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Fターム[4K029BA02]の内容

物理蒸着 (93,067) | 被膜材質 (15,503) | 金属質材 (5,068) | 単体金属 (3,635)

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Fターム[4K029BA02]に分類される特許

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【課題】蒸着レートが高い場合や成膜する膜厚が厚い場合でも安定して膜厚を測定できる成膜装置、膜厚測定装置及び膜厚測定システムを提供する。
【解決手段】蒸発源側が遮蔽されると共に蒸発源14から気化した成膜材料の粒子が真空容器12の内壁によって反射して水晶振動子34に付着するようにセンサ部30を構成し、水晶振動子34の発振周波数を検出し、ガラス基板22に形成される膜の膜厚に対するセンサ部30に形成される膜の膜厚の変化率及び検出された水晶振動子34の発振周波数に基づいてガラス基板22上の膜厚を導出する。 (もっと読む)


【課題】青色光を反射するSUSの被膜を基材表面に形成する装飾部材の表面被膜形成方法を提供する。
【解決手段】反応室内に合成樹脂製基材12とSUS板を対向配置し、反応室にArガスを導入しつつ、スパッタリング法により、基材の表面にSUSの被膜を形成する方法で、ArガスとともにOガスを反応室に導入しつつ、スパッタリング法で、基材表面に酸素原子濃度60〜70%(AES分析)のSUSの被膜14を形成する。被膜中に青色光を反射する反射成分15が分散して、被膜の分光反射スペクトルが長波長域より短波長域で強い特性を示し、基材が黒の場合は、被膜が青味を帯びた明るい色調の銀白色に輝いて見える。 (もっと読む)


【課題】メンテナンス頻度を低減でき、適切なメンテナンス時期を見極めることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置10は、イオンを発生させるイオン源40と、イオン源40からのイオンビーム45を受けるターゲット36と、第一真空容器11内に収容されてターゲット36からのスパッタ粒子46を受けるウエハ1を保持するウエハホルダ18と、第二真空容器22へのスパッタ粒子46の付着を抑制する防着板51と、防着板51へ付着するスパッタ粒子46の付着量を予測する付着量予測部61とを備える。 (もっと読む)


温度Teで水銀を放出する水銀源によって水銀を制御供給する方法であって、前記水銀源が条件温度Tc<Teに保持され、前記水銀源を移動することによって温度T>Teにされることを特徴とする方法。
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【課題】 基板上に成膜される薄膜の膜質を向上させる。
【解決手段】 イオンを発生するイオン発生部と、ターゲットを複数配列させたターゲット群を保持し、ターゲット群のうち所定のターゲットにイオンが入射するようターゲット群を回動させるターゲット保持部と、所定のターゲットにて発生したスパッタ粒子が入射されるように基板を保持する基板を保持する基板保持部と、ターゲット保持部に保持され、各ターゲットに対向する部位に第1開口部がそれぞれ形成されると共に、隣接する各ターゲット間を仕切る隔壁を複数有し、所定のターゲットにて発生したスパッタ粒子が他のターゲットに飛散することを抑制する飛散抑制部と、飛散抑制部と基板との間に設けられ、所定のターゲットを露出させるように第2開口部が形成されると共に、他のターゲットに対向する第1開口部を覆うように構成され、所定のターゲットにて発生したスパッタ粒子が他のターゲットに入射することを抑制する入射抑制部と、を備える。 (もっと読む)


【課題】 絶縁基板との接着性及びエッチング性の両方に優れ、回路パターン形成の際のエッチング性が良好でファインピッチ化に適したプリント配線板用両面処理銅箔を提供する。
【解決手段】 プリント配線板用銅箔は、銅箔基材と、銅箔基材における一方の表面の少なくとも一部を被覆する第1の被覆層と、他方の表面の少なくとも一部を被覆する第2の被覆層とを備える。第1の被覆層にはCrが18〜180μg/dm2の被覆量で存在し、第1の被覆層のXPSによる表面からの深さ方向分析から得られた深さ方向(x:単位nm)の金属クロムの原子濃度(%)をf1(x)とし、酸化物クロムの原子濃度(%)をf2(x)とし、全クロムの原子濃度(%)をf(x)とし(f(x)= f1(x)+ f2(x))、銅の原子濃度(%)をh(x)とし、酸素の原子濃度(%)をi(x)とし、炭素の原子濃度(%)をj(x)とし、その他の金属の原子濃度の総和をk(x)とすると、区間[0、1.0]において、∫h(x)dx/(∫f(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx + ∫k(x)dx)が10%以下で、∫f2(x)dx/(∫f(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx + ∫k(x)dx)が20%以上で、区間[1.0、2.5]において、0.1≦∫f1(x)dx/∫f2(x)dx≦1.0を満たす。第2の被覆層は、白金族金属、金、及び、銀からなる群から選択される1種以上を含む。 (もっと読む)


【課題】シールドに形成された付着膜の剥がれを防止すること。
【解決手段】発明者らの検討によれば、曲率半径を一定以上にすることは、付着膜の剥がれを抑える場合、本質的なことではないことがわかった。発明者らの検討によれば、付着膜の剥がれは、シールドの曲率が変化する領域で発生し、シールドの曲率の変化が小さい場合に、付着膜の剥がれが発生しにくくなることが分かった。従って、問題なのはシールドの曲率の変化であり、曲率を段階的に変えることで曲率の変化を抑えることができるため、シールドを大型化することによって生じうる、膜厚分布悪化などの不利益を受けることなく、付着膜の剥がれを抑制できる。 (もっと読む)


【課題】厚い部分と薄い部分を有する活物質膜を用い、それにリチウムを附与した際の組成不均一に起因する劣化を防止することが出来るリチウム二次電池用負極の製造装置を提供すること。
【解決手段】排気ポンプで減圧されている真空槽内に配置され基板を搬送する搬送系と、基板近接に配置され前記基板に材料蒸気を付与するための開口面を有する半密閉構造の材料付与源と、前記付与源を加熱する加熱源と、前記付与源の開口面近傍に配置され材料蒸気に指向性を付与するスリット構造とを有し、前記スリット構造は、成膜領域における前記基板の搬送に伴って、前記基板に向かう前記材料蒸気の入射方向が前記基板法線を挟んで逆転する構造であることを特徴とする電気化学素子の成膜装置。 (もっと読む)


【課題】 変位量の低下を抑制した強誘電体薄膜を形成することができる強誘電体薄膜形
成用組成物、液体噴射ヘッドの製造方法、及びアクチュエーター装置の製造方法を提供す
る。
【解決手段】 ABOの化学式を有するペロブスカイト構造の強誘電体薄膜をゾル−ゲ
ル法により形成するための強誘電体薄膜形成用組成物であって、強誘電体薄膜を構成する
有機金属化合物と、水とを少なくとも含むゾルからなり、前記ゾルは、Bサイトを構成し
得る金属の総量をXmol/kgとし、未反応水分量をYmol/kgとしたとき、2X
<Y<5Xを満たすようにする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、既存の薄膜製造工程で行われている蝕刻工程又はボトム-アップ方式を用いた、自己組織化ナノ薄膜形成技術の問題点である、高コスト、製造工程の複雑化や長時間化、膜の質の低下などを解決することを課題とする。
【解決手段】本発明は、単結晶又は非結晶基板上に金属又は半導体薄膜を蒸着させたシード層上に、凝集現象が起こる金属を蒸着させた中間層を形成した後、熱処理してパターンを形成させ、上記のパターン上に誘電体、半導体、又は金属を蒸着させたターゲット層を形成することを含む自己組織化されたナノ構造薄膜の製造方法を採用している。本発明によると、既存のトップ-ダウン方式の薄膜製造工程で行われている蝕刻工程の問題点を著しく減少させ、さらにナノ薄膜構造においてナノ構造の模様を自由に制御することができる。 (もっと読む)


【課題】高いSNRを確保しつつ摺動耐久性を向上させることで、信頼性の向上および更なる高記録密度化の達成を図る。
【解決手段】本発明にかかる垂直磁気記録媒体の製造方法の構成は、基板上に少なくとも、CoCrPt合金を主成分とする磁性粒子と酸化物を主成分とする非磁性の粒界部とからなる主記録層を成膜する主記録層成膜工程と、主記録層上にRu合金またはCo合金を主成分とする分断層を成膜する分断層成膜工程と、分断層成膜工程の後に基板に加熱処理を施す第1加熱工程と、第1加熱工程の後にCoCrPtを主成分とする材料からなる補助記録層を成膜する補助記録層成膜工程と、補助記録層成膜工程の後に基板に加熱処理を施す第2加熱工程と、第2加熱工程の後にCVD法によりカーボンを主成分とする保護層を成膜する保護層成膜工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】水素原子を含む化合物等、大気に由来する不純物による汚染が少ない薄膜を成膜するターゲット材料の包装方法を提供することを課題の一とする。また、該不純物による汚染が少ない薄膜を成膜するターゲットの取り付け方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、ターゲットの製造後から当該ターゲットを取り付けた成膜装置を排気するまでの間、当該ターゲット中のターゲット材料を大気にさらすことなく密封状態を保つ。 (もっと読む)


【課題】蒸着材料の補充や交換の作業を容易にし、さらに坩堝のメンテナンスについてもこれを容易にした、蒸着装置を提供する。
【解決手段】被処理体に蒸着材料を蒸着させる蒸着装置である。蒸着室内に配置されて蒸着材料3を収容する収容容器4と、収容容器4内の蒸着材料3を加熱する加熱手段3と、を含む。収容容器4は、外容器8と、外容器8内に着脱可能に収容されて蒸着材料3を収容する内容器9と、を有している。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体膜を成膜する成膜技術を提供することを課題の一とする。
【解決手段】金属酸化物の焼結体を含み、その金属酸化物の焼結体の含有水素濃度が、たとえば、1×1016atoms/cm未満と低いスパッタリングターゲットを用いて酸化物半導体膜を形成することで、HOに代表される水素原子を含む化合物、もしくは水素原子等の不純物の含有量が少ない酸化物半導体膜を成膜する。また、この酸化物半導体膜をトランジスタの活性層として適用する。 (もっと読む)


【課題】ターゲットの表面上に発生する磁場の強度を高めながら、ターゲットを適切に冷却することができ、なお且つ、ターゲットの小径化に対応可能なマグネトロンスパッタ装置を提供する。
【解決手段】被処理基板Wが配置される反応容器と、反応容器内を減圧排気する減圧排気手段と、被処理基板Wを処理する処理手段1Aとを備え、処理手段1Aは、被処理基板Wに対向してターゲットTを保持する保持手段8と、ターゲットTの表面上に磁場Mを発生させる磁気発生手段11と、ターゲットTを冷却する冷却手段40とを有し、冷却手段40は、冷却液Lが流れる冷却路46を有し、この冷却路46がバッキングプレート41と押え具42との少なくとも一方におけるマグネット43,44と対向する位置よりも外側に位置して設けられ、更に、マグネット43,44と一体に回転駆動される空冷ファン40Aを配置する。 (もっと読む)


【課題】水と反応すると危険な成膜原料で薄膜を形成する際、安全に成膜を実施できる成膜装置、および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜対象である基材9を内部に収納する真空チャンバー2と、真空チャンバー2内で基材9を保持するホルダー4と、ホルダー4に対向する位置に設けられる蒸発源3と、ホルダー4内に冷媒を循環させる循環機構40とを備える成膜装置1である。そして、この成膜装置1においてホルダー4内に循環される冷媒を非水系冷媒とする。このような構成とすることで、ホルダー4に保持される基材9を冷却しつつ、蒸発源3で蒸発させた成膜原料を基材9の表面に成膜することができ、その成膜の際に安全性を確保することができる。 (もっと読む)


工具または摩耗部品は、基材を覆って形成されたコーティングを有する。このコーティングは、2つの硬質層の間に可塑性微小層を位置させた少なくとも1つの連続体を含むけれども、このコーティングは、可塑性微小層を硬質層と共に交互に重ねることによって作り出されるこのような連続体をいくつか有することができる。種々の硬質層は相互に組成を異ならせることができ、可塑性微小層もそうすることができる。随意的な接合層を基材と連続体との間に設けることができ、最も外側の硬質層を覆う表面層を任意で設けることができる。種々の層を物理的気相蒸着により単一のチャンバー内で堆積させることができる。
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【課題】 特に水蒸気透過量を従来技術のものと比較して少なくでき、電子デバイスのバリア層として最適なガスバリア層構造体を提供する。
【解決手段】 電子デバイス構造にてガスバリア性能を発揮する本発明のガスバリア層構造体6は、不動態化金属の層61と、この不動態化金属の酸化物層62とを順次積層して構成される。不動態化金属は、Al、Cr、Ti、Ni、Fe、Zr及びTaの中から選択されたもの、または、これらの二種以上の合金である。 (もっと読む)


【課題】大面積で結晶性の良い単結晶ダイヤモンドを成長させることができ、高品質の単結晶ダイヤモンド基板を安価に製造できる単結晶ダイヤモンド成長用基材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶SiC基板11の単結晶ダイヤモンドを成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜又はロジウム膜12を有する単結晶ダイヤモンド成長用基材10であって、イリジウム膜又はロジウム膜12は、単結晶ダイヤモンド成長時に良好なバッファ層として機能する。単結晶SiC基板11とイリジウム膜又はロジウム膜12の間に、ヘテロエピタキシャル成長させたMgO膜13をさらに有する単結晶ダイヤモンド成長用基材10’であってもよい。基材10’がMgO膜13を有することで、その上のイリジウム膜又はロジウム膜12の結晶性をより良く形成でき、また、成長させた単結晶ダイヤモンドを分離させる場合に良好な分離層として利用できる。 (もっと読む)


【課題】 成膜レートを低下させずに、膜中に酸素を良好に含有させることができる磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 Cr:2〜20原子%、Pt:5〜25原子%、M金属(ただし、M金属はSi、Ti、Ta、Alの内のいずれか一種以上):0.5〜15原子%を含有し、M金属は非磁性酸化物として添加されるものであって、さらに全体として配合組成から計算される理論値よりも0.1〜5原子%過剰の酸素を含有し、残部:Coおよび不可避不純物からなる成分組成を有する。 (もっと読む)


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