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Fターム[4K029BA02]の内容

物理蒸着 (93,067) | 被膜材質 (15,503) | 金属質材 (5,068) | 単体金属 (3,635)

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Fターム[4K029BA02]に分類される特許

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【課題】ターゲット表面に生じるエロージョンを高度に均一化し、ターゲットの寿命を高める。
【解決手段】ターゲットの表面上に磁場を発生させる磁気回路11は、磁化方向が軸線と平行となる筒状の第1のマグネット40と、第1のマグネット40の内側に同心円状に配置されて、第1のマグネット40とは磁化方向が反平行となる筒状又は柱状の第2のマグネット41とを有し、且つ、これら第1及び第2のマグネット40,41の軸線とターゲットの軸線とが互いに平行となる状態で、ターゲットの表面と平行な面内で回転自在とされると共に、第1のマグネット40と第2のマグネット41との間で発生する磁場Mの、ターゲットの表面における磁束密度の垂直成分Bzが0[T]となる点を結ぶBz=0ラインが、ターゲットの表面と平行な面内において、複数の変曲点C1,C2を有する曲線L1を描くようにする。 (もっと読む)


【課題】ターゲット表面に生じるエロージョンを高度に均一化し、ターゲットの寿命を高める。
【解決手段】ターゲットの表面上に磁場Mを発生させる磁気回路11は、磁化方向が軸線と平行となる筒状の第1のマグネット40と、第1のマグネット40の内側に同心円状に配置されて、第1のマグネット40とは磁化方向が反平行となる筒状又は柱状の第2のマグネット41とを有し、且つ、これら第1及び第2のマグネット40,41の軸線とターゲットの軸線とが互いに平行となる状態で、ターゲットの表面と平行な面内で回転自在とされると共に、第1のマグネット40と第2のマグネット41との間で発生する磁場Mの、ターゲットの表面における磁束密度の垂直成分Bzが0[T]となる点を結ぶBz=0ラインが、ターゲットの表面と平行な面内において、ハート形の曲線Lを描くようにする。 (もっと読む)


【課題】
安価で安定的に、良好な電気伝導性を示す薄膜積層体のAg等の金属薄膜の膜厚を薄くする方法を提供することを課題とする。
【解決手段】
スパッタリング法を用いて基材上にFe、Cu、Ag、W、Au、Ptからなる群から選ばれる少なくとも1種を主成分とする金属薄膜を形成する方法において、スパッタリング装置内に設置された真空チャンバー内を減圧する工程、減圧後に該真空チャンバー内に雰囲気ガスとしてArを含むガスを導入する工程、該ガス導入後に、スパッタリングターゲットにイオン電流を流す工程を有し、前記イオン電流の電流値が、雰囲気ガスにNガスを含むことで低く調整されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】被接合物への付着物を低減し、良好な接合状態を実現することが可能な接合技術を提供する。
【解決手段】両被接合物91,92の接合表面のそれぞれに向けてエネルギー波(例えばビーム照射部11,12による原子ビーム)を照射することにより、両被接合物91,92の接合表面のそれぞれを活性化する。その後、表面活性化処理が施された両被接合物91,92の少なくとも一方を移動する。移動後において対向状態を有する両被接合物91,92の対向空間の側方から当該対向空間に向けてエネルギー波(例えばビーム照射部31によるイオンビーム)を照射することにより、両被接合物91,92の接合表面を活性化するとともに、両被接合物91,92を接近させて当該両被接合物を接合する。 (もっと読む)


【課題】 スパッタリングの影響により発現するうねりを抑制することによって、表面平坦性の高い積層体を提供する。
【解決手段】 長尺樹脂フィルム基板Fの少なくとも片面に酸化物誘電体膜および/または金属膜をスパッタリング法で成膜する積層体の製造方法であって、長尺樹脂フィルム基板Fに成膜して得られた積層体を、長尺樹脂フィルム基板Fのガラス転移温度−60℃から該ガラス転移温度−20℃の雰囲気温度で、98000Pa〜981000Paの圧力で積層体の表面に対して略法線方向からプレス処理する。 (もっと読む)


【課題】耐摩耗性と耐熱性とに優れたγ−アルミナベースの硬質皮膜を1000℃以下で形成でき、その皮膜を備えた耐摩耗性部材を提供する。
【解決手段】アルミニウム酸化物を基とする硬質皮膜を基材に被覆した硬質皮膜形成部材であって、硬質皮膜は、Al1-xx(O1-yy)z(0≦x≦0.5、0<y≦0.4、z>0)で表される組成を有し、この組成におけるMは、Ti,Zr,V,Nb,Mo,W,Y,Mg,Si,Bから選択される少なくとも1種の元素であることを特微とする。このような硬質皮膜は、基材の温度を400〜600℃として形成できる。 (もっと読む)


【課題】 第1軟磁性層と第2軟磁性層の結晶性を略等しくし、軟磁性層の面内磁気異方性を大きくすることにより、OW特性およびSNRを向上させた垂直磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明にかかる垂直磁気記録媒体100の構成は、ディスク基体110上に少なくとも、軟磁性層114と、磁気記録層122を備える垂直磁気記録媒体100であって、軟磁性層114は、第1軟磁性層114bおよび第2軟磁性層114dと、第1軟磁性層114bの下に設けられた結晶調整層114aと、第1軟磁性層114bと前記第2軟磁性層114dの間に第1軟磁性層114bおよび第2軟磁性層114dが反強磁性交換結合相互作用を及ぼすように設けられたスペーサ層114cとを備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】炭酸ガス吸収能を有する積層体であって、特に、食品、飲料、医薬品などを包装するための包装材料として用いた場合に、積層体の一部を構成する接着剤層から発生する炭酸ガスを吸収し、包装されている内容物の炭酸ガスによる変質や、炭酸ガスにより内容物のペーハー変動を防止できるようにしたことを特徴とする、炭酸ガス吸収能を有する積層体の提供。
【解決手段】プラスチックフィルム基材上に無機化合物の蒸着膜層が積層されてなるガスバリア性フィルム層と、酸化カルシウムが配合されている樹脂組成物層の片面または両面にポリオレフィン系樹脂層が共押出しで積層されてなる炭酸ガス吸収能を有する多層フィルム層とが、接着剤層を介して貼り合わされていることを特徴とする積層体。 (もっと読む)


【課題】生産性低下やコストアップを生じることなく、スパッタリング成膜による基板面内分布を改善し、もって良好な磁気特性、電磁気特性が得られ垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置を用いた成膜工程を含む垂直磁気記録媒体の製造方法であって、成膜時にチャンバー内のターゲット近傍、好ましくはターゲット位置から20mm以内の範囲にほぼ均一な材料ガス分布が存在するように、材料ガスの噴出口を前記ターゲットの近傍に配置した。 (もっと読む)


【課題】シート抵抗の低い反射防止層を備えた光学物品を提供する。
【解決手段】プラスチックレンズ基材1と、このレンズ基材1の上にハードコート層2を介して形成された透光性の反射防止層3とを有し、反射防止層3の1つの層32上にゲルマニウムを含む透光性の導電層33が形成されているレンズ10を提供する。このレンズサンプルのシート抵抗値を12乗程度あるいはそれ以下に低下させることが可能であり、ごみの付着を防止するのに十分な帯電防止機能を備えた光学物品を提供できる。 (もっと読む)


【課題】従来は必須とされてきたシード層を設けなくてもRu下地層の好適な配向制御を可能とし、シード層を省けることで製造工程の短縮、コスト低減を実現できる垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】垂直磁気記録に用いる磁気記録媒体であって、基板上に、少なくとも軟磁性層と下地層と磁気記録層とを備える垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記軟磁性層を成膜した後、該軟磁性層の上に他の層を介さずに直接、バイアスを印加しながらルテニウム(Ru)又はその化合物からなる下地層を成膜する。 (もっと読む)


【課題】サファイア基板上に化合物半導体層を成長させて作製する半導体装置において、光取り出し効率の高い半導体装置を作製できるサファイア基板を提供する。
【解決手段】サファイア基板1の面に複数の凸起2,2,…をランダム配置で形成し、その面上にGaN層10を成長させた。さらにその上に、多重量子井戸層12,p−AlGaN層14,p−GaN層16、ITO層18を形成し、2つの電極21,22も形成して半導体発光素子を作製した。 (もっと読む)


【課題】結晶性に優れた酸化物超伝導薄膜を形成可能とするとともに、当該酸化物超伝導薄膜を含んで高い超伝導転移温度を有する超伝導薄膜積層体を形成可能で、製造工程中に有毒元素を含まない酸化物超伝導薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶基板上にYBaCuで構成されるバッファー薄膜を形成する第1の工程と、バッファー薄膜上に連続してBa−Ca−Cu−O系酸化物超伝導薄膜を形成する第2の工程とを備え、第1の工程は、前記バッファー薄膜をパルスレーザーデポジション法によりエピタキシャル成長させるバッファー薄膜成長工程を含み、第2の工程は、バッファー薄膜上に酸化物超伝導薄膜をパルスレーザーデポジション法によりエピタキシャル成長させる超伝導薄膜成長工程と、超伝導薄膜成長工程に連続し、基板温度を徐冷させる徐冷工程と、徐冷工程に連続し、基板温度を急冷させる急冷工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】配向制御層や保護膜等の圧電素子として本来必要でない膜を必須とせず、複雑なプロセスを要することなく、圧電性能と耐電圧とがいずれも良好な圧電体膜を提供する。
【解決手段】圧電素子1は、基板10上に、下部電極20と圧電体膜30と上部電極40とが順次積層された素子であり、圧電体膜30は、膜表面における最大高さ(ピーク値P)と最小高さ(バレー値V)との差で規定される表面粗さP−V値が170.0nm以下であり、圧電定数d31>150pc/Nであり、かつ、電流値が1μA以上となる印加電圧により定義される絶縁破壊電圧が80V以上である。 (もっと読む)


【課題】被膜の摩耗が生じても金型や工具の損傷を未然に防止できるバナジウム含有被膜およびバナジウム含有被膜を被覆した金型および工具を提供する。
【解決手段】鉄系合金製基材上に被覆する被膜であって、V(1−X)から成り、かつXは70at%超95at%以下であるバナジウム含有被膜とする。また、鉄系合金製基材上にV被膜、V(1−Y)被膜(ただし、Yは原子%で40at%以上60at%以下)から成る複合被膜を被覆させた後に、V(1−X)から成り、かつXは70at%超95at%以下であるバナジウム含有被膜を被覆した金型および工具とする。 (もっと読む)


【課題】効率的かつ安定した製造技術及びそれによって得られた高純度ハフニウム材料、同材料からなるターゲット及び薄膜を提供する。
【解決手段】ジルコニウムとガス成分を除き純度4N以上であって、酸素含有量が40wtppm以下であることを特徴とする高純度ハフニウム、同高純度ハフニウムからなるターゲット及び薄膜、ジルコニウムとガス成分を除き純度4N以上であって、硫黄、リンの含有量がそれぞれ10wtppm以下であることを特徴とする高純度ハフニウム、同高純度ハフニウムからなるターゲット及び薄膜。ジルコニウムを低減させたハフニウムスポンジを原料として使用し、さらにハフニウム中に含まれる酸素、硫黄、リンの含有量を低減させた高純度ハフニウム材料、同材料からなるターゲット及び薄膜並びに高純度ハフニウムの製造方法。 (もっと読む)


Pb1.00+x(Zr0.52Ti0.481.00−yNb(式中、x>−0.02且つy>0)の組成を有する圧電アクチュエータが記載される。この圧電材料は、アクチュエータにバイアスを印加した際に良好な屈曲作用を呈することができるペロブスカイトを有しうる。
(もっと読む)


【課題】キャリアに保持された基板に対して反応性プラズマ処理又はイオン照射処理を行う際に処理ムラが生じることを防止したインライン式成膜装置を提供する。
【解決手段】キャリアは、基板を内側に配置する孔部29が設けられたホルダ27と、ホルダ27の孔部29の周囲に弾性変形可能に取り付けられた複数の支持部材30とを備え、複数の支持部材30に基板の外周部を当接させながら、これら支持部材30の内側に嵌め込まれた基板を着脱自在に保持することが可能であり、キャリアに保持された基板に対して反応性プラズマ処理又はイオン照射処理を行うチャンバ内において、ホルダ27が接地されると共に、複数の支持部材30の内側には、外径が100mm以下である円盤状の基板が嵌め込まれ、なお且つ、この基板とホルダ27の孔部29との間に形成される隙間Sが、半径方向に少なくとも11mm以上ある。 (もっと読む)


【課題】より安定に記憶保持が行えるメモリ装置が構成できるなど、金属酸化物を用いて安定した動作が得られる素子を提供できるようにする。
【解決手段】強誘電体層(104)を下部電極層(103)と上部電極(105)とで挾み、下部電極層(103)と上部電極(105)との間に所定の電圧(DC,パルス)を印加して強誘電体層(104)の抵抗値を変化させ、安定な高抵抗モードと低抵抗モードを切り替えれば、メモリ動作が得られる。読み出しは、上部電極(105)に、所定の電圧を印加したときの電流値を読み取ることで容易に行うことができる。 (もっと読む)


【課題】ハフニウム中に含まれるジルコニウムの含有量を低減させた高純度ハフニウム、同ハフニウムからなるターゲット及び薄膜並びに高純度ハフニウムの製造方法に関し、効率的かつ安定した製造技術及びそれによって得られた高純度ハフニウム、同ハフニウムからなるターゲット及び薄膜を提供する。
【解決手段】ジルコニウム含有量が1〜1000wtppm、酸素500wtppm以下、窒素及び炭素がそれぞれ100wtppm以下、鉄、クロム、ニッケルがそれぞれ10wtppm以下であり、かつ純度が炭素、酸素、窒素等のガス成分を除き4N〜6Nであることを特徴とする高純度ハフニウム。 (もっと読む)


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