【課題】安定して高い耐摩耗性を有するＴｉＡｌＮ膜、および、それを表面に設けたＴｉＡｌＮ膜形成体を提供する。
【解決手段】ＴｉＡｌＮ膜形成体１は、表面粗さが０．００５〜０．０１０μｍＲａである金属製基材２の表面にＴｉＡｌＮ膜３を形成してなり、上記ＴｉＡｌＮ膜３は、（１）少なくとも、押し込み硬さが３０ＧＰａ以上または押し込み弾性率が５００ＧＰａ以上であり、かつ、（２）該ＴｉＡｌＮ膜３の表面粗さが０．０５０μｍＲａ以下である。また、必要に応じて、金属製基材２とＴｉＡｌＮ膜３との間に、ＴｉＡｌ合金を含む所定の中間層を設けてなる。 （もっと読む）

【課題】安全に製造することが可能なＩｎ−Ｓｅ合金粉末、Ｉｎ−Ｓｅ合金焼結体、Ｇａ−Ｓｅ合金粉末、Ｇａ−Ｓｅ合金焼結体、Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末、Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金焼結体、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末及びＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金焼結体の製造方法を提供すること
【解決手段】本発明のＩｎ−Ｓｅ合金粉末の製造方法は、Ｉｎ粉末とＳｅ粉末を混合してＩｎ及びＳｅ混合粉末を作製する。Ｉｎ及びＳｅ混合粉末は、Ｉｎ及びＳｅの融点以上に加熱された加熱部に逐次的に投入される。
Ｉｎ及びＳｅ混合粉末は、加熱部に逐次的に投入されるため、その部分に含まれるＩｎとＳｅの合金化反応により発生した熱は次のＩｎ及びＳｅ混合粉末が投入されるまでに放熱される。したがって、ＩｎとＳｅの合金化反応に伴なう熱が爆発的に発生することが防止され、安全にＩｎ−Ｓｅ合金粉末を製造することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリング時にパーティクル発生を抑制可能なＣｒ−Ｔｉ合金ターゲット材を提供することである。
【解決手段】 Ｔｉを４０〜６０原子％含有し、残部Ｃｒおよび不可避的不純物からなるＣｒ−Ｔｉ合金ターゲット材であって、スパッタ面のＸ線回折におけるＣｒ相の（１１０）面の回折ピーク強度をＡ、ＴｉＣｌ_２化合物相の（３１１）面の回折ピーク強度をＢとするとき、相対強度比Ｂ／Ａが１０％以下であるＣｒ−Ｔｉ合金ターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】補助記録層としての機能を維持しつつ薄膜化を図り、ＳＮＲの向上の向上を図る。
【解決手段】本発明にかかる垂直磁気ディスクの代表的な構成は、基板１１０上に、複数のグラニュラ構造の磁性層からなる第１グラニュラ磁性層群（下群１６０）と、ＲｕまたはＲｕ合金を主成分とする非磁性層１７０と、複数のグラニュラ構造の磁性層からなる第２グラニュラ磁性層群（上群１８０）と、ＣｏＣｒＰｔＲｕ合金を主成分とする補助記録層２００とをこの順に備え、第１グラニュラ磁性層群に含まれる複数の磁性層は、表面に近い層ほどＰｔの含有量が同じかまたは少なくなり、酸化物の含有量が同じかまたは多くなり、第２グラニュラ磁性層群に含まれる複数の磁性層は、表面に近い層ほどＰｔの含有量が同じかまたは少なくなり、酸化物の含有量が同じかまたは多くなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】凹凸構造を有する基板表面の膜厚分布の改善を図ることができる成膜装置及び成膜方法を提供すること。
【解決手段】本発明の成膜装置１は、被成膜面上の一方向である第１の方向に沿って形成された凹凸構造を有する基板Ｗを成膜対象とし、ステージ３と、成膜源４と、検出部１０と、成膜源制御部１６とを具備する。成膜源４は、成膜材料Ｔから成膜粒子を生成させ、ステージ３に支持された基板Ｗに第２の方向から成膜粒子を照射する。検出部１０は、ステージ３の回転角度を検出する。成膜源制御部１６は、検出部１０の検出結果に基づいて、第１の方向と、第２の方向を被成膜面に投影した第３の方向とが平行となる回転角度のときは、成膜速度が第１の成膜速度となり、第１の方向と第３の方向とが垂直となる回転角度のときは、成膜速度が第１の成膜速度より小さい第２の成膜速度となるように成膜源４を制御する。 （もっと読む）

【課題】補助記録層としての機能を維持しつつ薄膜化を図り、ＳＮＲの向上を図ることを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる垂直磁気ディスク１００の構成は、基板１１０上に、グラニュラ磁性層１６０と、グラニュラ磁性層より上方に配置された補助記録層１８０とを備え、グラニュラ磁性層は柱状に成長したＣｏＣｒＰｔ合金を主成分とする磁性粒子の周囲に酸化物を主成分とする非磁性物質が偏析して粒界部が形成されたグラニュラ構造を有し、補助記録層はＣｏＣｒＰｔＲｕ合金を主成分とし、さらに副成分として不動態を形成しかつ反強磁性体ではない金属を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】接触応力の大きい用途に用いてもＤＬＣ膜が剥離することなく該ＤＬＣ膜の優れた潤滑特性を長期にわたって確保することができる転がり摺動部材を提供することを目的とするものである。
【解決手段】外面に軌道面を有する内側部材と、該内側部材の軌道面に対向する軌道面を有して前記内側部材の外側に配置された外側部材と、前記両軌道面間に転動自在に配置された転動体とを備え、前記内側部材の軌道面、前記外側部材の軌道面および前記転動体の内の少なくとも一つの母材表面が鋼で形成され、且つ、該母材表面上にダイヤモンドライクカーボン膜が形成された転がり摺動部材であって、前記ダイヤモンドライクカーボン膜は、中間層と炭素層とを備えるとともに、前記ダイヤモンドライクカーボン膜の残留応力が、−３００ＭＰａ〜３００ＭＰａの範囲内になるよう成膜する。 （もっと読む）

【課題】 ブランクマスク、フォトマスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 透明基板、金属膜、ハードマスク膜及びレジスト膜が順次に積層されてなるブランクマスク。ここで、金属膜及びハードマスク膜のうち少なくとも一つは、膜を構成する元素のうち少なくとも一つの元素の組成比が膜の深さ方向に連続的に変わる区間である成分変化区間を持つ。これにより、既存の深さ方向に元素の組成比が均一な薄膜と比較する時、光学密度の均一性、反射率の均一性、表面粗度、耐化学性、耐露光性などを向上させ、成長性欠陥と残留応力の問題を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】高品質なＣｕ−Ｇａ合金粉末を容易に製造することができるＣｕ−Ｇａ合金粉末の製造方法及びＣｕ−Ｇａ合金粉末、並びにＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットの製造方法及びＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｃｕ粉末とＧａとが質量比で８５：１５〜５５：４５の割合で配合された混合粉末を、不活性雰囲気中で３０〜７００℃の温度で攪拌して合金化することにより、Ｃｕ−Ｇａ合金粉末を得る。また、このＣｕ−Ｇａ合金粉末を成型し、焼結することにより、Ｃｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを得る。 （もっと読む）

【課題】 効率的に高い接合強度で長尺の一体型のターゲットを実現可能な円筒型Ｍｏ合金ターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｍｏ粉末とＭｏ以外の高融点金属粉末とからなる複数の円筒型成形体を端面で接合する円筒型Ｍｏ合金ターゲットの製造方法であって、一方の円筒型成形体の接合端面を５〜８５度のテーパー状に形成し、他方の円筒型成形体の接合端面を前記テーパー状の端面に対して補角となるすり鉢状に形成し、前記円筒型成形体を、前記接合端面同士が当接するように中空の円筒型充填空間を有する金属カプセルに挿入した後、減圧封止し、その後、熱間静水圧プレスを施し、一体型の焼結体を得る円筒型Ｍｏ合金ターゲットの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 基材表面に位置する官能基がアミド化や窒化することを防ぎつつ、また酸素結合に頼ることなく層間密着力を向上させることを可能としたガスバリアフィルムの製造方法及びガスバリアフィルムを提供する。
【解決手段】 複数枚のプラスチックフィルムが剥離可能に積層された状態である基材フィルムの最表面に対し、不活性ガス導入下において、気圧が１×１０^−１〜１×１０^−３ｔｏｒｒという環境下にて予めプラズマ処理を施すプラズマ処理工程と、その表面にガスバリア層を積層してなるガスバリア層積層工程とを備えてなり、前記プラズマ処理がグロー放電プラズマ処理であり、前記グロー放電プラズマ処理工程が施された前記基材表面に、前記グロー放電プラズマ処理を施したことにより周期表における第４周期第４族から同第１２族に属するいずれかの金属、若しくは当該範囲内の金属同士による合金が付着してなる方法とした。 （もっと読む）

【課題】補助記録層としての機能を維持しつつ薄膜化を図り、ＳＮＲの向上の向上を図ることを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる垂直磁気ディスク１００の製造方法の構成は、基板１１０上に、柱状に成長したＣｏＣｒＰｔ合金を主成分とする磁性粒子の周囲に酸化物を主成分とする非磁性物質が偏析して粒界部が形成されたグラニュラ磁性層１６０を成膜するグラニュラ磁性層成膜工程と、グラニュラ磁性層より上方に、ＣｏＣｒＰｔＲｕ合金を主成分とし膜厚が１．５〜４ｎｍである補助記録層１８０を成膜する補助記録層成膜工程と、補助記録層を成膜した基板を２１０〜２５０℃に加熱する加熱工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法を用いて形成されるタングステン膜の比抵抗を低下させることができる成膜方法及びこの成膜方法の実施に用いられるタングステンターゲットを提供する。
【解決手段】
タングステンを含有するターゲットＴを希ガスによりスパッタしてタングステン膜を基板Ｓに形成する成膜方法において、ターゲットＴとしてニッケルを含有するものを用いることで、成膜されたタングステン膜はニッケル酸化物を含有する。また、成膜されたタングステン膜におけるニッケルの濃度が、０．００１質量％以上且つ１質量％以下となるようにする。 （もっと読む）

【課題】 スパッタ法により良好にＮａ添加されたＣｕ−Ｇａ膜を成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ｇａ：２０〜４０ａｔ％を含有し、
さらに、Ｎａ：０．０５〜２ａｔ％およびＳ：０．０２５〜１．０ａｔ％を含有し、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる成分組成を有する。また、このスパッタリングターゲットを作製する方法は、Ｎａ_２Ｓ粉末とＣｕ−Ｇａ合金粉末との混合粉末、又はＮａ_２Ｓ粉末とＣｕ−Ｇａ合金粉末と純Ｃｕ粉末との混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程、または、熱間静水圧法で焼結する工程を有している。 （もっと読む）

【課題】 割れ難く機械加工ができる程度まで密度を向上させることができるＣｏ、Ｔａおよび希土類金属を含有する膜を形成するためのスパッタリングターゲットの製造方法を提供すること。
【解決手段】 希土類金属をＲとしてＲ：５〜１０原子％、Ｔａ：５〜１０原子％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなるターゲット組成となる割合で、ＣｏとＲとの合金粉末であるＲ−Ｃｏ合金粉と、Ｔａ粉と、の混合粉末を作製する工程と、該混合粉末を真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程と、を有している。 （もっと読む）

【課題】 薄型の固体電解コンデンサの陽極体として好適な箔状の多孔質バルブ金属陽極体を製造する際に、高容量を可能にする膜厚の厚いスパッタ膜の形成に有効なメタルマスクを提供する。
【解決手段】 略方形で相似形の開口形状を有する貫通した開口部を備え、相似比が小さい方の開口形状を有する平面の開口部縁に、前記開口部の壁が張り出し部を形成している金属製板材で、相似比の大きな方の開口形状を有する平面が、被スパッタ材と接する側であることを特徴とするスパッタ用メタルマスク。 （もっと読む）

【課題】膜形成の条件が限定されない成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１は、シート３に膜を形成するroll to roll方式の成膜装置であり、成膜室２内にシート３を搬送する搬送路２７が設定され、この搬送路２７の側の上方に位置した成膜室２の上部２４に、４０個のフランジ孔２６が形成されている。フランジ孔２６には、搬送路２７を搬送されるシート３に膜を形成するターゲット部５が装脱可能に設けられている。 （もっと読む）

【課題】高誘電率で優れた耐熱剥離性（密着力）有するフィルムコンデンサを提供する。
【解決手段】ポリプロピレンフィルムまたはポリエチレンテレフタレートフィルムを基体とし、前記基体のフッ素化またはスルホン化された表面に金属蒸着膜が形成されていることを特徴とし、好ましくは、（イ）ポリプロピレンフィルム基体の表面のフッ素原子濃度が５at％〜４８at％、または硫黄原子濃度が１at％〜２３at％であり、（ロ）ポリエチレンテレフタレートフィルム基体の表面のフッ素原子濃度が２at％〜５０at％、または硫黄原子濃度が１at％〜３０at％以下であるフィルムコンデンサ用金属蒸着フィルム、および、該金属蒸着フィルムによって製造されたフィルムコンデンサ。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス頻度を低減でき、適切なメンテナンス時期を見極めることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、イオンを発生させるイオン源４０と、イオン源４０からのイオンビーム４５を受けるターゲット３６と、第一真空容器１１内に収容されてターゲット３６からのスパッタ粒子４６を受けるウエハ１を保持するウエハホルダ１８と、第二真空容器２２へのスパッタ粒子４６の付着を抑制する防着板５１と、防着板５１へ付着するスパッタ粒子４６の付着量を予測する付着量予測部６１とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＶＩｂ族元素（Ｓｅ、Ｓ、Ｔｅ）を含有する雰囲気を使用せずに、Ｉｂ族金属およびＩＩＩｂ属金属とＶＩｂ族元素とを加熱処理のみにより十分に化合させて、カルコパイライト膜を安全性の高い手段により得る。
【解決手段】基板２に形成した下部電極３上に、Ｉｂ―ＩＩＩｂ―ＶＩｂ族化合物からなるカルコパイライト膜１０を、下部電極３上にあらかじめＩｂ族金属およびＩＩＩｂ族金属を含むプリカーサ膜７を形成し、プリカーサ膜７上にＶＩｂ族元素９を堆積させ、ＶＩｂ族元素９が堆積したプリカーサ膜７上に蓋体８を載置して、Ｉｂ族金属、ＩＩＩｂ族金属、およびＶＩｂ族元素を、下部電極３と蓋体８との間に挟み込んだ状態で、不活性雰囲気中で加熱処理をおこない、Ｉｂ族金属およびＩＩＩｂ族金属とＶＩｂ族元素とを化合させる。 （もっと読む）