【課題】アスペクト比の異なる複数の開口下部に接続される配線に対して最適な処理を施すことができるようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、第１の半導体基板と第２の半導体基板が接合された半導体基板の第１の開口の下部配線と、貫通接続孔と異なるアスペクト比の第２の開口の下部配線に対して、バリアメタル膜の成膜と、スパッタガスによる物理エッチングを同時に行うアンカー処理工程が含まれる。本技術は、例えば、固体撮像装置などの半導体装置に適用できる。 （もっと読む）

【課題】配線信頼性が向上される。
【解決手段】半導体基板上に配線層１１と層間絶縁膜１２とが順に形成され、層間絶縁膜１２にトレンチ溝１３とトレンチ溝１３中に配線層１１に達するビア孔１４とが形成され、トレンチ溝１３内、ビア孔１４内および層間絶縁膜１２上に、チタン、ジルコニウムおよびマンガンのうちのいずれか、もしくはこれらの合金である金属膜１５が成膜され、スパッタ法を用いて、ビア孔１４の底部の金属膜１５をエッチングするとともに、トレンチ溝１３の底部および側壁とビア孔１４の側壁に、タンタル、タングステンのいずれか、もしくはこれらの合金である金属膜１６が成膜されて、さらに、ビア孔１４の側壁にそれぞれの金属によって新たな金属膜が生成され、ビア孔１４とトレンチ溝１３とを導電性材料１７ａで埋め込んだ配線層が形成されるようになる。 （もっと読む）

【課題】Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系永久磁石薄膜などの永久磁石薄膜の磁気特性を向上させることができる、永久磁石薄膜用スパッタリングターゲット及びその製造方法の提供。
【解決手段】原子比率による組成式が、Ｒ_ｘＴ_{１００−ｘ−ｙ}Ｍ_ｙ（Ｒは希土類元素のうち少なくとも一種であってＮｄ及び／又はＰｒを必ず含み、Ｔは遷移元素のうち少なくとも一種であってＦｅを必ず含み、ＭはＢ又はＢとＣであって５０原子％≦Ｂ／Ｍを満足する）で表され、ｘ、ｙが、１７≦ｘ≦２０、７≦ｙ≦１０を満足する組成からなり、酸素含有量が１５００ｐｐｍ以下の焼結体である。 （もっと読む）

【課題】大面積のプラズマを再現性良く生成することができ、これにより幅広い用途に適用可能な安価なプラズマソースを用いたプラズマ処理技術を提供する。
【解決手段】プラズマソース機構である酸化源６９は、真空処理槽５２の外側に誘電体部を介して配置され、高周波電力を印加可能な環状のアンテナ部と、アンテナ部の近傍に配置された磁石部とを有する。アンテナ部の第１及び第２のアンテナコイルが隣接して近接配置され並列に接続されている。真空処理槽５２内において、回転支持ドラム５３を回転させつつ第一及び第二成膜領域５７、５９にて基板５５上に金属膜を形成し、かつ、酸化領域６０にて基板５５上の当該膜に対して酸化源６９によって酸化処理を行う。 （もっと読む）

【課題】波状の磁気トラックを十分な磁場強度でターゲット上に出すことができる磁石ユニットを提供することを目的とする。
【解決手段】ヨーク板に直立して設けられた第１の磁石と、ヨーク板に直立して設けられ第１の磁石と反発する磁極を有する第２の磁石と、第１の磁石と第２の磁石との間に斜めに設けられ第３の磁石とを備えた第１の磁石エレメントと、ヨーク板直立して設けられた第４の磁石と、ヨーク板に直立して設けられ第４の磁石と反発する磁極を有する第５の磁石と、第４の磁石と第５の磁石の間に斜めに設けられ第６の磁石とを備えた第２の磁石エレメントとから構成され、第１の磁石エレメントと第２の磁石エレメントとを、無終端状の形状に沿って交互に配置した磁石ユニット。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、以上の点に鑑み、異種金属からなる導電層間に介在されるような場合でも十分なバリア性能を発揮し得るバリア層を生産性よく形成することができるバリア層の形成方法を提供する。
【解決手段】 バリア層ＢＭは、処理対象物Ｗを一方の導電層ＣＬ１を有するものとし、この処理対象物と、例えばＴｉ製のターゲット２とを真空処理室１ａ内に配置し、真空処理室内に希ガスを導入してプラズマ雰囲気を形成し、ターゲットをスパッタリングして一方の導電層表面に第１金属層を形成し、真空処理室内に酸素ガス及び窒素ガスを含むガスを導入してプラズマ雰囲気を形成し、第１金属層の表面を酸窒化処理すると共に、ターゲットをもプラズマ雰囲気に曝して当該ターゲット表面を酸窒化し、真空処理室内に希ガスを更に導入してプラズマ雰囲気を形成し、ターゲットをスパッタリングして酸窒化処理された表面に第２金属層を形成してなる。 （もっと読む）

【課題】真空成膜装置で内部応力が大きい薄膜を成膜する際に、成膜工程中に付着する成膜材料の剥離を安定かつ有効に防止し、装置クリーニングや部品の交換などに伴う生産性の低下や成膜コストの増加を抑える。
【解決手段】Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｇ、ＡｕおよびＩｎから選ばれる金属元素の単体、もしくは前記金属元素を含む合金または化合物の薄膜を成膜する真空成膜装置の構成部品の製造方法であって、部品本体の表面にＣｕの含有比率が６５〜９５質量％の範囲のＣｕ−Ａｌ合金からなるＣｕ−Ａｌ合金膜を形成する工程と、前記Ｃｕ−Ａｌ合金膜に１．３３×１０^−３Ｐａ以下の真空雰囲気中で３００〜８００℃の温度でアニール処理を行う工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】表面が曲面形状または凹凸 形状を有する基板上に、平滑性の高い被エッチング層と熱反応型レジスト材料を積層した積層体を設けることを目的の一つとする。
【解決手段】曲面形状または凹凸形状の基板上に、フロン系ガスを用いたドライエッチング処理に用いられ、且つ元素群Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂから少なくとも１種類を含む元素及びその酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、セレン化物、シリサイドのいずれかから選択されるドライエッチング材を含むドライエッチング層と、前記ドライエッチング層の上に熱反応型レジスト層とを積層する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、金属プレートの２つの表面のうちの一方のみを平坦化することによる、金属ブランク、ディスク及びスパッタリングターゲットの製造における改善。
【解決手段】金属プレートの第二表面の平坦化をなくすことにより、顕著なコスト削減がなされる。本発明の金属プレートは、好ましくは片面平坦度が０．００５インチ以下であり、ターゲットブランクとバッキングプレートとの間の接合の信頼性が改善される。好ましい金属には、タンタル、ニオブ、チタン及びそれらの合金などがあるが、これらには限定されない。また、本発明は、金属プレートの第一面を機械加工し、第一面をバッキングプレートに接合した後、必要に応じて金属プレートの第二面を機械加工することに関する。 （もっと読む）

【課題】高硬度から低硬度の材料まで広範囲の基材に対し、高硬度のＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜を最表面側に含むＤＬＣ多層膜を約３μｍ以上厚く形成しても、基材およびＤＬＣ膜の双方に対して優れた密着性を備えており、耐摩耗性にも優れたＤＬＣ成形体の製造方法を提供する。
【解決手段】ＤＬＣ硬質多層膜成形体１０の製造方法は、基材１を用意する工程（ａ）と、前記基材の上に、中間層２ａをスパッタリング法によって形成する工程（ｂ）と、前記中間層の上に、第１のダイヤモンドライクカーボン系膜３ａをスパッタリング法によって形成する工程（ｃ）と、前記第１のダイヤモンドライクカーボン系膜の上に、前記第１のダイヤモンドライクカーボン系膜よりも表面硬度の高い第２のダイヤモンドライクカーボン系膜３ｂをカソード放電型アークイオンプレーティング法によって形成する工程（ｄ）と、を包含する。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル層を有する半導体装置を製造するに際し、パーティクルの発生を抑制可能な製造方法、及びこの製造方法を用いる半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】
２つの金属層の間に金属化合物層が挟まれてなるバリアメタル層を有する半導体装置を製造するに際し、チタン及びタンタルのいずれか一方の金属元素から構成されるターゲットを希ガスの雰囲気でスパッタして、複数の金属層を下地配線上に積層する過程において最下層となる第１金属層に酸化処理を施す。次いで、最下層となる第１金属層の表面に第１金属酸化物層を形成した後に、層間において構成元素が異なるように、一つ以上の金属層を含む下地の表面に対して酸化処理、窒化処理、及び酸窒化処理のいずれかの処理を施す。こうした処理より第２金属化合物層を形成する。上記金属化合物層は、金属酸化物層の他、金属窒化物層や金属酸窒化物層であってもよい。 （もっと読む）

【課題】加熱などを必要とせず、また、製造時や使用環境においてガスを発生することなく、より強い強度で水晶が接合できるようにする接合方法を提供する。
【解決手段】スパッタ法により、水晶基板１０１の接合面に対する物質層１０２の形成、および水晶基板１１１の接合面に対する物質層１０２の形成を開始した後、０．２ｎｍ以上１ｎｍ未満の層厚の物質層１０２が各々形成された水晶基板１０１の接合面および水晶基板１１１の接合面とを、物質層１０２を介して着接する。物質層１０２の層厚が、１ｎｍになる前に、２つの基板の着接を行う。 （もっと読む）

【課題】異種材料の基板上で平坦かつ剥離が容易なＧａＮ基板を低コストで製造することを可能にする製造方法を提供するとともに、そのＧａＮ基板を用いて製造するＬＥＤやレーザダイオード等の半導体デバイスの低コスト化、性能向上や長寿命化を実現することである。
【解決手段】本発明の半導体基板は、基板と、前記基板上に形成された第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に所定のパターン形状で形成された金属性材料層と、前記第１の半導体層上及び前記金属性材料層上に形成された第２の半導体層と、前記金属性材料層より下層部分の前記第１の半導体層に形成された空洞と、を有する。 （もっと読む）

【課題】良好なＸ線コントラスト、生体適合性、および耐腐食性を付与する十分な厚みの
放射線不透過性コーティングを有する医療装置を提供すること。
【解決手段】医療装置であって、層間剥離することなくこの医療装置の使用に固有の大き
な歪みに耐えることができる多孔性の放射線不透過性コーティングを備えている。ステン
トなどの医療装置の熱機械特性に悪影響を及ぼさないように、蒸着により医療装置にＴａ
コーティングを施す。このようなコーティングは、高い放射率を有するのが好ましい。こ
のようなコーティングは、概ね単斜晶系の被覆剤または低エネルギー被覆剤によって施さ
れる。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングによる成膜レートを低くし、被処理体の表面に形成されたアスペクト比が３以上の孔または溝の内壁面および内底面に被覆性が良好な金属薄膜を形成し、少ない電力でも、ターゲットにおける自己保持放電を発生させる成膜方法を提供する。
【解決手段】ターゲット３に電圧Ｖおよび電流Ｉを印加しチャンバ２内でターゲットから放電が発生した後、スパッタガスの導入を止めてターゲットのイオンにより自己保持放電を発生させ、被処理体Ｗの表面の孔または溝内を含む被処理体の表面全面に金属薄膜を形成する工程において、ターゲットに印加する電流Ｉを一定とし、放電が不安定になった時に電圧Ｖを増大させるとともに、関係式（１）および（２）を満たすことを特徴とする。Ｉ＞Ｉ_０・・・（１）、Ｐ＞Ｐ_０・・・（２）（Ｉ_０：自己保持放電を開始する電流の最小値、Ｐ：ターゲットの電力、Ｐ_０：自己保持放電を開始する電力の最小値） （もっと読む）

前面、前面上の硬質コーティング、反射層、および硬質コーティングと反射層の間の中間帯を有するプラスチック基材を包含するプラスチックミラーであって、該中間帯が、金属および半金属、金属および半金属の酸化物および窒化物、ならびに炭素からなる群より選択される材料から形成される少なくとも１つの層を包含する、前記プラスチックミラー。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体集積回路装置の製造プロセスを提供する。
【解決手段】銅ダマシン配線プロセスのバリアメタル膜のタンタル系積層膜に関し、スパッタリング成膜チャンバ内のシールド内面に、比較的薄い窒化タンタル膜およびタンタル膜が交互に成膜されるが、この連続成膜プロセスを断続的に繰り返すと、膜の内部応力により剥がれて、異物やパーティクルの原因となる。この異物やパーティクルの防止のため、繰り返し、成膜するに際して、所定の間隔を置いて、厚い膜厚を有する異物防止用タンタル膜をチャンバの実質的な内壁に成膜する工程を設ける。 （もっと読む）

【課題】 成膜レートを低下させずに、膜中に酸素を良好に含有させることができる磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ｃｒ：２〜２０原子％、Ｐｔ：５〜２５原子％、Ｍ金属（ただし、Ｍ金属はＳｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ａｌの内のいずれか一種以上）：０．５〜１５原子％を含有し、Ｍ金属は非磁性酸化物として添加されるものであって、さらに全体として配合組成から計算される理論値よりも０．１〜５原子％過剰の酸素を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有する。 （もっと読む）

【課題】種々の金属材料などからなるスパッタリングターゲットにおいて、各種デバイスの高性能化などに伴って益々厳しくなってきているスパッタ膜への要求特性を満足させる。具体的には、スパッタ膜の膜厚分布や膜組成の均一化、各種機能材料として用いられる膜の諸特性の向上および均一化、ダスト発生数の低減などを図る。
【解決手段】Ｍｎを主成分とし、各部位の酸素量を全体の酸素量の平均値に対して±２７％以内の範囲にあるスパッタリングターゲット、またはＭｎを主成分とし、各部位の窒素量を全体の酸素量の平均値に対して±７５％以内の範囲にあるスパッタリングターゲットを製造する方法において、Ｍｎを主成分とする粗金属材を真空溶解して溶解材を得る工程と、前記溶解材に所定の処理および加工を施して所定の形状に成形する工程とを有する。 （もっと読む）