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Fターム[4K029BA02]の内容

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Fターム[4K029BA02]に分類される特許

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【課題】耐環境性、特に耐腐食性を高めることを可能とした磁気記録媒体の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】インライン式成膜装置を用いて、少なくとも非磁性基板の面上に形成された記録磁性層に磁気記録パターンを有する磁気記録媒体を製造する際に、少なくとも記録磁性層83と磁気記録パターン83aに対応したマスク層とがこの順で積層された非磁性基板80をキャリアに取り付ける工程と、記録磁性層83のマスク層で覆われていない箇所を反応性プラズマ処理又はイオン照射処理することにより、磁気記録パターン83aを形成する工程と、記録磁性層83上からマスク層を除去する工程と、キャリアから非磁性基板80を取り外す工程とを含み、キャリアが各チャンバの間を通過する間に、各チャンバ内を減圧雰囲気とし、大気と遮断された状態で各工程を連続して行う。 (もっと読む)


【課題】基材と密着性に優れる中間層と、耐摩耗性に優れる表面層であるDLC層とを備え、DLC層最下部と中間層との間でも剥離を生じることがなく、耐摩耗性にも優れる硬質多層膜成形体、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】超硬合金材料または鉄系材料からなる基材の表面に多層の膜を形成してなる硬質多層膜成形体1であって、上記多層の膜は、(1)この多層の表面層5として形成される、炭素供給源として固体ターゲットのグラファイトのみを使用し、水素混入量を抑えて成膜したDLCを主体とする膜と、(2)この表面層5と基材2との間に形成される、少なくともクロムまたはタングステンを主体とする中間層3と、(3)この中間層3と表面層5との間に形成される炭素を主体とする応力緩和層4とからなり、応力緩和層4は、その硬度が中間層3側から表面層5側へ連続的または段階的に上昇する傾斜層である。 (もっと読む)


【課題】金属、セラミックス等へ充分な付着性と硬度等において立方晶窒化ホウ素本来の特性を示す立方晶窒化ホウ素被覆膜複合材料を提供する。
【解決手段】基体2と、前記基体表面上に形成された周期律表の第4族金属(Ti、Zr、Hf)、第5族金属(V、Nb、Ta)、前記第4族金属及び第5族金属の窒化物又はホウ化物或いはホウ窒化物の内から選ばれるいずれか1種以上の成分よりなる中間層3と、前記中間層3の表面に被膜した立方晶窒化ホウ素を主成分とする表面膜4とから形成される立方晶窒化ホウ素被覆膜複合材料であって、前記表面膜4の立方晶窒化ホウ素の光学的縦波モードのフォノンによるラマン散乱又は光学的横波モードのフォノンによるラマン散乱のいずれか一方の半値幅が、50cm−1以下のピークを示すか、X線解折で立方晶窒化ホウ素の特定結晶面の反射ピークの2θの半価巾が特定値である立方晶窒化ホウ素被覆膜複合材料。 (もっと読む)


【課題】意匠面に対する金属薄膜の高い付着性と優れた耐薬品性とを十分に確保した上で、金属表面が、よりリアルに表現され得る加飾樹脂成形品を提供する。
【解決手段】基材12の意匠面18に、物理蒸着法又は化学蒸着法により金属薄膜20を直接に形成して、金属調の加飾を実現すると共に、該金属薄膜20に対して、樹脂と金属の両方に架橋する透明な塗料の塗膜からなる第一のトップコート層22を直接に積層形成し、更に、該第一のトップコート層22に対して、ガラス転移温度が55〜120℃である透明な塗膜からなる第二のトップコート層23を直接に積層形成して、構成した。 (もっと読む)


【課題】基材シートとゲルマニウム蒸着層との密着性、耐水性に優れるゲルマニウム蒸着シートを提供する。
【解決手段】基材シートにプラズマ処理を行い、前記プラズマ処理面にゲルマニウムの蒸着層を形成する。更に、前記ゲルマニウム蒸着層にプラズマ処理によるプラズマ処理層を形成してもよい。 (もっと読む)


【課題】耐候性に優れるゲルマニウム蒸着層が形成されたゲルマニウム蒸着シートを提供する。
【解決手段】基材シートにゲルマニウムの蒸着層が形成され、かつ前記ゲルマニウム蒸着膜に水素処理による水素処理層が形成されたことを特徴とする。前記水素処理層によって、ゲルマニウム蒸着膜に水素原子が含有されるため、酸化劣化に対する耐性が向上する。 (もっと読む)


【課題】従来よりも高いMR比を持った磁気抵抗素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上に、スパッタリング法を用いて、磁化固定層、磁化自由層及びトンネルバリア層を成膜する工程において、磁化固定層成膜工程は、Co原子、Fe原子及びB原子を含有する第1ターゲットと、Co原子及びFe原子を含有し、該第1ターゲット中のB原子含有量と相違する含有量の第2ターゲットと、を用いたコ−スパッタリング法により、Co原子、Fe原子及びB原子を含有する強磁性体層を成膜する
ことを特徴とする磁気抵抗素子の製造法。 (もっと読む)


【課題】真空成膜用マスク治具を、表面が侵食されにくく、かつ変形もせず、クリーニングによって繰り返し使用可能なものとする。
【解決手段】被成膜物質に対して真空成膜する際に成膜面の前面に配置される真空成膜用マスク治具であって、この真空成膜用マスク治具がFe34主体の鉄系酸化物被膜で覆われたフェライト系ステンレスからなり、このフェライト系ステンレスがその標準含有元素であるCrよりも強還元性元素である3族元素、4族元素、5族元素、Al、Si、Pのうち少なくとも1つを0.1mol%以上含むものとする。 (もっと読む)


【課題】安価でかつ耐食性の高い蒸発源や制御板等の蒸発源用治具およびその製造方法を提供する。
【解決手段】被蒸着物質に対して蒸着する際に用いられる蒸発源用治具であって、蒸発源用治具がCr主体のクロム系酸化物被膜とFe主体の鉄系酸化物被膜の少なくとも2層でこの順に覆われたオーステナイト系ステンレスまたは検出硬化系ステンレスからなり、このオーステナイト系ステンレスまたは検出硬化系ステンレスが3族元素、4族元素、5族元素、Al、Si、Pのうち少なくとも1つの強還元性元素を0.1mol%以上含むものとする。 (もっと読む)


【課題】真空成膜用マスク治具を、表面が侵食されにくく、かつ変形もせず、クリーニングによって繰り返し使用可能なものとする。
【解決手段】被成膜物質に対して真空成膜する際に成膜面の前面に配置される真空成膜用マスク治具であって、この真空成膜用マスク治具がFe34主体の鉄系酸化物被膜で覆われたフェライト系ステンレスからなるものとする。 (もっと読む)


【課題】成膜する膜の組成及び基板サイズによらず、面内方向の組成等の膜特性を高度に均一化することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】基板BとターゲットTとを対向させて、プラズマを用いた気相成長法により基板B上にターゲットTの構成元素を含む膜を成膜するに際して、ターゲットTの表面から基板B側に2〜3cm離れた位置のプラズマ空間のプラズマ電位Vs(V)の基板Bの面内方向のばらつきを±10V以内に調整して、成膜を行う。ターゲットTの表面から基板20側に2〜3cm離れた位置におけるガス圧力の基板Bの面内方向のばらつきを±1.5%以内に調整して、成膜を行うことが好ましい。 (もっと読む)


【課題】安価でかつ耐食性の高いオーステナイト系ステンレス材料からなる蒸発源や制御板等の蒸発源用治具およびその製造方法を提供する。
【解決手段】被蒸着物質に対して蒸着する際に用いられる蒸着材料を収容し一定温度に加熱して蒸着材料を蒸発させる蒸発源と、蒸着材料が加熱・溶融した際に突沸を起こして飛び散った液体が直接、被蒸着物質である基板へ飛行するのを防ぐ金属メッシュ等の分球ふるいからなる蒸発源用治具であって、この蒸発源用治具をCr主体のクロム系酸化物被膜とFe主体の鉄系酸化物被膜の少なくとも2層でこの順に覆われたオーステナイト系ステンレスとする。 (もっと読む)


【課題】垂直磁気記録媒体のRu中間膜の配向性を高め記録媒体のノイズを減らすこと。
【解決手段】
非磁性基板上に軟磁性裏打ち層を製膜し、その上に組成がCu−Geからなるスパッタリングターゲットを用いてCuとGeからなる組成のシード膜を製膜する。Geが2〜10at%の範囲で上記スパッタリングターゲットは(10.1)面の回折強度と(00.2)面の回折強度との強度比I(10.1)/I(00.2)が1より小さい擬hcp結晶構造となり、スパッタ製膜されたシード膜も擬hcp構造となる。該Cu−Geシード膜の上にRu中間層を製膜することでRu中間膜の配向性を向上させることが可能であり、ひいては記録媒体のノイズを減少できる。Cu−Geターゲットは上記強度比を1以下にするためにCu、Ge以外の不純物元素混入量を2at%以下に抑える必要があり、そのため粉末焼結法で作成される。 (もっと読む)


本発明は、金属、金属ハロゲン化物、またはこれらの混合物を前駆物質として利用した金属ナノプレート(Metal nano-plate)の製造方法であって、詳細には、反応炉の前端部に位置させた金属、金属ハロゲン化物、またはこれらの混合物を含む前駆物質と、反応炉の後端部に位置させた単結晶基板とを、不活性気体が流れる雰囲気で熱処理し、前記単結晶基板上に単結晶体の金属ナノプレート(nano-plate)が形成される特徴がある。
本発明の製造方法は、触媒を使用しない気相移送法を利用して、数マイクロメートル大きさの金属ナノプレートを製造することができ、その工程が簡単で且つ再現性があって、製造されたナノプレートが、欠陥及び不純物を含まない高結晶性及び高純度単結晶状態の貴金属ナノプレートである長所があり、単結晶基板の表面方向を制御し、金属ナノプレートの形状及び単結晶基板との配向性を制御できる長所を有して、数マイクロメートル大きさの金属ナノプレートを大量生産することができる長所がある。
(もっと読む)


【課題】製造過程における有機EL素子に対するダメージを抑制できる簡便な有機EL素子の製造方法、およびその製造に適した層構成を有する有機EL素子を提供することを課題とする。
【解決手段】有機EL素子を構成する層を形成する工程中に、第1電極部に、陽極と有機発光層の間に配置される金属ドープモリブデン酸化物層を設ける工程と、第1および第2電極部を構成する層のうちで有機発光層が形成された後に積層される層の少なくとも一層を、下記式(1)および(2):
加速電圧×エミッション電流÷蒸着速度<20000(W・sec/nm) ・・・式(1)
加速電圧>4(kV) ・・・式(2)
の条件を満たす電子ビーム蒸着により形成する工程とを設けて、有機エレクトロルミネッセンス素子を製造する。 (もっと読む)


【課題】セパレータと電極間で発生する接触抵抗が低く、耐食性に優れており、かつ低コストの燃料電池セパレータを提供する。
【解決手段】ステンレス鋼からなる基材の表面を窒化処理することにより得られる燃料電池セパレータであって、基材の表面から深さ方向に連続して存在する窒化層を備え、窒化層は、最表面に外部方向に突出する粒状の析出物と、窒化層内に高沸点金属部を有する。 (もっと読む)


【課題】有害物質を極力低減させるとともに、成膜時のパーティクルの発生数が少なく、膜厚分布が均一であり、かつ4N(99.99%)以上の純度を持ち、半導体メモリーのキャパシタ用電極材を形成する際に好適なスパッタリングターゲット製造用高純度Ru粉末、該高純度Ru粉末を焼結して得たスパッタリングターゲット及び該ターゲットをスパッタリングして得た薄膜並びに前記高純度Ru粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】Na、Kなどのアルカリ金属元素の各含有量が10wtppm以下、Alの含有量が1〜50wtppmであることを特徴とする高純度Ru粉末、及び純度3N(99.9%)以下のRu原料をアノードとし、溶液中で電解して精製する、同高純度Ru粉末の製造方法。 (もっと読む)


【課題】透明な基板上に光学特性に応じた膜層を形成する際に、膜厚さが漸減するグラデーション領域層を安定してバラツキなく同時に反射特性に優れた減光フィルタの提供する。
【解決手段】基板と、前記基板に異なる物質をスパッタリングして積層状に形成された金属膜層と誘電体膜層から構成されるグラデーション層を形成して成り、前記金属膜層と前記誘電体膜層は共に前記基板に対し勾配角を有し、しかも前記誘電体膜層の勾配角は前記金属膜層の前記基板との勾配角に対し小さく、且つ前記金属膜層形成領域内でほぼ均一な膜厚さを形成する。 (もっと読む)


【課題】鉄系基材とこれにWを中間層にして積層したUNDLC膜との密着性を向上させ、積層体の耐摩耗性および耐熱性に優れたUNCD膜積層体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】鉄系基材またはWC基材の表面に真空中で同軸プラズマジェットガンにより成膜したUNCD膜、このUNCD膜の上に水素中で同軸プラズマジェットガンにより成膜した第2のUNCD膜が積層されているUNCD膜積層体。鉄系基材1の場合、鉄系基材1の表面にW層2、このW層2の上に真空中で同軸プラズマジェットガンにより成膜した第1のUNCD膜3、このUNCD膜3の上に水素中で同軸プラズマジェットガンにより成膜した第2のUNCD膜4が積層されている。第1のUNCD膜のSP3結合は第2のUNCD膜より少なくする。 (もっと読む)


【課題】低抵抗性で耐熱性に優れ、表面凹凸が小さい低抵抗金属層を備える積層体、このような積層体上に形成され、膜質のバラツキや表面粗さの小さい高品質な圧電体層を備える圧電素子、およびこの圧電素子を用いた液体吐出装置を提供する。
【解決手段】圧電素子10は、積層体30を用いるもので、基板12、熱酸化膜14、密着金属層16、金含有層18、密着金属層20、金属層22、圧電体層24、上部電極層26をこの順で積層した積層構造を有する。密着金属層16、金含有層18、密着金属層20および金属層22は、電極層、特に、下部電極層として用いられる低抵抗金属層28を構成し、基板12、熱酸化膜14および低抵抗金属層28は、積層体30を構成する。 (もっと読む)


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