【課題】支持体上に超電導物質をコーティングした超電導膜に、イオン照射によってピン止め中心を導入することにより、磁場中での臨界電流密度特性が高められた超電導材料膜の製造方法を提供する。
【解決手段】支持体上に作製された超電導膜に、低エネルギー・軽イオンを照射することによって、超電導膜の中に有効なピン止め点が導入されるため、磁場中でのＪｃ及びＪｃの磁場角度依存性が高められた超電導材料膜が製造できる。また、塗布熱分解法の仮焼成工程の後に低エネルギー・軽イオンを照射して、さらに本焼成することによっても、磁場中でのＪｃ及びＪｃの磁場角度依存性が高められた超電導材料膜が製造できる。 （もっと読む）

【課題】ターゲットを高融点金属とし、このターゲットを処理対象物に成膜するときにグレインサイズや表面モホロジーを制御し得るスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】ターゲット２として高融点金属製のものを用い、真空チャンバ１内でこのターゲットに処理対象物Ｗを対向配置し、所定圧力の真空チャンバ内にスパッタガスを導入し、ターゲットに所定の電力を投入して真空チャンバ内にプラズマを形成してターゲットをスパッタリングし、処理対象物の表面に上記高融点金属からなる金属膜を成膜する。スパッタリング中、処理対象物の全面に亘って垂直な静磁場を作用させることを特徴とするスパッタリング方法。 （もっと読む）

【課題】 基材表面に位置する官能基がアミド化や窒化することを防ぎつつ、また酸素結合に頼ることなく層間密着力を向上させることを可能としたガスバリアフィルムの製造方法及び係る製造方法によるガスバリアフィルムを提供する。
【解決手段】 基材となるプラスチックフィルムの表面に対し、不活性ガス導入下において、気圧１×１０^−１〜１×１０^−３Ｔｏｒｒという環境下にて予めグロー放電によるプラズマ処理を施すプラズマ処理工程と、前記プラズマ処理工程を実施した後に、その表面にシラノール基を有する鱗片状シリカを主剤に対して添加した第１高分子樹脂層、ガスバリア層、をこの順に積層してなる備えてなる製造方法、及び該方法により得られるガスバリアフィルムとした。 （もっと読む）

【目的】純金属の有する色彩を造形物の色彩として有効に活かすと共に、純金属の酸化を防ぎ、純金によるイオン効果や抗菌作用を得ることができる造形物に関し、そのような造形物を効率良く製造することができる製造方法に関する。
【解決手段】成型等により得られた透明な材料による透明造形物の片面に、一層又は複数層の純金属薄膜層を有し、一層又は複数層の最外殻の薄膜層は純金の薄膜層とすることにより、純金属の有する色彩を造形物の色彩として有効に活かすと共に、純金属の酸化を防ぎ、純金によるイオン効果や抗菌作用を得ることができる造形物を提供することができるのである。 （もっと読む）

【課題】ガスバリア性を高めたガスバリア性シート及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材２と、その基材２上に設けられたガスバリア膜３とを少なくとも有し、ガスバリア膜３の基材２側の界面Ｓに強磁性元素が存在するように構成したガスバリア性シート１により、上記課題を解決した。この強磁性元素を、界面Ｓに散布状若しくは島状又は薄膜状に存在させることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 基材表面に位置する官能基がアミド化や窒化することを防ぎつつ、また酸素結合に頼ることなく層間密着力を向上させることを可能としたガスバリアフィルムの製造方法及びガスバリアフィルムを提供する。
【解決手段】 複数枚のプラスチックフィルムが剥離可能に積層された状態である基材フィルムの最表面に対し、不活性ガス導入下において、気圧が１×１０^−１〜１×１０^−３ｔｏｒｒという環境下にて予めプラズマ処理を施すプラズマ処理工程と、その表面にガスバリア層を積層してなるガスバリア層積層工程とを備えてなり、前記プラズマ処理がグロー放電プラズマ処理であり、前記グロー放電プラズマ処理工程が施された前記基材表面に、前記グロー放電プラズマ処理を施したことにより周期表における第４周期第４族から同第１２族に属するいずれかの金属、若しくは当該範囲内の金属同士による合金が付着してなる方法とした。 （もっと読む）

【課題】 微細なナノ結晶組織を付与したFeあるいはFe濃度の高い合金材料からなる軟磁性金属膜を提供する。
【解決手段】 組成式：Ｆｅ_{１００−ａ}Ｍ_ａ（但し、Ｍ元素はMn,Si,Al,B,Zr,Ti,Crから選択された１種または２種以上の元素であり、ａは原子％で０≦ａ≦１０で、不可避不純物を含む）で表された合金組成で、粒子径が３nm以上１００nm以下の磁気的に等方性のナノ粒子が堆積した軟磁性金属膜。単位重量当たりの飽和磁化は180emu/ｇ以上、保磁力は100A/m以下である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、既存の薄膜製造工程で行われている蝕刻工程又はボトム-アップ方式を用いた、自己組織化ナノ薄膜形成技術の問題点である、高コスト、製造工程の複雑化や長時間化、膜の質の低下などを解決することを課題とする。
【解決手段】本発明は、単結晶又は非結晶基板上に金属又は半導体薄膜を蒸着させたシード層上に、凝集現象が起こる金属を蒸着させた中間層を形成した後、熱処理してパターンを形成させ、上記のパターン上に誘電体、半導体、又は金属を蒸着させたターゲット層を形成することを含む自己組織化されたナノ構造薄膜の製造方法を採用している。本発明によると、既存のトップ-ダウン方式の薄膜製造工程で行われている蝕刻工程の問題点を著しく減少させ、さらにナノ薄膜構造においてナノ構造の模様を自由に制御することができる。 （もっと読む）

【課題】基板上に粒径均一、分布一様に磁性金属触媒微粒子を高再現性で析出生成させる。
【解決手段】本製造方法は、両性である非磁性金属からなる母材を基板上に形成するステップと、炭素含有ガスに反応するものでアルカリに非可溶の磁性金属を上記母材上に形成するステップと、熱処理により上記母材中に上記磁性金属を凝集させて少なくとも基板と母材との界面に磁性金属触媒微粒子を析出するステップと、アルカリにより上記母材を除去して上記基板上に磁性金属触媒微粒子を露出させるステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 特に水蒸気透過量を従来技術のものと比較して少なくでき、電子デバイスのバリア層として最適なガスバリア層構造体を提供する。
【解決手段】 電子デバイス構造にてガスバリア性能を発揮する本発明のガスバリア層構造体６は、不動態化金属の層６１と、この不動態化金属の酸化物層６２とを順次積層して構成される。不動態化金属は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｚｒ及びＴａの中から選択されたもの、または、これらの二種以上の合金である。 （もっと読む）

【課題】大気圧プラズマ放電処理の際の、電極表面の誘電体層の劣化や不均一放電、及び回路全体のインピーダンスが高くなることを防ぐことのできる放電用電極を提供すること。
【解決手段】本発明の放電用電極は、対向する二つの電極を備え、これら電極には、対向側表面に誘電体層が形成され、前記各誘電体層の一方が体積抵抗率１０¹¹Ωｃｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】鉄、コバルト、ニッケル等の磁性体材料を成膜する場合に、基板の中心に対するその周囲の部分の膜厚比を大きくする。
【解決手段】ターゲットの表面付近のエロージョン領域に形成されるリング状の磁場以外にターゲットと基板とが対向したエリアの側方の特に基板に近い側に磁場を形成する。マグネトロンスパッタリング装置は、希薄ガス雰囲気に維持される真空空間内にターゲットと基板とを対向して配置すると共に、ターゲットの表面付近に磁場を形成するための磁場形成手段を配置し、さらにターゲットと基板とが対向したエリアの側方に補助的な磁場形成手段を配置し、ターゲットの表面付近のエロージョン領域に形成される磁場以外に基板の表面に近い部分に補助的な磁場を形成するものである。 （もっと読む）

【課題】
安価で安定的に、良好な電気伝導性を示す薄膜積層体のＡｇ等の金属薄膜の膜厚を薄くする方法を提供することを課題とする。
【解決手段】
スパッタリング法を用いて基材上にＦｅ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔからなる群から選ばれる少なくとも１種を主成分とする金属薄膜を形成する方法において、スパッタリング装置内に設置された真空チャンバー内を減圧する工程、減圧後に該真空チャンバー内に雰囲気ガスとしてＡｒを含むガスを導入する工程、該ガス導入後に、スパッタリングターゲットにイオン電流を流す工程を有し、前記イオン電流の電流値が、雰囲気ガスにＮ_２ガスを含むことで低く調整されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被接合物への付着物を低減し、良好な接合状態を実現することが可能な接合技術を提供する。
【解決手段】両被接合物９１，９２の接合表面のそれぞれに向けてエネルギー波（例えばビーム照射部１１，１２による原子ビーム）を照射することにより、両被接合物９１，９２の接合表面のそれぞれを活性化する。その後、表面活性化処理が施された両被接合物９１，９２の少なくとも一方を移動する。移動後において対向状態を有する両被接合物９１，９２の対向空間の側方から当該対向空間に向けてエネルギー波（例えばビーム照射部３１によるイオンビーム）を照射することにより、両被接合物９１，９２の接合表面を活性化するとともに、両被接合物９１，９２を接近させて当該両被接合物を接合する。 （もっと読む）

【課題】腫瘍細胞を選択的に破壊する等、種々の用途に効果的に利用可能な新規な形状の磁性微粒子、その製造方法及びその製造装置を提供する。
【解決手段】コア部１とそのコア部２の周りにある多数のヒゲ状突起３とからなり、そのヒゲ状突起３を含む粒子径Ｄに対するヒゲ状突起３の長さＬの割合が５％以上３０％以下である磁性微粒子１により、上記課題を解決する。このとき、ヒゲ状突起３を含む粒子径Ｄの平均が１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の範囲内である磁性微粒子１は、ガスフロースパッタ法で形成された鉄微粒子として好ましく得ることができ、腫瘍細胞内に貪食又はエンドサイトーシスされて外部から加わる変換磁場により該腫瘍細胞を破壊する磁性微粒子として利用できる。 （もっと読む）

【課題】ナノ粒子を高いスループットにて堆積させることができるナノ粒子堆積技術を提供する。
【解決手段】真空チャンバー１０には、基板保持部３０に保持された基板Ｗの直下にＫセル４０が配置されている。Ｋセル４０のるつぼ４１にはナノ粒子の原材料となるコバルトが投入される。るつぼ４１の開口部はガス噴出治具５０のガス噴出部５１によって覆われている。ガス噴出部５１は上端にアパーチャ５２を形成したテーパ面を有しており、その内側が蒸気発生空間４５とされる。るつぼ４１を加熱してコバルトの蒸気が発生している蒸気発生空間４５にガス供給部６０からヘリウムガスを供給する。ヘリウムガスはアパーチャ５２から噴出されて基板Ｗへと向かう気流を形成する。コバルトの蒸気はヘリウムガスの気流によってクラスターを形成しつつ基板Ｗまで運搬される。 （もっと読む）

【課題】 ターゲット物質の歩留りを向上させ、無駄なく簡単に薄膜を形成するためのターゲット物質含有液体の製造方法、ターゲット物質を含有する薄膜の形成方法、ターゲット物質含有液体を提供する。
【解決手段】 ターゲットを用いたプラズマスパッタリング法を用い、前記ターゲットが配置された処理室と同一の処理室内に配置された液体材料に向けてターゲット物質をスパッタリングすることにより、前記ターゲット物質を前記液体材料中に分散させることを特徴とするターゲット物質含有液体の製造方法である。 （もっと読む）

パターンが形成された基板上に金属を堆積させる方法および装置を提供する。金属層が，第１のエネルギーを有する物理蒸着工程で形成される。第２のエネルギーを用いて金属層上に第２の物理蒸着工程が行われ、ここで、堆積層は、脆性および塑性表面修正工程の相互作用を受け、基板上にほぼ同形の金属層が形成される。
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【課題】低温、かつ少ない工程で、ナノドットを作製する方法、並びにこのナノドットを有する浮遊ゲートトランジスタ及びその作製方法の提供。
【解決手段】同軸型真空アーク蒸着源１を用いて、金属材料又は半導体材料から、絶縁層３４中に埋め込まれる、電荷を保持するためのナノドット３３を作製する。基板３１上に酸化物膜３２を形成する工程と、ナノドット３３を酸化物膜３２上に作製する工程と、ナノドット上に絶縁層３４を形成することでナノドットを埋め込むようにする工程と、絶縁層３４上に電極膜３５を形成する工程とを有し、かくして浮遊ゲートトランジスタが作製される。 （もっと読む）

【課題】良好な界面特性をもつ強磁性薄膜、絶縁性薄膜、及び化合物半導体からなる強磁性積層構造を得る。
【解決手段】この磁性体積層構造１０においては、化合物半導体１上に絶縁性薄膜２及び強磁性薄膜３が順次形成されている。絶縁性薄膜２は、蛍石型構造をもつフッ化化合物からなる。強磁性薄膜３は、Ｆｅ又はＦｅＣｏ合金からなる強磁性体である。この強磁性積層構造１０は、強磁性薄膜３から絶縁性薄膜２を通して化合物半導体１にスピン偏極電子が注入されて使用される。例えば、この強磁性積層構造１０をスピンＬＥＤに用い、化合物半導体１を発光層としても用いることができる。この場合には、この構造における各界面の結晶欠陥が少ないために、スピン偏極電子の発光層への高い注入効率が得られるため、高効率のスピンＬＥＤを得ることができる。 （もっと読む）