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Fターム[4K029BA17]の内容

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Fターム[4K029BA17]に分類される特許

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【課題】ICのシールド用メッキ膜を製造する設備及びICの金属シールド膜層を提供する。
【解決手段】ベース31は、チャンバー311を有している。ワーク支持具32は、チャンバー311に内設されており、かつ複数の回転軸と回転自在に接続され、各回転軸は、少なくとも一つのジグを有し、そのジグでは、少なくとも一つのICを取付ける。各中周波マグネトロンターゲット33及び各多重アークイオンターゲット34は、それぞれチャンバー311に内設され、中周波マグネトロンターゲット33及び多重アークイオンターゲット34が、金属材料をIC上にスパッターリングを行うように用いられることによって、ICの表面に少なくとも一つの金属シールド膜層が形成される。 (もっと読む)


【課題】接続孔部分における電気的特性のばらつきを低減することにより、半導体装置の信頼性および製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】成膜装置のドライクリーニング処理用のチャンバ57に備わるウエハステージ57a上に半導体ウエハSWを置いた後、還元ガスを供給して半導体ウエハSWの主面上をドライクリーニング処理し、続いて180℃に維持されたシャワーヘッド57cにより半導体ウエハSWを100から150℃の第1の温度で熱処理する。次いで半導体ウエハSWをチャンバ57から熱処理用のチャンバへ真空搬送した後、そのチャンバ57において150から400℃の第2の温度で半導体ウエハSWを熱処理することにより、半導体ウエハSWの主面上に残留する生成物を除去する。 (もっと読む)


【課題】金属またはセラミック材料の基材(ワークピース)上に少なくとも実質的に水素フリーのta−C層を製造する装置が提供される。
【解決手段】装置10は、a)不活性ガス供給源および真空ポンプに接続可能な真空チャンバ14と、b)真空チャンバ内へ挿入されるまたは挿入可能な、複数の基材(ワークピース)12のための支持装置と、c)炭素材料の供給源として機能し、マグネトロンを形成するための関連する磁石配置を有する黒鉛陰極16と、d)支持装置上の基材に負のバイアス電圧を印加するバイアス電源32と、e)黒鉛陰極および関連する陽極に接続可能な、陰極のための陰極電源18と、を備えており、陰極電源18は、(好ましくはプログラム可能な)時間間隔で離間された高電力パルス列を伝達するように設計され、各高電力パルス列は、自由選択では増大位相の後に、黒鉛陰極に供給されるように適合された高周波数のDCパルスの列から成る。 (もっと読む)


【課題】硬質炭素膜、特に潤滑油中で使用された場合に低摩擦や耐摩耗性等が優れた摺動特性を有する硬質炭素膜とその形成方法を提供する。
【解決手段】基材1表面上に中間層2を介して形成されている硬質炭素膜3であって、前記中間層2は金属層あるいは金属窒化物層、金属炭化物層のいずれか1層または2層以上からなり、かつ前記硬質炭素膜3は1層または2層以上からなり、前記中間層表面が粒平均直径0.1μm〜0.5μmの粒状の凹凸からなり、かつ平均凹凸高さ2nm〜5nmの微細な凹凸を有する硬質炭素膜。 (もっと読む)


【課題】本発明は、所定の超硬合金を基材とした光学素子用成形型について、より寿命の長い離型膜をその成形面に形成可能とした光学素子用成形型及びその製造方法を提供する。
【解決手段】タングステンカーバイドを主成分とする超硬合金(バインダレス超硬合金を除く)からなる基材2の成形面に、ダイヤモンドライクカーボンからなる離型膜4を形成した光学素子用成形型であって、基材2と離型膜4との間に、立方晶からなる結晶構造を有し、その表面粗さRaが0.5nm以下であるタングステンカーバイド膜3を介在させた光学素子成形用成形型1。 (もっと読む)


【課題】高い移動度を実現でき、且つ、ストレス耐性(ストレス印加前後のしきい値電圧シフト量が少ないこと)にも優れた薄膜トランジスタ用酸化物を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、Zn、Sn、およびInと;Si、Hf、Ga、Al、Ni、Ge、Ta、W、およびNbよりなるX群から選択される少なくとも一種の元素(X群元素)と、を含むものである。 (もっと読む)


【課題】溶媒性ハードコーティングにおける設備、クリーンルーム環境等の不利点を克服する。
【解決手段】ハードコートフィルムであって、透明なポリマーフィルム基板2と、前記フィルム基板の表面上に形成される有機接着層4であって、約0.025μmから約20.0μmの範囲の厚さを有する接着層と、前記接着層の表面上に形成される有機ハードコート層6であって、約0.025μmから約20.0μmの範囲の厚さを有する有機ハードコート層と、を備えるハードコートフィルム。 (もっと読む)


【課題】チタンまたはチタン合金製の摺動部品の表面に設けられるDLC膜の密着性を向上させ、優れた耐衝撃性を実現する。
【解決手段】本発明による内燃機関用摺動部品は、チタンまたはチタン合金から形成された部品本体1aと、部品本体1aの表面に形成された表面硬化層1bと、表面硬化層1b上に設けられたダイヤモンドライクカーボン膜3と、表面硬化層1bとダイヤモンドライクカーボン膜3との間に設けられたチタン層2とを有する。表面硬化層1bは、チタン酸化物層である。 (もっと読む)


【課題】金属層と、金属層上に形成された窒化金属層とからなるバリアメタル層を形成する際に、金属層の抵抗値が高められることを抑えつつ、窒化金属層を形成することのできるバリメタル層の形成方法、及びバリアメタル層の形成装置を提供する。
【解決手段】マルチチャンバ装置10は、Ti層を形成する金属層形成チャンバ13と、Ti層上に、該Ti層を構成するTiClと、NHとを用いてTiN層を形成する窒化金属層形成チャンバ14とを備えている。窒化金属層形成チャンバ14では、TiN層が形成される前に、Ti層の表面が窒化される。 (もっと読む)


【解決課題】 真空コーティング装置およびナノ・コンポジット被膜を堆積する方法を提供すること。
【解決手段】 真空チャンバ(31)と、少なくとも1対の対向カソード(1および4)と、この対向カソードにAC電圧を供給してこれをデュアル・マグネトロン・スパッタリング・モードで動作させる電源(8)とを備え、PVDコーティングのための少なくとも1のさらなるカソードが真空チャンバ内に提供された真空コーティング装置および方法は、少なくとも1のさらなるカソード(6および/または7)がマグネトロン・カソードとされ、マグネトロン・カソードまたはアーク・カソードに接続可能なパルス化電源またはDC電源の形態としてさらなる電源(42,44)が提供されている。 (もっと読む)


【課題】スパッタチャンバ内を汚染することなく、バリアメタルを形成することができる成膜装置を提供すること。
【解決手段】実施形態の成膜装置は、第1のプロセスチャンバと、第2のプロセスチャンバと、第3のプロセスチャンバと、を備えている。そして、第1のプロセスチャンバは、スパッタ処理を行うことにより、基板上に第1のバリアメタルを成膜する。また、前記第2のプロセスチャンバは、前記第1のバリアメタルが成膜された前記基板上に第1のガスを導入することにより、前記第1のバリアメタルの上層部を前記第1のガスによって表面処理し、これにより前記第1のバリアメタル上に第2のバリアメタルを形成する。さらに、前記第3のプロセスチャンバは、前記第2のバリアメタルが形成された前記基板にスパッタ処理を行うことにより、前記第2のバリアメタル上に第3のバリアメタルを成膜する。 (もっと読む)


【課題】真空状態の容器内で蒸発源を放電させて処理物の表面に薄膜を生成する際の成膜効率を簡易な構成で向上させることの可能な、成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置は、真空状態の容器21内で蒸発源を放電させることにより、容器21内の処理物Wの表面を、蒸発源から放出されて電荷を帯びた膜材粒子で被覆し、処理物Wの表面に薄膜を生成するものであって、筒状の容器21は、蒸発源に用いられる素材で形成される。 (もっと読む)


【課題】エッチング残渣が少なく信頼性が良好であり、かつリーク電流を抑制することができる強誘電体素子を提供する。
【解決手段】シリコン基板10の上に順に、振動板11、下部電極20、強誘電体層30、上部電極40を形成し、強誘電体層30の側面の傾斜角はθ2=30°、上部電極40の側面の傾斜角はθ1=30°としている。これにより、エッチングガスやプラズマ粒子の衝突角度が平面に近づき、傾斜面でのエッチング残渣の除去率が向上する。 (もっと読む)


【課題】流動体を付着させて熱処理を行う工程を繰り返し行うことにより微細パターンの膜を所望の膜厚で精密に作製可能とするパターン形成用基板と、パターン形成用基板を用いた圧電アクチュエータの製造方法を提供する。
【解決手段】所定の流動体を特定領域に付着させて熱処理を行うことによりパターン化された膜を形成するためのパターン形成用基板10で、特定領域を親和性とし、それ以外の領域を非親和性とする表面改質をおこなう。パターン形成用基板10の表面改質処理対象となる金属膜はPt膜53を積層し、基体として、Ti,Ta,Zr,V,Nb,Mo,Wから選ばれる少なくとも1つの金属元素、酸素元素および炭素元素から構成されるMOC膜52を用いる。 (もっと読む)


【課題】スパッタ効率の高いことよりも、むしろ効率よくプラズマが生成し、かつエネルギー密度の高いプラズマ発生技術が求められている。
しかも安定したプラズマを生成させる際にはトリガーを必要とするため、装置内にトリガーを設置する空間を要すること、及びより装置が複雑になることによって装置が大型化していた。
【解決手段】板状のターゲット側電極の一方の面に、
1つの中心磁石と、該中心磁石の周囲に配置してなり、該中心磁石と極性が異なる1つ以上の周辺磁石との組み合わせからなるターゲット側磁石を設け、
該ターゲット側電極の他方の面にターゲット基板を近接して設けると共に、
該ターゲット基板に対向して試料を設置し、
該試料のターゲット基板に面する側の反対の側にアシスト磁石を設置し、該アシスト磁石の該試料側の極性と、該中心磁石のターゲット側電極側の極性が同じであるプラズマ発生装置。 (もっと読む)


【課題】窒化物半導体層とオーミック電極とのコンタクト抵抗を低減できる窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】Si基板10上に形成されたアンドープGaN層1,アンドープAlGaN層2と、アンドープGaN層1,アンドープAlGaN層2上に形成されたTi/Al/TiNからなるオーミック電極(ソース電極11,ドレイン電極12)とを備える。上記オーミック電極中の酸素濃度を1×1016cm−3以上かつ1×1020cm−3以下とする。 (もっと読む)


【課題】ターゲットを高融点金属とし、このターゲットを処理対象物に成膜するときにグレインサイズや表面モホロジーを制御し得るスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】ターゲット2として高融点金属製のものを用い、真空チャンバ1内でこのターゲットに処理対象物Wを対向配置し、所定圧力の真空チャンバ内にスパッタガスを導入し、ターゲットに所定の電力を投入して真空チャンバ内にプラズマを形成してターゲットをスパッタリングし、処理対象物の表面に上記高融点金属からなる金属膜を成膜する。スパッタリング中、処理対象物の全面に亘って垂直な静磁場を作用させることを特徴とするスパッタリング方法。 (もっと読む)


【課題】圧電特性に優れ且つ信頼性の高い圧電膜素子及び圧電膜デバイスを提供する。
【解決手段】基板1上に、少なくとも下部電極層2と、非鉛のアルカリニオブ酸化物系の圧電膜4とを配した圧電膜素子10において、前記下部電極層2は、立方晶、正方晶、斜方晶、六方晶、単斜晶、三斜晶、三方晶のいずれかの結晶構造、またはこれら結晶構造のうちの二以上の結晶構造が共存した状態を有し、前記結晶構造の結晶軸のうちの2軸以下のある特定の結晶軸に優先的に配向しており、前記基板1上における少なくとも一つの前記結晶軸を法線とした結晶面のX線回折強度分布において、前記結晶面のX線回折強度の相対標準偏差が57%以下である。 (もっと読む)


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