114と、一部のスクライブライン内の少なくとも一部の領域において、メタルマスクと支持体とを接続する接合体とを備える。 (もっと読む)


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