説明

Fターム[4K029BA21]の内容

物理蒸着 (93,067) | 被膜材質 (15,503) | 金属質材 (5,068) | 合金 (1,295)

Fターム[4K029BA21]の下位に属するFターム

Fターム[4K029BA21]に分類される特許

41 - 60 / 490


【課題】ザク巣欠陥や濃度ムラを低減し、太陽電池の光吸収層の成膜に好適なスパッタリングターゲット用銅合金を提供する。
【解決手段】平均組成が28質量%以上32質量%以下のガリウム(Ga)を含み、残部が銅(Cu)及び不可避的不純物からなるターゲット用銅合金であって、一方向柱状晶組織を有するスパッタリングターゲット用銅合金である。 (もっと読む)


【課題】機械加工が難しい高融点金属合金、高融点金属珪化物、高融点金属炭化物、高融点金属窒化物あるいは高融点金属ホウ化物の難焼結体からなるターゲットを比較的容易に製造できるようにすると共に、ターゲット製造時及びハイパワースパッタリング時の割れの発生を効果的に抑制し、またターゲット原料のホットプレス時におけるダイスとの反応を抑制し、さらにターゲットの反りを低減できるターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高融点金属合金、高融点金属珪化物、高融点金属炭化物、高融点金属窒化物あるいは高融点金属ホウ化物の難焼結体からなるターゲット材3とターゲット材以外の高融点金属板2,2’とが接合された構造を備えていることを特徴とする高融点金属合金、高融点金属珪化物、高融点金属炭化物、高融点金属窒化物あるいは高融点金属ホウ化物の難焼結体からなるターゲット。 (もっと読む)


【課題】液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置、帯電防止導電膜コーティング、ガスセンサーなどに用いられる透明導電膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の透明導電膜形成用スパッタリングターゲットは、Ga:0.1〜30質量%を含有し、残部がZnからなる組成を有するZn−Ga合金結晶粒をZn−Ga複合酸化物が包囲している組織を有する。 (もっと読む)


【課題】高屈折率でありかつ光メディアの保存性を十分に確保できる光メディアの干渉層をDCスパッタリングにより製造可能なスパッタリングターゲット、及び、スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】45〜90mol%のTiOと、残部のZnOと、からなり、比抵抗が0.001Ωcm〜1Ωcmである光メディア用スパッタリングターゲットを提供する。また、45〜90mol%のTiOと、残部のZnOと、からなる組成を有する原料粉体を不活性雰囲気中または真空中で焼成する工程を備える光メディア用スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、向上した防食性を有するマグネシウム部品に関する。
【解決手段】この部品は、Xが元素周期律表の第III族主族の元素、第III族の遷移元素、または希土類元素からなる群から選ばれた元素であり、Yが元素周期律表の第III族または第IV族主族の元素、第III族または第IV族の遷移元素、または希土類元素からなる群から選ばれた元素である、ガラス質の二元系Mg−X合金またはガラス質の三元系Mg−X−Y合金が塗布されたものである。塗膜は、陰極線アトマイゼーションのような物理蒸着法により作製される。 (もっと読む)


【課題】 Cu−In−Ga−Se四元系合金膜を形成するための積層膜として、スパッタ法により十分にSeを含有した膜を成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 スパッタリングターゲットが、Ga,In,Seのうち1種または2種以上とCuとからなる合金相と、純Se相とで構成されている。このスパッタリングターゲットの製造方法は、Ga,In,Seのうち1種または2種以上とCuとからなる合金粉と、純Se粉との混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中で加圧焼結する工程を有している。 (もっと読む)


【課題】均一な組成のCu−Ga合金スパッタリングターゲットを得る。
【解決手段】Cu粉末とGaとが質量比で85:15〜55:45の割合で配合された混合粉末を、不活性雰囲気中で撹拌しながら30℃〜400℃の温度で加熱して合金化した後、合金化物を粉砕及び粉砕物を混合して、Cu−Ga合金粉末を作製し、このCu−Ga合金粉末を焼結してGaのばらつきが3.0質量%以内のCu−Ga合金スパッタリングターゲットを製造する。 (もっと読む)


【課題】 スパッタリング時にパーティクルの発生を抑制して異常放電を防止可能であり、安定してFePt−C膜を得ることができる磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットが、FePt合金相中にC相が分散している組織を有した焼結体からなる。また、このスパッタリングターゲットの製造方法は、FePt合金粉と、Pt粉と、アセチレンガスの熱分解により生成されたカーボンブラック粉と、の混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程を有している。 (もっと読む)


【課題】金属不純物の混入を抑制する。
【解決手段】金属製容器にて、Cu粉末及びGaとが質量比で85:15〜55:45の割合で配合された混合粉末を、酸素分圧20Pa以下の雰囲気中で30℃以上400℃以下の温度で加熱しながら、金属製攪拌羽根で撹拌して合金化したCu−Ga合金粉末を作製し、このCu−Ga合金粉末を焼結して、Fe、Ni、Crの合計が3ppm以下であるCu−Ga合金スパッタリングターゲットを製造する。 (もっと読む)


【課題】 半導体チップを基板に実装するためのAuバンプとAl電極との間に形成してAuとAlとの拡散を防止するため膜であって、良好な拡散バリア性を有すると共に高いエッチングレートのW−Ti系拡散防止膜、並びにこの高いW−Ti系拡散防止膜を形成するためのスパッタリング用W−Tiターゲットを提供すること。
【解決手段】 Ti:5〜20質量%、Fe:15〜25ppm、Cr:1〜5ppmを含有し、残部がW及び不可避不純物からなる組成を有することを特徴とするW−Ti系拡散防止膜、並びに同じ成分組成を有するW−Ti系拡散防止膜形成用スパッタリングターゲット。 (もっと読む)


【課題】平滑面で高密度かつ大きな強度を有し、バンドギャップについて、シリコンのナノ結晶によるワイドギャップと、シリサイドナノ結晶によるナローギャップで、広範の波長に対応可能な、半導体材料を、低コストで形成する。
【解決手段】金属(M)とシリコン(Si)の合金を、熱処理によってシリコンナノ結晶と金属シリサイド化合物ナノ結晶に相分離させ、直径10nm以下のシリコンナノ結晶と金属シリサイドのナノ結晶が凝集しているシリコンナノ結晶と金属シリサイドナノ結晶凝集半導体材料を製造する。 (もっと読む)


【課題】平面性に優れ且つ生産性にも優れる両面金属ベース層付耐熱性樹脂フィルムを効率よく製造できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】巻出ロール111から巻き出された耐熱性樹脂フィルム112は駆動ロール118、119、120、121、122、123により折り返された間で、耐熱性樹脂フィルム112方向に開口部がある2つの開口部を有する少なくとも4ユニットの対向スパッタリングユニット129、130、131,132により、耐熱性樹脂フィルム112の第1成膜面と第2成膜面に同時に成膜が進行する。両端の対向スパッタリングユニット129、132の片側は片面成膜である。 (もっと読む)


【課題】酸素含有量が少ないCu−Ga合金スパッタリングターゲットを作製する。
【解決手段】Cu粉末とGaとが質量比で85:15〜55:45の割合で配合され、酸素含有量が0.2wt%以下である混合粉末を酸素分圧が20Pa以下の雰囲気中で合金化し、得られたCu−Ga合金粉末をホットプレス法により焼結する。 (もっと読む)


【課題】粉末焼結法で作製されたCu−Ga合金スパッタリングターゲットにおいて、大きなスパッタ電力を投入しても、スパッタ膜にパーティクルが発生することを抑制することができる高品質なCu−Ga合金ターゲットを提供する。
【解決手段】Cu粉末及びGaが質量比で85:15〜55:45の割合で配合された混合粉末を、不活性雰囲気中で加熱しながら撹拌し合金化して得られた平均粒径が150μm以下のCu−Ga合金粉末を、ホットプレス焼結することにより、断面組織に平均結晶粒径40μm以下の粒子が含有されたCu−Ga合金スパッタリングターゲットを製造する。 (もっと読む)


【課題】IGBT等においては、ドリフト領域やフィールドストップ領域における少数キャリアのライフタイムを制御して、スイッチング特性を改善するため、ウエハへの電子線照射が行われている。この電子線照射によって、デバイスの閾値電圧がシフトするため、電子線照射後に水素アニールを施すことにより、閾値電圧の回復を図っている。しかし、ボンディングダメージ等を低減するため、デバイス表面のモリブデン系バリアメタルをTiW系バリアメタルに変更すると、水素アニールによる閾値電圧の回復率が低下する問題が発生した。
【解決手段】本願発明はシリコン系半導体ウエハのデバイス主面側にパワー系絶縁ゲート型トランジスタの主要部を形成する半導体装置の製造方法において、デバイス主面上にTiW系のバリアメタルをスパッタリングにより形成するに際して、TiWターゲットのチタン濃度を、8重量%以下で、且つ、2重量%以上とするものである。 (もっと読む)


【課題】基板をy方向に搬送しつつ蒸着によって成膜を行う際に、光源や受光器を成膜材料で汚染することなく、原子吸光法によって、y方向と直交するx方向の蒸着フラックスを測定する。
【解決手段】x方向に延在し、y方向に離間して配置される、x方向に延在する測定光透過領域を有し、前記蒸着による成膜空間と気密に分離される第1および第2の筒状部と、第1の筒状部において、光源をx方向に移動する光源移動手段、および、第2の筒状部において、光源の移動に同期して受光器をx方向に移動する受光器移動手段とを有することにより、前記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、EL材料の利用効率を高め、且つ、EL層成膜の均一性やスループ
ットの優れた成膜装置の一つである蒸着装置及び蒸着方法を提供するものである。
【解決手段】
本発明は、蒸着室内において、蒸着材料が封入された容器を複数個設置した細長い矩形形
状の蒸着源ホルダ17に設け、基板13に対してあるピッチで移動しながら蒸着を行うこ
とを特徴とする。また、基板の一辺に対して矩形形状の蒸着ホルダの長手方向を斜めにし
たまま移動させてもよい。また、TFT作製時におけるレーザー光の走査方向に対して、
蒸着時における蒸着ホルダの移動方向を異ならせることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】高い圧電性能と良好な表面モフォロジを有する圧電体膜とその製造方法、圧電素子および液体吐出装置を提供する。
【解決手段】下記式(P)で表されるペロブスカイト型酸化物からなり、0.090≦b≦0.25を満たし、Bサイト中のNb比率が、0.13≦a×(1−b)を満たすことを特徴とする圧電体膜とその製造方法である。また、この圧電体膜を用いた圧電素子および液体吐出装置である。
Pb1+δ(ZrTi1−a(MgNb1−b ・・・(P)
(なお、δ=0、z=3が望ましいが、ペロブスカイト構造をとり得る範囲内で変更可能である。また、Pbに変えてペロブスカイト構造をとり得る範囲の量で他のAサイト元素に置換することも可能である。) (もっと読む)


【課題】パラジウム被覆銅ボンディングワイヤにおいて、連続伸線時のPd粉の堆積を低減してとダイヤモンドダイスの磨耗を抑制すると共に、軸上偏芯を低減し、安定した溶融ボール形成を可能とする。
【解決手段】高純度銅又は銅合金からなる芯材に純度99質量%以上のパラジウムからなる中間層及びその上層に純度99.9質量%以上であって、該中間層のパラジウムよりも硬度及び融点の低い、金、銀、銅又はこれらの合金からなる、膜厚1〜9nmの超極薄表面層を形成した、線径10〜25μmのボールボンディング用被覆銅ワイヤ。表面層によりパラジウムを被覆して潤滑性を向上して図3のパラジウム粉の堆積による伸線加工時の断線を防止し、かつ、軸上偏芯を抑制する。 (もっと読む)


【課題】 リチウム膜の性能の向上を実現しうるリチウム積層部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバー10内で、気相成長法により、基材フィルム21(基材)上にリチウム膜22を堆積させて、リチウム積層フィルム23(リチウム積層部材)を作成する。その後、リチウム膜積層フィルム23を電子デバイスの一部として利用するための処理を行う。リチウム積層フィルム23を収納する特定容器内の雰囲気を、不活性ガスと、COと、露点が−20℃未満となる水分とを含む特定雰囲気に調整する。特定容器としては、真空チャンバー10,作業室11,パスボックス12(中間室)などがある。これにより、リチウム膜を利用した電池の変色防止性能,保存特性,電池容量などの特性の向上が実現する。 (もっと読む)


41 - 60 / 490