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Fターム[4K029BA06]の内容

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Fターム[4K029BA06]に分類される特許

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【課題】厚さが35nm以下でも十分に高い保磁力および角型比を有する磁性のコバルト薄膜を得ることができるコバルト薄膜の形成方法およびこの方法により形成したコバルト薄膜を用いたナノ接合素子を提供する。
【解決手段】ポリエチレンナフタレート基板11上に真空蒸着法などによりコバルト薄膜12を35nm以下の厚さに成膜する。こうしてポリエチレンナフタレート基板11上にコバルト薄膜12を成膜した積層体を二つ用い、これらの二つの積層体をそれらのコバルト薄膜12のエッジ同士が、必要に応じて有機分子を挟んで、互いに対向するように交差させて接合することによりナノ接合素子を構成する。このナノ接合素子により不揮発性メモリや磁気抵抗効果素子を構成する。ポリエチレンナフタレート基板11の代わりに、少なくとも一主面がSiO2 からなる基板、例えば石英基板を用いてもよい。 (もっと読む)


【課題】ターゲットを高融点金属とし、このターゲットを処理対象物に成膜するときにグレインサイズや表面モホロジーを制御し得るスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】ターゲット2として高融点金属製のものを用い、真空チャンバ1内でこのターゲットに処理対象物Wを対向配置し、所定圧力の真空チャンバ内にスパッタガスを導入し、ターゲットに所定の電力を投入して真空チャンバ内にプラズマを形成してターゲットをスパッタリングし、処理対象物の表面に上記高融点金属からなる金属膜を成膜する。スパッタリング中、処理対象物の全面に亘って垂直な静磁場を作用させることを特徴とするスパッタリング方法。 (もっと読む)


【課題】ナノダイヤモンドに水素イオンやヘリウムイオンをイオン注入したナノダイヤモンドに比べて所定波長範囲内の波長の励起光に対して所定波長範囲内の波長の蛍光の光強度を大きくする。
【解決手段】ナノダイヤモンドに所定の元素がイオン注入されて形成され、波長範囲700〜900nm内の波長の励起光により励起されたときに、波長範囲700〜1400nm内の波長の蛍光を発することを特徴とする。 (もっと読む)


【目的】本発明は、蓋付ハースライナーおよび蓋付ハースライナーを用いた蒸着方法に関し、簡単な構成で材料の突沸を防止し、材料がチャンバー内の広範囲に蒸着することを制限し、電子ビーム量を制御して温度制御して所望の蒸発速度にしたりすることを目的とする。
【構成】蒸着する対象の材料を入れる凹形状のハースライナーと、ハースライナーの上部に配置し、かつ1つ以上の孔を設けた蓋とを備え、ハースライナーの内部に材料を入れて蓋を載せて閉めた状態で、電子ビームを蓋の部分に照射して蓋を電子ビーム加熱し、加熱された蓋の熱によりハースライナーの内部の材料を間接加熱して蓋の1つ以上の孔から噴出させる蓋付ハースライナーである。 (もっと読む)


【課題】ビットパターンを高密度に集積した場合にも,熱安定性と記録性に優れ,ビットパターンのトラック周期よりも広い記録素子及び再生素子の磁気ヘッドを用いることができるようにする。
【解決手段】円錐台状の記録ビットの下層に垂直磁気異方性の大きい熱安定層を,上層に飽和磁束密度の大きい高出力層を備える。外周部は高出力層を除去して熱安定性を向上した熱安定性領域22とし,中心部は再生領域21とする。また,外周部と中心部の間に垂直磁気異方性と飽和磁束密度を小さくした反転制御領域23を設ける。 (もっと読む)


【課題】液晶ポリマーフィルムの表面を、2.6〜15Paのガス圧の酸素雰囲気又は窒素雰囲気下でプラズマ処理した面に、乾式めっき及び/又は湿式めっきにより形成された金属導体層を備えた銅張積層板。液晶ポリマーフィルムのプラズマ処理後の表面粗さが、算術平均粗さRaが0.15μm以下であり、かつ二乗平均平方根粗さRqが0.20μm以下である上記銅張積層板。
【解決手段】液晶ポリマーフィルムの表面を、2.6〜15Paのガス圧の酸素雰囲気又は窒素雰囲気下でプラズマ処理したした後、乾式めっき及び/又は湿式めっきにより金属導体層を形成することを特徴とする銅張積層板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】基体の全幅に均一な膜を成膜できる成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基体(101)の幅よりも狭い幅の基体搬送体(202)を基体(101)の裏面側に当接して搬送するとともに、基体搬送体(202)を通過する基体(101)の表面に、基体(101)よりも幅広の窓(106a)を有するシャッター(106)を介して基体(101)の表面に成膜することで、基体(101)の全幅に均一な膜を成膜できる成膜装置(200)を提供する。 (もっと読む)


【課題】無接着剤フレキシブルラミネートのタイコート層又はタイコート層と同等の金属又は合金を金属導体層状に形成する。同時に回路配線のファインピッチ化の妨げとなるサイドエッチングを抑制する。
【解決手段】少なくとも一方の面がプラズマ処理されたポリイミドフィルムと、その上に形成されたタイコート層と、該タイコート層上に形成された金属導体層を有し、さらに該金属導体層の上に前記タイコート層と同一成分の層を有することを特徴とする無接着剤フレキシブルラミネート。 (もっと読む)


【課題】スパッタリング用ターゲットから垂直方向に叩き出されるターゲット原子の個数を増大させる。
【解決手段】薄膜形成に用いられるターゲット原子Pから構成されたターゲット5において、ターゲット5から斜め方向に叩き出されたターゲット原子Pを側壁に衝突させることでターゲット原子Pがターゲット5から放出されるのを遮る凹部5aを表面に形成する。 (もっと読む)


【課題】低抵抗で、かつ接合リーク電流の少ないCoシリサイド層を形成することのできるサリサイドプロセスを提供する。
【解決手段】Co純度が99.99%以上で、FeおよびNiの含有量が10ppm以下、より好ましくはCo純度が99.999%の高純度Coターゲットを用いたスパッタリング法によってウエハの主面上に堆積したCo膜をシリサイド化することにより、MOSFETのゲート電極(8n、8p)、ソース、ドレイン(p型半導体領域13、n型半導体領域14)の表面に低抵抗で接合リーク電流の少ないCoSi層(16b)を形成する。 (もっと読む)


前面、前面上の硬質コーティング、反射層、および硬質コーティングと反射層の間の中間帯を有するプラスチック基材を包含するプラスチックミラーであって、該中間帯が、金属および半金属、金属および半金属の酸化物および窒化物、ならびに炭素からなる群より選択される材料から形成される少なくとも1つの層を包含する、前記プラスチックミラー。 (もっと読む)


【課題】半導体基板にシリサイド形成用の金属膜を形成する時に、ゲート絶縁膜にダメージが加わることを抑制する。
【解決手段】このスパッタリング装置は、チャンバ101、ウェハステージ102、リングチャック104、金属ターゲット105、防着シールド107、マグネット108、コリメータ109、並びに直流電源110,120を備えている。直流電源110は、コリメータ109に負電圧のみを印加するために設けられている。コリメータ109に印加される負電圧は、金属ターゲット105に印加される電圧より低電圧、例えば−70V以上−50V以下である。 (もっと読む)


【課題】半導体装置基板のスパッタリングプロセスで特に周辺部に付着するパーティクルを抑制できるスパッタリング装置および半導体装置製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置は、真空処理室1内に、ステージ2と、ターゲット4と、デポリング8と、カバーリング7とを備える。またプラズマ発生手段と、ステージ2に静電チャック作用を発生させる直流電源3と、ターゲット4のコンディショニング時にステージ2全体をプラズマから遮蔽して保護するシャッターディスク9と、クリーニング時にステージ2の基板設置面のみを覆ってプラズマから保護する保護ディスク12とを備える。保護ディスク12が上記サイズであることにより、ステージ2の側壁とデポリング8との間の余剰な成膜物も除去が可能となる。 (もっと読む)


【課題】蒸着材料供給時に生じる飛沫を抑え、投入時の液面の波紋が蒸着に与える影響を低減し、また蒸着材料のロスを少なくする。
【解決手段】真空状態となった真空室12内に、送りロール13と巻取りロール14を設けてベースフイルム15を走行させる。各ロール13,14は、ベースフイルム15の幅と略同じ円筒状、冷却キャン16の幅方向の長さはルツボ31と略同じ円筒状で、内部に冷却水が流れ、ベースフイルム15の温度上昇による変形等を抑制する。また真空室12内には、冷却キャン16と略同じ幅で設けられたルツボ31には、蒸着材料(固体状態)20aを溶解用電子銃21Bで溶融させて供給する。このルツボ31は、蒸着材料蒸発部分31Aと、これに直角に設けられた蒸着材料溶融部分31Bからなる。この蒸着材料溶融部分31Bにより、蒸着材料(固体状態)20aを供給する際に生じる波紋の影響を防止して、安定した蒸着を行う。 (もっと読む)


【課題】ポリイミドフィルム上にスパッタリング及びメッキ処理により銅層を形成した2層銅張積層板(2層CCL材料)において、耐折性を向上させる熱処理後に、さらに酸化変色を防止できる2層銅張積層板の製造方法及び2層銅張積層板を得る。
【解決手段】ポリイミドフィルム上にスパッタリングによりNi、Co、Crから選択した1種の金属層又はこれら2種以上の金属からなる合金層を形成し、さらにこの金属層又は合金層の上にスパッタリング又はメッキにより銅層を形成した2層銅張積層板であって、さらにこの銅層の上に、Cr及び/又はCr酸化物からなる層を備えていることを特徴とする2層銅張積層板。 (もっと読む)


【課題】ターゲットの利用率を十分に向上させ、且つ、プラズマダメージを十分に抑制する。
【解決手段】複数の貫通孔が形成されているコリメート板を介してスパッタを行うことにより、ゲート絶縁膜及びゲート電極を有する半導体素子上に金属膜を形成する金属膜形成工程(ステップS1)を備える。この金属膜形成工程では、貫通孔のアスペクト比(貫通孔の深さ/貫通孔の開口径)が1/6以上2/3以下であるコリメート板を用いる。金属膜形成工程を、半導体装置のシリサイド形成工程で行う。半導体素子のアンテナ比を45000以下とする。アスペクト比をコリメート板の中央部から外周部に向けて徐々に小さくし、コリメート板の最外周部ではアスペクト比を1/2以下とする。 (もっと読む)


【課題】鉄、コバルト、ニッケル等の磁性体材料を成膜する場合に、基板の中心に対するその周囲の部分の膜厚比を大きくする。
【解決手段】ターゲットの表面付近のエロージョン領域に形成されるリング状の磁場以外にターゲットと基板とが対向したエリアの側方の特に基板に近い側に磁場を形成する。マグネトロンスパッタリング装置は、希薄ガス雰囲気に維持される真空空間内にターゲットと基板とを対向して配置すると共に、ターゲットの表面付近に磁場を形成するための磁場形成手段を配置し、さらにターゲットと基板とが対向したエリアの側方に補助的な磁場形成手段を配置し、ターゲットの表面付近のエロージョン領域に形成される磁場以外に基板の表面に近い部分に補助的な磁場を形成するものである。 (もっと読む)


【課題】低コストでかつ安定に成膜をすることができる成膜方法および成膜装置を提供すること。
【解決手段】薄膜の原料の固体を溶融して融液51aとし、融液51aを凝固させて棒状体を形成し、棒状体51bを引き出す。棒状体51bを溶融させずに保温又は加温しつつ搬送する。棒状体51bの一部を溶融させて、蒸発源51dに供給する。蒸発源51dを加熱して蒸発させた蒸発粒子を基板に堆積させることで基板上に薄膜を形成する。以上の工程を、真空槽内で行う。 (もっと読む)


【課題】ナノ粒子を高いスループットにて堆積させることができるナノ粒子堆積技術を提供する。
【解決手段】真空チャンバー10には、基板保持部30に保持された基板Wの直下にKセル40が配置されている。Kセル40のるつぼ41にはナノ粒子の原材料となるコバルトが投入される。るつぼ41の開口部はガス噴出治具50のガス噴出部51によって覆われている。ガス噴出部51は上端にアパーチャ52を形成したテーパ面を有しており、その内側が蒸気発生空間45とされる。るつぼ41を加熱してコバルトの蒸気が発生している蒸気発生空間45にガス供給部60からヘリウムガスを供給する。ヘリウムガスはアパーチャ52から噴出されて基板Wへと向かう気流を形成する。コバルトの蒸気はヘリウムガスの気流によってクラスターを形成しつつ基板Wまで運搬される。 (もっと読む)


【課題】コバルト前駆体の使用効率の高い、化学気相成長方法によるコバルト膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】上記コバルト膜の形成方法は、基体上にコバルト膜を形成する方法であって、少なくとも(A)一酸化炭素を含む気体の存在下でコバルトカルボニル錯体を昇華する工程と(B)基体上にコバルトカルボニル錯体の昇華物を供給してコバルトに変換する工程とを含むことを特徴とする方法である。 (もっと読む)


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