【課題】 工程を煩雑なものとすることなく、かつ産業廃棄物として取扱いが煩雑なものとなる酸洗用の薬液等を使用することなく、最表面に不動態被膜を有する金属基材の表面に、その不動態被膜の酸洗除去等を施さずとも、良好なはんだ濡れ性およびはんだ付けに対する接合強度を付与してなる、表面処理金属材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 この表面処理金属材は、最表層に不動態被膜を有する金属基材１の表面上に、当該金属基材１の表面側から順に、クロム（Ｃｒ）を主成分とするスパッタ膜からなり、当該膜の内部残留応力が圧縮応力または略ゼロである密着層２と、銅（Ｃｕ）、銅とニッケル（Ｃｕ−Ｎｉ）の混合状態、銅と亜鉛（Ｃｕ−Ｚｎ）の混合状態、銅とニッケルと亜鉛（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｚｎ）の混合状態のうちの少なくともいずれか一種類を主成分とするスパッタ膜からなる接着層３とを形成してなるものである。 （もっと読む）

【課題】 工程を煩雑なものとすることなく、かつ産業廃棄物として取扱いが煩雑なものとなる酸洗用の薬液等を使用することなく、最表面に不動態被膜を有する金属基材の表面に、その不動態被膜の酸洗除去等を施さずとも、良好なはんだ濡れ性およびはんだ付けに対する接合強度を付与してなる、表面処理金属材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 この表面処理金属材は、最表層に不動態被膜を有する金属基材１の表面上に、当該金属基材１の表面側から順に、チタン（Ｔｉ）を主成分とするスパッタ膜からなり、当該膜の内部残留応力が圧縮応力または略ゼロである密着層２と、銅（Ｃｕ）、銅とニッケル（Ｃｕ−Ｎｉ）の混合状態、銅と亜鉛（Ｃｕ−Ｚｎ）の混合状態、銅とニッケルと亜鉛（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｚｎ）の混合状態のうちの少なくともいずれか一種類を主成分とするスパッタ膜からなる接着層３とを形成してなるものである。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムが有する特長（優れた導電性・加工性・軽量性・リサイクル性等）を損なうことなく外部環境に対する耐食性・耐久性を付与するとともに内部における局部電池腐食を抑制することにより、電気化学的に厳しい環境下においても電極材料として有用な優れた耐食性と耐久性とを併せ持つアルミニウム材料を提供する。
【解決手段】アルミニウム材料は、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる基材１の外層に防食層３と導電層５とが形成されたアルミニウム材料であって、前記基材１と前記防食層３との間にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなり平均厚さが10nm以上200nm以下の接着層２が形成され、前記防食層３は、その自然電位が前記接着層２の自然電位よりも-0.1V乃至1.2V大きく、かつ大気中で不動態被膜を形成しやすい材料である。 （もっと読む）

【課題】 工程を煩雑なものとすることなく、かつ産業廃棄物として取扱いが煩雑なものとなる酸洗用の薬液等を使用することなく、最表面に不動態被膜を有する金属基材の表面に、その不動態被膜の酸洗除去等を施さずとも、良好なはんだ濡れ性およびはんだ付けに対する接合強度を付与してなる、表面処理金属材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 この表面処理金属材は、最表層に不動態被膜を有する金属基材１の表面上に、当該金属基材１の表面側から順に、ニオブ（Ｎｂ）を主成分とするスパッタ膜からなり、当該膜の内部残留応力が圧縮応力または略ゼロである密着層２と、銅（Ｃｕ）、銅とニッケル（Ｃｕ−Ｎｉ）の混合状態、銅と亜鉛（Ｃｕ−Ｚｎ）の混合状態、銅とニッケルと亜鉛（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｚｎ）の混合状態のうちの少なくともいずれか一種類を主成分とするスパッタ膜からなる接着層３とを形成してなるものである。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムが有する特長（優れた導電性・加工性・軽量性・リサイクル性等）を損なうことなく電極材料として好適に利用可能となる、錫とアルミニウムとの密着性に優れかつ耐食性に優れた錫被覆アルミニウム材料を提供する。
【解決手段】錫被覆アルミニウム材料は、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる基材１の外層に、防食層３と、錫または錫合金からなる電気接点層４とが形成された錫被覆アルミニウム材料１０であって、前記防食層３が、チタン、クロム、ニオブから選ばれる１種または前記選ばれる１種を主成分とする合金からなる層である。 （もっと読む）

【課題】耐環境性、特に耐腐食性を高めることを可能とした磁気記録媒体の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】インライン式成膜装置を用いて、少なくとも非磁性基板の面上に形成された記録磁性層に磁気記録パターンを有する磁気記録媒体を製造する際に、少なくとも記録磁性層８３と磁気記録パターン８３ａに対応したマスク層とがこの順で積層された非磁性基板８０をキャリアに取り付ける工程と、記録磁性層８３のマスク層で覆われていない箇所を反応性プラズマ処理又はイオン照射処理することにより、磁気記録パターン８３ａを形成する工程と、記録磁性層８３上からマスク層を除去する工程と、キャリアから非磁性基板８０を取り外す工程とを含み、キャリアが各チャンバの間を通過する間に、各チャンバ内を減圧雰囲気とし、大気と遮断された状態で各工程を連続して行う。 （もっと読む）

【課題】インモールド成形や基材に積層させて行なわれるブロー成形及びプレス成形によって成形品を形成する際に、表面に金属膜を形成した熱可塑性樹脂フィルムを成形品の急激な曲面に使用しても、金属薄膜が屈曲に追随させられるようにすること
【解決手段】金属膜が真空蒸着法によって形成されたＳｎ−Ｚｎ合金薄膜であって、そのＳｎ組成を３３〜９６原子パーセントとした （もっと読む）

【課題】アンダーバンプメタルのＣｕの膜質のバラツキを抑制してサイドエッチ量のバラツキを低減する半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、半導体ウエハに形成された半導体チップにアンダーバンプメタルを蒸着するスパッタ装置内の温度を判定する判定ステップと、前記スパッタ装置内の温度がアンダーバンプメタルの蒸着に適した所定温度以上でないと判定したときに、前記スパッタ装置にダミーウエハを投入するダミーウエハ投入ステップと、前記スパッタ装置にダミーウエハを投入して前記スパッタ装置内の温度が前記所定温度以上となったと判定したときに、前記半導体ウエハを前記スパッタ装置に投入する半導体ウエハ投入ステップと、を有する半導体装置の製造方法とした。 （もっと読む）

パターンが形成された基板上に金属を堆積させる方法および装置を提供する。金属層が，第１のエネルギーを有する物理蒸着工程で形成される。第２のエネルギーを用いて金属層上に第２の物理蒸着工程が行われ、ここで、堆積層は、脆性および塑性表面修正工程の相互作用を受け、基板上にほぼ同形の金属層が形成される。
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【課題】意匠面に対する金属薄膜の高い付着性と優れた耐薬品性とを十分に確保した上で、金属表面が、よりリアルに表現され得る加飾樹脂成形品を提供する。
【解決手段】基材１２の意匠面１８に、物理蒸着法又は化学蒸着法により金属薄膜２０を直接に形成して、金属調の加飾を実現すると共に、該金属薄膜２０に対して、樹脂と金属の両方に架橋する透明な塗料の塗膜からなる第一のトップコート層２２を直接に積層形成し、更に、該第一のトップコート層２２に対して、ガラス転移温度が５５〜１２０℃である透明な塗膜からなる第二のトップコート層２３を直接に積層形成して、構成した。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高いＭＲ比を持った磁気抵抗素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上に、スパッタリング法を用いて、磁化固定層、磁化自由層及びトンネルバリア層を成膜する工程において、磁化固定層成膜工程は、Ｃｏ原子、Ｆｅ原子及びＢ原子を含有する第１ターゲットと、Ｃｏ原子及びＦｅ原子を含有し、該第１ターゲット中のＢ原子含有量と相違する含有量の第２ターゲットと、を用いたコ−スパッタリング法により、Ｃｏ原子、Ｆｅ原子及びＢ原子を含有する強磁性体層を成膜する
ことを特徴とする磁気抵抗素子の製造法。 （もっと読む）

【課題】 ガラス基板やＳｉ系下地膜との密着性やバリア性に優れた配線膜を形成するための酸素を含有したＣｕ合金ターゲットに関して、ターゲット中に存在する酸素を均一に分散させたスパッタリングターゲットの製造方法およびその製造方法で作製されるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 酸素含有雰囲気中で加熱処理して酸素導入したＣｕ粉末と、Ｃｕよりも酸化物形成自由エネルギーが小さい元素から選ばれる少なくとも1種類以上の添加元素粉末とを混合した後に加圧焼結し、Ｃｕと添加元素と酸素の総和を１００原子％とした時に、添加元素を０．０５〜１０原子％含有するとともに、酸素を５．０原子％以上かつＣｕと添加元素が形成する酸化物の化学量論量以下含有するスパッタリングターゲット素材を得るスパッタリングターゲットの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線中のＭｎの残留量を減らすことができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃｕ層２０の形成後、Ｃｕ層２０上に、高純度Ｃｕからなる犠牲層３１が積層される。そして、犠牲層３１の形成後、熱処理により、Ｃｕ層２０と第２絶縁層６との間に、ＭｎＳｉＯからなる第２バリア膜１３が形成される。このとき、第２バリア膜１３の形成に寄与しない余剰のＭｎは、Ｃｕ層２０中に拡散する。Ｃｕ層２０上に高純度Ｃｕからなる犠牲層３１が積層されているので、Ｃｕ層２０に拡散したＭｎの一部は、Ｃｕ層２０中を犠牲層３１に引き寄せられるように移動し、犠牲層３１に拡散する。この犠牲層３１へのＭｎの拡散により、Ｃｕ層２０に含まれるＭｎの量が減少する。よって、Ｃｕ層２０からなる第２Ｃｕ配線中のＭｎの残留量を減らすことができる。 （もっと読む）

【課題】安価でかつ耐食性の高いオーステナイト系ステンレス材料からなる蒸発源や制御板等の蒸発源用治具およびその製造方法を提供する。
【解決手段】被蒸着物質に対して蒸着する際に用いられる蒸着材料を収容し一定温度に加熱して蒸着材料を蒸発させる蒸発源と、蒸着材料が加熱・溶融した際に突沸を起こして飛び散った液体が直接、被蒸着物質である基板へ飛行するのを防ぐ金属メッシュ等の分球ふるいからなる蒸発源用治具であって、この蒸発源用治具をＣｒ主体のクロム系酸化物被膜とＦｅ主体の鉄系酸化物被膜の少なくとも２層でこの順に覆われたオーステナイト系ステンレスとする。 （もっと読む）

【課題】安価でかつ耐食性の高い蒸発源や制御板等の蒸発源用治具およびその製造方法を提供する。
【解決手段】被蒸着物質に対して蒸着する際に用いられる蒸発源用治具であって、蒸発源用治具がＣｒ主体のクロム系酸化物被膜とＦｅ主体の鉄系酸化物被膜の少なくとも２層でこの順に覆われたオーステナイト系ステンレスまたは検出硬化系ステンレスからなり、このオーステナイト系ステンレスまたは検出硬化系ステンレスが３族元素、４族元素、５族元素、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐのうち少なくとも１つの強還元性元素を０．１ｍｏｌ％以上含むものとする。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気記録媒体のＲｕ中間膜の配向性を高め記録媒体のノイズを減らすこと。
【解決手段】
非磁性基板上に軟磁性裏打ち層を製膜し、その上に組成がＣｕ−Ｇｅからなるスパッタリングターゲットを用いてＣｕとＧｅからなる組成のシード膜を製膜する。Ｇｅが２〜１０ａｔ％の範囲で上記スパッタリングターゲットは（１０．１）面の回折強度と（００．２）面の回折強度との強度比Ｉ（１０．１）／Ｉ（００．２）が１より小さい擬ｈｃｐ結晶構造となり、スパッタ製膜されたシード膜も擬ｈｃｐ構造となる。該Ｃｕ−Ｇｅシード膜の上にＲｕ中間層を製膜することでＲｕ中間膜の配向性を向上させることが可能であり、ひいては記録媒体のノイズを減少できる。Ｃｕ−Ｇｅターゲットは上記強度比を１以下にするためにＣｕ、Ｇｅ以外の不純物元素混入量を２ａｔ％以下に抑える必要があり、そのため粉末焼結法で作成される。 （もっと読む）

【課題】全面に渡って比抵抗値が均一なフラットパネルディスプレイ用配線膜を形成することができるスパッタリングターゲットおよびそのターゲットを用いて成膜したフラットパネルディスプレイ用配線膜を提供する。
【解決手段】Ｃｒ：０．１〜１５原子％、ＬｉおよびＣａのうちの１種または２種の合計：０．１〜１５原子％を、ＣｒとＬｉとＣａの合計が０．２〜２０原子％の範囲内にあるように含有し、さらに必要に応じてＭｇ：０．１〜５原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有するフラットパネルディスプレイ用配線膜を形成するためのスパッタリングターゲット、並びにこのターゲットを用いて形成したフラットパネルディスプレイ用配線膜およびフラットパネルディスプレイ用配線下地膜。 （もっと読む）

【課題】溝の側面に対する合金膜の付着性（サイドカバレッジ）を向上させることができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】合金膜１８は、バイアススパッタ法により形成される。そして、そのバイアススパッタ法による合金膜１８の形成時には、第２溝１１およびビアホール１２の内面に向けて飛散するスパッタ粒子のエネルギーにより、第２溝１１およびビアホール１２の底面に付着しているスパッタ粒子が弾き飛ばされ、その弾き飛ばされたスパッタ粒子が第２溝１１およびビアホール１２の側面に再付着（リスパッタ）するように、スパッタ粒子を加速するためのＲＦバイアスが設定される。 （もっと読む）

【課題】溝を埋め尽くすように形成されるＣｕ層中のＭｎの残留量の増加を生じることなく、溝の側面上における合金膜の膜剥がれの発生を防止することができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉおよびＯを含む絶縁材料からなる第２絶縁層６に、第２溝１１が形成される。次に、スパッタ法により、第２溝１１の内面に、ＣｕＭｎ合金からなる合金膜１８が被着される。この合金膜１８は、第２溝１１の内面に接する部分のＭｎ濃度が相対的に高く、その表層部分のＭｎ濃度が相対的に低くなるように形成される。次いで、合金膜１８上に、Ｃｕからなる第２配線１４が形成される。第２配線１４の形成後、熱処理により、第２配線と第２絶縁層６との間に、ＭｎＳｉＯからなる第２バリア膜１３が形成される。 （もっと読む）

【課題】低抵抗性で耐熱性に優れ、表面凹凸が小さい低抵抗金属層を備える積層体、このような積層体上に形成され、膜質のバラツキや表面粗さの小さい高品質な圧電体層を備える圧電素子、およびこの圧電素子を用いた液体吐出装置を提供する。
【解決手段】圧電素子１０は、積層体３０を用いるもので、基板１２、熱酸化膜１４、密着金属層１６、金含有層１８、密着金属層２０、金属層２２、圧電体層２４、上部電極層２６をこの順で積層した積層構造を有する。密着金属層１６、金含有層１８、密着金属層２０および金属層２２は、電極層、特に、下部電極層として用いられる低抵抗金属層２８を構成し、基板１２、熱酸化膜１４および低抵抗金属層２８は、積層体３０を構成する。 （もっと読む）