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Fターム[4K029BA03]の内容

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Fターム[4K029BA03]に分類される特許

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【課題】アスペクト比の異なる複数の開口下部に接続される配線に対して最適な処理を施すことができるようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、第1の半導体基板と第2の半導体基板が接合された半導体基板の第1の開口の下部配線と、貫通接続孔と異なるアスペクト比の第2の開口の下部配線に対して、バリアメタル膜の成膜と、スパッタガスによる物理エッチングを同時に行うアンカー処理工程が含まれる。本技術は、例えば、固体撮像装置などの半導体装置に適用できる。 (もっと読む)


【課題】 生産性を向上させることが可能な光電変換素子の製造方法、および光電変換素子を提供する。
【解決手段】 本発明の光電変換素子の製造方法は、入射した光を光電変換する光電変換層2aを有する半導体基板2を準備する準備工程と、半導体基板2の主面2A上に、酸素を含む雰囲気中でアルミニウム膜4を成膜する成膜工程と、該成膜工程よりも高い濃度の酸素を含む雰囲気中でアルミニウム膜4を加熱してアルミニウム膜4の表面に酸化膜3を形成する加熱工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】耐硫化性及び導電性に優れた耐硫化性電極材料及びこれを用いた耐硫化性電極を提供すること。
【解決手段】Mo−X合金からなる耐硫化性電極材料。但し、前記Xは、Moと合金を形成し、Moより室温での硫化物生成自由エネルギーが負に大きく、かつ、アルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素、希土類金属元素、及び、Tlより元素番号の大きな元素以外の金属元素。前記Xの含有量は、1at%以上20at%以下が好ましい。少なくとも表面から50nmまでの領域が本発明に係るMo−X合金からなる耐硫化性電極。元素Xは、Al及びGaからなる群から選ばれるいずれか1以上の金属元素が好ましい。 (もっと読む)


【課題】溶融した蒸着材料をリザーバ等に溜めておくことなく下方蒸着を行う蒸着装置を提供する。
【解決手段】蒸着装置は、真空槽10、真空槽内部に配置され基板1を載置する基板ステージ24、真空槽内部で前記基板ステージよりも上方に配置され下面31aに加熱面を有する抵抗加熱ボード31、及び真空槽内部に配置され抵抗加熱ボードの下面加熱面に線蒸着材3の先端を接触させる線蒸着材供給部40を備える。 (もっと読む)


【課題】スパッタリング時に異常放電によりスプラッシュが発生することを抑制または低減することができるスパッタリングターゲットの製造方法、および該製造方法によって得られるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】正面フライス100を軸線Lまわりに回転させながら、軸線Lに直交する走査方向に走査させて切削加工を行うことで、スパッタリングターゲットのスパッタリング面51を仕上げ加工する。正面フライス100には、スローアウェイチップ(インサート)3として、第1チップ31と第2チップ32とが設けられる。第1チップ31は、円弧状の切り刃を有する。第2チップ32は、直線状の切り刃を有する。 (もっと読む)


【課題】
本発明の課題は、坩堝の冷却時において、リフレクターなどの追加部材なしに、坩堝の蒸着出口部や坩堝内壁に材料が付着することを防止できる、或いは、坩堝の冷却時において、坩堝の蒸着出口部や坩堝内壁に材料が付着する事を防ぎ、冷却時間を短縮できる蒸着装置又は蒸着装置の運転方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、蒸着源内の坩堝に存在する蒸着材料を加熱して蒸発し基板に蒸着し、真空蒸着チャンバ内を開く際には前記坩堝冷却する蒸着装置又は蒸着装置の運転方法において、前記冷却は、単位時間当たりに、前記蒸着物出口から出る前記蒸着材料の量が予め定めた量になるように蒸発レート制御する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、簡易な方法でペレットがインゴット上を転がることを防止できる蒸着装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明に係る蒸着装置は、蒸着材料で形成されたインゴットと、該インゴットの上に供給され、該インゴットと同一材料で形成された複数のペレットと、該インゴットと同一材料で形成され、該複数のペレットが該インゴットの上を転がらないように該複数のペレットを囲う固定用ペレットと、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】蒸発量に見合った材料を連続的に供給する。
【解決手段】加速した電子を照射し、加熱して蒸発させた坩堝6内の材料7を基板フィルム2の表面に付着させて薄膜を連続的に形成する際の前記材料7の連続的な供給制御を、坩堝6内の材料7の蒸発速度が一定になるように制御されているエミッション電流値を検出することで行う電子ビーム蒸着用材料供給装置である。前記坩堝6として、内面を底部から開口端にかけて逆末広がりのテーパ状に形成したものを使用する。
【効果】材料供給装置からの材料の供給量が自動的に制御され、蒸発量に見合った材料を供給できるので、長時間の運転が可能になる。 (もっと読む)


【課題】長期間に亘って正常な動作を行える水晶振動式膜厚センサ装置を提供する。
【解決手段】加速した電子を照射し加熱して蒸発させた材料7を、形成した磁場により電子を遮蔽しつつ基板フィルム2の表面に付着させて薄膜を形成する際に薄膜の膜厚を求める水晶振動式膜厚センサ装置10である。膜厚センサ11と材料7間に、スリットを有する回転体12を配置する。スリットの長手方向に対して交差する方向に磁場を発生させる磁石を設ける。
【効果】水晶振動子の振動に悪影響を与える電子の膜厚センサへの入射を効果的に遮蔽することができるので、長期間に亘って正常な動作が行えるようになる。 (もっと読む)


【課題】添加剤(着色剤や艶消し剤など)を添加しても金属との蒸着密着性に優れており、かつ耐アルコール性の良いアクリル系樹脂フィルムを提供する。
【解決手段】一方の表層は酸価が0.1mmol/g以下のアクリル系樹脂層であり、他方の表層は酸価が0.2mmol/g以上1.5mmol/g以下のアクリル系樹脂層である、積層フィルム。 (もっと読む)


【課題】品質の低下が抑制された有機ELデバイスを製造し得る有機ELデバイスの製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】帯状の基材を長手方向に移動させつつ蒸着により該基材に有機EL素子の構成層を形成する有機ELデバイスの製造方法であって、前記基材を長手方向に移動させつつ、該基材の移動方向に沿って設けられた第1及び第2蒸着部にて、前記基材の一面に蒸着源から気化材料を吐出して順次蒸着を行う構成層形成工程を備え、該構成層形成工程は、複数の上向き蒸着工程と、方向変換工程とを備えている有機ELデバイスの製造方法。 (もっと読む)


【課題】コンパクトで使い勝手が良く、イニシャルコストもランニングコストも安い真空成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜チャンバ(2)内に、ワークホルダ(10)と、マグネトロン電極(15)とを設ける。マグネトロン電極(15)には、第1のターゲット材料(16)を設け、これに重ね合わせるように第2のターゲット材料(17)を設ける。第2のターゲット材料(17、17)は第1のターゲット材料(16)をカバーする位置と、開放する位置の2位置を採ることができるようにする。ワークホルダ(10)と、第1、2のターゲット材料(16、17)との間には、直流電圧と高周波電圧とが選択可能に印加されるようにする。 (もっと読む)


【課題】アルミの這い上がりを防止して破損が起こりにくい安定な蒸発源を有する成膜装置を提供することである。さらには、基板を垂直にして横方向から蒸着する縦型蒸着に適した成膜装置を提供することである。
【解決手段】少なくとも、坩堝と、加熱部からなり、坩堝は蒸着材料に対する濡れ性の異なる材質からなる2種類の構造からなる坩堝であって、少なくとも開口部は濡れ性の小さい材料からなり、蒸着材料が供給される部分は濡れ性の大きい材料からなる蒸発源を有することを特徴とする成膜装置。 (もっと読む)


【課題】三価クロム及び六価クロムを利用しない、銀またはステンレス鋼の外観を有する、着色した金属基材の製造方法を提供する。
【解決手段】ベース層10を基材12の上に析出させて、第一の被覆基材14を形成し、窒化クロム16を第一の被覆基材14の上に析出させて、被覆基材20を形成する。特徴的なことは、前記窒化クロム層は、約45原子%未満の窒素原子%を有し、前記ベース層と前記窒化クロム層は、物理蒸着によって析出させる。 (もっと読む)


【課題】溶媒性ハードコーティングにおける設備、クリーンルーム環境等の不利点を克服する。
【解決手段】ハードコートフィルムであって、透明なポリマーフィルム基板2と、前記フィルム基板の表面上に形成される有機接着層4であって、約0.025μmから約20.0μmの範囲の厚さを有する接着層と、前記接着層の表面上に形成される有機ハードコート層6であって、約0.025μmから約20.0μmの範囲の厚さを有する有機ハードコート層と、を備えるハードコートフィルム。 (もっと読む)


【課題】 耐湿性や耐酸化性を改善し、さらに、低抵抗な主導電層であるAlと積層した際に、加熱工程を経ても低い電気抵抗値を維持できる、Mo合金からなる被覆層を用いた電子部品用積層配線膜および被覆層を形成するためのスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 基板上に金属膜を形成した電子部品用積層配線膜において、Alを主成分とする主導電層と該主導電層の一方の面および/または他方の面を覆う被覆層からなり、該被覆層は原子比における組成式がMo100−x−y−Ni−Ti、10≦x≦30、3≦y≦20で表され、残部が不可避的不純物からなる電子部品用積層配線膜。 (もっと読む)


【課題】優れた成膜精度でカルシウム層を形成することができる成膜方法、優れた成膜精度で形成されたカルシウム層を備える試験片を製造することができる試験片の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の成膜方法は、電子ビームを照射して、基材上にカルシウム層を成膜する方法であり、カルシウムを収納するための容器53として、凹部を有する本体部52と、凹部に蓋をする蓋部51とを有し、蓋部51の厚さ方向に貫通する貫通孔511を備えるものを用い、本体部52の凹部にカルシウムを収納し、凹部を蓋部51で蓋をした状態で、電子ビームを蓋部51に照射することで、加熱されたカルシウムが昇華することにより、貫通孔511を通過し、その後、基板上に、飛来することでカルシウム層が成膜されることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】スパッタチャンバ内を汚染することなく、バリアメタルを形成することができる成膜装置を提供すること。
【解決手段】実施形態の成膜装置は、第1のプロセスチャンバと、第2のプロセスチャンバと、第3のプロセスチャンバと、を備えている。そして、第1のプロセスチャンバは、スパッタ処理を行うことにより、基板上に第1のバリアメタルを成膜する。また、前記第2のプロセスチャンバは、前記第1のバリアメタルが成膜された前記基板上に第1のガスを導入することにより、前記第1のバリアメタルの上層部を前記第1のガスによって表面処理し、これにより前記第1のバリアメタル上に第2のバリアメタルを形成する。さらに、前記第3のプロセスチャンバは、前記第2のバリアメタルが形成された前記基板にスパッタ処理を行うことにより、前記第2のバリアメタル上に第3のバリアメタルを成膜する。 (もっと読む)


【課題】コア・シェル構造のクラスターを生成する。
【解決手段】同一パルス周期の第1レーザ51および第2レーザ52を用いる。第1レーザ51を第1ターゲット材料21に照射して第1プルームP1を発生させる。第1レーザ51の照射時から遅延時間Tdの経過後に、第2レーザ52を第2ターゲット材料22に照射して第2プルームP2を発生させる。遅延時間Tdの経過中に、第1プルームP1中にクラスターCを生成して、これに第2プルームP2を衝突させる。 (もっと読む)


【課題】防湿性、および耐ピンホール性に優れたバルーン用包材を提供する。
【解決手段】外側から基材層−バリア層−シーラント層、または基材層−バリア層−印刷層−シーラント層のいずれかからなるバルーン用包材において、基材層としてポリブチレンテレフタレート樹脂、またはポリブチレンテレフタレート樹脂に対してポリエチレンテレフタレート樹脂を30重量%以下の範囲で配合したポリエステル系樹脂組成物のいずれかからなる二軸延伸ポリブチレンテレフタレート系フィルムを用いる。 (もっと読む)


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