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Fターム[4K029BA11]の内容

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Fターム[4K029BA11]に分類される特許

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【課題】耐硫化性及び導電性に優れた耐硫化性電極材料及びこれを用いた耐硫化性電極を提供すること。
【解決手段】Mo−X合金からなる耐硫化性電極材料。但し、前記Xは、Moと合金を形成し、Moより室温での硫化物生成自由エネルギーが負に大きく、かつ、アルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素、希土類金属元素、及び、Tlより元素番号の大きな元素以外の金属元素。前記Xの含有量は、1at%以上20at%以下が好ましい。少なくとも表面から50nmまでの領域が本発明に係るMo−X合金からなる耐硫化性電極。元素Xは、Al及びGaからなる群から選ばれるいずれか1以上の金属元素が好ましい。 (もっと読む)


【課題】蒸発材料の、蒸着対象物に対向する対向面内で、蒸発流密度の分布を均一にすることができる真空蒸着装置、これに用いられる電子銃及びその蒸着方法を提供すること。
【解決手段】真空蒸着装置100では、メインコントローラ14及び/または電子銃ドライバ59により、電子ビームBが、蒸発材料10の上面10aの外形にしたがって揺動するように、揺動コイル62が制御される。これにより、電子ビームが、その上面10a全体に均一に入射される。したがって、蒸発材料10の上面10aからの蒸発流分布(蒸発流密度)を均一にすることができる。その結果、成膜レートの安定化を図ることができ、基板Wに形成される蒸着膜の膜厚分布を均一にすることができる。 (もっと読む)


【課題】ターゲットを高融点金属とし、このターゲットを処理対象物に成膜するときにグレインサイズや表面モホロジーを制御し得るスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】ターゲット2として高融点金属製のものを用い、真空チャンバ1内でこのターゲットに処理対象物Wを対向配置し、所定圧力の真空チャンバ内にスパッタガスを導入し、ターゲットに所定の電力を投入して真空チャンバ内にプラズマを形成してターゲットをスパッタリングし、処理対象物の表面に上記高融点金属からなる金属膜を成膜する。スパッタリング中、処理対象物の全面に亘って垂直な静磁場を作用させることを特徴とするスパッタリング方法。 (もっと読む)


【課題】界面拡散を抑えつつ基板上に薄膜を形成すること。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する成膜装置であって、薄膜を構成する物質のスパッタ粒子を基板に向けて放出する放出部と、放出されたスパッタ粒子のうち少なくとも一部を帯電させる帯電部と、帯電した状態で基板に到達するスパッタ粒子の運動エネルギーの大きさを調整する調整部とを備える。 (もっと読む)


【課題】成膜面を下にして上下を逆にして載置したウエハ上の堆積膜にクラック、バリ、剥がれの発生を防止する。
【解決手段】蒸着設備において、下から受けてウエハ2を支えて搭載するウエハ搭載用のヤトイ治具3において、ヤトイ治具3の内周側の先端部に庇状の段差部3aが平面視リング状に設けられている。リング状のヤトイ治具3の段差部3b上にはウエハ2が搭載され、さらに外周側のヤトイ治具3の段差部3c上には、その下面がウエハ2の上面にと当接してウエハ2を自重で固定するための蓋4が搭載されている。段差部3c上に搭載された蓋4の下面は、段差部3b上に搭載されたウエハ2の上面を多少押圧する段差部3b、3cの段差高さ関係を有している。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、以上の点に鑑み、異種金属からなる導電層間に介在されるような場合でも十分なバリア性能を発揮し得るバリア層を生産性よく形成することができるバリア層の形成方法を提供する。
【解決手段】 バリア層BMは、処理対象物Wを一方の導電層CL1を有するものとし、この処理対象物と、例えばTi製のターゲット2とを真空処理室1a内に配置し、真空処理室内に希ガスを導入してプラズマ雰囲気を形成し、ターゲットをスパッタリングして一方の導電層表面に第1金属層を形成し、真空処理室内に酸素ガス及び窒素ガスを含むガスを導入してプラズマ雰囲気を形成し、第1金属層の表面を酸窒化処理すると共に、ターゲットをもプラズマ雰囲気に曝して当該ターゲット表面を酸窒化し、真空処理室内に希ガスを更に導入してプラズマ雰囲気を形成し、ターゲットをスパッタリングして酸窒化処理された表面に第2金属層を形成してなる。 (もっと読む)


【課題】スパッタリングターゲットに起因する異物低減可能なEUVマスクブランクスの製造方法の提供。
【解決手段】基板11上にMo/Si多層反射膜12、保護層13としてRu膜またはRu化合物膜を、イオンビームスパッタリング法を用いて実施し、Mo/Si多層反射膜12のSi膜成膜時、および、Ru膜またはRu化合物膜成膜時に、ターゲット角度、プロセスガス種類、プロセスガス圧力、イオンソースのRFパワー、サプレッサ電圧、イオンビーム電圧、および、イオンビーム電流をほぼ同一とし、Si膜成膜に使用したスパッタリングターゲットのエロージョン領域に基づき、Ru膜またはRu化合物膜成膜に使用するスパッタリングターゲットのエロージョン領域、非エロージョン領域を予測し、RuターゲットおよびRu化合物ターゲットの予測される非エロージョン領域に粗面化処理を施してから、Ru膜またはRu化合物膜成膜を実施する。 (もっと読む)


【課題】LASERスクライブ法を用いてパターニングする際に、好適に除去できるモリブデン層を成膜可能な成膜装置、成膜基板製造方法、及び成膜基板を提供することを目的とする。
【解決手段】成膜室11B内において基板搬送方向Dの上流側から下流側にかけて不活性ガスの圧力勾配が生じさせる。この圧力勾配は、上流側の不活性ガスの圧力が高く、下流側の不活性ガスの圧力が低くなるように形成する。このような圧力勾配が生じた成膜室11B内でモリブデン層の成膜を実施することで、基板側から表面側にかけて、金属密度勾配が形成されたモリブデン層を成膜することができる。この金属密度勾配では、モリブデン層の膜厚方向において、表面側から基板側へ近づくにつれて、密度が低くなるように密度勾配を形成する。このような密度勾配を有するモリブデン層にLASERスクライブ法を適用すると、モリブデン層を好適に除去することができる。 (もっと読む)


【課題】耐還元性に優れた半導体薄膜及びその製造方法、チャネル層上に酸素透過性膜等のバッファー層を設けなくても安定したTFT特性が得られる薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】1種以上のアモルファス金属酸化物を含有し、前記金属酸化物の少なくとも一部の金属原子にOH基が結合している半導体薄膜。 (もっと読む)


【課題】 スパッタリング中の異常放電を抑制できる、アルカリ金属化合物が微細に分散
したMo系スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、KとNbとの複合酸化物でなる粉末とMo粉末との焼結体であ
って、前記複合酸化物を0.4〜9.0質量%含有し、Mo母相中に内接円直径が20μ
m以下の凝固した前記複合酸化物が分散するMo系スパッタリングターゲットである。ま
た、本発明のMo系スパッタリングターゲットは、加圧容器に充填し、前記複合酸化物の
溶融温度以上、Moの溶融温度以下で加圧焼結することにより得られる。 (もっと読む)


【課題】CBD成膜装置を、CBD溶液に溶解してしまうような部分を含む基板であっても基板を溶解させることなくCBD成膜を実施可能なものとする。
【解決手段】CBD成膜装置1を、長尺基板2を密着支持するドラム3と、長尺基板2を密着支持するドラムの一部を浸漬するCBD反応液4で満たされた反応槽5と、ドラム3に密着支持された長尺基板2の短手方向端部と、ドラム3のうち長尺基板2が密着しない部分とをオーバーラップしてCBD反応液4から保護する保護部材6と、ドラム3の周速に合わせてドラム3に密着させた長尺基板2と保護部材6をCBD反応液中で共走行させる駆動部とを有するものとする。 (もっと読む)


【課題】ガラス基板とモリブデン層との密着力の向上が図られた成膜基板を製造する方法、成膜基板、及び成膜装置を提供すること。
【解決手段】所定量の酸素を含有する第1の雰囲気中で、ガラス基板2の表面に第1のモリブデン層3aを成膜し、第1の雰囲気よりも酸素の含有率が低い第2の雰囲気中で、第1のモリブデン層3aの表面に第2のモリブデン層3bを成膜する。これにより、酸化モリブデンを含む密着層3aをガラス基板2上に成膜し、この密着層3aの上にモリブデン層3bを成膜することができる。 (もっと読む)


【課題】表面が曲面形状または凹凸 形状を有する基板上に、平滑性の高い被エッチング層と熱反応型レジスト材料を積層した積層体を設けることを目的の一つとする。
【解決手段】曲面形状または凹凸形状の基板上に、フロン系ガスを用いたドライエッチング処理に用いられ、且つ元素群Ta、Mo、Nbから少なくとも1種類を含む元素及びその酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、セレン化物、シリサイドのいずれかから選択されるドライエッチング材を含むドライエッチング層と、前記ドライエッチング層の上に熱反応型レジスト層とを積層する。 (もっと読む)


【課題】高硬度から低硬度の材料まで広範囲の基材に対し、高硬度のDLC(ダイヤモンドライクカーボン)膜を最表面側に含むDLC多層膜を約3μm以上厚く形成しても、基材およびDLC膜の双方に対して優れた密着性を備えており、耐摩耗性にも優れたDLC成形体の製造方法を提供する。
【解決手段】DLC硬質多層膜成形体10の製造方法は、基材1を用意する工程(a)と、前記基材の上に、中間層2aをスパッタリング法によって形成する工程(b)と、前記中間層の上に、第1のダイヤモンドライクカーボン系膜3aをスパッタリング法によって形成する工程(c)と、前記第1のダイヤモンドライクカーボン系膜の上に、前記第1のダイヤモンドライクカーボン系膜よりも表面硬度の高い第2のダイヤモンドライクカーボン系膜3bをカソード放電型アークイオンプレーティング法によって形成する工程(d)と、を包含する。 (もっと読む)


【課題】多層反射膜中の150nm未満の大きさの高酸化物欠陥が検出されない多層反射膜付基板および反射型マスクブランクの製造方法を提供する。
【解決手段】基板1上に、高屈折率材料である金属を含有する材料からなる高屈折率層と低屈折率材料であるケイ素を含有する材料からなる低屈折率層を交互に積層してなる多層反射膜2をスパッタ成膜装置を用いてスパッタリング法で形成することにより、多層反射膜付基板を製造する。また、多層反射膜2上に保護膜3及び吸収体膜4を形成することにより、反射型マスクブランク10を製造する。ここで、基板1が搬入されるスパッタ成膜装置の室内の気体を水分および二酸化炭素を含有しない気体、ドライエアまたはこれらの混合気体に置換し終えた後に、該室内の減圧を行い、次いで多層反射膜2のスパッタリング法による成膜を開始する。 (もっと読む)


【課題】スパッタリングによる成膜レートを低くし、被処理体の表面に形成されたアスペクト比が3以上の孔または溝の内壁面および内底面に被覆性が良好な金属薄膜を形成し、少ない電力でも、ターゲットにおける自己保持放電を発生させる成膜方法を提供する。
【解決手段】ターゲット3に電圧Vおよび電流Iを印加しチャンバ2内でターゲットから放電が発生した後、スパッタガスの導入を止めてターゲットのイオンにより自己保持放電を発生させ、被処理体Wの表面の孔または溝内を含む被処理体の表面全面に金属薄膜を形成する工程において、ターゲットに印加する電流Iを一定とし、放電が不安定になった時に電圧Vを増大させるとともに、関係式(1)および(2)を満たすことを特徴とする。I>I・・・(1)、P>P・・・(2)(I:自己保持放電を開始する電流の最小値、P:ターゲットの電力、P:自己保持放電を開始する電力の最小値) (もっと読む)


【課題】 均一な組織を有するMoスパッタリングターゲットを提供する。また、このよ
うなMoスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】 純度99.9%以上のMoスパッタリングターゲットにおいて、平均結晶
粒径が60μm以下、スパッタ面の平均ビッカース硬度Hvが150〜200でビッカー
ス硬度Hvのばらつきが±10%以内であることを特徴とする。また、結晶配向をランダ
ム配向とすることも有効である。 (もっと読む)


【課題】外部リークをより少なくして真空状態を維持することができ、ロール交換時に巻き出し室や巻取り室を素早く大気圧状態に戻し、ロール交換後も素早く真空状態に戻すことができるフィルム製造装置を提供する。
【解決手段】フィルム製造装置1は、巻き出し手段6、巻き取り手段7、3つの反応室4A、4B、4C、フィルム搬送路5より構成され、フィルムが通過する少なくとも一の開口部を有する反応室内に配置され、かつ、開口部には、該フィルムを挟みながら封止することにより真空室を密封可能とする弁体を有するバルブ機構11〜16が具備されている。 (もっと読む)


前面、前面上の硬質コーティング、反射層、および硬質コーティングと反射層の間の中間帯を有するプラスチック基材を包含するプラスチックミラーであって、該中間帯が、金属および半金属、金属および半金属の酸化物および窒化物、ならびに炭素からなる群より選択される材料から形成される少なくとも1つの層を包含する、前記プラスチックミラー。 (もっと読む)


【課題】 スパッタリング時の異常放電の防止、あるいはターゲットの製造中やスパッタリング中の割れや欠けを防止できる緻密で高強度のNaを含有するMo系スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 平均粒径15μm以下のNaF粉末と平均粒径20μm以上のMo粉末との焼結体からなり、NaFを0.1〜8質量%含有し、相対密度90%以上かつ抗折力が150N/mm2以上であるMo系スパッタリングターゲットである。 (もっと読む)


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