【課題】 成膜レートを低下させずに、膜中に酸素を良好に含有させることができる磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ｃｒ：２〜２０原子％、Ｐｔ：５〜２５原子％、Ｍ金属（ただし、Ｍ金属はＳｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ａｌの内のいずれか一種以上）：０．５〜１５原子％を含有し、Ｍ金属は非磁性酸化物として添加されるものであって、さらに全体として配合組成から計算される理論値よりも０．１〜５原子％過剰の酸素を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有する。 （もっと読む）

本発明は、基板が加熱されることを予防し、しかも、余剰の蒸着材料を効率よく捕集することのできる基板処理装置及び方法に係り、特に、本発明の一実施の形態による基板処理装置は、引込み区間と、成膜区間及び引出し区間がこの順に画成される内部空間を有するチャンバー部と、前記チャンバー部の成膜区間に位置して搬送される基板に蒸着材料を吹き付ける少なくとも１以上の材料噴射ノズル部と、前記チャンバー部の成膜区間を囲繞するように位置して成膜区間の内部を冷却する冷却プレート部と、を備える。また、前記基板処理装置は、前記材料噴射ノズル部の下方に位置して前記材料噴射ノズル部から吹き付けられる蒸着材料のうち基板に蒸着できなかった余剰の蒸着材料を捕集する少なくとも１以上のコールドトラップ部をさらに備える。 （もっと読む）

【課題】雨滴の吸引により、電極金属が腐食・劣化することで電極金属表面の疎水性が大きくなり電極金属が雨滴をはじくことで、２電極間に雨滴が入り込みにくくなり少量の降雨ではセンサが反応しにくくなることを防ぐことができる電極用金属化フィルムを提供する。
【解決手段】基材フィルムの少なくとも片面に金属薄膜が積層された金属化フィルムであって、前記金属薄膜表面に親水層が分散して被覆されてなり、任意に選択した１辺１０mm×１０mm□における前記金属薄膜表面に対する親水層の被覆率が０．１％〜１０％であり、かつ、前記親水層が、円相当直径が３．５６mm以下で分散して被覆されてなる電極用金属化フィルム。 （もっと読む）

【課題】種々の金属材料などからなるスパッタリングターゲットにおいて、各種デバイスの高性能化などに伴って益々厳しくなってきているスパッタ膜への要求特性を満足させる。具体的には、スパッタ膜の膜厚分布や膜組成の均一化、各種機能材料として用いられる膜の諸特性の向上および均一化、ダスト発生数の低減などを図る。
【解決手段】Ｍｎを主成分とし、各部位の酸素量を全体の酸素量の平均値に対して±２７％以内の範囲にあるスパッタリングターゲット、またはＭｎを主成分とし、各部位の窒素量を全体の酸素量の平均値に対して±７５％以内の範囲にあるスパッタリングターゲットを製造する方法において、Ｍｎを主成分とする粗金属材を真空溶解して溶解材を得る工程と、前記溶解材に所定の処理および加工を施して所定の形状に成形する工程とを有する。 （もっと読む）

基板上にコーティングを作るために、基板をターゲットの近傍に配置する。連続する多数のパルスをターゲット上にフォーカスすることにより、ターゲットからコールド・アブレーションにより材料が除去され、こうして、多数の連続するプラズマ・フロントが作り出され、少なくともその一部が基板へ向かって移動する。連続する各レーザ・パルス間の時間差は、連続する多数のプラズマ・フロントに起因する成分が基板表面上に核を形成できる程度に短い。そこでは、成分の平均エネルギが、結晶構造の自発的成長を許容する。
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【課題】基板上に膜を成膜する際に、マスクやレジスト膜を用いることなく、しかも、簡便な方法により、膜を安価に得ることができる成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の成膜方法は、基材１の表面１ａに撥液膜２を形成する工程と、この撥液膜２上に、インクジェット法により、付着エネルギーが低くかつ所定のパターンを有する樹脂層５を形成する工程と、樹脂層５を含む撥液膜２上に蒸着材料６を堆積し、この蒸着材料６を、樹脂層５の付着エネルギーが低くかつ所定のパターンを有する領域以外の撥液膜２上に集合させ、この集合した蒸着材料６を膜７とする工程と、を有する。 （もっと読む）

本発明の対象は、３０ｎｍ以下の物理的厚みの、金属Ｍの酸化物の少なくとも１つの膜で、その表面の少なくとも一部をコーティングした基板を得るための方法であって、前記酸化物膜が、少なくとも１つの銀膜を含む多層の一部ではなく、前記方法が、金属Ｍ、金属Ｍの窒化物、金属Ｍの炭化物、及び酸素が化学量論組成未満の金属Ｍの酸化物から選択される材料の少なくとも１つの中間膜が、スパッタリングによって堆積される工程であって、前記中間膜が、チタン酸化物ベースの膜の上または下に堆積されず、前記中間膜の物理的厚みが３０ｎｍ以下である、工程；並びに前記中間膜が、酸化雰囲気、特に空気に、直接、接する際に、前記中間膜の表面の少なくとも一部が熱処理を用いて酸化される工程であって、前記熱処理の際の前記基板の温度は１５０℃を超えない、工程、を含む方法である。 （もっと読む）

【課題】密着性の向上および厚膜化が可能であり、耐摩耗性に優れる硬質膜およびその成膜方法を提供する。
【解決手段】中間層３と表面層４とからなる硬質膜１の成膜方法であって、基材２上に金属系材料を主体とする中間層３を形成する中間層形成工程と、中間層３の上にＤＬＣを主体とする表面層４を形成する表面層形成工程とを有し、中間層３および表面層４は、スパッタリングガスとしてＡｒガスを用いたＵＢＭＳ装置を使用し、上記表面層形成工程は、炭素供給源として黒鉛ターゲットと炭化水素系ガスとを併用し、アルゴンガスの導入量１００に対する炭化水素系ガスの導入量の割合が１〜５、装置内真空度が０．２〜０．８Ｐａ、基材２に印加するバイアス電圧が７０〜１５０Ｖの条件下で、炭素供給源から生じる炭素原子を、中間層３上に堆積させてＤＬＣを主体とする表面層４を形成する工程である。 （もっと読む）

【課題】フットプリント（占有床面積）を抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、基板を保持する基板ホルダ１８が設置された処理室１２と、該処理室に隣接して配置されたターゲット室２３と、該ターゲット室に挿入された回転軸２９を回転させる回転装置２８と、前記ターゲット室に設置され、前記回転軸が回転軸線に連結された錐形状のターゲットホルダ３０であって、錐面において複数のターゲットを保持するターゲットホルダと、イオンを前記ターゲットホルダに保持された前記ターゲットに照射するイオン源４０と、を有している。 （もっと読む）

【課題】基板上に単結晶材料の層を成長させる方法を提供する。
【解決手段】第１単結晶材料から形成された露出領域を有する基板を、プロセスチャンバ中に配置する工程と、拡散制限ガスの存在下で、基板に向かって、第２材料の中性種のビームを供給し、プロセスチャンバ中の圧力を１×１０^−６ｔｏｒｒから１×１０^−４ｔｏｒｒの間にし、第２材料の中性種を露出領域上に吸着され、これにより第１単結晶材料の上にこれと接触して第２材料の単結晶層を成長させる工程とを含み、拡散制限ガスは、非反応性ガスからなる。 （もっと読む）

【課題】高品質のリチウム金属薄膜および無機固体電解質薄膜を製造することのできる方法を提供する。
【解決手段】リチウム金属薄膜または無機固体電解質薄膜積を製造する方法が提供され、該方法は、薄膜製造工程においてアルカリ金属または無機固体電解質もしくはその原料と接触する雰囲気の露点を−４０℃以下とすることを特徴とする。露点が−４０℃以下の環境において、薄膜作製のための原料や基材あるいは製造した薄膜を取り扱えば、リチウム金属や硫化物系の無機固体電解質の劣化を効果的に防止できる。 （もっと読む）

【課題】マイクロ電池製造時のリチウム真空堆積プロセスで用いられるメカニカルマスクから安全にリチウムを除去するとともに、該リチウムをリサイクルする方法を提供する。
【解決手段】支持体上の金属リチウムの除去方法は、プラズマ応用ステップを備える。プラズマは、５０Ｗから４００Ｗの間のパワーを持つ炭素源及び酸素源から形成される。プラズマは、金属リチウムを炭酸リチウムに変換する。さらに、水溶液に炭酸リチウムを溶解させるステップを備える。 （もっと読む）

【課題】液中プラズマを用いて液体のみならず固体をも原料とした皮膜を基材の表面に成膜する方法において、成膜条件の大幅な変更を伴うことなく、所望の割合で固体の原料を含有する皮膜を成膜できる成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の液中プラズマを用いた成膜方法は、第一の原料を含む固体からなるターゲットＴ_１と基材Ｓ_１とを互いに対向させて、第二の原料を含むまたは含まない液体Ｌ_１中に配設する配設工程と、液体Ｌ_１中にスパッタガスＧ_１を供給して少なくともターゲットＴ_１と基材Ｓ_１との間に気相空間Ｖ_１を形成する気相空間形成工程と、気相空間Ｖ_１に少なくともスパッタガスＧ_１のプラズマを発生させるプラズマ発生工程と、を経て、プラズマによりターゲットＴ_１をスパッタリングさせて基材Ｓ_１の表面に少なくとも第一の原料を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】高速かつ簡単で、精度の良いマスクの位置合わせが可能なマイクロコンポーネントの製造方法を提供する。
【解決手段】例えばマイクロバッテリであるマイクロコンポーネントは、基板上に少なくとも２つの重ねられた層を持つ積層体を有し、温度の影響下で拡張可能な単一のスチールマスク６を用いて形成される。マスク６は、少なくとも１つの中心から外れた開口７を有する。マスクが第１の温度（Ｔ１）の時、マスク６ａの開口７ａを介して第１の層が堆積される。マスクが、前記第１の温度（Ｔ１）より高い第２の温度（Ｔ２）の時、マスク６ｂの開口７ｂを介して第２の層が堆積される。最後に、マスクが前記第２の温度（Ｔ２）より高い第３の温度（Ｔ３）の時、マスク６ｃの開口７ｃを介して第３の層が堆積される。 （もっと読む）

【課題】強度に優れた成形体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】繊維径１μｍ以下の互いに結合した複数の繊維状炭素と、Ｇａとを含む成形体に関する。 （もっと読む）

【課題】均一で結晶性の高い単結晶ダイヤモンドを再現性良く、低コストで製造することができる単結晶ダイヤモンド層成長用基板及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンド層を成長させるための基板１２は、材質が単結晶ダイヤモンドである基材１０と、基材１０の単結晶ダイヤモンド層を成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜又はロジウム膜１１とからなり、基材１０の単結晶ダイヤモンド層を成長させる側の面の周端部が、曲率半径（ｒ）≧５０μｍで面取りされている。 （もっと読む）

【課題】平鋼製品にＺｎＭｇコーティングを設ける方法であって、優れた接着性および防錆能力を有しかつ比較的容易に加工できるだけでなく、優れた溶接性をも有するように非常に薄く調節することもできるコーティング方法を提供することにある。
【解決手段】鋼材料からなるベース層と、該ベース層に塗布された多層防錆コーティングとから形成された平鋼製品の製造方法において、ベース層を用意する段階と、電解コーティングによりベース層に亜鉛層を塗布する段階と、厚くても２５ｎｍのアルミニウム層を亜鉛層の表面に塗布する段階とを有し、アルミニウム層にマグネシウム層を塗布する段階と、ベース層に塗布された亜鉛層、アルミニウム層およびマグネシウム層から形成されたコーティングが設けられた平鋼製品を、ＭｇＺｎ_２層がアルミニウム層上のコーティング内でコーティングの表面の方向に形成されるように熱後処理する段階とを更に有することを特徴とする平鋼製品の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ｍ面基板上で結晶成長させたＧａＮ系半導体素子のコンタクト抵抗を低減する。
【解決手段】本発明の窒化物系半導体素子は、表面１２がｍ面であるｐ型半導体領域を有する窒化物系半導体積層構造２０と、ｐ型半導体領域上に設けられた電極３０とを備える。ｐ型半導体領域は、Ａｌ_xＩｎ_yＧａ_zＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，ｘ≧０， ｙ≧０， ｚ≧０）半導体層２６から形成されている。電極３０は、ｐ型半導体領域の表面１２に接触したＭｇ層３２と、Ｍｇ層３２の上に形成された金属層３４とを含み、金属層３４は、Ａｕと比較してＭｇと合金を形成し難い金属から形成されている。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、高い層厚の均一性及び原料歩留まりにおいて非常に高い堆積速度を持つ真空コーティング方法、並びに斯かるコーティングを実現する装置に関するものである。
【解決手段】
古典的な真空蒸着を縮退させる、一方における層厚の均一性と他方における原料歩留まり及びコーティング速度との間の既存の矛盾を克服するために、基板は、蒸発源により供給される実質的に閉じられたコーティングチェンバの境界を形成する。このコーティングチェンバの壁及びコーティングされるべきでない全ての表面は、蒸気が凝縮することができずに上記コーティングチェンバに散乱して戻されるように、或る温度に維持されるか又は非粘着性コーティングを備える。これにより、上記コーティングチェンバ内には非常に高い蒸気圧が生成され、その結果、基板上での非常に高い凝縮速度及び層厚の均一性が得られる。該基板は、蒸気が凝縮し得る唯一の表面となるので、失われる材料の量は非常に少なく、歩留まりは極めて高くなる。蒸発源のパルス的動作の使用により、短いサイクルのコーティングを実現することができる。
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【課題】プロセス設備が簡単になるだけでなく、相対的に、低温且つ低コストになり、また、大量生産に適合し、環境保護的な塩素（Ｃｌ）無しのものを適用でき、また、環境に親しく、電子材料業界に適合する新規金属窒素酸化物プロセスを提供する。
【解決手段】アンモニア液（ＮＨ_４ＯＨ）と過酸化水素（Ｈ_２Ｏ_２）と水（Ｈ_２Ｏ）を混合した溶液を利用して、その体積比例が、１：１：１〜１００の範囲にあって、エッチングしてからなる構造である新規金属窒素酸化物プロセスであって、溶液エッチングにより、基板表面の保護薄膜を除去すた後、下方にあるチタンやタンタル或いはジルコニウム薄膜と、反応させて、アニール（Ａｎｎｅａｌ）することにより、基板表面にチタンオキシナイやタンタルオキシナイ或いはジルコニウムオキシナイ（ＴｉＯＮ、ＴａＯＮ、ＺｒＯＮ）の薄膜が沈積される構造体である。その中、基板に対して、蒸着法やスパッタリング処理により、基板の表面に、チタンやタンタル或いはジルコニウム薄膜と保護薄膜が形成される。 （もっと読む）