【課題】 基板上に成膜される薄膜の面内膜厚の均一性を向上させる。
【解決手段】 イオンを発生するイオン発生部と、ターゲットを複数配列させたターゲット群を保持し、ターゲット群のうち所定のターゲットにイオンが入射するようターゲット群を回動させるターゲット保持部と、所定のターゲットにて発生したスパッタ粒子が入射されるように基板を保持する基板保持部と、スパッタ粒子の基板上への入射を規制する規制部材を複数保持し、所定のターゲットに応じた所定の規制部材を基板と所定のターゲットとの間に挿入させる規制部材保持部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 絶縁基板との接着性及びエッチング性の両方に優れ、回路パターン形成の際のエッチング性が良好でファインピッチ化に適したプリント配線板用両面処理銅箔を提供する。
【解決手段】 プリント配線板用銅箔は、銅箔基材と、銅箔基材における一方の表面の少なくとも一部を被覆する第１の被覆層と、他方の表面の少なくとも一部を被覆する第２の被覆層とを備える。第１の被覆層にはＣｒが１８〜１８０μｇ／ｄｍ²の被覆量で存在し、第１の被覆層のＸＰＳによる表面からの深さ方向分析から得られた深さ方向（ｘ：単位ｎｍ）の金属クロムの原子濃度（％）をf₁(x)とし、酸化物クロムの原子濃度（％）をf₂(x)とし、全クロムの原子濃度（％）をf(x)とし（f(x)= f₁(x)+ f₂(x)）、銅の原子濃度（％）をh(x)とし、酸素の原子濃度（％）をｉ(x)とし、炭素の原子濃度（％）をj(x)とし、その他の金属の原子濃度の総和をｋ(x)とすると、区間［０、１．０］において、∫ｈ(x)dx/(∫f(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx + ∫k(x)dx)が１０％以下で、∫f₂(x)dx/(∫f(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx + ∫k(x)dx)が２０％以上で、区間［１．０、２．５］において、０．１≦∫f₁(x)dx/∫f₂(x)dx≦１．０を満たす。第２の被覆層は、白金族金属、金、及び、銀からなる群から選択される１種以上を含む。 （もっと読む）

【課題】離型剤の塗布をなくす方向への改善を可能とするために、高硬度性、密着性（金型に対するもの）、耐ヒートクラック性、耐圧性、耐熱性（耐酸化性）、耐食性（耐溶損性）、低濡れ性（耐溶着性）の特性を満足する鋳造金型表面用保護膜を提供すること。
【解決手段】金属基材表面に形成される保護膜本体を備え、その保護膜本体はCrAlN相とBN相とが三次元的に混じり合う複合膜であることを特徴とする鋳造金型表面用保護膜。又、その表面に向かうほどBN含有量率（vol％）が連続的に多くなる傾斜膜もしくは段階的に多くなる多層膜、又はこれらを組み合わせた膜である。 （もっと読む）

本願は、第１基材上の収容溝に補助体を挿入して、前記補助体の第１表面は、前記収容溝に収容され、前記補助体の第２表面は、外部に露出させるステップ、前記第２表面に第１コーティング層を形成するステップ、前記第１コーティング層が形成された補助体と第２基材とを付着するステップ、前記第２基材に付着した前記第１コーティング層が形成された補助体を前記第１基材から分離して、前記第１コーティング層が形成された補助体の第１表面を外部に露出させるステップ、前記第１表面上に第２コーティング層を形成するステップ、及び前記第１コーティング層と前記第２コーティング層とが形成された補助体を前記第２基材から分離するステップを含む粒子の製造方法及びこれによって製造される粒子を提供する。 （もっと読む）

【課題】工程数の少ない手法でギャップ間距離が小さく、さらに様々な電極形状が調製可能であるナノギャップ電極の製造方法を得る。
【解決手段】先端が９０度又は鋭角である角を備えた電極材料を基板上に形成し、この電極材料にレーザー光を照射して、鋭角の角の一部を切り離して微小電極を形成すると共に該微小電極と残余の電極本体との間にナノスケールのギャップを形成するナノギャップ電極の製造方法。基板上に１０〜１００μｍのサイズのポリマー又はセラミックスビーズを均一に展開し、この上に電極材料をＰＶＤ法又はＣＶＤ法により被覆し、このビーズを除去することにより基板上に三角錐の電極材料を残存させ、この三角錐の電極材料にレーザー光を照射し、鋭角の角の一部を切り離して微小電極を形成し、該微小電極と残余の電極本体との間にナノスケールのギャップを形成するナノギャップ電極の製造方法。 （もっと読む）

【課題】反りの発生を抑制すると共に、膜厚分布の発生を抑制して、電池を組み立てた際に、初期短絡の発生やサイクル寿命の短命化を招かない電池用正極の製造方法を提供する。
【解決手段】基材の外周部を、基材ホルダーにより固定する基材固定工程と、固定された基材の表面に、気相成長法を用いて、正極層を成膜する成膜工程とを有する電池用正極の製造方法であって、基材を上下方向から保持する１対の中枠と、中枠を外側から保持し、かつ、開口部が基材面側から外側に向けて開口面積が大きくなるように形成される１対の外枠とを有する基材ホルダーを用い、基材ホルダーにより固定される基材のうち、開口部内に位置する基材の表面に、正極層を成膜する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を成膜する成膜技術を提供することを課題の一とする。
【解決手段】金属酸化物の焼結体を含み、その金属酸化物の焼結体の含有水素濃度が、たとえば、１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満と低いスパッタリングターゲットを用いて酸化物半導体膜を形成することで、Ｈ_２Ｏに代表される水素原子を含む化合物、もしくは水素原子等の不純物の含有量が少ない酸化物半導体膜を成膜する。また、この酸化物半導体膜をトランジスタの活性層として適用する。 （もっと読む）

【課題】相対的に低い温度の熱処理によっても、比抵抗、抵抗温度特性、高温安定性、耐塩水性のいずれにも優れた薄膜抵抗器、およびその製造のための抵抗体材料および製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃｒ、ＡｌおよびＹから選択される１種以上の添加元素を１０〜６０質量％含有し、残部がＮｉと不可避不純物からなるＮｉ合金に、ＳｉＯ₂を主成分とし、Ｂ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ａｌ、Ｚｒおよびこれらの酸化物から選択される１種以上を０〜９０質量％含有するシリケート系ガラスが３〜２０質量％添加されている抵抗体材料を使用する。 （もっと読む）

【課題】 スパッタ法により良好にＮａ添加されたＣｕ−Ｇａ膜を成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 スパッタリングターゲットのフッ素を除く金属成分としてＧａ：２０〜４０ａｔ％、Ｎａ：０．０５〜１ａｔ％を含有し、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる成分組成を有し、ＮａはＮａＦ化合物の状態で含有されている。また、このスパッタリングターゲットを作製する方法は、ＮａＦ粉末とＣｕ−Ｇａ粉末との混合粉末、又はＮａＦ粉末とＣｕ−Ｇａ粉末とＣｕ粉末との混合粉末からなる成形体を形成し、その後、真空、不活性ガスまたは還元雰囲気中で焼結する工程を有している。 （もっと読む）

【課題】 組成偏析の極めて少ないＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ｃｕ，Ｉｎ，ＧａおよびＳｅを不活性ガス中で加熱、溶解してＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金溶湯を作製する工程と、四元系合金溶湯を鋳造してインゴットを作製する工程と、インゴットを粉砕して四元系合金粉末を作製する工程と、四元系合金粉末を不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程と、を有し、四元系合金溶湯を作製する工程で、ＩｎとＧａとが全て溶解する温度であってＳｅの融点未満の温度に加熱して少なくとも固相のＳｅと、液相のＩｎとＧａとからなる溶湯とが共存する第１の溶解工程Ｓ１と、該第１の溶解工程後に四元系合金の融点以上の温度に加熱して四元系合金溶湯を作製する第２の溶解工程Ｓ２と、を有している。 （もっと読む）

【課題】
本発明は多成分単一体のスパッタリングターゲット及びその製造方法、これを利用した多成分合金系ナノ構造薄膜製造方法に関するものである。
【解決手段】
本発明による多成分単一体のスパッタリングターゲットは、窒素と反応して窒化物形成が可能な窒化物形成金元素及び前記窒化物形成金元素に対する高溶度がないか低く、窒素と反応しないか反応性が低い非窒化物形成金元素の非晶質または部分結晶化された非晶質形成合金系を含むもので、前記窒化物形成金元素はTi、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Al、Siから選択された少なくとも一つの元素を含み、前記非窒化物形成金元素はMg、Ca、Sc、Ni、Cu、Y、Ag、In、Sn、La、Au、Pbから選択された少なくとも一つの元素を含んで構成してもよい。 （もっと読む）

【課題】比較的に大型の矩形基板に対して、構造が簡易で、かつ、均一性の良く膜質が良好な薄膜を形成できるスパッタリング装置、薄膜の製造方法及び電子素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】排気可能な真空容器内に、ターゲット１ａ裏面側に平面矩形状のマグネットユニット３を備え、ターゲット１ａの表面でスパッタされたスパッタ粒子により基板保持台５に載置する基板２上に薄膜を形成するスパッタリング装置であって、スパッタ粒子が放出される側のターゲット１ａと基板２間に、基板保持台５の面内方向に対して垂直な遮蔽板４を具備した構造を有する。 （もっと読む）

【課題】接合時の変形に追従して被膜の断裂や密着性の悪化などが生じず、耐電位差腐食性に優れた金属被膜がコーティングされたセルフピアスリベットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】鉄またはその合金を母材とし、その表面に柱状結晶組織の金属被膜を有する。またその製造方法は、鉄またはその合金によって形成された母材の表面に、雰囲気圧力０．１〜３．０Ｐａ、平均成膜速度０．０１〜１０μｍ／分で、金属蒸着被膜を形成する。 （もっと読む）

本発明は、ガス雰囲気中におけるカソードスパッタリングにより、且つ、少なくとも１つの金属ターゲット（１６）を使用することにより、摩擦的に有効な摺動層（６）を有する基材の表面（５）を被覆することによって滑り軸受要素（１）を製造する方法であって、円筒形空洞（３）を有する基材が使用され、且つ、ターゲット（１６）は、空洞（３）内に少なくとも部分的に配置され、且つ、更には、ターゲット（１６）をスパッタリングするための放電は、第３電極（２６）によって支持又は維持される方法に関する。
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本発明は、基板（１）と、少なくとも１つの極薄金属膜（３）と接触する導電膜（２）からなる層状構造部と、を備え、２つの膜（２，３）が異なる材料からなり、前記導電膜（２）がＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌから選択され、前記極薄金属膜（３）がＮｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌおよびこれらの混合物から選択される電極に関する。電極は、光電子デバイスに特に有益であり、良好な導電率、透過率および安定性を示す。
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【課題】Ａｕを含む表面層をＴｉ基材上に強固かつ均一に形成させることができ、燃料電池用セパレータに要求される耐食性、導電性及び耐久性も確保できる燃料電池用セパレータ材料を提供する。
【解決手段】Ｔｉ基材２の表面に、Ａｌ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｓｎ及びＢｉからなる群より選択される少なくとも１種類以上の金属からなる第１成分とＡｕとを含む表面層６が形成され、表面層における第１成分の含有量が、第１成分の比重（g/cm³）×０．００１〜第１成分の比重（g/cm³）×０．０１（μｇ／ｍｍ^２）であり、かつＡｕの含有量が０．０７０（μｇ／ｍｍ^２）以上であり、表面層のどの深さにおいても、金属状態の第１成分の含有量が２５質量％以下である燃料電池用セパレータ材料である。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの角度を調整可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、イオンを発生させるイオン源と、該イオン源が発射したイオンビームが照射されるターゲットと、該ターゲットを保持するターゲットホルダと、前記ターゲットからはじき出されたターゲット成分粒子が堆積する位置で基板を保持する基板ホルダと、前記ターゲットの前記イオンビームに対する角度を調整する角度調整部と、を有している。ターゲットホルダに保持されたターゲットの角度を角度調整部により調整し、イオン源が発射したイオンビームを前記ターゲットに照射させて前記ターゲットからはじき出されたターゲット成分を基板ホルダに保持された基板に堆積させる。 （もっと読む）

【課題】フットプリントを抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板を保持する基板ホルダと、イオンを発生させるイオン源と、該イオン源から発生するイオンが照射されるターゲットと、前記基板ホルダが軸延長方向に位置するように配置される回転軸と、該回転軸に対して垂直方向であって異なる方向に複数延在する延在部と、該延在部それぞれに設けられ前記ターゲットを前記基板ホルダ側に近づくに従って前記回転軸と前記ターゲットとの距離が短くなるように保持するターゲットチャックと、前記回転軸を回転させる回転装置と、を有する。 （もっと読む）

【課題】単一のスパッタリングチャンバを用いて基板に形成された開口部内へのＡｌ材料の埋め込みを適切に行えるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１００は、スパッタリングチャンバ３０と、カソードユニット４１およびアノードＡ間の放電によりプラズマを形成可能なプラズマガン４０と、プラズマガン４０から放出されたプラズマ２２を磁界の作用によりシート状に変形可能な磁界発生手段２４Ａ、２４Ｂと、を備える。シートプラズマ２７は、スパッタリングチャンバ３０内の基板３４ＢとＡｌターゲット３５Ｂとの間を通過するように誘導され、シートプラズマ２７中の荷電粒子によってＡｌターゲット３５ＢからスパッタリングされたＡｌ材料が基板３４Ｂの開口部に堆積する際に、Ａｌ堆積膜２００のカバレッジ性が、プラズマ放電電流ＩＤ、ターゲットバイアス電圧ＶＢ、および、ターゲット−基板間距離Ｌに基づいて調整される。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ膜等の金属膜の成膜を行う際、ターゲットに生じるノジュールや屑の堆積等の問題を改善した熱線遮蔽積層膜を提供すること。
【解決手段】基体上に蒸着プロセスを経て形成される熱線遮蔽積層膜であり、該熱線遮蔽積層膜は、基体上に、少なくとも透明酸化物膜層、貴金属膜層、貴金属保護膜層、が順次積層されて成り、上記透明酸化物膜層はＺｎ_ｘＳｎ_ｙＯ_ｚ膜（ｘ、ｙ、ｚは正の有理数）を有し、該Ｚｎ_ｘＳｎ_ｙＯ_ｚ膜は該膜に含まれるＳｎとＺｎとのＳｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）で表される値が５〜２０ｗｔ％であり、上記貴金属膜層はＡｇ膜もしくはＡｇを主成分とする膜から成ることを特徴とする。 （もっと読む）