【課題】本発明は、金属プレートの２つの表面のうちの一方のみを平坦化することによる、金属ブランク、ディスク及びスパッタリングターゲットの製造における改善。
【解決手段】金属プレートの第二表面の平坦化をなくすことにより、顕著なコスト削減がなされる。本発明の金属プレートは、好ましくは片面平坦度が０．００５インチ以下であり、ターゲットブランクとバッキングプレートとの間の接合の信頼性が改善される。好ましい金属には、タンタル、ニオブ、チタン及びそれらの合金などがあるが、これらには限定されない。また、本発明は、金属プレートの第一面を機械加工し、第一面をバッキングプレートに接合した後、必要に応じて金属プレートの第二面を機械加工することに関する。 （もっと読む）

【課題】表面に写る反射像が不鮮明に見える現象が抑制され、良好な外観を有する合わせガラスを得ることができる赤外線反射フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】透明樹脂フィルム２上に赤外線反射膜３を構成する複数の構成膜のうち最初に成膜される１つの構成膜３（１）を０．５０Ｐａ以上の圧力下で真空成膜する工程と、前記最初の構成膜が成膜された透明樹脂フィルムを１．０×１０^−３Ｐａ以下の高真空下で３０秒以上保持する工程と、前記高真空下での保持が行われた透明樹脂フィルム２に前記複数の構成膜の残りの構成膜３（２）〜３（Ｎ）を真空成膜して赤外線反射フィルム１とする工程とを有する赤外線反射フィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】結晶性に優れたIII族窒化物の受光層を形成することのできる半導体積層構造、及びこれを用いた紫外線センサーを提供する。
【解決手段】所定の基材３上において、III族窒化物下地層４と、少なくともGaを含むIII族窒化物層５とを順次に積層し、その上にInおよびAl、あるいは一方を含むIII族窒化物からなるAlyInxGa1-x-yN受光層６を設けた半導体積層構造１、及びこれを用いて表面にショットキー電極７s、およびオーミック電極７oを形成させて紫外線センサー２を作製する。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い単結晶ダイヤモンドをヘテロエピタキシャル成長させることができ、しかも安価で大面積なダイヤモンドを成長させることができるダイヤモンド成長用基材、及び安価に大面積高結晶性単結晶ダイヤモンドを製造する方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンドを成長させるための基材１０，１０’であって、少なくとも、種基材１１、１１’と、該種基材１１、１１’の前記単結晶ダイヤモンドを成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜、白金膜、ロジウム膜のいずれか１２からなり、前記種基材１１，１１’は、グラファイト１１’か、またはベース基材１１ａ上にグラファイト層１１ｂが形成されたものである単結晶ダイヤモンド成長用の基材。 （もっと読む）

【課題】超音波接合性、高温信頼性を向上したＡｌパッドと基板側のリード間を多数箇所同時に接続するボンディングリボンを提供する。
【解決手段】パラジウム（Ｐｄ）または白金（Ｐｔ）被覆銅芯材からなるボンディングリボンとして、
銅芯材を７０Ｈｖ以下のビッカース硬さをもつ純度９９．９％以上の銅（Ｃｕ）として導電性とループ形成性を付与し、被覆層を純度９９．９％以上のパラジウム（Ｐｄ）または白金（Ｐｔ）をアルゴンガス（Ａr）等の希ガス雰囲気下で室温の銅芯材テープ上にマグネトロンスパッタすることによって、微細な粒状の結晶組織として、芯材と被覆層とのビッカース硬さを同等にして、アルミパッドの損傷を防止するとともに、接合性を向上する。 （もっと読む）

【課題】成膜材料として特に金属Ｌｉを使用した真空蒸着において、成膜される金属Ｌｉからなる被覆膜の膜厚を精度良く制御できる抵抗加熱蒸発源を提供する。
【解決手段】蒸発させた金属Ｌｉを成膜対象３に成膜する真空蒸着装置１０の真空チャンバー１内で使用され、金属Ｌｉを保持・加熱することで金属Ｌｉを蒸発させる抵抗加熱蒸発源２である。この抵抗加熱蒸発源２は、金属Ｌｉを収納する収納部２１を有し、通電により発熱する導電体からなる熱源部と、金属Ｌｉと反応し難い電気絶縁体からなり、収納部２１に形成される絶縁膜と、を備える。 （もっと読む）

【課題】リチウムを真空雰囲気で蒸着するので工程が簡単になり、蒸着速度と蒸着の均一性を改善することのできる、ロールツーロール工程を用いた電極製造装置及び電極製造方法を提供する。
【解決手段】本電極製造装置は、電極物質を走行させる巻出ロール及び巻取ロールと、巻出ロールと巻取ロールとの間に配置されて電極物質をその周面に沿って走行させ、電極物質を冷却する冷却ユニットを備えた成膜ロールと、リチウム源を収容し、収容されたリチウム源が成膜ロール上に位置する電極物質にリチウム薄膜を形成するように取り付けられた蒸発部とを含む。 （もっと読む）

【課題】回路パターンを良好なファインピッチで形成することができるプリント配線板用回路基板の形成方法を提供する。
【解決手段】プリント配線板用回路基板の形成方法は、白金、パラジウム、及び、金のいずれか１種以上を含み、白金の付着量が１０５０μｇ／ｄｍ²以下、パラジウムの付着量が６００μｇ／ｄｍ²以下、金の付着量が１０００μｇ／ｄｍ²以下である被覆層を表面に備えた銅箔又は銅層と、樹脂基板との積層体を準備する工程と、積層体の被覆層表面にレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンを形成した積層体の被覆層表面を、ＣｕＣｌ₂を１．５〜４．１ｍｏｌ／Ｌ、及び、ＨＣｌを１．３〜５．０ｍｏｌ／Ｌ含むエッチング液を用いてエッチングする工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】補助記録層としての機能を維持しつつ薄膜化を図り、ＳＮＲの向上を図ることを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる垂直磁気ディスク１００の構成は、基板１１０上に、グラニュラ磁性層１６０と、グラニュラ磁性層より上方に配置された補助記録層１８０とを備え、グラニュラ磁性層は柱状に成長したＣｏＣｒＰｔ合金を主成分とする磁性粒子の周囲に酸化物を主成分とする非磁性物質が偏析して粒界部が形成されたグラニュラ構造を有し、補助記録層はＣｏＣｒＰｔＲｕ合金を主成分とし、さらに副成分として不動態を形成しかつ反強磁性体ではない金属を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】凹凸構造を有する基板表面の膜厚分布の改善を図ることができる成膜装置及び成膜方法を提供すること。
【解決手段】本発明の成膜装置１は、被成膜面上の一方向である第１の方向に沿って形成された凹凸構造を有する基板Ｗを成膜対象とし、ステージ３と、成膜源４と、検出部１０と、成膜源制御部１６とを具備する。成膜源４は、成膜材料Ｔから成膜粒子を生成させ、ステージ３に支持された基板Ｗに第２の方向から成膜粒子を照射する。検出部１０は、ステージ３の回転角度を検出する。成膜源制御部１６は、検出部１０の検出結果に基づいて、第１の方向と、第２の方向を被成膜面に投影した第３の方向とが平行となる回転角度のときは、成膜速度が第１の成膜速度となり、第１の方向と第３の方向とが垂直となる回転角度のときは、成膜速度が第１の成膜速度より小さい第２の成膜速度となるように成膜源４を制御する。 （もっと読む）

【課題】補助記録層としての機能を維持しつつ薄膜化を図り、ＳＮＲの向上の向上を図る。
【解決手段】本発明にかかる垂直磁気ディスクの代表的な構成は、基板１１０上に、複数のグラニュラ構造の磁性層からなる第１グラニュラ磁性層群（下群１６０）と、ＲｕまたはＲｕ合金を主成分とする非磁性層１７０と、複数のグラニュラ構造の磁性層からなる第２グラニュラ磁性層群（上群１８０）と、ＣｏＣｒＰｔＲｕ合金を主成分とする補助記録層２００とをこの順に備え、第１グラニュラ磁性層群に含まれる複数の磁性層は、表面に近い層ほどＰｔの含有量が同じかまたは少なくなり、酸化物の含有量が同じかまたは多くなり、第２グラニュラ磁性層群に含まれる複数の磁性層は、表面に近い層ほどＰｔの含有量が同じかまたは少なくなり、酸化物の含有量が同じかまたは多くなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板温度を迅速かつ正確に制御することが可能な成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置1は、抵抗加熱式の真空蒸着により、基板50表面に成膜材料を成膜する装置である。成膜装置1は、成膜室10と、この成膜室10内に、基板50を保持する基板ホルダー20と、基板ホルダー20が固定される冷却ブロック30と、成膜材料を蒸発させる蒸発源40と、を備える。そして、冷却ブロック30と基板ホルダー20との間に、しわ加工を施した金属箔60が介在されている。この冷却ブロック30は、内部に冷媒が流通する冷媒流路31が形成されており、冷媒流路31を冷媒が循環することにより冷却される。 （もっと読む）

【課題】銀反射膜を備える反射部材であって、優れた耐熱性を有する反射部材を提供する。
【解決手段】反射部材１は、反射部材本体１１と、銀反射膜１３と、第１の保護膜１５とを備えている。銀反射膜１３は、反射部材本体１１の上に形成されている。銀反射膜１３は、銀または銀を含む合金からなる。第１の保護膜１５は、銀反射膜１３の上に形成されている。第１の保護膜１５は、Ｔｉ，ＴａまたはＮｂからなる。 （もっと読む）

【課題】高硬度から低硬度の材料まで広範囲の基材に対し、高硬度のＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜を最表面側に含むＤＬＣ多層膜を約３μｍ以上厚く形成しても、基材およびＤＬＣ膜の双方に対して優れた密着性を備えており、耐摩耗性にも優れたＤＬＣ成形体の製造方法を提供する。
【解決手段】ＤＬＣ硬質多層膜成形体１０の製造方法は、基材１を用意する工程（ａ）と、前記基材の上に、中間層２ａをスパッタリング法によって形成する工程（ｂ）と、前記中間層の上に、第１のダイヤモンドライクカーボン系膜３ａをスパッタリング法によって形成する工程（ｃ）と、前記第１のダイヤモンドライクカーボン系膜の上に、前記第１のダイヤモンドライクカーボン系膜よりも表面硬度の高い第２のダイヤモンドライクカーボン系膜３ｂをカソード放電型アークイオンプレーティング法によって形成する工程（ｄ）と、を包含する。 （もっと読む）

【課題】 基材表面に位置する官能基がアミド化や窒化することを防ぎつつ、また酸素結合に頼ることなく層間密着力を向上させることを可能としたガスバリアフィルムの製造方法及びガスバリアフィルムを提供する。
【解決手段】 複数枚のプラスチックフィルムが剥離可能に積層された状態である基材フィルムの最表面に対し、不活性ガス導入下において、気圧が１×１０^−１〜１×１０^−３ｔｏｒｒという環境下にて予めプラズマ処理を施すプラズマ処理工程と、その表面にガスバリア層を積層してなるガスバリア層積層工程とを備えてなり、前記プラズマ処理がグロー放電プラズマ処理であり、前記グロー放電プラズマ処理工程が施された前記基材表面に、前記グロー放電プラズマ処理を施したことにより周期表における第４周期第４族から同第１２族に属するいずれかの金属、若しくは当該範囲内の金属同士による合金が付着してなる方法とした。 （もっと読む）

【課題】補助記録層としての機能を維持しつつ薄膜化を図り、ＳＮＲの向上の向上を図ることを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる垂直磁気ディスク１００の製造方法の構成は、基板１１０上に、柱状に成長したＣｏＣｒＰｔ合金を主成分とする磁性粒子の周囲に酸化物を主成分とする非磁性物質が偏析して粒界部が形成されたグラニュラ磁性層１６０を成膜するグラニュラ磁性層成膜工程と、グラニュラ磁性層より上方に、ＣｏＣｒＰｔＲｕ合金を主成分とし膜厚が１．５〜４ｎｍである補助記録層１８０を成膜する補助記録層成膜工程と、補助記録層を成膜した基板を２１０〜２５０℃に加熱する加熱工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】埋め込み金属との密着性及び埋め込み特性の改善を図ることができるのみならず、エレクトロマイグレーション耐性も向上させることが可能な薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】表面に凹部８を有する被処理体Ｗの表面に薄膜を形成する形成方法において、被処理体の表面に埋め込み用の金属膜１６して凹部を埋め込む埋め込み工程と、金属膜を覆うようにして被処理体の表面の全面に拡散防止用の金属膜１８を形成する拡散防止膜形成工程と、被処理体をアニールするアニール工程とを有する。これにより、埋め込み金属との密着性及び埋め込み特性の改善を図ることができるのみならず、エレクトロマイグレーション耐性も向上させる。 （もっと読む）

【課題】回路パターン形成の際のエッチング性が良好でファインピッチ化に適し、磁性が良好に抑制されたプリント配線板用銅箔及び積層体を提供する。
【解決手段】プリント配線板用銅箔は、銅箔基材と、銅箔基材の表面の少なくとも一部を被覆し、白金族金属、金、及び、銀からなる群から選択される１種以上を含む被覆層と、銅箔基材と被覆層との間に形成された酸化層とを備えた銅箔であって、ＸＰＳによる表面からの深さ方向分析から得られた深さ方向（ｘ：単位ｎｍ）の白金族金属、金、及び、銀からなる群から選択される１種以上の原子濃度（％）をf(x)とし、銅の原子濃度（％）をg(x)とし、酸素の原子濃度（％）をｈ(x)とし、炭素の原子濃度（％）をｉ(x)とし、その他の金属の原子濃度の総和をｊ(x)とすると、ｈ(x)≧５％の酸化層と銅箔基材との境界が表層から０．５〜１０ｎｍの範囲に存在し、区間［０、１．０］において、０．０１≦∫ｆ(x)dx/(∫f(x)dx + ∫g(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx) ≦０．９で、区間［１．０、４．０］において、０．０１≦∫ｆ(x)dx/(∫f(x)dx + ∫g(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx) ≦０．６を満たす。 （もっと読む）

【課題】加熱などを必要とせず、また、製造時や使用環境においてガスを発生することなく、より強い強度で水晶が接合できるようにする接合方法を提供する。
【解決手段】スパッタ法により、水晶基板１０１の接合面に対する物質層１０２の形成、および水晶基板１１１の接合面に対する物質層１０２の形成を開始した後、０．２ｎｍ以上１ｎｍ未満の層厚の物質層１０２が各々形成された水晶基板１０１の接合面および水晶基板１１１の接合面とを、物質層１０２を介して着接する。物質層１０２の層厚が、１ｎｍになる前に、２つの基板の着接を行う。 （もっと読む）

【課題】熱サイクル負荷時において、回路層の表面にうねりやシワが発生することを抑制でき、かつ、セラミックス基板と回路層との接合界面に熱応力が作用することを抑制でき、熱サイクル信頼性に優れたパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の一面に、アルミニウムからなる回路層１２が配設されたパワーモジュール用基板１０であって、回路層１２は、本体層１２Ｂと、前記一方の面側に露呈するように配置された表面硬化層１２Ａと、を有しており、回路層１２の前記一方の面におけるインデンテーション硬度Ｈｓが５０ｍｇｆ／μｍ^２以上２００ｍｇｆ／μｍ^２以下の範囲内に設定され、このインデンテーション硬度Ｈｓの８０％以上の領域が表面硬化層１２Ａとされており、本体層１２Ｂのインデンテーション硬度Ｈｂが、前記インデンテーション硬度Ｈｓの８０％未満とされている。 （もっと読む）