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Fターム[4K029BA02]の内容

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Fターム[4K029BA02]に分類される特許

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【課題】アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む材料の薄膜を成膜する際において、生産性を低下させず且つ安全にメンテナンスを行うことができる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】処理室と、処理室内を真空にする真空排気手段と、処理室内に設けられ、成膜材料を放出するための手段と、成膜材料を放出するための手段に対向して設けられた基板支持手段と、一方の面が処理室の内壁と対向し、且つ熱伝導性を有する領域であり、他方の面が熱伝導性を有する領域に接して設けられた酸化物を含む領域である、防着板と、を備えている成膜装置である。そして、当該成膜装置を用いた成膜方法である。 (もっと読む)


【課題】成膜速度の面内均一性を確保しながら、成膜速度を高め、ターゲットの使用効率を向上したマグネトロンスパッタ装置を提供する。
【解決手段】ターゲット31の背面側に設けられたマグネット配列体5は、両端が互に異極である棒状マグネットが網の目状に配置されると共に、網の目の交点にて、棒状マグネットの端面に囲まれる領域には透磁性のコア部材を設けるように構成されている。棒状マグネットの両端の極からの磁束がコア部材を通して出ていくため、隣接する棒状マグネット同士の磁束の反発が抑えられて磁束線の歪みが抑制され、水平磁場が広い範囲で形成される。このため、高密度のプラズマが広範囲に均一に形成され、成膜速度の面内均一性を確保しながら、速い成膜速度が得られる。また、ターゲット31のエロージョンの面内均一性が良好であり、エロージョンが均一性を持って進行するため、ターゲット31の使用効率が高くなる。 (もっと読む)


【課題】
本発明の課題は、坩堝の冷却時において、リフレクターなどの追加部材なしに、坩堝の蒸着出口部や坩堝内壁に材料が付着することを防止できる、或いは、坩堝の冷却時において、坩堝の蒸着出口部や坩堝内壁に材料が付着する事を防ぎ、冷却時間を短縮できる蒸着装置又は蒸着装置の運転方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、蒸着源内の坩堝に存在する蒸着材料を加熱して蒸発し基板に蒸着し、真空蒸着チャンバ内を開く際には前記坩堝冷却する蒸着装置又は蒸着装置の運転方法において、前記冷却は、単位時間当たりに、前記蒸着物出口から出る前記蒸着材料の量が予め定めた量になるように蒸発レート制御する。 (もっと読む)


【課題】蒸発量に見合った材料を連続的に供給する。
【解決手段】加速した電子を照射し、加熱して蒸発させた坩堝6内の材料7を基板フィルム2の表面に付着させて薄膜を連続的に形成する際の前記材料7の連続的な供給制御を、坩堝6内の材料7の蒸発速度が一定になるように制御されているエミッション電流値を検出することで行う電子ビーム蒸着用材料供給装置である。前記坩堝6として、内面を底部から開口端にかけて逆末広がりのテーパ状に形成したものを使用する。
【効果】材料供給装置からの材料の供給量が自動的に制御され、蒸発量に見合った材料を供給できるので、長時間の運転が可能になる。 (もっと読む)


【課題】裏面に反射膜を積層したサファイア基板の内部にストリートに沿って改質層を形成することができ、かつ反射膜をストリートに沿って切断することができるサファイア基板の加工方法を提供する。
【解決手段】表面に複数の光デバイスが格子状のストリート22で区画形成されたサファイア基板20をストリートに沿って分割するサファイア基板の加工方法であって、基板に対して透過性を有する波長のレーザー光を裏面側から基板の内部に集光点を位置付けてストリートに沿って照射し、ストリートに沿って改質層を形成する工程と、基板の裏面に反射膜210を積層する工程と、裏面に積層された反射膜側から反射膜に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をストリートに沿って照射し、反射膜をストリートに沿って切断する工程と、基板に外力を付与して基板を変質層が形成されたストリートに沿って破断し、個々の光デバイスに分割する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、蒸着用マグネシウムペレットの突沸を防止することができ、安定した蒸着レートを維持できるマグネシウムの蒸着方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明は、マグネシウム塊体と前記塊体の表面を覆う酸化マグネシウム被膜とを有する被包ペレットの、前記マグネシウム塊体の一部又は全部を露出させる露出工程と、前記露出工程を経て得られたペレットを加熱してマグネシウムを被着体に蒸着させる蒸着工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】硬質炭素膜、特に潤滑油中で使用された場合に低摩擦や耐摩耗性等が優れた摺動特性を有する硬質炭素膜とその形成方法を提供する。
【解決手段】基材1表面上に中間層2を介して形成されている硬質炭素膜3であって、前記中間層2は金属層あるいは金属窒化物層、金属炭化物層のいずれか1層または2層以上からなり、かつ前記硬質炭素膜3は1層または2層以上からなり、前記中間層表面が粒平均直径0.1μm〜0.5μmの粒状の凹凸からなり、かつ平均凹凸高さ2nm〜5nmの微細な凹凸を有する硬質炭素膜。 (もっと読む)


【課題】成膜速度の面内均一性を確保しながら、成膜効率を向上させ、ターゲットの使用効率を向上させること。
【解決手段】真空容器2内に載置されたウエハ10に対向するようにターゲット31を配置し、このターゲット31の背面側にマグネット配列体5を設ける。このマグネット配列体5は、マグネット61,62がマトリックス状に配列された内側マグネット群54と、この内側マグネット群54の周囲に設けられ、電子の飛び出しを阻止するリターン用のマグネット53とを備えている。これによりターゲット31の直下にカスプ磁界による電子のドリフトに基づいて高密度のプラズマが発生し、またエロージョンの面内均一性が高くなる。このためターゲット31とウエハ10とを接近させてスパッタを行うことができ、成膜速度の面内均一性を確保しながら、成膜効率を向上させることができる上、ターゲットの使用効率が高くなる。 (もっと読む)


【課題】亀裂がなく、かつ、抵抗が低いタングステン遮光膜を得ることが可能なタングステン遮光膜の製造方法およびタングステン遮光膜を提供する。
【解決手段】本発明のタングステン遮光膜の製造方法は、基板11の一面11aに窒化タングステン膜を成膜する成膜工程と、窒化タングステン膜が形成された基板11を熱処理する熱処理工程と、を少なくとも備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】薄膜均一性および高い生産性を維持しつつ、低抵抗の良質なW膜の成膜を可能とするマグネトロンスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】ターゲットと交差する方向に磁化された2つの磁石部材を、ターゲット側に向く磁極が互いに逆向きとなるようにして隣接配置したマグネットピース22を複数備えた磁石ユニットを設けたマグネトロンスパッタリング装置とし、磁石ユニットによって作り出されるターゲット表面の水平磁束密度を高くすることによって、ターゲットへ加速されるArイオンのイオンエネルギーを小さくする。すなわち、ターゲット表面の水平磁束密度を高くするとターゲット表面で生成されるプラズマ密度が増加し、同一のDC電力を投入した場合に、プラズマ密度が増加した分だけプラズマインピーダンスが低下してターゲット電圧が低下し、W膜に取り込まれる反射Arの含有量を小さくすることによりW膜の低抵抗化を実現する。 (もっと読む)


【課題】フィルム状ガラスの両面上に膜が形成されており、反りが抑制された膜付フィルム状ガラスの製造方法を提供する。
【解決手段】フィルム状ガラス1をターゲット2の表面2aに対して垂直に保持した状態でターゲット2の上を通過させながらフィルム状ガラス1の両面1a、1bの上に成膜する。とくに、フィルム状ガラスを、スパッタリング法、CVD法または真空蒸着法により成膜を行うことが好ましく、さらにターゲット上を通過する軌道に沿って旋回させながらフィルム状ガラスの両面の上に成膜することが好ましい。 (もっと読む)


【課題】スパッタリング法により、被処理基板の一面に形成されたチタンナイトライド膜上にタングステンシリサイド膜を形成する際に、タングステンシリサイド膜に含ませるシリコン原子の割合を微細制御することを可能にする、デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】被処理基板の一面103aに、チタンナイトライド膜109、タングステンシリサイド膜110、タングステン膜111の順に堆積してなるデバイスの製造方法であって、タングステンシリサイド膜110をスパッタリング法により形成する際に、タングステン原子からなるターゲット102と、シリコン原子を含むプロセスガスを少なくとも用いる。 (もっと読む)


【課題】優れた成膜精度でカルシウム層を形成することができる成膜方法、優れた成膜精度で形成されたカルシウム層を備える試験片を製造することができる試験片の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の成膜方法は、電子ビームを照射して、基材上にカルシウム層を成膜する方法であり、カルシウムを収納するための容器53として、凹部を有する本体部52と、凹部に蓋をする蓋部51とを有し、蓋部51の厚さ方向に貫通する貫通孔511を備えるものを用い、本体部52の凹部にカルシウムを収納し、凹部を蓋部51で蓋をした状態で、電子ビームを蓋部51に照射することで、加熱されたカルシウムが昇華することにより、貫通孔511を通過し、その後、基板上に、飛来することでカルシウム層が成膜されることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】蒸着装置及び薄膜製造方法を提供する。
【解決手段】大型基板の場合にも、均一な薄膜を形成し、基板のサイズが変更される場合にも、装備の変更なしに容易に適用するためのものであって、直線動するように備えられた第1蒸着源と、第1蒸着源から離隔され、第1蒸着源と同時及び同一方向に直線動するように備えられた第2蒸着源と、第1蒸着源及び第2蒸着源と被蒸着体との間に位置し、第1蒸着源及び第2蒸着源と同時及び同一方向に直線動するように備えられた補正部材とを含み、補正部材は、第1蒸着源に対応する位置に備えられた第1補正板及び第2蒸着源に対応する位置に備えられた第2補正板を備える蒸着装置である。 (もっと読む)


【課題】金属カルコゲナイドを含む均一且つ良好な化合物半導体を製造する。
【解決手段】カルコゲン元素を含む化合物半導体の薄膜が製造される際に、該化合物半導体に含まれるカルコゲン元素以外の金属元素を少なくとも含む皮膜が一主面に配されている1以上の基板が準備され、該1以上の基板が加熱炉内の基板配置領域に配置される。そして、該加熱炉内において、該1以上の基板の一主面および端面のうちの少なくとも一方の面に対向する位置にカルコゲン元素が付着している付着部が配置されている状態で、非酸化性の気体の流れが発生されながら、該1以上の基板が加熱されることによって、該1以上の基板の一主面に化合物半導体の薄膜が形成される。 (もっと読む)


【課題】真空状態の容器内で蒸発源を放電させて処理物の表面に薄膜を生成する際の成膜効率を簡易な構成で向上させることの可能な、成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置は、真空状態の容器21内で蒸発源を放電させることにより、容器21内の処理物Wの表面を、蒸発源から放出されて電荷を帯びた膜材粒子で被覆し、処理物Wの表面に薄膜を生成するものであって、筒状の容器21は、蒸発源に用いられる素材で形成される。 (もっと読む)


【課題】優れたガスバリア性を有し、透明性、照射エネルギーの低化、ガスバリア層の屈曲性に優れたガスバリア性フィルムとその製造方法を提供する。
【解決手段】基材の少なくとも一方の面側に、SiOx(xは、1.2以上、2.0以下)及び平均粒径が1.0nm以上、10nm以下の光触媒活性無機粒子を含有するガスバリア層を有することを特徴とするガスバリア性フィルム。 (もっと読む)


【課題】真空雰囲気を維持したまま、多数の基板の薄膜の膜厚を成膜中に測定する。
【解決手段】真空槽12内に複数のサンプル板16を配置し、基板の成膜面に薄膜を成長させる際に、サンプル板16の検出面61にも薄膜を成長させ、サンプル板16表面に測定光を照射して薄膜の膜厚測定を行うことができる。サンプル板16には金属電極が不要であり、高温に加熱することができるので、検出面61に形成された薄膜を加熱して除去し、サンプル板16を再使用することができる。その結果、真空雰囲気を維持したまま、多数枚数の基板に対する薄膜の膜厚測定を行うことができる。真空雰囲気内に複数のサンプル板16を用意し、薄膜が形成されたサンプル板16を加熱する間に別のサンプル板16によって膜厚測定を行うと、薄膜除去の待ち時間は生じない。 (もっと読む)


【課題】薄膜リチウム二次電池を小型の装置で簡易に真空一貫で製造する技術を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜リチウム二次電池製造装置1は、真空槽2内に、回転駆動軸3を中心として旋回させて基板10を搬送する基板搬送機構30を有し、回転駆動軸3の周囲に、仕込取出室4と、第1〜第3のスパッタリング室5〜7と、負極層形成室8と、保護層形成室9とが設けられている。第1のスパッタリング室5においては、集電体層と保護層を形成する。第2のスパッタリング室6においては、LiCoO2からなる正極層を形成する。第3のスパッタリング室7においては、LiPONからなる固体電解質層を形成する。各室の開口部4a、5a〜7a、8a、9aは、基板搬送機構30の保持部32が通過する領域と対向する位置に配置される。各室の開口部4a、5a〜7a、8a、9aは、基板10を装着した状態で蓋機構によって塞がれる。 (もっと読む)


【課題】リチウムターゲットのリチウムの膜厚の測定機能を備えると共に、蒸着源をリチウムターゲットに移動させて消耗されたリチウムターゲットの再生を自動で行うことができるリチウムターゲット自動再生装置及びリチウムターゲット自動再生方法を得る。
【解決手段】リチウムターゲットのリチウムを自動で再生することができるリチウムターゲット自動再生装置106であって、リチウムターゲット自動再生装置106は、リチウムターゲットにリチウムを蒸着させるリチウム蒸着ユニット1を備え、リチウム蒸着ユニット1は、リチウムターゲット側に移動してリチウムターゲットにリチウムを蒸着させることが可能である。 (もっと読む)


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