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Fターム[4K029BA13]の内容

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Fターム[4K029BA13]に分類される特許

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【課題】流動体を付着させて熱処理を行う工程を繰り返し行うことにより微細パターンの膜を所望の膜厚で精密に作製可能とするパターン形成用基板と、パターン形成用基板を用いた圧電アクチュエータの製造方法を提供する。
【解決手段】所定の流動体を特定領域に付着させて熱処理を行うことによりパターン化された膜を形成するためのパターン形成用基板10で、特定領域を親和性とし、それ以外の領域を非親和性とする表面改質をおこなう。パターン形成用基板10の表面改質処理対象となる金属膜はPt膜53を積層し、基体として、Ti,Ta,Zr,V,Nb,Mo,Wから選ばれる少なくとも1つの金属元素、酸素元素および炭素元素から構成されるMOC膜52を用いる。 (もっと読む)


【課題】エッチング残渣が少なく信頼性が良好であり、かつリーク電流を抑制することができる強誘電体素子を提供する。
【解決手段】シリコン基板10の上に順に、振動板11、下部電極20、強誘電体層30、上部電極40を形成し、強誘電体層30の側面の傾斜角はθ2=30°、上部電極40の側面の傾斜角はθ1=30°としている。これにより、エッチングガスやプラズマ粒子の衝突角度が平面に近づき、傾斜面でのエッチング残渣の除去率が向上する。 (もっと読む)


【課題】薄膜リチウム二次電池を小型の装置で簡易に真空一貫で製造する技術を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜リチウム二次電池製造装置1は、真空槽2内に、回転駆動軸3を中心として旋回させて基板10を搬送する基板搬送機構30を有し、回転駆動軸3の周囲に、仕込取出室4と、第1〜第3のスパッタリング室5〜7と、負極層形成室8と、保護層形成室9とが設けられている。第1のスパッタリング室5においては、集電体層と保護層を形成する。第2のスパッタリング室6においては、LiCoO2からなる正極層を形成する。第3のスパッタリング室7においては、LiPONからなる固体電解質層を形成する。各室の開口部4a、5a〜7a、8a、9aは、基板搬送機構30の保持部32が通過する領域と対向する位置に配置される。各室の開口部4a、5a〜7a、8a、9aは、基板10を装着した状態で蓋機構によって塞がれる。 (もっと読む)


【課題】圧電特性に優れ且つ信頼性の高い圧電膜素子及び圧電膜デバイスを提供する。
【解決手段】基板1上に、少なくとも下部電極層2と、非鉛のアルカリニオブ酸化物系の圧電膜4とを配した圧電膜素子10において、前記下部電極層2は、立方晶、正方晶、斜方晶、六方晶、単斜晶、三斜晶、三方晶のいずれかの結晶構造、またはこれら結晶構造のうちの二以上の結晶構造が共存した状態を有し、前記結晶構造の結晶軸のうちの2軸以下のある特定の結晶軸に優先的に配向しており、前記基板1上における少なくとも一つの前記結晶軸を法線とした結晶面のX線回折強度分布において、前記結晶面のX線回折強度の相対標準偏差が57%以下である。 (もっと読む)


【課題】ターゲットを高融点金属とし、このターゲットを処理対象物に成膜するときにグレインサイズや表面モホロジーを制御し得るスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】ターゲット2として高融点金属製のものを用い、真空チャンバ1内でこのターゲットに処理対象物Wを対向配置し、所定圧力の真空チャンバ内にスパッタガスを導入し、ターゲットに所定の電力を投入して真空チャンバ内にプラズマを形成してターゲットをスパッタリングし、処理対象物の表面に上記高融点金属からなる金属膜を成膜する。スパッタリング中、処理対象物の全面に亘って垂直な静磁場を作用させることを特徴とするスパッタリング方法。 (もっと読む)


【課題】非鉛の圧電膜と下部電極とのエッチング選択性を確保するとともに、高精度に加工することができる圧電膜素子、圧電膜素子の製造方法、及び圧電デバイスを提供する。
【解決手段】圧電膜素子1は、基板2と、基板2上に形成されたPt又はPtを主成分とする合金からなる第1の下部電極層4と、第1の下部電極層4上に形成されたTi、Cr若しくはこれらのいずれかを主成分とする合金の単層又は積層体からなる第2の下部電極層5と、第2の下部電極層5上に形成されたペロブスカイト構造を有する非鉛のアルカリニオブ酸化物系化合物からなる圧電膜7と、圧電膜7上に形成された上部電極とを備える。 (もっと読む)


【課題】簡便な工程でありながら、1バッチで粉体に対してクラスタを均一に堆積させることが可能な粉体に対するクラスタ堆積方法を提供すること。
【解決手段】ターゲット材料からクラスタCを生成する工程と、
クラスタCの中から質量フィルタによりクラスタサイズを基準として堆積用のクラスタを選別する工程と、
担体粒子Pからなる粉体と液体との混合物を真空中に噴出させる工程と、
真空中に噴出された前記混合物中の担体粒子Pに、前記堆積用のクラスタを接触させることにより、担体粒子Pの表面上にクラスタCを堆積させる工程と、
を含むことを特徴とする粉体に対するクラスタ堆積方法。 (もっと読む)


【課題】本発明は、電極触媒の製造方法に関し、スパッタリング時に微細化した触媒金属をカーボン粉末の表面に担持可能な電極触媒の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】内部が真空に保持された回転バレルと、該回転バレル内に配置したターゲットユニットと、該ターゲットユニットに接続されプラズマを発生可能なスパッタリング電源と、を備えたスパッタリング装置を用い、上記回転バレル内に比表面積300m/g以下のカーボン粉末を収納すると共に、上記ターゲットユニット内に白金プレートを設置して、上記回転バレルを回転させつつ上記スパッタリング電源によりプラズマを発生させて、上記白金プレートの白金を上記カーボン粉末にスパッタリングする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、電極触媒の製造方法に関し、直流式のスパッタリング装置を用いる際に、微細化した触媒金属をカーボン粉末の表面に担持可能な電極触媒の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】内部が真空に保持された回転バレルと、該回転バレル内に配置したターゲットユニットと、該プラズマを発生可能な直流式のスパッタリング電源と、を備えたスパッタリング装置を用い、上記回転バレル内にカーボン粉末を収納すると共に、上記ターゲットユニット内に白金プレートを設置して、上記回転バレルを回転させつつ上記スパッタリング電源からのスパッタ出力を1.0kWよりも小さい値に設定して、上記白金プレートの白金を前記カーボン粉末にスパッタリングする。 (もっと読む)


【課題】リークパスの発生を抑制し、耐電圧特性を向上させた圧電アクチュエータを提供する。
【解決手段】Pt下部電極層4上に第1の比誘電率を有する第1のPZT圧電体層5Aをアーク放電反応性イオンプレーティング(ADRIP)法により形成し、第1のPZT圧電体層5A上に第1の比誘電率より小さく表面ラフネスの小さい第2のPZT圧電体層5BをADRIP法により形成する。 (もっと読む)


【課題】ファインピッチ化に適した、裾引きが小さい断面形状の回路を良好な製造効率で製造可能なプリント配線板用銅箔及び電子回路の形成方法を提供する。
【解決手段】銅箔基材と、該銅箔基材表面の少なくとも一部を被覆する被覆層とを備えたプリント配線板用銅箔であって、前記被覆層が、Pt、Pd、及び、Auの少なくともいずれか1種を含み、前記被覆層には、Auが200〜2000μg/dm2、Ptが200〜2000μg/dm2、Pdが120〜1200μg/dm2の付着量で存在し、CCL製造工程の熱履歴を受けると、XPSによる該被覆面表面からの深さ方向分析から得られた深さ方向(x:単位nm)のPt、Pd、及びAuのいずれか1種以上の原子濃度(%)をf(x)、銅の原子濃度をg(x)としたとき、区間[0、5]において0.1≦∫f(x)dx/∫g(x)dx≦0.7を満たすプリント配線板用銅箔。 (もっと読む)


【課題】膜厚の面内ばらつきを抑制でき、圧電特性に優れ、高品質な圧電膜付き基板、圧電膜付き基板の製造方法、及び成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る圧電膜付き基板10は、平面視にて円形を有し、直径が4インチ以上の基板3と、前記基板3上に設けられた下地層と、前記下地層上に設けられたニオブ酸化物系ペロブスカイト構造を有する圧電材料を用いて構成される圧電膜1とを備え、前記圧電膜1が、0.3μm以上10μm以下の厚さを有し、前記圧電膜1の面内における前記圧電膜1の膜厚の標準偏差と前記膜厚の平均値とが、標準偏差/平均値≦0.03の関係式を満たす。 (もっと読む)


【課題】PZT圧電体層をアーク放電イオンプレーティング(ADRIP)法によって形成する前に真空雰囲気下でウェハを加熱した場合、PZT圧電体層の絶縁破壊電圧が小さく、この結果、印加電圧を大きくできず、圧電アクチュエータの信頼性が低かった。
【解決手段】単結晶シリコン基板を熱酸化して酸化シリコン層を形成し、酸化シリコン層上にスパッタリング法によってTi密着層を形成し、引き続いて、Ti密着層上にスパッタリング法によってPt下部電極層を形成する。次に、ADRIP装置において、ADRIP本処理の前処理として酸素雰囲気において約500℃までウェハを加熱する。引き続き、同一ADRIP装置において、Pb蒸発源のPb蒸発量、Zr蒸発源のZr蒸発量及びTi蒸発源のTi蒸発量を制御してPbZrxTi1-xO3の組成比Pb/(Zr+Ti)が1.2以下となるようにする。最後に、PZT圧電体層上にスパッタリング法によってPt上部電極層を形成する。 (もっと読む)


【課題】成膜面を下にして上下を逆にして載置したウエハ上の堆積膜にクラック、バリ、剥がれの発生を防止する。
【解決手段】蒸着設備において、下から受けてウエハ2を支えて搭載するウエハ搭載用のヤトイ治具3において、ヤトイ治具3の内周側の先端部に庇状の段差部3aが平面視リング状に設けられている。リング状のヤトイ治具3の段差部3b上にはウエハ2が搭載され、さらに外周側のヤトイ治具3の段差部3c上には、その下面がウエハ2の上面にと当接してウエハ2を自重で固定するための蓋4が搭載されている。段差部3c上に搭載された蓋4の下面は、段差部3b上に搭載されたウエハ2の上面を多少押圧する段差部3b、3cの段差高さ関係を有している。 (もっと読む)


【課題】成膜方法および成膜装置において、ターゲットの使用効率を向上することができ、組成や膜厚の調整が容易であり、異なる膜構成を有する薄膜の成膜の効率を向上できるようにする。
【解決手段】スパッタ装置1を用いて、複数の膜構成に応じた材料のターゲット片を、第1電源11、第2電源12の陰極に接続されたバッキングプレート7上に設置するとともにターゲット片のいずれかの近傍に配置され第1電源11、第2電源12の陽極に接続可能に設けられた電極E〜Eを設置し、被処理体Wをターゲット片を横断する移動経路に沿って時間差を設けて2個以上移動させ、膜構成と移動位置との情報に基づいて、電極E〜Eの少なくともいずれかに選択的に電力を供給し、ターゲット片から選択的にターゲット粒子を放出させて、被処理体Wの各表面にそれぞれに応じた膜構成の成膜を行う成膜方法とする。 (もっと読む)


【課題】バリア膜としての特性や品質に優れるTi−Al−N膜を再現性よく形成することを可能にしたスパッタターゲットを提供する。
【解決手段】Alを1〜30原子%の範囲で含有するTi−Al合金により構成されたスパッタターゲットであって、前記Ti−Al合金中のAlは、Ti中に固溶した状態、およびTiと金属間化合物を形成した状態の少なくとも一方の状態で存在しており、かつ前記Ti−Al合金の平均結晶粒径が500μm以下であると共に、ターゲット全体としての結晶粒径のバラツキが30%以内、前記Ti−Al合金の平均酸素含有量が1070ppmw以下であることを特徴とするスパッタターゲット。 (もっと読む)


【課題】圧電体薄膜を短時間に精度よく微細加工することを可能とした圧電体薄膜ウェハの製造方法、圧電体薄膜素子、及び圧電体薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】圧電薄膜ウェハ1は、基板上に形成された組成式(K1−xNa)NbO(0.4≦x≦0.7)で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電体薄膜4に、Arを含むガスを用いてドライエッチングを行うエッチング工程と、放出されるイオンプラズマ中のNaの発光ピーク強度の変化を検出してエッチング速度を変更する工程とにより製造される。 (もっと読む)


【課題】ダイヤモンド半導体の不純物の新しい混入状態を実現する。
【解決手段】ダイヤモンド半導体は、ダイヤモンド10とダイヤモンド10内にドーピングされる不純物で構成される。不純物のドーピングにより、ダイヤモンド10内に複数の高濃度ドープ領域20が形成される。各高濃度ドープ領域20は、ダイヤモンド10内において空間的に局在化されており、そして、ダイヤモンド10内において複数の高濃度ドープ領域20が分散的に配置されている。不純物のドーピングによりキャリア生成のための活性化エネルギーを低下させつつ、各高濃度ドープ領域20の局在化によりキャリア移動度の低下を抑えることが可能になる。 (もっと読む)


【課題】大面積で結晶性の良い単結晶ダイヤモンドを成長させることができ、高品質の単結晶ダイヤモンド基板を安価に製造できる単結晶ダイヤモンド成長用基材及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンドを成長させるための基材10であって、少なくとも、線膨張係数がMgOよりも小さく、かつ0.5×10−6/K以上の材料からなるベース基材13と、該ベース基材13の前記単結晶ダイヤモンドを成長させる側に貼り合わせ法で形成した単結晶MgO層11と、該単結晶MgO11上にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜、ロジウム膜、白金膜のいずれかからなる膜12を有するものであることを特徴とする単結晶ダイヤモンド成長用基材10。 (もっと読む)


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