【課題】基板上に成膜したＷ膜の膜厚面内均一性を向上させることが可能であり、さらにはパーティクルの発生を減少させることが可能なＷスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｗスパッタリングターゲットは、スパッタリングされる面のＸ線回折により求められた結晶面（１１０）及び（２００）の結晶方位比率（１１０）／（２００）が０．１〜６．５であることを特徴とする。また、本発明の高純度Ｗスパッタリングターゲットの製造方法は、高純度Ｗ粉末を加圧焼結後、得られた焼結体をターゲット形状に加工後、ロータリー研磨およびポリッシングの少なくとも１種の研磨を施し、さらにエッチングおよび逆スパッタリングの少なくとも１種の研磨を施すことにより仕上げ加工することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板上に成膜したＷ膜の膜厚面内均一性を向上させることが可能であり、さらにはパーティクルの発生を減少させることが可能なＷスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｗスパッタリングターゲットは、スパッタリングされる面のＸ線回折により得られた結晶面（１１０）のピークの半値幅が０．３５以下であることを特徴とする。また、本発明の高純度Ｗスパッタリングターゲットの製造方法は、高純度Ｗ粉末を加圧焼結後、得られた焼結体をターゲット形状に加工後、ロータリー研磨およびポリッシングの少なくとも１種の研磨を施し、さらにエッチングおよび逆スパッタリングの少なくとも１種の研磨を施すことにより仕上げ加工することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 製造工程の増加を招くことなく、タングステン配線の低抵抗化できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、基板表面に、微細形状を有する絶縁層を形成した後、この微細形状を含む絶縁層表面に、Ｔａ膜またはＴａＮ膜からなる下地層を形成する工程と、下地層の表面に、タングステンから膜なる配線層を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板上に成膜したＷ膜の膜厚面内均一性を向上させることが可能であり、さらにはパーティクルの発生を減少させることが可能なＷスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｗスパッタリングターゲットは、スパッタリングされる面のＸ線回折により得られた結晶面（１１０）のピークの半値幅が０．３５以下であることを特徴とする。また、本発明の高純度Ｗスパッタリングターゲットの製造方法は、高純度Ｗ粉末を加圧焼結後、得られた焼結体をターゲット形状に加工後、ロータリー研磨およびポリッシングの少なくとも１種の研磨を施し、さらにエッチングおよび逆スパッタリングの少なくとも１種の研磨を施すことにより仕上げ加工することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】劣化が低減された活物質膜を作製することが可能な蒸着装置を提供する。
【解決手段】Ｌｉ膜を構成すべきＬｉを蒸発させる蒸発源、及び、該蒸発源から蒸発させたＬｉを表面に付着させる成膜部を有する第１チャンバー並びに第２チャンバーと、第１チャンバー及び第２チャンバーを減圧する減圧手段と、を備え、第１チャンバー及び第２チャンバーを大気解放する前に流入させる気体が第２チャンバーを通過した後に第１チャンバーへと流入するように、第１チャンバー及び第２チャンバーが配置されている、蒸着装置とする。 （もっと読む）

【課題】表面の親水性に優れ、摺動抵抗が小さいダイヤモンド状炭素被膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ケイ素を含むダイヤモンド状炭素被膜であって、表面エネルギーが３５ｍＪ／ｍ^２以上であることを特徴としており、ダイヤモンド状炭素被膜中におけるケイ素含有量は、３原子％以上であることが好ましく、スパッタリング法により形成することができる。 （もっと読む）

【課題】空気接触面に付着した金属、金属合金、金属化合物、又は金属間化合物層から成る耐傷性を有する保護層を提供する。
【解決手段】この保護層の厚さは、通常、１〜３ｎｍであり、酸化後、光学吸収を持つ。この層は、始めに主に未酸化又は未窒化状態で付着される。該金属、金属合金、金属化合物、又は金属間化合物層は、空気に曝された後、数日以内に完全に酸化する。この層を酸素又は窒素等の反応性ガスを含むプラズマ、放電、又はイオンビームに曝す場合は、この保護層の厚さは、２〜５ｎｍであってもよい。 （もっと読む）

【課題】 本発明はＯ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分を多量に含有する粗金属から、該ガス成分を大幅に減少させることのできる高純度金属の製造に際し、クロム、マンガン等の金属特有の蒸気圧が高いことを利用するとともに、低コストでかつ安全性が高い金属の製造方法並びにこれによって得られた高純度金属、高純度金属からなるスパッタリングターゲット及びスパッタリングにより形成した薄膜を提供する。
【解決手段】 Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分含有量が総量で２００ｐｐｍ以下であることを特徴とする高純度クロム又は高純度マンガンからなる高純度金属。 （もっと読む）

【課題】表面が曲面形状または凹凸 形状を有する基板上に、平滑性の高い被エッチング層と熱反応型レジスト材料を積層した積層体を設けることを目的の一つとする。
【解決手段】曲面形状または凹凸形状の基板上に、フロン系ガスを用いたドライエッチング処理に用いられ、且つ元素群Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂから少なくとも１種類を含む元素及びその酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、セレン化物、シリサイドのいずれかから選択されるドライエッチング材を含むドライエッチング層と、前記ドライエッチング層の上に熱反応型レジスト層とを積層する。 （もっと読む）

【課題】基材への接着を促進するような中間層を使用しないで硬質被覆層をかみそり刃先基材に被覆する方法を提供する。
【解決手段】金属でドープ塗装されたグラファイトを有するターゲットをスパッタリングすることにより、金属ドープされたダイヤモンド状炭素からなる被覆層１６をかみそり刃の研がれた刃先ならびにその近接部の基材１２に直接蒸着形成し、次いでポリ四フッ化エチレンからなる外側層１８を前記金属でドープ塗装されたダイヤモンド状炭素の被覆層上へ被覆形成する。 （もっと読む）

【課題】厚さ30μm以下の金属リチウム薄膜が安定して製造され、且つ金属リチウム薄膜の転写が容易な多層フィルムを提供することにある。
【解決手段】金属箔の少なくとも片面にプラスチック膜を有し、更にプラスチック膜の少なくとも片面の表面に金属リチウム薄膜を有し、該金属泊がBe、C、Mg、Al、Si、S、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Mo、Ag、In、Sn、Sb、Ta、W、Pt及びAuからなる群から選択される金属元素の少なくとも1種を含む多層フィルム。 （もっと読む）

【課題】真空雰囲気下でシリコン基材の表面部を微細加工により多孔質化し、次いで真空雰囲気のまま連続して当該表面部に成膜処理することができ、シリコン基材に不純物が付着することを抑えることのできる技術を提供すること。
【解決手段】真空室３１内にノズル部５を設け、ノズル部５の吐出口に対向するようにシリコン基板Ｗを保持する。例えばＣｌＦ３ガス及びＡｒガスをノズル部５の基端側から０．３ＭＰａ〜２．０ＭＰａで供給し、この混合ガスをノズル部５の先端側から１Ｐａ〜１００Ｐａの真空雰囲気に吐出させる。これにより混合ガスが断熱膨張し、Ａｒ原子やＣｌＦ３の分子が結合してガスクラスターＣとなる。このガスクラスターＣをイオン化させずにシリコン基板Ｗの表面部に照射し、当該表面部を多孔質化する。続いて真空を破らずに別の真空室４１でこのシリコン基板Ｗの表面にリチウムをスパッタ成膜する。 （もっと読む）

【課題】金属膜を成膜するための成膜装置の真空チャンバーを大気開放する際に、金属膜が発火するおそれを短時間で低減することを目的とする。
【解決手段】基板１０６に金属膜を成膜するための成膜装置の真空チャンバー１０１に配備された構成部品であるチムニー１０４や防着板１０７の外面に開口する多数のガス供給孔を設ける。構成部品の表面に付着した金属膜に対して、前記ガス供給孔から酸素を含むガスを供給し、金属膜を裏面側からも酸化させる。これにより、真空チャンバー１０１から構成部品を大気中に出して金属膜の除去処理を行っても発火しなくなる。 （もっと読む）

【課題】鉄を含み表面に酸化被膜を有する金属に、従来の技術を用いるよりも密着性の高い炭素膜を形成する。
【解決手段】制御部４は、酸溶液をウェットエッチング槽１１１に供給させる。そして、供給された酸溶液により鉄合金が浸漬されると、制御部４は、保温部４２０を制御してウェットエッチング槽１１１の内部の温度を、予め定めた時間に亘り予め定めた温度に維持する。これにより、鉄合金が有する酸化被膜が酸溶液に溶出する。制御部４は、ウェットエッチング槽１１１から酸溶液を排出させ、蒸留水をウェットエッチング槽１１１に供給させる。これにより、ウェットエッチング槽１１１の内壁や鉄合金に付着した酸溶液が洗浄される。ウェットエッチング槽１１１の内部に置かれた前処理後の鉄合金は、取り出されて成膜チャンバー３３０に置かれ、イオンビームエッチングにより酸化被膜をさらに除去された後、アーク放電などにより表面に炭素膜を形成される。 （もっと読む）

【課題】パラジウム被覆銅ボンディングワイヤにおいて、連続伸線時のPd粉の堆積を低減してとダイヤモンドダイスの磨耗を抑制すると共に、軸上偏芯を低減し、安定した溶融ボール形成を可能とする。
【解決手段】高純度銅又は銅合金からなる芯材に純度９９質量％以上のパラジウムからなる中間層及びその上層に純度９９．９質量％以上であって、該中間層のパラジウムよりも硬度及び融点の低い、金、銀、銅又はこれらの合金からなる、膜厚１〜９ｎｍの超極薄表面層を形成した、線径１０〜２５μｍのボールボンディング用被覆銅ワイヤ。表面層によりパラジウムを被覆して潤滑性を向上して図３のパラジウム粉の堆積による伸線加工時の断線を防止し、かつ、軸上偏芯を抑制する。 （もっと読む）

【課題】高い圧電性能と良好な表面モフォロジを有する圧電体膜とその製造方法、圧電素子および液体吐出装置を提供する。
【解決手段】下記式（Ｐ）で表されるペロブスカイト型酸化物からなり、０．０９０≦ｂ≦０．２５を満たし、Ｂサイト中のＮｂ比率が、０．１３≦ａ×（１−ｂ）を満たすことを特徴とする圧電体膜とその製造方法である。また、この圧電体膜を用いた圧電素子および液体吐出装置である。
Ｐｂ_１＋δ（Ｚｒ_ｘＴｉ_ｙ）_１−ａ（Ｍｇ_ｂＮｂ_１−ｂ）_ａＯ_ｚ ・・・（Ｐ）
（なお、δ＝０、ｚ＝３が望ましいが、ペロブスカイト構造をとり得る範囲内で変更可能である。また、Ｐｂに変えてペロブスカイト構造をとり得る範囲の量で他のＡサイト元素に置換することも可能である。） （もっと読む）

【課題】 効率的に且つ十分に非記録部の磁性が失活した磁気記録媒体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に磁気記録層を含む磁気記録媒体において、前記磁気記録層は、記録部と非記録部とから成るパターンを有し、前記非記録部は、前記記録部が非磁性化した構造を有し、前記非記録部は、バナジウムおよびジルコニウムから成る群から選択される少なくとも１つの金属元素と、窒素、炭素、ホウ素および酸素から成る群から選択される少なくとも１つの元素とを含み、前記非記録部に含まれる窒素、炭素、ホウ素および酸素から成る群から選択される少なくとも１つの元素の含有量は、前記記録部に含まれる元素の含有量よりも多い磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】グラニュラ構造の垂直磁性層をスパッタリング法で形成するに際し、形成する磁性粒子を微細化し、また磁性粒子の粒界幅を広げ、今まで以上に高記録密度化に対応可能な電磁変換特性に優れた磁性層を形成可能とするターゲットを提供する。
【解決手段】磁気記録媒体のＣｏ系磁性層をスパッタリング法で形成するために用いるターゲットを、ＣｒまたはＣｒ合金を５モル％以上含み、ＣｏＯを５モル％以上含み、融点が８００℃以下の酸化物を合計で３モル％〜２０モル％の範囲内で含み、気孔率が７％以下とする。またターゲットに、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｎｂ_２Ｏ_５、Ａｌ_２Ｏ_３、ＣｅＯ₂からなる群から選ばれる何れか１種を含有させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高い反射率と良好な耐久性とを同時に実現せしめることが可能な反射積層膜を提供することを課題とした。
【解決手段】基材上に成膜される反射積層膜であり、該反射積層膜は基材上に下地層、該下地層上にＡｇを主成分とする反射層、該反射層上に保護層、該保護層上に透明増反射層を有し、前記反射層がＮを含むものであり、前記透明増反射層がＳｉの酸窒化物層を含む積層体であり、該積層体はＳｉの酸窒化物層を含む低屈折率層と高屈折率層とを含むものであることを特徴とする反射積層膜。 （もっと読む）

【課題】 リチウム膜の性能の向上を実現しうるリチウム積層部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバー１０内で、気相成長法により、基材フィルム２１（基材）上にリチウム膜２２を堆積させて、リチウム積層フィルム２３（リチウム積層部材）を作成する。その後、リチウム膜積層フィルム２３を電子デバイスの一部として利用するための処理を行う。リチウム積層フィルム２３を収納する特定容器内の雰囲気を、不活性ガスと、ＣＯ_２と、露点が−２０℃未満となる水分とを含む特定雰囲気に調整する。特定容器としては、真空チャンバー１０，作業室１１，パスボックス１２（中間室）などがある。これにより、リチウム膜を利用した電池の変色防止性能，保存特性，電池容量などの特性の向上が実現する。 （もっと読む）